JP2018018935A

JP2018018935A - プリント配線板及びその製造方法

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Publication number: JP2018018935A
Application number: JP2016147526A
Authority: JP
Inventors: 普崇谷口; Hirotaka Taniguchi; 龍三西川; Ryuzo Nishikawa; 治彦森田; Haruhiko Morita
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2016-07-27
Filing date: 2016-07-27
Publication date: 2018-02-01
Also published as: US20180035534A1; US20190387613A1

Abstract

【課題】配線パターンにより伝送される信号の損失を低減することが可能なプリント配線板の提供を目的とする。【解決手段】本発明のプリント配線板１０は、ベース基板部２１と、ベース基板部２１の第１面２１Ｆ上に積層される第１絶縁樹脂層２３と、第１絶縁樹脂層２３上に形成される第１導体層２４と、高周波基板部２７と、を有する。高周波基板部２７は、ベース基板部２１のうち第１面２１Ｆ側で最も外側に配置される導体層１６と、第１絶縁樹脂層２３と、第１導体層２４と、を含んでなる。第１導体層２４は、高周波基板部２７に含まれる導体層１６と共にマイクロストリップライン２６を構成する配線パターンを含む。配線パターンの側面は、第１絶縁樹脂層２３の厚み方向と略平行に配置される。第１絶縁樹脂層２３は、３．５以下の比誘電率を有し、０．００５以下の誘電正接を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、マイクロストリップラインを有するプリント配線板及びその製造方法に関する。

従来、この種のプリント配線板として、マイクロストリップラインを構成する配線パターンが低誘電率樹脂材料で構成される絶縁層の上に形成されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなプリント配線板では、配線パターンは、絶縁層の上に積層された金属層をエッチングすることで形成されていた。

特開平８−１８１４５８号公報（段落［００５９］，［００６０］、図１，５）

ところで、上述した従来のプリント配線板では、配線パターンにより伝送される信号の損失が大きいという問題が考えられる。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、配線パターンにより伝送される信号の損失を低減することが可能なプリント配線板及びその製造方法の提供を目的とする。

上記目的を達成するためになされた本発明のプリント配線板は、導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部と、前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に積層される第１絶縁樹脂層と、前記第１絶縁樹脂層上に積層される第１導体層と、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部と、を有し、前記第１導体層は、前記高周波基板部に含まれる前記導体層と共にマイクロストリップラインを構成する配線パターンを含み、前記第１絶縁樹脂層は、３．５以下の比誘電率を有し、且つ、０．００５以下の誘電正接を有し、前記配線パターンの側面は、前記第１絶縁樹脂層の厚み方向と略平行に配置されている。

また、上記目的を達成するためになされた本発明のプリント配線板の製造方法は、導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部を形成することと、前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に第１絶縁樹脂層を積層することと、前記第１絶縁樹脂層上に第１導体層を形成することと、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部を形成することと、を含み、前記第１導体層を形成することには、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と共にマイクロストリップラインを構成する配線パターンを形成することが含まれ、前配線パターンを形成することには、前記第１絶縁樹脂層上に全面的に金属箔を積層することと、前記金属箔上に所定パターンのめっき層を形成することと、前記めっき層の非形成部分にある前記金属箔を除去することと、が含まれる。

プリント配線板の断面図図１における第１導体層周辺の拡大図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図プリント配線板の製造工程を示す断面図（Ａ）実験例１に係る基板の断面図、（Ｂ）実験例２に係る基板の断面図各実験例における配線パターンの挿入損失の周波数特性を示すグラフ

以下、本実施形態を図１〜図１８に基づいて説明する。図１に示されるように、本実施形態のプリント配線板１０は、第１面８１Ｆと第２面８１Ｓを表裏に有する基板８１の第１面８１Ｆに第１導体層２４が積層され、第２面８１Ｓに第２導体層３４が積層された構造を有している。基板８１は、第３面２１Ｆと第４面２１Ｓを表裏に有するベース基板部２１の第３面に第１絶縁樹脂層２３が積層され、第４面２１Ｓに第２絶縁樹脂層３３が積層された構造を有している。

また、プリント配線板１０は、基板８１の第２面８１Ｓ側にのみソルダーレジスト層３７を有している。ソルダーレジスト層３７は、第２導体層３４上に積層されている。ソルダーレジスト層３７には、開口３７Ａが形成されている。そして、開口３７Ａの内側に配置される第２導体層３４によってパッド３８が形成されている。

ベース基板部２１は、コア基板１１の表側と裏側とに、層間絶縁樹脂層１５と導体層１６が交互に積層されてなる。コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋの表側と裏側とに導体層１２が積層されてなる。絶縁性基材１１Ｋは、ガラス繊維等の芯材に無機フィラーを含有する樹脂を含浸させたプリプレグで構成されている。表側の導体層１２と裏側の導体層１２とは、絶縁性基材１１Ｋを貫通するビア導体１３によって接続されている。

層間絶縁樹脂層１５と導体層１６は、コア基板１１の表側と裏側のそれぞれに複数ずつ設けられている。ベース基板部２１の厚み方向で層間絶縁樹脂層１５を挟む導体層１６同士は、層間絶縁樹脂層１５を貫通するビア導体１７によって接続されている。また、コア基板１１に最も近い導体層１６は、コア基板１１上の層間絶縁樹脂層１５を貫通するビア導体１７によってコア基板１１の導体層１２に接続されている。層間絶縁樹脂層１５は、絶縁性基材１１Ｋと同様のプリプレグで構成されてもよいし、芯材を含まず且つ無機フィラーを含有する樹脂フィルムで構成されてもよい。なお、本実施形態では、絶縁性基材１１Ｋと層間絶縁樹脂層１５が本発明の「絶縁樹脂層」に相当する。

第１絶縁樹脂層２３は、基板８１の第１面８１Ｆを構成し、第１導体層２４は、第１絶縁樹脂層２３上に積層されている。第１導体層２４は、第１絶縁樹脂層２３を貫通するビア導体２５によって、ベース基板部２１の第３面２１Ｆに露出する導体層１６に接続されている。

第２絶縁樹脂層３３は、基板８１の第２面８１Ｓを構成し、第２導体層３４は、第２絶縁樹脂層３３上に積層されている。第２導体層３４は、第２絶縁樹脂層３３を貫通するビア導体３５によって、ベース基板部２１の第４面２１Ｓに露出する導体層１６に接続されている。

第１絶縁樹脂層２３の厚みは、第２絶縁樹脂層３３の厚みより大きくなっている。第２絶縁樹脂層３３の厚みは、ベース基板部２１の層間絶縁樹脂層１５の厚みと略同じになっている。本実施形態の例では、第１絶縁樹脂層２３の厚みは、１００〜２００μｍとなっていて、第２絶縁樹脂層３３と層間絶縁樹脂層１５の厚みは、４０〜１００μｍとなっている。なお、第１導体層２４、第２導体層３４及びベース基板部２１の導体層１６の各厚みは、１５〜３５μｍとなっている。なお、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋの厚みは、４０〜６００μｍであり、好ましくは、４０〜１００μｍである。

第１絶縁樹脂層２３は、第２絶縁樹脂層３３よりも高周波特性に優れる材料で構成され、第１絶縁樹脂層２３の比誘電率Ｄｋは第２絶縁樹脂層３３の比誘電率Ｄｋより小さく、第１絶縁樹脂層２３の誘電正接Ｄｆは第２絶縁樹脂層３３の誘電正接Ｄｆよりも小さくなっている。具体的には、第１絶縁樹脂層２３においては、比誘電率Ｄｋが３．０〜３．５で、誘電正接Ｄｆが０．００１〜０．００５となっている。第２絶縁樹脂層３３においては、比誘電率Ｄｋが、例えば、４．１で、誘電正接Ｄｆが、例えば、０．０１２となっている。なお、第１絶縁樹脂層２３を構成する材料としては、液晶ポリマーやＰＴＦＥ等の低誘電率樹脂材料が挙げられる。第２絶縁樹脂層３３は、ベース基板部２１の層間絶縁樹脂層１５と同じ材料で構成されている。

図１に示すように、プリント配線板１０は、基板８１の第１面８１Ｆ側に、高周波用の配線パターンを有する高周波基板部２７を備えている。高周波基板部２７は、基板８１のうち第１面８１Ｆ側で最も外側に配置される導体層１６Ａ（以下、「最外の導体層１６Ａ」という。）と、第１絶縁樹脂層２３と、第１導体層２４と、を含んでなる。高周波基板部２７において、最外の導体層１６Ａと第１導体層２４とは、マイクロストリップライン２６を形成する。最外の導体層１６Ａは、マイクロストリップライン２６のグランド層を構成し、第１導体層２４は、マイクロストリップライン２６の配線パターンを構成する。

本実施形態では、第１導体層２４が構成する配線パターンの最小幅は７５μｍ以上となっている。また、高周波基板部２７において、隣接する配線パターン同士の間隔の最小値が７５μｍ以上となっている。

図２に示すように、第１導体層２４は、銅箔５０と、銅箔５０上に積層されためっき層５４と、からなる。めっき層５４は、無電解めっき膜５１及び電解めっき膜５３で構成される２層構造になっている。なお、銅箔５０の厚みは、５μｍ以下となっている。

第１導体層２４の側面は、基板８１の第１面８１Ｆに対して略垂直になっていて、基板８１の厚み方向と略平行に配置されている。また、第１導体層２４のうち基板８１と反対側を向く上面と、側面とは、平滑面となっている。また、第１導体層２４と基板１０の第１絶縁樹脂層２３との界面の粗度Ｒａ（算術平均粗さ）は、０．５μｍより小さくなっている。

本実施形態のプリント配線板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図３（Ａ）に示すように、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされている銅張積層板１１Ｚが用意される。

（２）図３（Ｂ）に示すように、銅張積層板１１Ｚの表裏の一方側から、例えば、ＣＯ２レーザーが照射されてテーパー孔１３Ａが穿孔される。テーパー孔１３Ａは、銅張積層板１１Ｚの表裏の他方側の銅箔１１Ｃを底とする非貫通孔である。

（３）図３（Ｃ）に示すように、無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上とテーパー孔１３Ａの内面に無電解めっき膜４１が形成される。

（４）図４（Ａ）に示すように、無電解めっき膜４１上に、所定パターンのめっきレジスト４２が形成される。

（５）電解めっき処理が行われ、図４（Ｂ）に示すように、電解めっきがテーパー孔１３Ａ内に充填されてビア導体１３が形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜４１のうちめっきレジスト４２から露出している部分に電解めっき膜４３が形成される。

（６）めっきレジスト４２が剥離されると共に、めっきレジスト４２の下方の無電解めっき膜４１及び銅箔１１Ｃが除去され、図４（Ｃ）に示すように、残された電解めっき膜４３、無電解めっき膜４１及び銅箔１１Ｃにより、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に導体層１２が形成される。そして、表側の導体層１２と裏側の導体層１２とがビア導体１３によって接続される。これにより、コア基板１１が得られる。

（７）図５（Ａ）に示すように、コア基板１１の導体層１２に、層間絶縁樹脂層１５としてプリプレグが積層されると共に、銅箔４４が積層されてから、加熱プレスされる。その際、導体層１２，１２同士の間がプリプレグにて埋められる。

（８）図５（Ｂ）に示すように、コア基板１１の表裏の両側から層間絶縁樹脂層１５にレーザーが照射されて、ビアホール１７Ａが形成される。

（９）無電解めっき処理が行われ、層間絶縁樹脂層１５の上とビアホール１７Ａの内面とに無電解めっき膜４５が形成される（図６（Ａ）参照）。

（１０）図６（Ｂ）に示すように、無電解めっき膜４５上に、所定パターンのめっきレジスト４６が形成される。

（１１）電解めっき処理が行われ、図７（Ａ）に示すように、電解めっきがビアホール１７Ａ内に充填されてビア導体１７が形成され、無電解めっき膜４５のうちめっきレジスト４６から露出している部分に電解めっき膜４７が形成される。

（１２）図７（Ｂ）に示すように、めっきレジスト４６が剥離されると共に、めっきレジスト４６の下方の無電解めっき膜４５及び銅箔４４が除去され、残された電解めっき膜４７、無電解めっき膜４５及び銅箔４４により、層間絶縁樹脂層１５上に導体層１６が形成される。そして、導体層１２と導体層１６とがビア導体１７によって接続される。

なお、層間絶縁樹脂層１５として、プリプレグの代わりに、芯材を含まず且つ無機フィラーを含有する樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔４４を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体層１６を形成することができる。

（１３）上記した（７）〜（１２）と同様の処理が繰り返されて、図８に示すように、コア基板１１の表裏の両側に複数の層間絶縁樹脂層１５と複数の導体層１６が交互に積層される。これにより、プリント配線板１０におけるベース基板部２１が形成される。なお、層間絶縁樹脂層１５を挟む導体層１６，１６同士は、層間絶縁樹脂層１５を貫通するビア導体１７によって接続される。

（１４）図９に示すように、ベース基板部２１の第１面８１Ｆ側に、第１絶縁樹脂層２３としての低誘電率材料のシートと、銅箔５０とが順番に重ねられると共に、ベース基板部２１の第２面８１Ｓ側に、第２絶縁樹脂層３３としてのプリプレグと、銅箔５０とが順番に重ねられる。なお、ベース基板部２１、第１絶縁樹脂層２３、第２絶縁樹脂層３３及び銅箔５０の水平方向の位置は、ベース基板部２１、第１絶縁樹脂層２３、第２絶縁樹脂層３３及び銅箔５０に予め形成されたアライメントマークを基準にして決定される。

（１５）熱プレスが行われ、ベース基板部２１の第３面２１Ｆ上に、第１絶縁樹脂層２３と銅箔５０が順番に積層されると共に、ベース基板部２１の第４面２１Ｓ上に、第２絶縁樹脂層３３と銅箔５０が順番に積層される（図１０参照）。このとき、ベース基板部２１の第３面２１Ｆで露出する導体層１６，１６同士の間が、第１絶縁樹脂層２３を構成する低誘電率材料で埋められると共に、ベース基板部２１の第４面２１Ｓで露出する導体層１６，１６同士の間が、第２絶縁樹脂層３３を構成するプリプレグにて埋められる。そして、ベース基板部２１と第１絶縁樹脂層２３と第２絶縁樹脂層３３とによって、基板８１が形成される。

（１６）図１１に示すように、基板８１の第１面８１Ｆ側からレーザーが照射されて、第１絶縁樹脂層２３と銅箔５０を貫通するビアホール２５Ａが形成されると共に、基板８１の第２面８１Ｓ側からレーザーが照射され、第２絶縁樹脂層３３と銅箔５０を貫通するビアホール３５Ａが形成される。

（１７）基板８１の表側と裏側とに粗化処理が行われる。具体的には、この粗化処理は、基板８１の第１面８１Ｆの粗度が０．５μｍ以下となるように行われる。

（１８）無電解めっき処理が行われ、図１２に示すように、基板８１の第１面８１Ｆ側で、銅箔５０の上とビアホール２５Ａの内面とに無電解めっき膜５１が形成されると共に、基板８１の第２面８１Ｓ側で、銅箔５０の上とビアホール３５Ａの内面とに無電解めっき膜５１が形成される。

（１９）図１３に示すように、無電解めっき膜５１上に、所定パターンのめっきレジスト５２が形成される。

（２０）電解めっき処理が行われ、図１４に示すように、基板８１の第１面８１Ｆ側において、電解めっきがビアホール２５Ａ内に充填されてビア導体２５が形成され、無電解めっき膜５１のうちめっきレジスト５２から露出している部分に電解めっき膜５３が形成されると共に、基板８１の第２面８１Ｓ側において、電解めっきがビアホール３５Ａ内に充填されてビア導体３５が形成され、無電解めっき膜５１のうちめっきレジスト５２から露出している部分に電解めっき膜５３が形成される。

（２１）めっきレジスト５２が剥離されると共に、めっきレジスト５２の下方の無電解めっき膜５１及び銅箔５０がエッチングにより除去される。すると、図１５に示すように、残された電解めっき膜５３、無電解めっき膜５１及び銅箔５０により、第１絶縁樹脂層２３上に第１導体層２４が形成されると共に、第２絶縁樹脂層３３上に第２導体層３４が形成される。このとき、無電解めっき膜５１と電解めっき膜５３とにより、めっき層５４（図２参照）が形成される。そして、基板８１の導体層１６のうち第１面８１Ｆ側で最も外側に配置される最外の導体層１６Ａと第１導体層２４とでマイクロストリップライン２６が形成されると共に、最外の導体層１６Ａ、第１絶縁樹脂層２３及び第１導体層２４により高周波基板部２７が形成される。

なお、このとき、第１導体層２４の断面形状が矩形状に形成され、第１導体層２４の側面は、基板８１の厚み方向と略平行に配置される。また、第１導体層２４の上面及び側面は平滑面として形成される。

（２２）図１６に示すように、第２導体層３４上にソルダーレジスト層３７が積層される。次いで、フォトレジスト処理が行われ、ソルダーレジスト層３７に開口３７Ａが形成され、第２導体層３４にパッド３８が形成される。以上により、図１に示したプリント配線板１０が完成する。

本実施形態のプリント配線板１０の製造方法に関する説明は以上である。次に、プリント配線板１０及びその製造方法の作用効果について説明する。

本実施形態のプリント配線板１０では、マイクロストリップライン２６を形成する第１導体層２４が、銅箔５０と、銅箔５０上のめっき層５４と、を含む構成になっている。このような構成を有するプリント配線板１０は、第１絶縁樹脂層２３上に全面的に銅箔５０を積層し、銅箔５０上に所定パターンのめっき層５４を形成し、めっき層５４の非形成部分にある銅箔５０を除去することにより製造される。そして、本実施形態のプリント配線板１０の製造方法によれば、以下の［シミュレーションによる評価実験］で説明するように、第１導体層２４により構成される配線パターンの挿入損失の低減が図られ、配線パターンにより伝送される信号の損失を低減することが可能となる。

［シミュレーションによる評価実験］
プリント配線板１０における配線パターンの挿入損失低減の効果を、シミュレーションにより確認した。具体的には、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示す基板２１０，２２０について、第１導体層２４，１２４により構成される配線パターンの挿入損失をシミュレーションにより算出した。基板２１０，２２０は、導体層１６と第１絶縁樹脂層２３と第１導体層２４，１２４とからなる３層構造である。実験例１では、図１７（Ａ）に示す基板２１０が用いられ、実験例２では、図１７（Ｂ）に示す基板２２０が用いられた。各実験例とシミュレーションの詳細は以下の通りである。

シミュレーションにおいて、第１絶縁樹脂層２３はＰＴＦＥで構成され、導体層１６と第１導体層２４，１２４は銅で構成されているものとした。挿入損失は、配線パターン（第１導体層２４，１２４）への入力信号に対する出力信号の強度の比から算出した。入力信号の周波数は、０〜８０ＧＨｚとした。

実験例１の基板２１０は、本実施形態のプリント配線板１０の高周波基板部２７に相当するものである。基板２１０の各層の厚み及び幅は、以下の通りである。即ち、導体層１６の厚みは１８μｍであり、第１絶縁樹脂層２３の厚みは１２７μｍであり、第１導体層２４の厚みは１８μｍである。導体層１６は、第１絶縁樹脂層２３の片面に全面的に形成されている。第１導体層２４の幅は、２７０μｍである。

実験例２の基板２２０では、第１導体層１２４の断面形状が台形状になっている点が基板２１０の第１導体層２４と異なっている。基板２２０における導体層１６及び第１絶縁樹脂層２３は、実験例１の基板２１０における導体層１６及び第１絶縁樹脂層２３と同じである。基板２２０の第１導体層１２４は、第１絶縁樹脂層２３上に全面的に導体層を積層し、その導体層をパターンエッチングすることで形成される。基板２２０において、第１導体層１２４の厚みは１８μｍであり、第１導体層１２４の上面（第１絶縁樹脂層２３から遠い側の面）の幅は２６０μｍであり、第１導体層１２４の下面（第１絶縁樹脂層２３に近い側の面）の幅は２７５μｍである。

なお、実験例１の基板２１０における第１導体層２４と実験例２の基板２２０の第１導体層１２４の各厚み、幅等は、第１導体層２４により構成される配線パターンと第１導体層１２４により構成される配線パターンのそれぞれの配線抵抗が共に５０Ωとなるように設定されている。

図１８には、実験例１，２における配線パターンの挿入損失の周波数特性が示されている。同図では、下側へ向かうにつれて挿入損失が大きくなる。実験例１，２の何れについても、入力信号の周波数が高くなるに従って挿入損失が大きくなっていることが分かる。また、実験例１と実験例２を比較すると、何れの周波数帯においても、実験例１の方が実験例２よりも挿入損失が小さくなっていることが分かる。実験例１と実験例２の挿入損失の差は、特に、周波数が５０ＧＨｚ以上の範囲において顕著である。

図１８の実験結果から明らかなように、実験例１の基板２１０では、配線パターン（第１導体層２４）の断面形状が矩形状になっていることで、実験例２の基板２２０のように、配線パターン（第１導体層１２４）の断面形状が台形状になっているものよりも挿入損失の低減が図られることが分かる。ここで、基板２１０と基板２２０の配線パターンの断面形状の相違（即ち、第１導体層２４と第１導体層１２４の断面形状の相違）は、配線パターンの形成過程の相違に起因するものである。従って、本実施形態のプリント配線板１０の製造方法では、第１導体層２４の形成にあたって、銅箔５０の上に所定パターンのめっき層５４を形成し、めっき層５４の非形成部分の銅箔５０を除去することにより、配線パターンを構成する第１導体層２４の断面形状を矩形状にすることが可能となり、配線パターンの挿入損失の低減が図られていると言える。

［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。

（１）上記実施形態において、第１導体層２４の上にさらに絶縁樹脂層が積層されていてもよい。言い換えれば、第１導体層２４がプリント配線板１０における最外の導体層でなくてもよい。

（２）上記実施形態において、第１絶縁樹脂層２３の比誘電率Ｄｋ及び誘電正接Ｄｆが十分に低ければ、第１絶縁樹脂層２３の厚みは、層間絶縁樹脂層１５の厚みと略同じであってもよい。

（３）上記実施形態では、第２絶縁樹脂層３３の厚みが層間絶縁樹脂層１５の厚みと略同じであったが、異なっていてもよい。

（４）上記実施形態において、絶縁性基材１１Ｋの厚みは、層間絶縁樹脂層１５の厚みと同じであっても異なっていても何れでもよい。なお、絶縁性基材１１Ｋの厚みが大きい場合には、絶縁性基材１１Ｋを貫通するスルーホール導体によって導体層１２，１２同士が接続されてもよい。

１０プリント配線板
１５絶縁樹脂層
１６導体層
１６Ａ最外の導体層
２３第１絶縁樹脂層（最外の絶縁樹脂層）
２４第１導体層（配線パターン）
２６マイクロストリップライン
５０銅箔（金属箔）
５４めっき層
８１基板

Claims

導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部と、
前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に積層される第１絶縁樹脂層と、
前記第１絶縁樹脂層上に積層される第１導体層と、
前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部と、を有し、
前記第１導体層は、前記高周波基板部に含まれる前記導体層と共にマイクロストリップラインを構成する配線パターンを含み、
前記第１絶縁樹脂層は、３．５以下の比誘電率を有し、且つ、０．００５以下の誘電正接を有し、
前記配線パターンの側面は、前記第１絶縁樹脂層の厚み方向と略平行に配置されているプリント配線基板。
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記第１絶縁樹脂層の誘電正接は、前記ベース基板部に含まれる各絶縁樹脂層の誘電正接より小さい。
請求項１又は２に記載のプリント配線板であって、
前記第１絶縁樹脂層の厚みは、前記ベース基板部に含まれる各絶縁樹脂層の厚みより大きい。
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記配線パターンは、厚さ５μｍ以下の金属箔と、その金属箔上のめっき層と、を含んでなる。
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記配線パターンと前記絶縁樹脂層との界面の粗度が０．５μｍ以下である。
請求項１乃至５のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
全ての前記配線パターンの最小幅が７５μｍ以上であって、全ての隣接する配線パターン同士の間隔の最小値が７５μｍ以上である。
請求項１乃至６のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記第１導体層が前記プリント配線板における最外の導体層として形成されている。
請求項１乃至７のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板であって、
前記配線パターンの上面及び側面が平滑面である。
導体層と絶縁樹脂層とが交互に積層されてなるベース基板部を形成することと、
前記ベース基板部の表裏の一方側の面である第１面上に第１絶縁樹脂層を積層することと、
前記第１絶縁樹脂層上に第１導体層を形成することと、
前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と、前記第１絶縁樹脂層と、前記第１導体層と、を含んでなる高周波基板部を形成することと、を含み、
前記第１導体層を形成することには、前記ベース基板部のうち前記第１面側で最も外側に配置される前記導体層と共にマイクロストリップラインを構成する配線パターンを形成することが含まれ、
前記配線パターンを形成することには、
前記第１絶縁樹脂層上に全面的に金属箔を積層することと、
前記金属箔上に所定パターンのめっき層を形成することと、
前記めっき層の非形成部分にある前記金属箔を除去することと、が含まれるプリント配線板の製造方法。
請求項９に記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１絶縁樹脂層として、比誘電率が３．５以下で且つ誘電正接が０．００５以下の絶縁樹脂層を用いる。