JP2014232851A - 電子素子搭載用基板および電子装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 小型化と多ピン化が可能となる電子素子搭載用基板および電子装置を提供する。【解決手段】 少なくとも第1の絶縁層から成る第1の枠部2aと第2の絶縁層から成る第2の枠部2bとを有し、第2の枠部2bは第1の枠部2aの下面に設けられた枠部を含んでいるセラミックから成る絶縁基体2と、枠部の上面に設けられた電子素子接続用パッド3と、電子素子接続用パッド3に電気的に接続されており、第1の枠部2aの内壁面において絶縁基体2から露出された第1の壁面導体4と、第1の壁面導体4に電気的接続されており、第2の枠部2bの内壁面において絶縁基体2から露出された第2の壁面導体5とを備えており、平面透視において、第1の枠部2aの内壁面と第2の枠部2bの内壁面とがずれて配置されており、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重ならない領域を有している。【選択図】 図1

Description

本発明は、電子素子、例えばCCD(Charge Coupled Device)型またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等の撮像素子、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子が搭載される電子素子搭載用基板および電子装置に関するもの
である。
従来からCCD型またはCMOS型等の撮像素子、LED等の発光素子を絶縁基体に搭載した電子装置が知られている。このような電子装置として、枠部を有しているセラミックから成る電子素子搭載用基板と、枠部の内側もしくは枠部の下面に実装された電子素子とを有しているものが知られている。(例えば、特許文献1を参照)。電子素子搭載用基板には、上面に電極パッドが配置されている。
近年、電子装置の小型化に伴い、セラミックから成る電子素子搭載用基板の枠部の幅が狭くなってきている。そのため、例えば電子素子の実装時、または電子素子の動作時に発生する熱等により電子素子搭載用基板が変形して、貫通導体と枠部の壁面との間にクラックが発生してしまう問題があり、その問題を解決するために貫通導体を壁面に露出させる方法が知られていた。
また、このようなセラミックから成る電子素子搭載用基板は、グリーンシート積層法により製作される。例えば、セラミック粉末と有機バインダとを主成分とするセラミックグリーンシートを準備し、金属粉末を主成分とする導体ペーストを印刷するなどして配線導体パターンを形成した基部となるセラミックグリーンシート上に、貫通孔を形成することにより枠状とするとともに貫通孔の周囲に電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを積層することにより積層体を形成した後、この積層体を焼成することによりセラミック製の電子素子搭載用基板が製作される。枠部となるセラミックグリーンシートを形成する際、貫通孔となる箇所に貫通導体を形成し、貫通孔を形成すると同時に貫通導体を分割することで、上述した貫通導体を壁面に露出させた壁面導体を持つ電子素子搭載用基板を作製することができる。
特開2006−201427号公報
なお、絶縁基体の枠部は複数層からなる場合があり、セラミックグリーンシートを複数層に分割した状態で作製し、これらの複数の枠部となるセラミックグリーンシートを、積層して加圧する工程において、セラミックグリーンシートは加圧によるセラミックグリーンシートの厚みの減少に比べると、金属ペーストの厚み方向の収縮が小さい。このように、厚み方向の収縮の大きさが異なることにより、壁面導体が絶縁基体から剥離してしまうことが懸念される。特に、複数のセラミックグリーンシートに設けられた各壁面導体用の金属ペーストが平面透視において同一箇所に設けているため、加圧に対する厚み方向における収縮の差はより大きくなり、剥がれの可能性が高くなっていた。なお、上述の電子装置では、小型化が要求されており、これに伴い絶縁基体に設けられる壁面導体の径が小さくなると、第1の枠部となるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体となる金属ペーストとの接合面積が小さくなるため、剥がれの可能性がより高くなっていた。
本発明は、上記従来技術の問題点を鑑み案出されたもので、その目的は、電子素子搭載用基板から壁面導体が剥離することを抑制するとともに、多ピン化が可能となる電子素子搭載用基板および電子装置を提供することにある。
本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、少なくとも第1の絶縁層から成る第1の枠部と第2の絶縁層から成る第2の枠部とを有し、第2の枠部は第1の枠部の下面に設けられた枠部を含んでいるセラミックから成る絶縁基体と、枠部の上面に設けられた電子素子接続用パッドと、電子素子接続用パッドに接続されており、第1の枠部の内壁面において絶縁基体から露出された第1の壁面導体と、第1の壁面導体に電気的接続されており、第2の枠部の内壁面において絶縁基体から露出された第2の壁面導体とを備えており、平面透視において、第1の壁面導体と第2の壁面導体とが重ならない領域を有していることを特徴とする電子素子搭載用基板。
本発明の他の態様によれば、電子装置は上記構成の電子素子搭載用基板と、電子素子搭載用基板に形成された電子素子とを備えている。
本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、少なくとも第1の絶縁層から成る第1の枠部と第2の絶縁層から成る第2の枠部とを有し、該第2の枠部は前記第1の枠部の下面に設けられた枠部を含んでいるセラミックスから成る絶縁基体と、枠部の上面に設けられた電子素子接続用パッドと、電子素子接続用パッドに接続されており、第1の枠部の内壁面において絶縁基体から露出された第1の壁面導体と、第1の壁面導体に電気的接続されており、第2の枠部の内壁面において絶縁基体から露出された第2の壁面導体とを備えており、平面透視において、第1の壁面導体と第2の壁面導体とが重ならない領域を有している。これらによって、絶縁層の枠部の内壁面となる部分に壁面導体を作製する際に壁面導体が絶縁基体から剥離することを効果的に抑制することが可能となるものである。
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板を備えていることによって、より小型化と高密度化が可能となる電子装置を提供することができる。
(a)は本発明の第1の実施形態における電子素子搭載用基板を示す平面透視図であり、(b)は(a)に示された電子素子搭載用基板のA−A線における縦断面を示している。 (a)は本発明の第2の実施形態における電子素子搭載用基板を示す平面透視図であり、(b)は(a)に示された電子素子搭載用基板のA−A線における縦断面を示している。 (a)は本発明の第3の実施形態における電子素子搭載用基板を示す平面透視図であり、(b)は(a)に示された電子素子搭載用基板のA−A線における縦断面を示している。 (a)は本発明の第1の実施形態における電子装置を示す平面透視図であり、(b)は(a)に示された電子装置のA−A線における縦断面を示している。
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1、図4を参照して本発明の第1の実施例における電子素子搭載用基板1について説
明する。本実施形態における電子装置は、電子素子搭載用基板1と、電子素子搭載用基板1に実装された電子素子11を有している。図1および図4において、電子装置は、仮想のxyz空間内に設けられており、以下便宜的に「上方向」とは仮想のz軸の正方向のことをいう。
電子素子搭載用基板1は、第1の絶縁層から成る第1の枠部2aと第2の絶縁層から成る第2の枠部2bとを含んでおり、第2の枠部2bが第1の枠部2aの下面に設けられている絶縁基体2と、第1の枠部2aの上面に設けられた複数の電子素子接続用パッド3を有している。さらに、第1の枠部2aは壁面に設けられた第1の壁面導体4を有しており、第2の枠部2bは第2の壁面導体5を有している。なお、例えば絶縁基体2は基部2cとなる絶縁層を有していてもよく、基部2cの下面に露出した外部端子7を有していてもよい。また絶縁基体2の内部に配線導体6を有していてもよい。第1の枠部2aおよび、第2の枠部2bならびに基部2cはそれぞれが複数の絶縁層から成っていてもよい。また、絶縁基体2は第1の枠部2aおよび第2の枠部2bならびに基部2c以外にも絶縁層を有していてよく、例えば枠部は第1の枠部2aと第2の枠部2b以外にも枠部を有していてもよい。
絶縁基体2は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックス、から成る略四角形の絶縁層を複数上下に積層して形成されている。
複数の電子素子接続用パッド3は、絶縁基体2の第1の枠部2aの上面に設けられており、絶縁基体2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銀(Ag)または銅(Cu)等のメタライズから成る。
また、絶縁基体2には、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5に電気的に接続され、基部2cの下面に露出している外部端子7と接続されている配線導体6が設けられている。配線導体6は、第1の壁面導体4や第2の壁面導体5に電気的に接続された内部配線6aと、第1の絶縁層から成る第1の枠部2aや第2の絶縁層からなる第2の枠部2bおよび基部2cを厚み方向に貫通しており、内部配線6aに電気的に接続された貫通導体6bとを含んでいる。これにより、電子素子接続用パッド3が第1の壁面導体4と、第2の壁面導体5と、配線導体6と、外部端子7と、を介して外部回路基板(図示せず)に電気的に接続される。なお配線導体6および外部端子7は、絶縁基体2が電気絶縁性セラミックスから成る場合は、電子素子接続用パッド3と同様のメタライズから成る。また、外部端子7は、上述の構成においては絶縁基体2の下面に導出されるように設けられているが、例えば絶縁基体2の側面または上面に導出されるように設けられていてもよい。
絶縁基体2の第1の枠部2aの内壁面には貫通導体等の第1の壁面導体4が設けられ、第2の枠部2bの内壁面には貫通導体等の第2の壁面導体5が設けられ、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5は電子素子接続用パッド3に電気的に接続されている。ここで、平面透視において、第1の枠部2aの内壁面と第2の枠部2bの内壁面とがずれて配置されており、第2の枠部2bの内壁面は第1の枠部2aの内壁面よりも外側に位置している。電子素子搭載用基板1をこのような形状とすることで、第1の枠部2aと第2の枠部2bとを積層して加圧する工程において、第1の壁面導体4の直下が空洞となっており、第1の壁面導体4が第2の枠部2bの内側に位置する空洞へ部分的に沈みこむようになる。このことから、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4との加圧に対する厚み方向における収縮の差を小さくすることができ、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少
を抑制することができ、第1の壁面導体4が第1の枠部2aから剥離することを抑制することが可能となる。なお、上記のように第2の枠部2bの内壁面を第1の枠部2aの内壁面より外側に位置させる場合には、電子素子11の大きさから枠部の開口の大きさを設定する際、第1の枠部2aの内壁面を基準とすることができる。そのため、枠部の開口の大きさは製造工程時の位置ずれを考慮する必要性がなくなるため、電子素子搭載用基板1の小型化を可能としやすくなる。
また、第2の枠部2bの内壁面は、平面透視において第1の枠部2a内壁面より片側10μm〜100μm程度外側へ位置していることが好ましい。これは、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシートと第2の枠部2bとなるセラミックグリーンシートとを積層して加圧する工程において、セラミックグリーンシート同士の平面方向における位置ずれが生じたとしても、第1の壁面導体4の直下に空洞を設ける事ができるので、より確実に第1の壁面導体4が絶縁基体2から剥離することを抑制することができる為である。
また、第2の枠部2bの内壁面は、平面透視において第1の壁面導体4と部分的に重なる位置、例えば、第1の壁面導体4の平面視における幅(平面視で枠部の内壁に直交する方向の幅)の30%以下として重なるように設けておくと、第1の枠部2aと第2の枠部2bとを積層して加圧する工程において第1の壁面導体4が第1の壁面導体4直下の空洞へ沈み込みやすくなり、第1の絶縁層となるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少をより抑制することができ、より確実に絶縁基体2から第1の壁面導体4が剥離することを抑制することができる為である。
また、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とは第2の壁面導体5のX軸方向において5%〜30%程度重なっていることが好ましい。これは、平面透視において第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重なっている領域を小さくすることにより、第1の枠部2aと第2の枠部2bとを積層して加圧する工程において、第1の壁面導体4が直下の空洞に沈み込みやすくするとともに、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5との電気的接続性を高めるためである。
次に、本実施形態の電子素子搭載用基板1の製造方法について説明する。
絶縁基体2は、例えば、酸化アルミニウム(Al)質焼結体等の電気絶縁性セラミックスからなり、例えば第1の枠部2aおよび第2の枠部2bおよび基部2cを有している。この絶縁基体2は、主成分が酸化アルミニウム(Al)である酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、Alの粉末に焼結助材としてシリカ(SiO),マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダ、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
このセラミックグリーンシートを用いて、以下の(1)〜(5)の工程により電子素子搭載用基板1が作製される。
(1)第1の枠部2aの上面となる部位に形成される電子素子接続用パッド3、また第1の枠部2aおよび第2の枠部2bとなる部位に形成される第1の壁面導体4および第2の壁面導体5、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5の上面や下面から絶縁基体2の内部、下面となる部位に内部配線6aや貫通導体6bを含む配線導体6をそれぞれ形成するための金属ペーストの印刷塗布および充填工程。
(2)金属ペーストが露出するようにして形成するための第1の枠部2aおよび第2の
枠部2bの壁面となる部位の打ち抜き金型を用いた打ち抜きまたはレーザー加工工程。
(3)各絶縁層となるセラミックグリーンシートを、平面透視において、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重ならない領域を有するようにずらして配置し、積層して加圧することによりセラミックグリーンシート積層体を作製する工程。
(4)このセラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、各第1の枠部2aおよび第2の枠部2bの内壁面、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5および配線導体6を有する絶縁基体2が複数配列された多数個取り基板を得る工程。
(5)焼成して得られた多数個取り基板に電子素子搭載用基板1の外縁となる箇所に沿って分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法、またはスライシング法等により電子素子搭載用基板1の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。
上述の(1)の工程において、電子素子接続用パッド3は、絶縁基体2用のセラミックグリーンシートに金属ペーストをスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、絶縁基体2用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、複数の絶縁基体2のそれぞれの所定位置に形成される。このような金属ペーストは、タングステン,モリブデン,マンガン,銀または銅等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、絶縁基体2との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。また、第1の壁面導体4は、金属ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することによって形成される貫通導体または金属層であっても構わない。
また、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5は、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する導体が貫通導体の場合は、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填し、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、貫通導体が露出するように第1の枠部2aおよび第2の枠部2b用の貫通孔を形成して、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって形成される。
また、配線導体6は、電子素子接続用パッド3と同様のメタライズから成り、絶縁基体2用のセラミックグリーンシートに配線導体6用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体2の所定位置に形成される。配線導体6のうち、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する貫通導体6bは、金属ペーストを印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填しておけばよい。このような金属ペーストは、電極パッド3に用いた金属ペーストと同様の方法により作製される。
また、上述の(3)の工程において、平面透視において、第1の枠部2aの内壁面と第2の枠部2bの内壁面とがずれて配置されており、第2の枠部2bの内壁面は第1の枠部2aの内壁面よりも外側に位置するようにしている。このようにして、第1の壁面導体4の直下が空洞となり、第1の壁面導体4が第2の枠部2bの内側に位置する空洞へ部分的に沈みこむようになる。このことから、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシート
と第1の壁面導体4との加圧に対する厚み方向における収縮の差を小さくすることができ、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少を抑制することができ、第1の壁面導体4が第1の枠部2aから剥離することを抑制することが可能となる。また、第1の枠部2aおよび第2の枠部2bを含んでいる絶縁基体2を形成するには、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、絶縁基体2用のセラミックグリーンシートのいくつかに、第1の枠部2aおよび第2の枠部2b用の貫通孔を金型、パンチングによる打ち抜きまたはレーザー加工等により形成しておけばよい。このとき、第2の枠部2bは第1の枠部2bよりも貫通孔が大きくなるように形成することで第1の壁面導体4の直下に空洞を持つ絶縁基体2を形成することができる。
また、電子素子接続用パッド3、絶縁基体2の表面に露出した貫通導体から成る第1の壁面導体4および第2の壁面導体5、配線導体6、外部端子7を保護して酸化防止をするために電子素子接続用パッド3、第1の壁面導体4、第2の壁面導体5、配線導体6、外部端子7の露出した表面に、厚さ0.5〜10μmのNiめっき層を被着させるか、またはこのNiめっき層および厚さ0.5〜3μmの金(Au)めっき層を順次被着させてもよい。
このようにして形成された電子素子搭載用基板1に、電子素子11が第1の枠部2aと第2の枠部2bとの内側に位置した基部2c上に電子素子11を実装した電子装置を外部回路基板に搭載することで、電子素子11が電子素子接続用パッド3、第1の壁面導体4、第2の壁面導体5、配線導体6、外部端子7を介して外部回路基板(図示せず)に電気的に接続される。電子素子11は例えば、CCD型撮像素子またはCMOS型撮像素子、半導体素子、LED等の発光素子等である。なお、電子素子11の各電極は、ボンディングワイヤ12等の接続端子等により電子素子搭載用基板1の電子素子接続用パッド3に電気的に接続されている。
本実施形態の電子素子搭載用基板1は、少なくとも第1の絶縁層から成る第1の枠部2aと第2の絶縁層から成る第2の枠部2bとを有し、第2の枠部2bは第1の枠部2aの下面に設けられた枠部を含んでいるセラミックスから成る絶縁基体2と、枠部の上面に設けられた電子素子接続用パッド3と、電子素子接続用パッド3に電気的に接続されており、第1の枠部2aの内壁面において絶縁基体2から露出された第1の壁面導体4と、第1の壁面導体4に電気的接続されており、第2の枠部2bの内壁面において絶縁基体2から露出された第2の壁面導体5とを備えており、平面透視において、第1の枠部2aの内壁面と第2の枠部2bの内壁面とがずれて配置されており、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重ならない領域を有している。これにより、枠部の内壁面に壁面導体を作製する際に壁面導体が絶縁基体2から剥離することを効果的に抑制することが可能となる。
本発明の他の態様によれば、電子装置は、より小型化と高密度化が可能となる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による電子素子搭載用基板1について、図2を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子素子搭載用基板1において、上記した第1の実施形態の電子素子搭載用基板1と異なる点は、図2に示された例のように、平面透視において、第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも内側に位置している点である。このような場合には、第1の壁面導体4の全体もしくは大部分が第2の枠部2bに接するため、第1の枠部2aと第2の枠部2bとを積層して加圧する工程において、加圧により第1の壁面導体4が第2の絶縁層に部分的に埋没しやすいものとなる。このことから、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの加圧に
対する厚み方向の収縮の差を小さくすることができ、第1の枠部2aおよび第2の枠部2bとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少を抑制することができ、第1の壁面導体4が第1の枠部2aから剥離することを抑制することが可能となる。なお、上記のように第2の枠部2bの内壁面を第1の枠部2aの内壁面より内側に位置させることにより、電解法めっきを被着させる場合においては、電子素子接続用パッド3および第1の壁面導体4および第2の壁面導体5および絶縁基体2の表面に露出している配線導体6のすべてにAuやNiのめっき層が被着されることになる。このことから、目視にて、隣接する配線同士がショートしていることを確認することが容易となる。
また、第2の絶縁層からなる枠部2bの貫通孔の内壁面は、第1の絶縁層からなる枠部2aの貫通孔の内壁面より片側50μm以上内側へ位置していることが好ましい。これは、第1の絶縁層となるセラミックグリーンシートと第2の絶縁層となるセラミックグリーンシートとを積層加圧する工程において、位置ずれが生じた場合においても、より確実に第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも外側に位置することができ、より確実に絶縁基体2から第1の壁面導体4が剥離することを抑制することができるためである。
また、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重なる領域は、第2の壁面導体5の幅(平面視で枠部の内壁に直交する方向の幅)の30%以下であることが好ましい。これは、平面透視において第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重なっている領域を小さくすることにより、第1の枠部2aと第2の枠部2bとを積層加圧する工程において、第1の壁面導体4が第2の枠部2bとなるセラミックグリーンシートに部分的に埋没させることにより、第1の枠部2aおよび第2の枠部2bとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少をより小さくすることができ、第1の壁面導体4が第1の枠部2aから剥離することを抑制することが可能となるからである。
また、平面透視において、第1の壁面導体4と第2の壁面導体5とが重ならない場合には、第1の枠部2aと第2の枠部2bとの加圧積層をする工程において、加圧により第1の壁面導体4の下側先端部が第2の枠部2bとなるセラミックグリーンシートに部分的に埋没させることにより第1の枠部2aおよび第2の枠部2bとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少を抑制することができ、第1の壁面導体4が第1の枠部2aから剥離することを抑制することが可能となるからである。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による電子素子搭載用基板1について、図3を参照しつつ説明する。
本実施形態における電子装置において、上記の実施形態の電子素子搭載用基板1と異なる点は、図3に示された例のように、平面透視において、第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも内側に位置している領域と、平面透視において第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも外側に位置している領域とを有している点である。このような場合には、上述していたように、第1の壁面導体4が第1の壁面導体4の直下にある空洞に部分的に沈み込む、もしくは第2の枠部2bに第1の壁面導体4が部分的に埋設することで、第1絶縁層となるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの厚み方向の収縮の差を小さくすることができ、第1の枠部2aとなるセラミックグリーンシートと第1の壁面導体4となる金属ペーストとの接合面積の減少を抑制することができるため、第1の壁面導体4が第1の枠部2aから剥離することを抑
制することが可能となる。また、平面透視において、第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも内側に位置している領域と、平面透視において第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも外側に位置している領域との両方を有していることにより、第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも内側に位置している箇所をより広く形成することができるため、例えば電源用のボンディングワイヤ12を第1の枠部2aと第2の枠部2bとの2段に設ける等、電気特性を考慮した電子素子搭載用基板1を作製することも可能となる。
また、X軸方向において、第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも内側に位置し、Y軸方向において、第2の枠部2bの内壁面が第1の枠部2aの内壁面よりも外側に位置しているような電子素子搭載用基板1としても構わない。この場合、電子素子搭載用基板1が90度回転した場合、その位置を画像検査機等で容易に抽出することが可能である。
なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、種々の変形は可能である。例えば、第1の壁面導体4および第2の壁面導体5の形状は半円でなく半楕円形状をしていてもよい。
また、例えば、絶縁基体2の枠部の開口の形状は矩形状でなく円形状やその他の多角形状であってもかまわない。
また、本実施形態における電子素子接続用パッド3、第1の壁面導体4、第2の壁面導体5、配線導体6、外部端子7の配置、数、形状などは指定されない。
1・・・・電子素子搭載用基板
2・・・・絶縁基体
2a・・・第1の枠部
2b・・・第2の枠部
2c・・・基部
3・・・・電子素子接続用パッド
4・・・・第1の壁面導体
5・・・・第2の壁面導体
6・・・・配線導体
7・・・・外部端子
11・・・電子素子
12・・・ボンディングワイヤ

Claims (7)

  1. 少なくとも第1絶縁層から成る第1の枠部と第2絶縁層から成る第2の枠部とを有し、該第2の枠部は前記第1の枠部の下面に設けられた枠部を含んでいるセラミックから成る絶縁基体と、
    前記枠部の上面に設けられた電子素子接続用パッドと、
    該電子素子接続用パッドに接続されており、前記第1の枠部の内壁面において前記絶縁基体から露出された第1の壁面導体と、
    該第1の壁面導体に電気的接続されており、前記第2の枠部の内壁面において前記絶縁基体から露出された第2の壁面導体とを備えており、
    平面透視において、前記第1の壁面導体と前記第2の壁面導体とが重ならない領域を有していることを特徴とする電子素子搭載用基板。
  2. 前記第2の枠部は、前記第1の枠部よりも平面透視において外側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
  3. 前記第2の枠部は、前記第1の枠部よりも平面透視において内側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
  4. 前記第2の枠部は、前記第1の枠部よりも平面透視において外側に位置している部分と前記第1の枠部よりも平面透視において内側に位置している部分とを有することを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
  5. 平面透視において、前記第1の壁面導体と前記第2の壁面導体とが重なる部分がないことを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
  6. 請求項1に記載の電子素子搭載用基板と、
    該電子素子搭載用基板に実装されており、前記電極パッドに電気的に接続された電子素子を備えていることを特徴とする電子装置。
  7. 前記電子素子の上面は前記電子素子搭載用基板の上面と同じ高さに位置することを特徴とする請求項6に記載の電子装置。
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