DE10159685A1 - Verdrahtungssubstrat, Verdrahtungsplatte und Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat - Google Patents

Verdrahtungssubstrat, Verdrahtungsplatte und Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat

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DE10159685A1
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Abstract

In einem Verdrahtungssubstrat (A) ist eine Hochfrequenzkomponente (4) an einem dielektrischen Substrat (1) gelagert, an dessen Oberfläche eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet ist, wobei eine rückseitige Oberfläche des dielektrischen Substrats (1) mit einer Öffnung (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, und wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9) um die Öffnung (8) herum ausgebildet ist. In einer Verdrahtungsplatte (B) durchdringt eine Hohlleiterstruktur (22) eine dielektrische Platte (21) und ist an ihrer Innenwand mit einem Leiter beschichtet, wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23) an einer Oberfläche der dielektrischen Platte (21) ausgebildet ist. Das Verbindungssubstrat (A) ist an der Verdrahtungsplatte (B) angeordnet und die jeweiligen Hochfrequenz-Verbindungspads (9, 23) sind elektrisch miteinander verbunden, um so ein Modul herzustellen. DOLLAR A Selbst wenn für die Verdrahtungsplatte (B) ein kostengünstiges Material mit einem großen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird, kann verhindert werden, daß ein Hochfrequenzsignal gedämpft wird (Fig. 3).

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verdrahtungs­ substrat, das in einem Mikrowellenbereich oder einem Millime­ terwellenbereich verwendet wird, eine Verdrahtungsplatte bzw. Verdrahtungsleiterplatte, und eine Montagestruktur für ein Ver­ drahtungssubstrat.
BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
Es ist überprüft worden, ob zum Senden von Information aus einem Mikrowellenbereich von 1 bis 30 GHz in einen Millimeter­ wellenbereich von 30 bis 300 GHz eine elektrische Welle ("electric wave") verwendet wird oder nicht. Ein Anwendungssy­ stem, das eine elektrische Millimeterwelle verwendet, bei­ spielsweise ein Radarsystem, das zwischen Fahrzeugen wirkt, ist bereits praktisch umgesetzt worden.
Als ein Beispiel von elektrischen Komponenten, die derart hohe Frequenzen verwenden, wird ein Verdrahtungssubstrat ange­ nommen, in dessen Gehäuse eine Vielzahl von Chips aufgenommen ist.
Fig. 6 ist eine schematische Schnittansicht zum Erläutern der Struktur eines derartigen Verdrahtungssubstrates bzw. Lei­ tersubstrates 60. In Fig. 6 bilden ein Metallgehäuse 61 und ei­ ne Abdeckung 62 einen Hohlraum. Eine Vielzahl von Hochfrequenz­ komponenten 63, ein Verbindungssubstrat 64 und ein Mikrostrei­ fenleitungssubstrat 65 zur externen Anpassung sind im Inneren des Hohlraums aufgenommen. Die Bezugsziffer 66 zeigt einen An­ passungsabschnitt für eine Mikrostreifenleitung.
Die Hochfrequenzkomponenten 63 sind miteinander verbunden (gebondet) durch das Verbindungssubstrat 64, das Mikrostreifen­ leitungssubstrat 65 zur externen Anpassung und einen Gold­ draht W (bei dem es sich um ein Goldband handeln kann). In dem Anpassungsabschnitt 66 ist das Metallgehäuse 61 mit einer Öff­ nung 67 ausgebildet, die eine vorbestimmte Querschnittsform be­ sitzt. An die Öffnung 67 ist ein dielektrisches Fenster 68 zur hermetischen Abdichtung gelötet bzw. geschweißt.
Das Verdrahtungssubstrat 60 wird auf eine Oberfläche einer Verdrahtungsplatte bzw. Leiterplatte montiert, um ein Hochfre­ quenzmodul herzustellen.
Bei einem derartigen Verdrahtungssubstrat, das bei hohen Frequenzen verwendet wird, oder einer Montagestruktur des Ver­ drahtungssubstrates, findet zwischen dem Anpassungsabschnitt 66 in dem Verdrahtungssubstrat und der Verdrahtungsplatte keine zufriedenstellende Kopplung für das Hochfrequenzsignal statt, und zwar aufgrund der hohen Frequenz, und das Signal wird an dem Anpassungsabschnitt 66 reflektiert. Demzufolge unterliegt das Hochfrequenzsignal einer Dämpfung.
Wenn das Material für die Verdrahtungsplatte ein allgemei­ nes kostengünstiges Material wie Isoliermaterial aus Glas­ epoxidharz ist, so hat dieses Material einen hohen dielektri­ schen Verlustfaktor (tan δ), so daß das Hochfrequenzsignal auch in der Verdrahtungsplatte gedämpft wird. Demzufolge wurde die Verdrahtungsplatte üblicherweise unter Verwendung eines Materi­ als mit geringen Verlusten hergestellt, das einen kleinen di­ elektrischen Verlustfaktor besitzt, beispielsweise hochreines Aluminiumoxid ("alumina"), was zu erhöhten Kosten führte.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ver­ drahtungssubstrat anzugeben, bei dem ein Hochfrequenzsignal kaum gedämpft wird.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat anzu­ geben, bei dem ein Hochfrequenzsignal kaum gedämpft wird, selbst in Fällen, bei denen ein Verdrahtungssubstrat mit einer daran festgelegten Hochfrequenzkomponente auf einer allgemei­ nen, kostengünstigen Verdrahtungsplatte oberflächenmontiert wird, die aus Glasepoxidharz oder dergleichen aufgebaut ist.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben in ein Ver­ drahtungssubstrat einen Anpassungsabschnitt für eine Übertra­ gungsleitung, wie eine Mikrostreifenleitung in einem Verdrah­ tungssubstrat, aufgenommen bzw. eingebaut, um eine Anpassung nach außen hin vorzunehmen, und haben ferner eine Hohlleiter­ struktur aufgenommen, die mit dem Anpassungsabschnitt in eine Verdrahtungsplatte gekoppelt werden kann. Die Erfinder haben herausgefunden, daß in Ausübung der vorliegenden Erfindung die Dämpfung eines Hochfrequenzsignals verhindert werden kann, selbst wenn für die Verdrahtungsplatte ein kostengünstiges Ma­ terial mit einem hohen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird.
(1) Ein Verdrahtungssubstrat gemäß der vorliegenden Erfin­ dung weist ein dielektrisches Substrat auf, auf dessen Oberflä­ che eine Hochfrequenzkomponente und eine Übertragungsleitung ausgebildet sind. Das dielektrische Substrat ist mit einer Öff­ nung ausgebildet, die eine vorbestimmte Querschnittsform be­ sitzt, und ist auf einer rückseitigen Oberfläche des dielektri­ schen Substrates um die Öffnung herum mit einer Leiterschicht beschichtet. Die Leiterschicht wird als "Hochfrequenz-Verbin­ dungspad" bezeichnet. Ferner sind in der Öffnung ein Anpas­ sungsabschnitt zur Hochfrequenzkopplung der Übertragungsleitung und einer Hohlleiterstruktur ausgebildet, die mit dem Hochfre­ quenz-Verbindungspad verbunden ist. Ein Leistungspad ist an der rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates ausgebil­ det.
Bei dem Verdrahtungssubstrat ist der Anpassungsabschnitt zum Auskoppeln eines Signals, das durch die Übertragungsleitung wie die Mikrostreifenleitung fließt, in dem Verdrahtungs­ substrat aufgenommen, wodurch es möglich gemacht wird, das Hochfrequenzsignal in eine elektromagnetische Welle eines Hohl­ leitermodus bzw. für einen Halbleiter (bzw. einen Modus einer elektromagnetischen Hohlleiterwelle) umzuwandeln und die elek­ tromagnetische Welle nach außen zu speisen.
(2) Eine Verdrahtungsplatte bzw. Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Hohlleiterstruktur auf, die eine dielektrische Platte von deren Oberfläche bis hin zu deren rückseitiger Oberfläche durchdringt. Die Hohlleiterstruktur weist eine vorbestimmte Querschnittsform auf und weist eine In­ nenwand auf, die mit einem Leiter bzw. einem leitenden Material beschichtet ist. Ein Hochfrequenz-Verbindungspad, das aus einer Leiterschicht aufgebaut ist, ist auf der Oberfläche der dielek­ trischen Platte um die Hohlleiterstruktur herum vorgesehen.
(3) Eine Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat ge­ mäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Verdrahtungssubstrat, an dem eine Hochfrequenzkomponente gelagert ist, auf einer Oberfläche einer Verdrahtungsplatte an­ geordnet ist, und daß das Hochfrequenz-Verbindungspad des Ver­ drahtungssubstrates und das Hochfrequenz-Verbindungspad der Verdrahtungsplatte elektrisch miteinander verbunden sind.
Bei der Montagestruktur sind das Verdrahtungssubstrat und die Verdrahtungsplatte durch die Hochfrequenz-Verbindungspads miteinander verbunden, die jeweils daran ausgebildet sind, wo­ durch es möglich gemacht wird, das Hochfrequenzsignal zwischen dem Verdrahtungssubstrat und der Verdrahtungsplatte im Hohllei­ termodus zu übertragen. Selbst wenn als Material für die Ver­ drahtungsplatte kein Material mit einem kleinen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird, ist es daher möglich, eine Hoch­ frequenzübertragung mit einem geringen Verlust zwischen den Verdrahtungssubstraten oder zwischen dem Verdrahtungssubstrat und der äußeren Schaltung zu realisieren. Ferner läßt sich ein kostengünstiges Material für die Verdrahtungsplatte verwenden und die Massenproduktion wird durch die Oberflächenmontage ver­ bessert, wodurch es möglich gemacht wird, ein Hochfrequenzmodul mit guten Eigenschaften bei geringen Kosten zu erhalten.
(4) Eine Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat ge­ mäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Verdrahtungssubstraten, an denen jeweils Hochfrequenzkomponenten gelagert sind, auf einer Oberfläche ei­ ner Verdrahtungsplatte montiert sind, und daß ein weiteres Ver­ drahtungssubstrat an einer rückseitigen Oberfläche der Verdrah­ tungsplatte montiert ist. Die Vielzahl von Verdrahtungssubstra­ ten auf der Oberfläche ist jeweils mit einer Vielzahl von Hohl­ leiterstrukturen gekoppelt, die in der Verdrahtungsplatte aus­ gebildet sind, und das Verdrahtungssubstrat auf der rückseiti­ gen Oberfläche ist mit den Hohlleiterstrukturen gekoppelt.
Bei dieser Montagestruktur läßt sich ein Hochfrequenzsi­ gnal von einem Verdrahtungssubstrat zu einem anderen Verdrah­ tungssubstrat mittels der Hohlleiterstruktur, die in der Ver­ drahtungsplatte ausgebildet ist, und dem Verdrahtungssubstrat übertragen, das an der rückseitigen Oberfläche ausgebildet ist.
Es versteht sich, daß die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der je­ weils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombina­ tionen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A eine schematische Draufsicht auf ein Verdrahtungs­ substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung, zum Erläutern von dessen Struktur, Fig. 1B eine Quer­ schnittsansicht entlang einer Linie X-X in Fig. 1A; und Fig. 1C eine schematische Ansicht von unten;
Fig. 2A eine schematische Draufsicht auf eine Verdrah­ tungsplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung, zum Erläutern von dessen Struktur; und Fig. 2B eine Quer­ schnittsansicht entlang einer Linie Y-Y in Fig. 2A;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern ei­ ner Montagestruktur eines Verdrahtungssubstrates gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern ei­ ner Montagestruktur einer Vielzahl von Verdrahtungssubstraten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern ei­ ner weiteren Struktur eines Verdrahtungssubstrates gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 6 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern der Struktur eines herkömmlichen Verdrahtungssubstrates.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG 1. Struktur des Verdrahtungssubstrates
Die Fig. 1A bis 1C sind Darstellungen zum Erläutern eines Beispiels einer Struktur eines Verdrahtungssubstrates A gemäß der vorliegenden Erfindung.
Wie es in den Fig. 1A bis 1C gezeigt ist, weist ein Ver­ drahtungssubstrat A ein dielektrisches Substrat 1 mit einer übereinander gestapelt angeordneten Struktur aus dielektrischen Schichten 1a, 1b und 1c auf. Eine Abdeckung 2 ist mit einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 1a in dem dielektrischen Substrat 1 verbunden, wodurch ein hermetisch abgedichteter Hohlraum 3 ausgebildet wird. Ein Streifenleiter 5 für eine Mi­ krostreifenleitung ist auf einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 1b in dem dielektrischen Substrat 1 ausgebildet. Eine Erdungs- bzw. Masseschicht 6 für eine Mikrostreifenleitung ist auf einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 1c in dem die­ lektrischen Substrat 1 ausgebildet. Der Streifenleiter 5 und die Erdungsschicht 6 bilden die Mikrostreifenleitung.
Ein Lagerabschnitt bzw. Tragabschnitt, an dem eine Hoch­ frequenzkomponente gelagert werden kann, ist auf einer Oberflä­ che der Erdungsschicht 6 ausgebildet, und eine Hochfrequenzkom­ ponente 4 ist daran gelagert. Die Hochfrequenzkomponente 4 ist mit einer Leistungs- oder Steuerleitung 7 beschichtet bzw. ver­ bunden, zum Versorgen der Hochfrequenzkomponente 4 mit Leistung oder zum Zuführen eines Steuersignals zu der Hochfrequenzkompo­ nente 4.
Ein Hochfrequenz-Verbindungspad 9 ist auf einer rückseiti­ gen Oberfläche des dielektrischen Substrates 1 ausgebildet. Ei­ ne Querschnittsform einer Öffnung 8 in dem Hochfrequenz-Verbin­ dungspad 9 ist gleich der Form des Querschnitts einer Hohllei­ terstruktur (die weiter unten beschrieben wird). Bei dem in Fig. 1 gezeigten Verdrahtungssubstrat A sind zwei Hochfrequenz- Verbindungspads 9 für Eingangs- und Ausgangssignale ausgebil­ det. Ferner ist die rückseitige Oberfläche des dielektrischen Substrates 1 mit einem Leistungspad 11 beschichtet. Das Lei­ stungspad 11 ist mit der Leistungs- oder Steuerleitung 7 ver­ bunden, die auf der Oberfläche des dielektrischen Substrates 1 ausgebildet ist, und zwar über einen Durchgangsleiter ("via conductor") 10.
Das Verdrahtungssubstrat A weist einen Wandlungsab­ schnitt 12 auf, zum Miteinanderkoppeln der Hohlleiterstruktur und der Mikrostreifenleitung, die auf der Oberfläche des die­ lektrischen Substrates 1 ausgebildet ist. Die Struktur des Wandlungsabschnittes 12 ist folgendermaßen. Wie es in Fig. 1B gezeigt ist, ist in der Erdungsschicht 6 ein Schlitzloch 13 ausgebildet. Die Position, in der das Schlitzloch 13 ausgebil­ det ist, ist, in der Draufsicht (s. Fig. 1A) die Mitte der Öff­ nung 8 in dem Hochfrequenz-Verbindungspad 9. Wie es in Fig. 1A gezeigt ist, ist ein geöffnetes bzw. freies Ende ("opened end") 5a des Streifenleiters 5, der die Mikrostreifenleitung bildet, in einer vorbestimmten Position ausgebildet bzw. angeordnet (bzw. der Streifenleiter 5 endet in einer vorbestimmten Positi­ on), so, daß das Ende 5a dem Schlitzloch 13 gegenüberliegt.
Ein vertikaler Leiter 14 zum Miteinanderverbinden der Er­ dungsschicht 6 und des Hochfrequenz-Verbindungspads 9 ist in der dielektrischen Schicht 1c in dem dielektrischen Substrat 1 ausgebildet. Ein Anpassungsabschnitt 15 zum Erzielen einer Im­ pedanzanpassung an einen Hohlleiter ist in einem Bereich ausge­ bildet, der von dem vertikalen Leiter 14 umschlossen ist. Der Wandlungsabschnitt 12 ermöglicht es, die Mikrostreifenleitung und die Hohlleiterstruktur über das Schlitzloch 13 elektroma­ gnetisch miteinander zu koppeln. Unterhalb des Schlitzloches 13 ist eine Füllung aus dielektrischem Material vorgesehen.
Die Lagebeziehungen zum elektromagnetischen Miteinander­ koppeln des Schlitzloches 13 und des Streifenleiters 5 sind ge­ nauso wie bei einer herkömmlichen Wandlungsstruktur. Diese ist beispielsweise beschrieben in der WO 96/27913. Deren Inhalt soll vorliegend durch Bezugnahme enthalten sein. Kurz gesagt ist das freie Ende 5a des Streifenleiters 5 in der Draufsicht in einer Position ausgebildet bzw. vorgesehen, die von der Mit­ te des Schlitzloches 13 um eine Länge vorsteht, die ein Viertel der Wellenlänge des Signals beträgt. Das Schlitzloch 13 ist ein langes schmales Loch, das beispielsweise rechteckförmig oder elliptisch sein kann, und die Form des Schlitzloches 13 ist durch die verwendete Frequenz und die Bandbreite der verwende­ ten Frequenzen vorgegeben bzw. eingestellt. Der Durchmesser in Längsrichtung des Schlitzloches 13 ist auf eine Länge einge­ stellt, die gleich der halben (1/2) Wellenlänge des Signals ist, und der Durchmesser in Querrichtung (Kurzdurchmesser) ist auf eine Länge eingestellt, die ein Fünftel (1/5) bis ein Fünf­ zigstel (1/50) der Wellenlänge des Signals beträgt.
Das Verdrahtungssubstrat A mit der oben genannten Struktur weist das Hochfrequenz-Verbindungspad 9 auf. Demzufolge kann die Mikrostreifenleitung in dem Hohlraum 3 mit allen möglichen Hohlleiterstrukturen gekoppelt werden. Ferner weist das Ver­ drahtungssubstrat A das Leistungspad 11 auf. Demzufolge läßt sich das Verdrahtungssubstrat auf einer Verdrahtungsplatte oberflächen-montieren, die eine Hohlleiterstruktur aufweist, die weiter unten beschrieben wird.
Wie es in Fig. 5 gezeigt ist, kann eine dielektrische Schicht 1d auf einer rückseitigen Oberfläche der dielektrischen Platten 1a bis 1c in dem Verdrahtungssubstrat A stapelartig aufgebracht werden, wobei die dielektrische Schicht 1d eine Hohlleiterstruktur 50 aufweist, in der eine Öffnung ausgebildet ist, deren Innenwand mit einer Leiterschicht beschichtet ist. Ein Hochfrequenz-Verbindungspad 9 ist ausgehöhlt bzw. hohl sich nach innen erstreckend ausgebildet, ausgehend von der rücksei­ tigen Oberfläche der dielektrischen Schicht 1d.
Bei einer derartigen Struktur ist es möglich, die Dicke des dielektrischen Substrates 1 zur Steigerung der Substratfe­ stigkeit zu vergrößern, ohne die Hochfrequenzeigenschaften zu verschlechtern. Ferner ist die Anzahl der Verdrahtungsschichten höher, wodurch es möglich gemacht wird, den Freiheitsgrad beim Verdrahten zu steigern.
2. Struktur der Verdrahtungsplatte
Im folgenden wird auf der Grundlage der Fig. 2A und 2B eine Verdrahtungsplatte beschrieben. Eine Verdrahtungsplatte B weist eine dielektrische Platte 21 auf. Eine Hohlleiterstruk­ tur 22 durchdringt die dielektrische Platte 21 von deren Ober­ fläche zu deren rückseitiger Oberfläche. Die Form des Quer­ schnitts der Hohlleiterstruktur 22 ist dieselbe wie die Form des Querschnitts der Öffnung 8 des Hochfrequenz-Verbindungs­ pads 9. Die Hohlleiterstruktur 22 weist eine Innenwand auf, die mit einem Leiter beschichtet ist. Um die Hohlleiterstruktur 22 herum sind an der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche der dielektrischen Platte 21 jeweils Hochfrequenz-Verbindungs­ pads 23 bzw. 24 ausgebildet. Ferner ist auf der Oberfläche der dielektrischen Platte 21 ein Leistungspad 25 ausgebildet. Das Leistungspad 25 bildet gemeinsam mit einer Niederfrequenzkompo­ nente wie einem Widerstandselement oder einem Kondensatorele­ ment, das an der Verdrahtungsplatte B gelagert sein kann, eine Leistungsschaltung oder eine Steuerschaltung. Die Leistungs­ schaltung oder die Steuerschaltung werden schließlich mit einer externen Schaltung verbunden, und zwar über einen Verbindungs­ pad 26 (s. Fig. 2A). Ferner ist die dielektrische Platte 21 mit einem Schraubenloch 27 ausgebildet, das verwendet wird, wenn die Verdrahtungsplatte B mit einer externen Schaltung wie einem Hohlleiter oder einer ebenen Antenne mit einem Hohlleiterport verbunden wird, und zwar zum Anschrauben der externen Schal­ tung.
3. Struktur, mittels der das Verdrahtungssubstrat A an der Verdrahtungsplatte B montiert wird
Fig. 3 ist eine schematische Schnittansicht einer Struk­ tur, bei der das Verdrahtungssubstrat A, das in Fig. 1 gezeigt ist, an der Verdrahtungsplatte B montiert ist, die in Fig. 2 gezeigt ist. Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, sind das Hochfre­ quenz-Verbindungspad 9 auf der Seite des Verdrahtungssubstra­ tes A und das Hochfrequenz-Verbindungspad 23 auf der Seite der Verdrahtungsplatte H durch Lotmaterial 30 elektrisch miteinan­ der verbunden. Ferner sind das Leistungspad 11 auf der Seite des Verdrahtungssubstrates A und das Leistungspad 25 auf der Seite der Verdrahtungsplatte B durch Lotmaterial 30 elektrisch miteinander verbunden.
Bei einer derartigen Montagestruktur lassen sich das Ver­ drahtungssubstrat A und die Verdrahtungsplatte B mittels eines Hohlleitermodus in der Hohlleiterstruktur 22 miteinander ver­ binden, bzw. die Signalübertragung zwischen A und B kann durch eine Hohlleiter-Signalübertragung in einem elektromagnetischen Wellenmodus erfolgen. Die Verbindung erfolgt folglich mittels des "Hohlleitermodus", verglichen mit einer herkömmlichen Ver­ bindung durch eine Mikrostreifenleitung, eine coplanare Leitung oder dergleichen. Demzufolge sind die Übertragungseigenschaften in dem Hohlleitermodus unabhängig von den dielektrischen Eigen­ schaften der dielektrischen Platte 21 festgelegt. Selbst wenn die dielektrische Platte 21 in der Verdrahtungsplatte B aus ei­ nem Material mit schlechten Frequenzeigenschaften ausgebildet ist, beispielsweise einem isolierenden Material mit Bestandtei­ len aus einem organischen Harz, beispielsweise Glasepoxidharz, ist es möglich, ein Hochfrequenzsignal verlustlos zu übertra­ gen.
Bei der gezeigten Montagestruktur kann ein Hohlleiter C an das Hochfrequenz-Verbindungspad 24 an der rückseitigen Oberflä­ che der Verdrahtungsplatte B gelötet werden. Demzufolge können das Verdrahtungssubstrat A und eine externe Schaltung, wie eine ebene Antenne mit dem Hohlleiter C, miteinander durch die Ver­ drahtungsplatte B hindurch gekoppelt werden.
Bei der Montagestruktur ist es möglich, lediglich die Hochfrequenzkomponente an dem Verdrahtungssubstrat A zu lagern und andere, niederfrequente Komponenten beispielsweise an der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungs­ platte B zu montieren. Demzufolge kann das Verdrahtungs­ substrat A, an dem die Hochfrequenzkomponente gelagert ist, kleiner ausgebildet werden verglichen mit einem Fall, bei dem die Hochfrequenzkomponente und eine Niederfrequenzkomponente in dem Verdrahtungssubstrat A gelagert sind, wie bei dem herkömm­ lichen Beispiel, wodurch es insgesamt ermöglicht wird, die Dichte des Verdrahtungssubstrates A zu erhöhen. Ferner ermög­ licht die Miniaturisierung des Verdrahtungssubstrates A, die Kosten eines Moduls zu verringern und dessen Montageverläßlich­ keit zu steigern.
4. Struktur, bei eine Vielzahl von Verdrahtungssubstra­ ten A an einer Verdrahtungsplatte B montiert sind
Eine Montagestruktur, bei der eine Vielzahl von Verdrah­ tungssubstraten A1 und A2 verwendet wird, wird nachstehend un­ ter Bezugnahme auf die schematische Schnittansicht der Fig. 4 erläutert. Bei der in Fig. 4 gezeigten Montagestruktur sind we­ nigstens vier Hohlleiterstrukturen 22a, 22b, 22c und 22d in der Verdrahtungsplatte B ausgebildet. Das Verdrahtungssubstrat A1 und das Verdrahtungssubstrat A2 sind jeweils auf einer oberen Oberfläche der Verdrahtungsplatte B montiert, wie in Fig. 3, und zwar ausgerichtet in bezug auf die Hohlleiterstrukturen 22a und 22b bzw. die Hohlleiterstrukturen 22c und 22d. Ferner ist ein Verdrahtungssubstrat A3 an der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte B montiert, ausgerichtet mit den Hohlleiter­ strukturen 22B und 22c in der Verdrahtungsplatte B.
Bei einer derartigen Montagestruktur lassen sich das Hohl­ leitersubstrat A1 und das Hohlleitersubstrat A3 miteinander über die in der Verdrahtungsplatte B ausgebildete Hohlleiter­ struktur 22b koppeln. Das Verdrahtungssubstrat A3 und das Ver­ drahtungssubstrat A2 können über die Hohlleiterstruktur 22c miteinander gekoppelt werden, die in der Verdrahtungsplatte B ausgebildet ist. Folglich sind die Verdrahtungssubstrate A1, A2 und A3 miteinander in einem Hohlleitermodus gekoppelt. Folglich läßt sich der Signalübertragungsverlust reduzieren und die Übertragung ist nicht durch die dielektrischen Eigenschaften des dielektrischen Materials beeinflußt, das für die Leiter­ platte B verwendet wird.
Ferner lassen sich die Verdrahtungssubstrate in eine Viel­ zahl von Blöcken unterteilen. Demzufolge ist es möglich, die Montageverläßlichkeit zu steigern, indem jeder der Blöcke mi­ niaturisiert wird.
Bei der oben genannten Montagestruktur sind die Enden der Hohlleiterstrukturen 22a und 22d jeweils mit einer anderen Hochfrequenzkomponenten verbunden, einer Antenne oder derglei­ chen, und zwar über ein weiteres Verdrahtungssubstrat, einen Hohlleiter, oder dergleichen.
Bei der gezeigten Montagestruktur muß das Verdrahtungs­ substrat A3, das die Funktion der Verbindung der zwei Verdrah­ tungssubstrate A1 und A2 erfüllt, nicht notwendigerweise eine Leistungsleitung, eine Steuerleitung oder ein Leistungspad be­ sitzen, wie es in den Fig. 1A bis 1C gezeigt ist. Bei einer Hochfrequenzkomponente in dem Verdrahtungssubstrat A3, die durch die Bezugsziffer 4a in Fig. 4 gezeigt ist, kann es sich beispielsweise um einen Wandlungsabschnitt zum Miteinanderver­ binden von Streifenleitern für Ausgangs- und Eingangssignale in dem Verdrahtungssubstrat A3 handeln.
5. Weitere Ausführungsform
Obgleich bei der oben genannten Ausführungsform, die in den obigen Punkten 1 bis 4 beschrieben ist, die Querschnitts­ form der Hohlleiterstruktur in der Verdrahtungsplatte B quadra­ tisch ist, wie es dargestellt ist, kann die Form des Quer­ schnitts der Hohlleiterstruktur auch kreisförmig sein. Insbe­ sondere dann, wenn die Querschnittsform kreisförmig ist, läßt sich eine dielektrische Platte leicht mittels eines Bohrers verarbeiten bzw. bearbeiten. Die Hohlleiterstruktur hat die Vorteile einer glatten bearbeiteten Oberfläche, so gut wie ein Hohlleiter. Ferner kann die Form der Öffnung 8 in dem Hochfre­ quenz-Verbindungspad 9 in dem Verdrahtungssubstrat A dann, wenn die Hohlleiterstruktur einen kreisförmigen Querschnitt hat, entweder kreisförmig oder quadratisch sein. Bevorzugt ist dann jedoch eine Kreisform.
Beispiele von dielektrischem Material, das das dielektri­ sche Substrat 1 in dem Verdrahtungssubstrat A und die dielek­ trische Platte 21 in der Verdrahtungsplatte B bildet, beinhal­ ten ein keramisches Material, das hauptsächlich besteht aus Al2O3, AlN, Si3N4 oder Mullit, ein glaskeramisches Material, das gebildet wird durch Sintern von Glas oder einer Mischung aus Glas und einem keramischen Füllmaterial, ein organisches Harz­ material wie Epoxidharz, Polyimidharz oder Fluorharz wie Te­ flon, oder ein organisches Harz-Keramik-Verbundmaterial (das Glas enthalten kann).
Ein geeignetes Beispiel eines dielektrischen Substrates 1 in dem Verdrahtungssubstrat A, an dem die Hochfrequenzkomponen­ te gelagert ist, weist insbesondere einen kleinen dielektri­ schen Verlustfaktor auf und läßt sich hermetisch abdichten. Beispiele von besonders wünschenswerten bzw. günstigen Materia­ lien sind Arten von anorganischen Materialien, die ausgewählt sind aus einer Gruppe, die aus Aluminiumoxid, AlN und glaskera­ mischem Material besteht. Wenn das dielektrische Substrat 1 aus einem derartigen harten Material aufgebaut ist, ist es möglich, die daran gelagerte Hochfrequenzkomponente hermetisch abzudich­ ten, was zum Steigern der Verläßlichkeit insgesamt bevorzugt ist. Für die dielektrische Platte 21 in der Verdrahtungsplat­ te B lassen sich sämtliche dielektrischen Materialien verwen­ den, da die Eigenschaften der Hochfrequenzübertragung erfin­ dungsgemäß nicht durch die dielektrischen Eigenschaften der dielektrischen Platte 21 beeinflußt werden. Folglich läßt sich ein dielektrisches Material verwenden, dessen Kosten kleinst­ möglich sind. Ausgehend hiervon enthält ein geeignetes Beispiel eines isolierenden Materials organisches Harz und insbesondere wenigstens einen Typ ausgewählt aus einer Gruppe, die aus Glas­ gewebe-Fluorharz, Glasgewebe-Epoxidharz und Alamidgewebe- Epoxidharz besteht. Ein derartiges Isoliermaterial mit organi­ schem Harz ist kostengünstig und läßt sich leicht durch Anbrin­ gen eines Schraubenloches bzw. Bohrloches oder dgl. bearbeiten. Demzufolge kann die dielektrische Platte an einer externen Schaltung wie einem Hohlleiter oder einer Antenne mittels einer Schraube festgelegt werden, was hinsichtlich der Kostenreduzie­ rung bevorzugt ist. Die Verbindung zu der externen Schaltung läßt sich somit leicht vollziehen.
Der Unterschied der thermischen Ausdehnungskoeffizienten bei Raumtemperatur zwischen dem dielektrischen Material der Verdrahtungsplatte B und dem dielektrischen Material des Ver­ drahtungssubstrates A beträgt vorzugsweise nicht mehr als 10 × 10-6/K.
Die günstigste bzw. geeignetste Kombination aus derzeiti­ ger Sicht, d. h. die hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Kosten günstigste Kombination ist jene, bei der das dielektrische Substrat 1 in dem Verdrahtungssubstrat A aus Aluminiumoxidkera­ mik oder einem Glaskeramikmaterial besteht und die dielektri­ sche Platte 21 in der Verdrahtungsplatte B aus Glasgewebe- Epoxidharz besteht.
6. Beispiel
Die folgenden Experimente wurden zur Bestätigung der Wir­ kungen bzw. Vorteile der vorliegenden Erfindung durchgeführt.
Zunächst wurde als ein Verdrahtungssubstrat A ein Substrat zur Evaluierung ähnlich dem in Fig. 1 gezeigten Verdrahtungs­ substrat A hergestellt durch eine übliche Stapel- und gleich­ zeitige bzw. Ko-Sintertechnik unter Verwendung von Ausgangsma­ teriallagen ("green sheets"), die aufgebaut sind aus Aluminium­ oxidkeramik (wenn die Ausgangsmateriallage gesintert wird, ist der dielektrische Verlustfaktor bei einer Frequenz von 10 GHz gleich 0,0006) und einer mittels Wolfram metallisierten Druck­ farbe ("tungsten metallized ink").
In dem Substrat zur Evaluierung ist kein Hohlraum wie in dem Verdrahtungssubstrat A, das in Fig. 1 gezeigt ist, vorgese­ hen, es ist daran keine Hochfrequenzkomponente gelagert und es sind zwei Mikrostreifenleitungen jeweils mit einem geöffneten bzw. freien Anschlußende für Eingangs- und Ausgangssignale mit­ einander verbunden. Als Beispiel eines Anpassungsabschnittes wurde ein Abschnitt mit einer Struktur aus einer Mikrostreifen­ leitung 5, einem Schlitzloch 13 und einem Anpassungsab­ schnitt 15 gewählt, wie es in den Fig. 1A bis 1C gezeigt ist. Nach dem Sintern wurden metallisierte Oberflächenabschnitte der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates einem Plattierungsprozeß unter Verwendung von Nickel und Gold unterzogen.
Die in Fig. 2 gezeigte Verdrahtungsplatte B wurde herge­ stellt unter Verwendung einer Leiterplatte aus Glasepoxidharz FR-4 (der dielektrische Verlustfaktor bei 10 GHz beträgt 0,023). Nachdem die Leiterplatte mittels eines Bohrers mit ei­ ner Öffnung mit einem Querschnitt entsprechend dem Hohlleiter ausgebildet wurde, wurde eine innere Oberfläche der Öffnung ei­ nem Plattierungsprozeß mit Kupfer ausgesetzt, um die Hohllei­ terstruktur zu bilden. Ferner wurden ein Hochfrequenz- Verbindungspad, ein Leistungspad und dgl. auf der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche der gedruckten Leiterplatte ausgebildet, indem Kupferfolie geeignet zugeschnitten wurde ("by patterning copper foil").
Im Rahmen eines Druckverfahrens wurden Zinn, Silber und Kupferlotpaste auf ein Pad der oben genannten gedruckten Lei­ terplatte aufgedruckt, die Verdrahtungsplatte zur Evaluierung wurde daran durch Löten montiert, und zwar durch ein "reflow"- Verfahren, um so eine Probe zur Evaluierung zu erhalten.
Zur Messung wurde ein Hohlleiter an die Evaluierungsprobe angeschlossen und es wurde eine Einfügungsdämpfung ("insertion loss") bei einer Frequenz von 76 GHz gemessen, um einen Verbin­ dungsverlust bzw. eine Verbindungsdämpfung von einer Mikrost­ reifenleitung in dem Verdrahtungssubstrat zu der Öffnung des Hohlleiters in der Verdrahtungsplatte zu messen. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, daß der Verbindungsverlust bei 76 GHz etwa 0,4 dB betrug, was für die Herstellung eines Moduls prak­ tikabel ist und einen hinreichend kleinen Verlust darstellt.
Obgleich die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und dargestellt worden ist, versteht sich, daß dies lediglich beispielhaft erfolgte und nicht einschränkend verstanden werden soll, wobei der Schutzbereich durch die beigefügten Ansprüche bestimmt sein soll.

Claims (19)

1. Verdrahtungssubstrat (A), das ein dielektrisches Substrat (1) mit einer Oberfläche aufweist, auf der eine Hoch­ frequenzkomponente (4) und eine Übertragungsleitung (5, 6) aus­ gebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß
das dielektrische Substrat (1) mit einer Öffnung (8) mit einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist;
ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9) vorgesehen ist, das mit einer Leiterschicht um die Öffnung (8) herum beschichtet ist und an einer rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet ist;
ein Leistungspad (11) vorgesehen ist, das an der rücksei­ tigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet und mit einer Leistungsleitung (7) zu verbinden ist, die an der Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet ist; und
ein Anpassungsabschnitt (15) in der Öffnung (8) ausgebil­ det ist, um die Übertragungsleitung (5, 6) und eine Hohlleiter­ struktur (22), die mit dem Hochfrequenz-Verbindungspad (9) ver­ bunden ist, durch eine Hochfrequenzkopplung miteinander zu ver­ binden.
2. Verdrahtungssubstrat nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Hochfrequenz-Verbindungspad (9) mit der Hohlleiterstruktur (22) durch Lotmaterial (30) verbunden ist.
3. Verdrahtungssubstrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abdeckung (2) zum hermetischen Abdich­ ten der Hochfrequenzkomponente (4) an der Oberfläche des die­ lektrischen Substrates (1) angebracht ist.
4. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschicht in dem Hochfrequenz-Verbindungspad (9) ausgehöhlt sich nach innen er­ streckend ausgehend von der rückseitigen Oberfläche des dielek­ trischen Substrates (1) ausgebildet ist.
5. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf der rückseitigen Ober­ fläche des dielektrischen Substrates (1) zwei oder mehr Hoch­ frequenz-Verbindungspads (9) ausgebildet sind.
6. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Übertragungsleitung (5, 6) eine Mikrostreifenleitung (5, 6) ist; und
der Anpassungsabschnitt (15) eine Mikrostreifenleitung (5, 6), die ein freies Abschlußende (5a) aufweist, ein Schlitzloch (13), das in einer Erdungsschicht (6) der Mikrostreifenleitung (5, 6) ausgebildet ist, und ein dielektrisches Material auf­ weist, das unterhalb des Schlitzloches (13) vorgesehen ist.
7. Verdrahtungssubstrat nach Anspruch 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß
das Schlitzloch (13) in der Mitte der Öffnung (8) des Hochfrequenz-Verbindungspads (9) ausgebildet ist;
ein vertikaler Leiter (14) zum Verbinden der Erdungs­ schicht (6) und des Hochfrequenz-Verbindungspads (9) entlang der Öffnung (8) ausgebildet ist; und
der Anpassungsabschnitt (15) in einem Bereich ausgebildet ist, der von dem vertikalen Leiter (14) umschlossen ist.
8. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Substrat (1) aus Keramikmaterial aufgebaut ist.
9. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Verdrahtungssubstrat (A) an einer vorbestimmten Verdrahtungsplatte (B) montiert ist, in­ dem die Hochfrequenz- und Leistungspads (9, 11) mit der Ver­ drahtungsplatte (B) durch Lotmaterial (30) verbunden werden.
10. Verdrahtungsplatte (B), gekennzeichnet durch:
eine dielektrischen Platte (21);
eine Hohlleiterstruktur (22), die die dielektrische Platte (21) ausgehend von einer Oberfläche der Platte (21) bis hin zu deren rückseitiger Oberfläche durchdringt, wobei die Hohllei­ terstruktur (22) eine Öffnung mit einer vorbestimmten Quer­ schnittsform aufweist und die Innenwand der Hohlleiterstruktur mit einem Leiter beschichtet ist; und
ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23), das an der Oberflä­ che der dielektrischen Platte (21) um die Hohlleiterstruktur (22) herum vorgesehen ist.
11. Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat, bei der ein Verdrahtungssubstrat (A) auf einer Oberfläche einer Verdrahtungsplatte (B) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verdrahtungsplatte (B) eine Hohlleiterstruktur (22) aufweist, die eine dielektrische Platte (21) von ihrer Oberflä­ che bis hin zu ihrer rückseitigen Oberfläche durchdringt, wobei die Hohlleiterstruktur (22) eine Öffnung mit einer vorbestimm­ ten Querschnittsform aufweist und ihre Innenwand mit einem Lei­ ter beschichtet ist, und ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23) aufweist, das um die Hohlleiterstruktur (22) herum an der Ober­ fläche der dielektrischen Platte (B) vorgesehen ist;
das Verdrahtungssubstrat (A) ein dielektrisches Substrat (1) aufweist, auf dessen Oberfläche eine Hochfrequenzkomponente (4) und eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet sind, wobei das dielektrische Substrat (1) mit einer Öffnung (8) einer vor­ bestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, wobei ein Hochfre­ quenz-Verbindungspad (9) an einer rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) um die Öffnung (8) herum ausge­ bildet ist, und wobei ein Anpassungsabschnitt (15) in der Öff­ nung (8) ausgebildet ist, zum Hochfrequenzkoppeln der Übertra­ gungsleitung (5, 6) und der Hohlleiterstruktur (22) miteinan­ der, und
das Hochfrequenz-Verbindungspad (9) an dem Verdrahtungs­ substrat (A) und das Hochfrequenz-Verbindungspad (23) an der Verdrahtungsplatte (B) miteinander verbunden sind.
12. Montagestruktur nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß
das dielektrische Substrat (1) in dem Verdrahtungssubstrat (A) aus einem keramischen Isoliermaterial aufgebaut ist; und
die dielektrische Platte (21) in der Verdrahtungsplatte (B) aus einem isolierenden Material mit einem organischen Harz aufgebaut ist.
13. Montagestruktur nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Hochfrequenzkomponente (4) an dem Verdrahtungs­ substrat (A) gelagert ist; und
eine Niederfrequenzkomponente an der Verdrahtungsplatte (B) gelagert ist.
14. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine Leiterschicht mit derselben Öffnungsform wie die Öffnungsform eines Hohlleiters (C) an ei­ ner rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) ausge­ bildet ist.
15. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Platte (21) in der Verdrahtungsplatte (B) mit einem Schraubenloch (27) ausge­ bildet ist, zum Anschrauben einer externen Schaltung.
16. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz des thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten bei Raumtemperatur auf eine Temperatur von 300°C zwischen dem dielektrischen Substrat (1) in dem Ver­ drahtungssubstrat (A) und der dielektrischen Platte (21) in der Verdrahtungsplatte (B) nicht größer ist als 10 × 10-6/K.
17. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Hochfrequenzsignal über die Hohlleiterstruktur (22) in der Verdrahtungsplatte (B) zu einer externen Schaltung mit einem Hohlleiterport übertragen wird.
18. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß an der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) ein weiteres Verdrahtungssubstrat (A3) montiert ist.
19. Montagestruktur (A1-A3, B) für ein Verdrahtungs­ substrat, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Vielzahl von Verdrahtungssubstraten (A1, A2), an de­ nen jeweils Hochfrequenzkomponenten (4) gelagert sind, an einer Oberfläche einer Verdrahtungsplatte (B) montiert sind, und ein weiteres Verdrahtungssubstrat (A3) an einer rückseitigen Ober­ fläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert ist;
die Verdrahtungsplatte (B) wenigstens zwei Hohlleiter­ strukturen (22b, 22c) aufweist, die jeweils eine dielektrische Platte (21) von deren Oberfläche zu deren rückseitiger Oberflä­ che durchdringen, wobei die Hohlleiterstrukturen (22b, 22c) je­ weils eine Öffnung mit einer vorbestimmten Querschnittsform aufweisen und ihre Innenwand jeweils mit einem Leiter beschich­ tet ist, und Hochfrequenz-Verbindungspads (23, 24) aufweist, die jeweils an der Oberfläche und der rückseitigen Oberfläche der dielektrischen Platte (21) um die Hohlleiterstrukturen (22b, 22c) herum vorgesehen sind,
jedes der Verdrahtungssubstrate (A1, A2), die an der Ober­ fläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert sind, ein dielektri­ sches Substrat (1) aufweist, an dessen Oberfläche eine Hochfre­ quenzkomponente (4) und eine Übertragungsleitung (5, 6) ausge­ bildet sind, wobei das dielektrische Substrat (1) mit einer Öffnung (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9), das mit einer Leiterschicht um die Öffnung (8) herum beschichtet ist, an ei­ ner rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet ist, und wobei ein Anpassungsabschnitt (15) in der Öffnung (8) ausgebildet ist, zum Hochfrequenzkoppeln der Über­ tragungsleitung (5, 6) und der Hohlleiterstruktur (22b, 22c) miteinander; und
das Verdrahtungssubstrat (A3), das an der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert ist, ein dielek­ trisches Substrat (1) aufweist, an dem eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet ist, wobei das dielektrische Substrat (1) mit zwei Öffnungen (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, wobei jeweilige Hochfrequenz-Verbindungspads (9), die mit einer Leiterschicht um die jeweilige Öffnung (8) herum beschichtet sind, an der Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet sind, und ein Anpassungsabschnitt (15) in jeder der Öffnungen (8) vorgesehen ist, zum Hochfre­ quenzkoppeln der Übertragungsleitung (5, 6) und der jeweiligen Hohlleiterstruktur (22b, 22c) miteinander; und
die Öffnungen (8) der Verdrahtungssubstrate (A1, A2), die an der Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert sind, mit den zwei Hohlleiterstrukturen (22b, 22a) an der Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) jeweils gekoppelt sind, und wobei die Öffnungen (8) des Verdrahtungssubstrates (A3), das an der rück­ seitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert ist, mit den zwei Hohlleiterstrukturen (22b, 22a) an der rückseiti­ gen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) gekoppelt sind.
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