JP6308293B2 - 高周波モジュール - Google Patents

Description

この発明は、高周波モジュールに関する。

従来の高周波モジュールに関して、たとえば、国際公開第２００７／０８８７３２号には、部品点数の削減、移動体通信装置の小型軽量化、移動体通信装置の高周波回路部の回路設計の簡略化を可能とすることを目的とした、複合高周波部品が開示されている（特許文献１）。特許文献１に開示された複合高周波部品は、多層基板に内挿され、多層基板を平面視した場合に一方向に並ぶように設けられる複数のヘリカル状インダクタを備える。

国際公開第２００７／０８８７３２号

上述の特許文献１に開示されるように、移動体通信装置のアンテナスイッチモジュール等として利用される複合高周波部品が知られている。この複合高周波部品においては、装置の小型化を図るために、多層基板の全長を短くする要求がある。一方、このような要求に応えるために複数のヘリカル状インダクタを狭ピッチで配列すると、互いに隣り合うインダクタ間が電磁界結合し、十分な絶縁性（Isolation）が得られないおそれが生じる。

そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、基板の全長の短縮化を図りつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性が得られる高周波モジュールを提供することである。

この発明に従った高周波モジュールは、主面を有する基板と、基板の主面を平面視した場合に、環状に延びる形状の環状部を有し、基板に設けられる複数のインダクタとを備える。複数のインダクタは、第１インダクタと、第１インダクタと隣り合って配置される第２インダクタとを含む。第１インダクタの環状部は、直線状に延びる第１直線部を含む。第２インダクタの環状部は、第２インダクタの環状部のうちで第１直線部に最も近接する頂点と、頂点から第１直線部と非平行な方向に直線状に延びる第２直線部および第３直線部とを含む。
この発明の別の局面に従った高周波モジュールは、主面を有する基板と、基板の主面を平面視した場合に、環状に延びる形状の環状部を有し、環状部が所定方向に沿って千鳥状に並ぶように基板に設けられる複数のインダクタとを備える。複数のインダクタは、第１インダクタと、第１インダクタと隣り合って配置される第２インダクタとを含む。第１インダクタの環状部は、直線状に延びる第１直線部を含む。第２インダクタの環状部は、第１直線部と平行な方向に直線状に延び、基板の主面を平面視した場合に、所定方向に対する斜め方向において第１直線部と対向する第２直線部を含む。

このように構成された高周波モジュールによれば、第１直線部および第２直線部が、所定方向に対する斜め方向において対向するため、所定方向に沿って千鳥状に並ぶ複数のインダクタ間を狭ピッチとした場合であっても、環状部間の絶縁性を確保し易くなる。このため、基板の全長の短縮化を図りつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性が得られる高周波モジュールを実現することができる。

また好ましくは、基板は、基板の主面を平面視した場合に、第１辺と、第１辺に交わる第２辺とを有する矩形形状を有する。所定方向は、第１辺が延びる方向である。このように構成された高周波モジュールによれば、第１辺が延びる方向における基板の全長を短くしつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性を確保することができる。

また好ましくは、第１辺の長さは、第２辺の長さよりも長い。このように構成された高周波モジュールによれば、長辺となる第１辺が延びる方向における基板の全長を短くしつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性を確保することができる。

この発明の別の局面に従った高周波モジュールは、主面を有する基板と、基板の主面を平面視した場合に、環状に延びる形状の環状部を有し、基板に設けられる複数のインダクタとを備える。複数のインダクタは、第１インダクタと、第１インダクタと隣り合って配置される第２インダクタとを含む。第１インダクタの環状部は、直線状に延びる第１直線部を含む。第２インダクタの環状部は、第１直線部と非平行な方向に直線状に延び、第１直線部と対向する第２直線部を含む。

このように構成された高周波モジュールによれば、第１直線部および第２直線部が互いに非平行となるように設けられるため、第１インダクタと第２インダクタとを近接して配置した場合であっても、環状部間の絶縁性を確保し易くなる。このため、基板の全長の短縮化を図りつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性が得られる高周波モジュールを実現することができる。

また好ましくは、第１直線部と第２直線部とが、４５°の角度をなす。このように構成された高周波モジュールによれば、環状部間の絶縁性をさらに確保し易くなる。

また好ましくは、複数のインダクタは、基板の主面を平面視した場合に、環状部が一方向に並ぶように設けられる。このように構成された高周波モジュールによれば、複数のインダクタの並び方向における基板の全長を短くしつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性を確保することができる。

また好ましくは、複数のインダクタは、基板の主面を平面視した場合に、環状部が所定方向に沿って千鳥状に並ぶように設けられる。このように構成された高周波モジュールによれば、環状部が千鳥状に並ぶ方向における基板の全長を短くしつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性を確保することができる。

また好ましくは、高周波モジュールは、第１インダクタと第２インダクタとの間に位置するように基板に設けられ、接地電位に接続される配線をさらに備える。このように構成された高周波モジュールによれば、第１インダクタおよび第２インダクタ間の絶縁性を確保し易くなる。

また好ましくは、高周波モジュールは、複数の接点を有するスイッチング素子をさらに備える。第１インダクタおよび第２インダクタは、それぞれ、複数の接点間に生じる容量性をキャンセルする整合素子として、複数の接点に接続される。

このように構成された高周波モジュールによれば、整合素子として設けられたインダクタ間において十分な絶縁性を得ることができる。

また好ましくは、基板は、複数の絶縁層が積層されてなる積層構造を有する。環状部は、基板を複数の絶縁層の積層方向から見た場合に、環状に延びる形状を有する。

このように構成された高周波モジュールによれば、複数の絶縁層が積層されてなる積層構造を有する基板の全長の短縮化を図りつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性が得られる高周波モジュールを実現することができる。

以上に説明したように、この発明に従えば、基板の全長の短縮化を図りつつ、隣り合うインダクタ間で十分な絶縁性が得られる高周波モジュールを提供することができる。

この発明の実施の形態１における高周波モジュールを示す断面図である。 図１中の矢印ＩＩに示す方向から見た高周波モジュールの透視図である。 図２中の高周波モジュールを部分的に拡大して示す透視図である。 比較のための高周波モジュールを示す透視図である。 この発明の実施の形態２における高周波モジュールを示す透視図である。 図５中の高周波モジュールの第１変形例を示す透視図である。 図５中の高周波モジュールの第２変形例を示す透視図である。 図５中の高周波モジュールの第３変形例を示す透視図である。 この発明の実施の形態３における高周波モジュールを示す回路図である。 図９中の２点鎖線Ｘで囲まれた範囲の高周波モジュールを示す透視図である。

この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下で参照する図面では、同一またはそれに相当する部材には、同じ番号が付されている。

（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１における高周波モジュールを示す断面図である。図２は、図１中の矢印ＩＩに示す方向から見た高周波モジュールの透視図である。図１中には、図２中のＩ−Ｉ線上に沿った高周波モジュールの断面が示されている。

図１および図２を参照して、本実施の形態における高周波モジュール１０は、基板１２と、基板１２に設けられる複数のヘリカル状インダクタ３１とを有する。

基板１２は、絶縁性材料から形成されている。基板１２は、主面１２ａを有する。主面１２ａは、基板１２が有する複数の側面のうちで最も大きい面積を有する。本実施の形態では、基板１２の主面１２ａを正面から見た場合に、基板１２が矩形形状の平面視を有する（以下、基板１２の主面１２ａを正面から見た場合を、単に「基板１２の平面視」ともいう）。基板１２は、その平面視において、長辺１３と、長辺１３に交わる短辺１４とを有する。長辺１３は、第１の矢印１０２に示す方向に延び（以下、基板１２の長辺方向ともいう）、短辺１４は、第１の矢印１０２に示す方向に対して直角方向である第２の矢印１０３に示す方向に延びている。長辺１３および短辺１４は、それぞれ、長さＷおよび長さＬを有する。短辺１４の長さＬは、長辺１３の長さＷよりも短い（Ｌ＜Ｗ）。

基板１２は、複数の絶縁層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ（以下、特に区別しない場合には、絶縁層２１という）が積層されてなる積層構造を有する多層回路基板である。絶縁層２１は、セラミックスまたは樹脂からなる絶縁性の材料により形成されている。樹脂からなる絶縁層２１の材料は、たとえば、ポリイミド、ＬＣＰ（液晶ポリマ）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）から形成されている。特に本実施の形態においては、基板１２が、セラミックス材料を用いたセラミックス基板からなる。セラミックス基板としては、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板またはＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板を用いることができる。多層回路基板の表面および内部には、導電性材料から形成された配線が設けられている。

複数の絶縁層２１は、第３の矢印１０１に示す一方向に積層されている。絶縁層２１Ａ、絶縁層２１Ｂ、絶縁層２１Ｃ、絶縁層２１Ｄおよび絶縁層２１Ｅは、挙げた順に上から下に並んでいる。基板１２は、その絶縁層２１の積層方向から見た場合に矩形形状の平面視を有する。絶縁層２１の積層方向における基板１２の長さ（厚み）は、長辺１３および短辺１４の長さよりも小さい。

なお、基板１２は、正方形の平面視を有してもよいし、矩形形状に限られず、矩形以外の任意の形状の平面視を有してもよい。基板１２は、必ずしも積層構造を有しなくてもよい。

ヘリカル状インダクタ３１は、導電性材料から形成されている。ヘリカル状インダクタ３１は、銅、銀、アルミニウム、ステンレス、ニッケルまたは金などの金属や、これらの金属を含む合金などから形成されている。

ヘリカル状インダクタ３１は、その構成部位として、環状部３２を有する。環状部３２は、基板１２の平面視において、環状に延びる形状を有する。本実施の形態では、環状部３２が、矩形（より具体的にいえば、正方形）の四辺に沿って周回する形状（矩形の周回形状）を有する。

環状部３２は、基板１２の内部に設けられている。より具体的には、環状部３２は、隣接する絶縁層２１の層間（絶縁層２１Ａおよび絶縁層２１Ｂの層間，絶縁層２１Ｂおよび絶縁層２１Ｃの層間，絶縁層２１Ｃおよび絶縁層２１Ｄの層間，絶縁層２１Ｄおよび絶縁層２１Ｅの層間）にそれぞれ設けられている。各層間に設けられた環状部３２同士は、絶縁層２１の積層方向に延びる図示しない内部ビア導電体によって、互いに接続されている。このような構成により、ヘリカル状インダクタ３１は、全体として、絶縁層２１の積層方向に沿ってヘリカル（螺旋）状に延びる形状を有する。

図３は、図２中の高周波モジュールを部分的に拡大して示す透視図である。図１から図３を参照して、複数のヘリカル状インダクタ３１は、環状部３２が第１の矢印１０２に示す方向に沿って千鳥状に並ぶように設けられている（以下、環状部３２が千鳥状に並ぶ方向を、環状部３２の千鳥並び方向ともいう）。環状部３２は、第２の矢印１０３に示す方向に沿った一方向と逆方向とに交互にずれながら、全体として第１の矢印１０２に示す方向に沿って並んでいる。本実施の形態では、環状部３２の千鳥並び方向と、基板１２の長辺方向とが一致する。より詳細には、複数のヘリカル状インダクタ３１のうちの一部が、基板１２の主面１２ａに沿って所定方向（基板１２の長辺方向（千鳥並び方向））にピッチＰ１の間隔で並べられている。さらに、複数のヘリカル状インダクタ３１のうちの残りが、基板１２の主面１２ａに沿って上記所定方向にピッチＰ１の間隔で、かつ、所定方向に直交する方向に上記複数のヘリカル状インダクタ３１の一部のピッチＰ１の中央から所定距離Ｂだけ離れた位置に、並べられている。

複数のヘリカル状インダクタ３１のうち、第１インダクタとしての、任意に選択したヘリカル状インダクタ３１Ｐと、第２インダクタとしての、上記ヘリカル状インダクタ３１Ｐと隣り合って配置されたヘリカル状インダクタ３１Ｑとに注目する。ヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２は、その構成部位として、直線部３２ｍを有する。ヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２は、その構成部位として、直線部３２ｎを有する。

直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、ヘリカル状インダクタ３１Ｐおよびヘリカル状インダクタ３１Ｑの間で互いに対向して設けられている。

直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、直線状に延びている。直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、環状部３２がなす矩形の周回形状のうちの一辺に対応する。直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、互いに平行に延びている。直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、環状部３２の千鳥並び方向に対して斜め方向に延びている。

基板１２の平面視において、第４の矢印１０６に示す、直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが対向する方向は、第１の矢印１０２に示す、環状部３２の千鳥並び方向に対して斜め方向となる。すなわち、直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが対向する方向は、環状部３２の千鳥並び方向と非平行であり、かつ環状部３２の千鳥並び方向と直交しない。

特に本実施の形態では、矩形の周回形状を有する環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準にして４５°傾いて設けられている。直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが対向する方向は、環状部３２の千鳥並び方向に対して４５°傾いた方向である。

なお、環状部３２は、矩形の周回形状に限らない。たとえば、環状部３２は、基板１２の積層方向からヘリカル状インダクタを見て、互いに平行に対向する一対の直線部と、上記一対の直線部に接続され、互いに平行に対向する別の一対の直線部とを有する長方形、正方形、または、ひし形を含む平行四辺形の周回形状を有してもよい。さらに、環状部３２は、矩形以外の多角形の周回形状を有してもよい。なお、基板１２の同じ絶縁層上に設けられている互いに隣接する２つの環状部３２において、２つの環状部３２の互いの距離が最も近い部分に、それぞれ、直線部３２ｍと直線部３２ｎとが設けられている。

本実施の形態では、複数のヘリカル状インダクタ３１が、隣接する環状部３２同士に環状部３２の千鳥並び方向において重なる部分が生じないように配置されているが、このような構成に限られず、重なる部分が生じるように配置されてもよい。また、図２および図３においては、環状部３２の角部を直線が交わる形状により表しているが、本発明では、環状部の少なくとも一部に直線部が存在すればよく、環状部の角部をテーパ形状や曲線形状としてもよい。

図４は、比較のための高周波モジュールを示す透視図である。図４は、本実施の形態における高周波モジュール１０を示した図２に対応する図である。

図４を参照して、本比較例では、複数のヘリカル状インダクタ３１が、環状部３２が基板１２の長辺方向に一列に並ぶように設けられている。このような構成において、高周波モジュールの小型化を図るべく、複数のヘリカル状インダクタ３１を狭ピッチで設けようとすると、隣接するヘリカル状インダクタ３１間で環状部３２同士が接近して、両者の間で十分な絶縁性を得ることが難しい。

図１から図３を参照して、これに対して、本実施の形態における高周波モジュール１０では、隣接するヘリカル状インダクタ３１間で直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが、環状部３２の千鳥並び方向に対して斜め方向において対向する。このような構成により、複数のヘリカル状インダクタ３１を狭ピッチＮで設けた場合であっても、対向する直線部３２ｍと直線部３２ｎとを互いに遠ざけて配置することができる。これにより、環状部３２の千鳥並び方向における基板１２の長さ（本実施の形態では、基板１２の長辺方向の長さ）を短縮化しつつ、隣接するヘリカル状インダクタ３１間で十分な絶縁性を得ることができる。

なお、本実施の形態では、環状部３２の千鳥並び方向が、基板１２の長辺方向に一致する場合について説明したが、本発明は、このような構成に限られない。たとえば、環状部３２の千鳥並び方向が、基板１２の短辺方向に一致してもよいし、基板１２の長辺方向および短辺方向に対して斜め方向であってもよい。

また、本実施の形態では、本発明におけるインダクタが、絶縁層２１の積層方向に沿ってヘリカル状（螺旋状）に延びる形状を有するヘリカル状インダクタ３１である場合について説明したが、このような構成に限られない。たとえば、本実施の形態における環状部３２が、基板１２の表層に設けられてもよいし、基板１２の異なる層に設けられてもよい。後者の構成の一例として、環状部３２が、図１中の絶縁層２１Ａおよび絶縁層２１Ｂの層間と、絶縁層２１Ｂおよび絶縁層２１Ｃの層間とに交互に設けられる場合が想定される。この場合であっても、基板１２をその平面視において透視した場合に環状部３２が千鳥状に並んでいれば、本発明が適用される。

本実施の形態における高周波モジュール１０の構造についてさらに説明を進めると、高周波モジュール１０は、基板１２に設けられるグラウンドビア導体４１をさらに有する。グラウンドビア導体４１は、導電性材料から形成されている。グラウンドビア導体４１は、絶縁層２１の積層方向に延びるように貫通して設けられている。グラウンドビア導体４１は、接地電位に接続される配線として基板１２に設けられている。グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐとヘリカル状インダクタ３１Ｑとの間に設けられている。

ヘリカル状インダクタ３１は、その構成部位として、延出部３３をさらに有する。延出部３３は、基板１２の平面視において、環状部３２から延出するように設けられている。本実施の形態では、延出部３３が、矩形の周回形状を有する環状部３２の角部から一方向に延出するように設けられている。

ヘリカル状インダクタ３１Ｐの延出部３３と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの延出部３３とは、互いに間隔を設けて配置されている。ヘリカル状インダクタ３１Ｐの延出部３３と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの延出部３３とは、環状部３２の千鳥並び方向に距離を設けて並んでいる。

本実施の形態では、接地電位に接続されたビア導体であるグラウンドビア導体４１が、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２との間に位置するように設けられている。グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐの延出部３３と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの延出部３３との間に位置するように設けられている。

このような構成によれば、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１の間に接地電位に接続されたグラウンドビア導体４１が設けられるため、環状部３２を狭ピッチで設けた場合においても、隣接するヘリカル状インダクタ３１間の電磁界結合をより効果的に防ぐことができる。

以上に説明した、この発明の実施の形態１における高周波モジュール１０の構造についてまとめて説明すると、本実施の形態における高周波モジュール１０は、主面１２ａを有する基板１２と、基板１２の主面１２ａを平面視した場合に、環状に延びる形状の環状部３２を有し、環状部３２が所定方向に沿って千鳥状に並ぶように基板１２に設けられる複数のインダクタとしてのヘリカル状インダクタ３１とを備える。複数のヘリカル状インダクタ３１は、第１インダクタとしてのヘリカル状インダクタ３１Ｐと、ヘリカル状インダクタ３１Ｐと隣り合って配置される第２インダクタとしてのヘリカル状インダクタ３１Ｑとを含む。ヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２は、直線状に延びる第１直線部としての直線部３２ｍを含む。ヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２は、直線部３２ｍと平行な方向に直線状に延び、基板１２の主面１２ａを平面視した場合に、所定方向に対する斜め方向において直線部３２ｍと対向する第２直線部としての直線部３２ｎを含む。

このように構成された、この発明の実施の形態１における高周波モジュール１０によれば、基板１２の全長の短縮化を図りつつ、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１の間で十分な絶縁性を得ることができる。

（実施の形態２）
図５は、この発明の実施の形態２における高周波モジュールを示す透視図である。図５と、後で説明する図６から図８とは、実施の形態１における図３に対応する図である。本実施の形態における高周波モジュールは、実施の形態１における高周波モジュール１０と比較して、主に環状部３２の配置（配列）が異なる。以下、実施の形態１における高周波モジュール１０と重複する構造については、その説明を繰り返さない。

図５を参照して、複数のヘリカル状インダクタ３１は、環状部３２が一方向に並ぶように設けられている。本実施の形態では、環状部３２の並び方向と、第１の矢印１０２に示す基板１２の長辺１３が延びる方向とが一致する。

なお、環状部３２の並び方向が基板１２の長辺方向に限られないことは、実施の形態１において環状部３２の千鳥並び方向の説明と同様である。

複数のヘリカル状インダクタ３１のうち、任意に選択したヘリカル状インダクタ３１Ｐと、そのヘリカル状インダクタ３１Ｐと隣り合って配置されたヘリカル状インダクタ３１Ｑとに注目する。ヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２は、その構成部位として、直線部３２ｍを有する。ヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２は、その構成部位として、直線部３２ｎを有する。

直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、ヘリカル状インダクタ３１Ｐおよびヘリカル状インダクタ３１Ｑの間で互いに対向して設けられている。

直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、直線状に延びている。直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、環状部３２がなす矩形の周回形状のうちの互いに近接して対向している一辺に対応する。直線部３２ｍおよび直線部３２ｎは、互いに非平行に延びている。

本実施の形態では、矩形の周回形状を有するヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４に対して平行に設けられる一方、矩形の周回形状を有するヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準にして傾いて設けられている。複数のヘリカル状インダクタ３１は、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準に傾けられない環状部３２を有するヘリカル状インダクタ３１Ｐと、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準に斜めに傾けられた環状部３２を有するヘリカル状インダクタ３１Ｑとが交互に並ぶように設けられている。

このように、本実施の形態における高周波モジュールでは、隣接するヘリカル状インダクタ３１間で直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが、非平行に設けられている。このような構成により、複数のヘリカル状インダクタ３１を狭ピッチで設けた場合であっても、図４中に示す比較例と比較して、直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが互いに近接する部位を減らすことができる。これにより、環状部３２の並び方向における基板１２の長さ（本実施の形態では、基板１２の長辺方向の長さ）を短縮化しつつ、隣接するヘリカル状インダクタ３１間で十分な絶縁性を得ることができる。

なお、複数のヘリカル状インダクタ３１のうち、互いに非平行な直線部３２ｍおよび直線部３２ｎをそれぞれ有するヘリカル状インダクタ３１Ｐおよびヘリカル状インダクタ３１Ｑが、少なくとも１組存在すればよい。

図６は、図５中の高周波モジュールの第１変形例を示す透視図である。図６を参照して、本変形例では、直線部３２ｍと直線部３２ｎとが、４５°の角度をなす。

矩形の周回形状を有するヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４に対して平行に設けられる一方、矩形の周回形状を有するヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準にして４５°傾いて設けられている。複数のヘリカル状インダクタ３１は、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準に傾けられない環状部３２を有するヘリカル状インダクタ３１Ｑと、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準に４５°傾けられた環状部３２を有するヘリカル状インダクタ３１Ｐとが交互に並ぶように設けられている。

直線部３２ｍは、直線部３２ｎに対する最近接部位を頂点にして、その両側に直線部３２ｎから遠ざかるように延びている。

このような構成によれば、複数のヘリカル状インダクタ３１を狭ピッチで設けた場合であっても、直線部３２ｍおよび直線部３２ｎが互いに近接する部位を最小限に減らすことで、隣接するヘリカル状インダクタ３１間の電磁界結合をより効果的に防ぐことができる。

図７は、図５中の高周波モジュールの第２変形例を示す透視図である。図７を参照して、本変形例における高周波モジュールは、接地電位に接続されるグラウンドビア導体４１をさらに有する。グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐとヘリカル状インダクタ３１Ｑとの間に設けられている。

グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２との間に位置するように設けられている。グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐの延出部３３と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの延出部３３との間に位置するように設けられている。

このような構成によれば、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１の間に接地電位に接続されたグラウンドビア導体４１が設けられるため、環状部３２を狭ピッチで設けた場合において、隣接するヘリカル状インダクタ３１間の電磁界結合をより効果的に防ぐことができる。

図８は、図５中の高周波モジュールの第３変形例を示す透視図である。図８を参照して、本変形例では、複数のヘリカル状インダクタ３１が、環状部３２が第１の矢印１０２に示す方向に沿って千鳥状に並ぶように設けられている。直線部３２ｍと直線部３２ｎとが、４５°の角度をなす。

矩形の周回形状を有するヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４に対して平行に設けられる一方、矩形の周回形状を有するヘリカル状インダクタ３１Ｐの環状部３２が、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準にして４５°傾いて設けられている。複数のヘリカル状インダクタ３１は、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準に傾けられない環状部３２を有するヘリカル状インダクタ３１Ｑと、基板１２の長辺１３および短辺１４を基準に４５°傾けられた環状部３２を有するヘリカル状インダクタ３１Ｐとが交互に千鳥状に並ぶように設けられている。

本変形例における高周波モジュールは、接地電位に接続されるグラウンドビア導体４１をさらに有する。グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐとヘリカル状インダクタ３１Ｑとの間に設けられている。

グラウンドビア導体４１は、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１Ｐの延出部３３と、ヘリカル状インダクタ３１Ｑの延出部３３との間に位置するように設けられている。

このような構成によれば、隣接するヘリカル状インダクタ３１間の電磁界結合を防ぎつつ、環状部３２の狭ピッチでの配置が可能となる。

なお、図５から図８において説明したヘリカル状インダクタ３１の環状部３２の各種の配置や配列を適宜組みわせて、新たな高周波モジュールを構成してもよい。また、環状部３２の形状として、矩形以外の円形や楕円などを用い、これらを矩形と組み合わせてもよい。

以上に説明した、この発明の実施の形態２における高周波モジュールの構造についてまとめて説明すると、本実施の形態における高周波モジュールは、主面１２ａを有する基板１２と、基板１２の主面１２ａを平面視した場合に、環状に延びる形状の環状部３２を有し、基板１２に設けられる複数のヘリカル状インダクタ３１とを備える。複数のヘリカル状インダクタ３１は、第１インダクタとしてのヘリカル状インダクタ３１Ｐと、ヘリカル状インダクタ３１Ｐと隣り合って配置される第２インダクタとしてのヘリカル状インダクタ３１Ｑとを含む。ヘリカル状インダクタ３１の環状部３２は、直線状に延びる第１直線部としての直線部３２ｍを含む。ヘリカル状インダクタ３１Ｑの環状部３２は、直線部３２ｍと非平行な方向に直線状に延び、直線部３２ｍと対向する第２直線部としての直線部３２ｎを含む。

このように構成された、この発明の実施の形態２における高周波モジュールによれば、基板１２の全長の短縮化を図りつつ、互いに隣り合うヘリカル状インダクタ３１の間で十分な絶縁性を得ることができる。

（実施の形態３）
図９は、この発明の実施の形態３における高周波モジュールを示す回路図である。図１０は、図９中の２点鎖線Ｘで囲まれた範囲の高周波モジュールを示す透視図である。

図９および図１０を参照して、本実施の形態における高周波モジュールは、複数のヘリカル状インダクタ３１に加えて、スイッチング素子５１をさらに有する。スイッチング素子５１は、一方向に配列された複数の接点５６を有する。

本実施の形態では、複数のヘリカル状インダクタ３１が、それぞれ、複数の接点５６に接続されている。ヘリカル状インダクタ３１は、複数の接点５６間で生じる容量性をキャンセルする誘導性を有する整合素子として設けられている。複数のヘリカル状インダクタ３１は、実施の形態１で説明した千鳥状配置の環状部３２を備えるように設けられている。

スイッチング素子５１の多ポート化に伴って、出力端子５２側のインピーダンスが容量性となる。本実施の形態では、実施の形態１で説明したヘリカル状インダクタ３１を整合素子として基板１２に設けることにより、図１０中に示すように基板１２の主面の長辺に沿って並べられた複数の出力端子５２間の絶縁性の劣化を防ぎつつ、出力端子５２の容量性をキャンセルして、整合をとることができる。

なお、本発明においては、必ずしも複数の接点５６の全てにヘリカル状インダクタ３１が設けられなくてもよい。また、本実施の形態では、実施の形態１で説明した高周波モジュールの構造を、多ポート構造のスイッチング素子に適用した場合に説明したが、実施の形態２で説明した各種の高周波モジュールの構造を同様に適用してもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

この発明は、携帯電話機に内蔵されるアンテナモジュール等に利用される。

１０ 高周波モジュール、１２ 基板、１３ 長辺、１４ 短辺、２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ 絶縁層、３１，３１Ｐ，３１Ｑ ヘリカル状インダクタ、３２ 環状部、３２ｍ，３２ｎ 直線部、３３ 延出部、４１ グラウンドビア導体、５１ スイッチング素子、５２ 出力端子、５６ 接点。

Claims (7)

1. 主面を有する基板と、
   前記基板の主面を平面視した場合に、環状に延びる形状の環状部を有し、前記基板に設けられる複数のインダクタとを備え、
   前記複数のインダクタは、第１インダクタと、前記第１インダクタと隣り合って配置される第２インダクタとを含み、
   前記第１インダクタの前記環状部は、直線状に延びる第１直線部を含み、
   前記第２インダクタの前記環状部は、前記第２インダクタの前記環状部のうちで前記第１直線部に最も近接する頂点と、前記頂点から前記第１直線部と非平行な方向に直線状に延びる第２直線部および第３直線部とを含む、高周波モジュール。
2. 前記第１直線部と前記第２直線部とが、４５°の角度をなす、請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記複数のインダクタは、前記基板の主面を平面視した場合に、前記環状部が一方向に並ぶように設けられる、請求項１または２に記載の高周波モジュール。
4. 前記複数のインダクタは、前記基板の主面を平面視した場合に、前記環状部が所定方向に沿って千鳥状に並ぶように設けられる、請求項１または２に記載の高周波モジュール。
5. 前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に位置するように前記基板に設けられ、接地電位に接続される配線をさらに備える、請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
6. 複数の接点を有するスイッチング素子をさらに備え、
   前記第１インダクタおよび前記第２インダクタは、それぞれ、前記複数の接点間に生じる容量性をキャンセルする整合素子として、前記複数の接点に接続される、請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. 前記基板は、複数の絶縁層が積層されてなる積層構造を有し、
   前記環状部は、前記基板を前記複数の絶縁層の積層方向から見た場合に、環状に延びる形状を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。

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