CN113948848B - 一种接地良好的天线互联结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种接地良好的天线互联结构，属于雷达通信领域，包括多层微波板和天线阵列，其特征在于：还包括第一键合金丝、第二键合金丝和散热腔体，多层微波板上粘接有芯片，多层微波板上开有导通孔和同轴地孔，多层微波板上设置有微带线和绝缘子，绝缘子的一端穿过多层微波板的导通孔并与多层微波板上的微带线通过第一键合金丝连接，绝缘子的另一端穿过散热腔体并与天线阵列焊接，芯片通过第二键合金丝与微带线连接，绝缘子上设置有焊接点，天线阵列焊接在焊接点上，绝缘子的上端面与微带线位于同一水平面上。本发明能够极大的减少信号能量损耗，有效保障信号传输的稳定性以及使用可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及到雷达通信技术领域，尤其涉及一种接地良好的天线互联结构。
背景技术
射频微波信号互联结构应用在雷达或通信天线系统中，实现微波射频信号的传输，传统的多层微波板与天线阵列直接采用焊接的方式进行连接，存在如下缺陷：
1、可维修性较差。传统的多层微波板与天线阵列的互联均采用的是焊接的方式进行，绝缘子两端均是通过焊接的方式进行连接，在后期的阵面维修中，多层微波板拆卸不方便，多次拆修后易损坏，不利于维修测试。
2、传统的雷达或通信天线系统中，射频芯片粘接于腔体上，射频芯片与多层微波板的连接处存在地不连续问题，导致过渡处匹配不理想，接地效果差，信号能量损耗大。
公开号为CN105375116A，公开日为2016年03月02日的中国专利文献公开了一种天线互联单元，其特征在于，包括天线连接子块和T/R组件连接子块，天线连接子块包括第一避让孔和第一焊接孔，T/R组件连接子块包括第二避让孔和第二焊接孔；其中，天线连接子块与T/R组件连接子块紧密结合，第一避让孔与第二焊接孔对齐，第二避让孔与第一焊接孔对齐，并且第一焊接孔与第二焊接孔呈电性连接。
该专利文献公开的天线互联单元，有效地解决了成本高和体积大的技术问题，而且生产组装方便快捷，具有很好的实用性。但是，仍然存在信号能量损耗大，传输稳定性差的问题。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺陷，提供一种接地良好的天线互联结构，本发明能够极大的减少信号能量损耗，有效保障信号传输的稳定性以及使用可靠性。
本发明通过下述技术方案实现：
一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板和天线阵列，其特征在于：还包括第一键合金丝、第二键合金丝和散热腔体，所述多层微波板为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板固定在散热腔体的顶部，所述天线阵列固定在散热腔体的底部，所述多层微波板上粘接有芯片，多层微波板上开有导通孔和同轴地孔，导通孔和同轴地孔分别与散热腔体连通，所述多层微波板上设置有微带线和绝缘子，所述同轴地孔分别与微带线及微带线的地连接，所述绝缘子的一端穿过多层微波板的导通孔并与多层微波板上的微带线通过第一键合金丝连接，绝缘子的另一端穿过散热腔体并与天线阵列焊接，所述芯片通过第二键合金丝与微带线连接。
所述芯片粘接在多层微波板的顶部，同轴地孔和散热腔体形成用于芯片导热的散热通道。
所述绝缘子上设置有焊接点，焊接点位于绝缘子的底部，天线阵列焊接在绝缘子的焊接点上。
所述同轴地孔为多个，多个同轴地孔呈环状布置在导通孔外，任意两个相邻的同轴地孔间距为1mm。
所述多层微波板为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线位于多层微波板的顶层射频电路板上。
所述微带线的线宽为0.55mm，微带线的特征阻抗为50Ω，微带线刻蚀在多层微波板的顶层射频电路板上。
所述同轴地孔与微带线的地通过电镀连接，电镀连接路径与信号传输路径一致。
所述微带线的横截面呈扇形或矩形。
所述绝缘子的上端面与多层微波板上的微带线位于同一水平面上。
本发明的有益效果主要表现在以下方面：
一、本发明，多层微波板为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板固定在散热腔体的顶部，天线阵列固定在散热腔体的底部，多层微波板上粘接有芯片，多层微波板上开有导通孔和同轴地孔，导通孔和同轴地孔分别与散热腔体连通，多层微波板上设置有微带线和绝缘子，同轴地孔分别与微带线及微带线的地连接，绝缘子的一端穿过多层微波板的导通孔并与多层微波板上的微带线通过第一键合金丝连接，绝缘子的另一端穿过散热腔体并与天线阵列焊接，芯片通过第二键合金丝与微带线连接，较现有技术而言，能够极大的减少信号能量损耗，有效保障信号传输的稳定性以及使用可靠性。
二、本发明，芯片粘接在多层微波板的顶部，同轴地孔和散热腔体形成用于芯片导热的散热通道，芯片产生的热量通过多层微波板的顶层经过同轴地孔导到多层微波板的下层，多层微波板与散热腔体进行接触，将热量导至散热腔体中，从而能够对芯片进行良好的散热。
三、本发明，绝缘子上设置有焊接点，焊接点位于绝缘子的底部，天线阵列焊接在绝缘子的焊接点上，通过焊接点连接绝缘子和天线阵列，能够有效保障信号传输的稳定性。
四、本发明，同轴地孔为多个，多个同轴地孔呈环状布置在导通孔外，任意两个相邻的同轴地孔间距为1mm，形成类同轴结构，进一步提高接地效果。
五、本发明，多层微波板为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线位于多层微波板的顶层射频电路板上，使得整个天线互联结构不仅具有良好的结构强度，且结构紧凑。
六、本发明，微带线的线宽为0.55mm，微带线的特征阻抗为50Ω，微带线刻蚀在多层微波板的顶层射频电路板上，能够保障整个天线互联结构具有良好的传输特性。
七、本发明，同轴地孔与微带线的地通过电镀连接，电镀连接路径与信号传输路径一致，能够有效防止芯片与多层微波板的连接处出现地不连续的问题，保障接地效果，减小信号能量损耗。
八、本发明，微带线的横截面呈扇形或矩形，能够根据不同需求进行灵活选择，灵活性强。
九、本发明，绝缘子的上端面与多层微波板上的微带线位于同一水平面上，利于防止使用过程中微带线产生弯折受损，保障整个天线互联结构的使用可靠性。
附图说明
下面将结合说明书附图和具体实施方式对本发明作进一步的具体说明，其中：
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的俯视图；
图中标记：1、多层微波板，2、天线阵列，3、第一键合金丝，4、第二键合金丝，5、散热腔体，6、芯片，7、导通孔，8、同轴地孔，9、微带线，10、绝缘子，11、微带线的地，12、焊接点。
具体实施方式
实施例1
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
本实施例为最基本的实施方式，能够极大的减少信号能量损耗，有效保障信号传输的稳定性以及使用可靠性。
实施例2
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
进一步的，所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。
本实施例为一较佳实施方式，芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道，芯片6产生的热量通过多层微波板1的顶层经过同轴地孔8导到多层微波板1的下层，多层微波板1与散热腔体5进行接触，将热量导至散热腔体5中，从而能够对芯片6进行良好的散热。
实施例3
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。所述绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上。
本实施例为又一较佳实施方式，绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上，通过焊接点12连接绝缘子10和天线阵列2，能够有效保障信号传输的稳定性。
实施例4
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
进一步的，所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。所述绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上。所述同轴地孔8为多个，多个同轴地孔8呈环状布置在导通孔7外，任意两个相邻的同轴地孔8间距为1mm。
本实施例为又一较佳实施方式，同轴地孔8为多个，多个同轴地孔8呈环状布置在导通孔7外，任意两个相邻的同轴地孔8间距为1mm，形成类同轴结构，进一步提高接地效果。
实施例5
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。
所述绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上。
进一步的，所述同轴地孔8为多个，多个同轴地孔8呈环状布置在导通孔7外，任意两个相邻的同轴地孔8间距为1mm。
进一步的，所述多层微波板1为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线9位于多层微波板1的顶层射频电路板上。
本实施例为又一较佳实施方式，多层微波板1为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线9位于多层微波板1的顶层射频电路板上，使得整个天线互联结构不仅具有良好的结构强度，且结构紧凑。
实施例6
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
进一步的，所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。所述绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上。所述同轴地孔8为多个，多个同轴地孔8呈环状布置在导通孔7外，任意两个相邻的同轴地孔8间距为1mm。所述多层微波板1为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线9位于多层微波板1的顶层射频电路板上。所述微带线9的线宽为0.55mm，微带线9的特征阻抗为50Ω，微带线9刻蚀在多层微波板1的顶层射频电路板上。
本实施例为又一较佳实施方式，微带线9的线宽为0.55mm，微带线9的特征阻抗为50Ω，微带线9刻蚀在多层微波板1的顶层射频电路板上，能够保障整个天线互联结构具有良好的传输特性。
实施例7
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。所述绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上。所述同轴地孔8为多个，多个同轴地孔8呈环状布置在导通孔7外，任意两个相邻的同轴地孔8间距为1mm。所述多层微波板1为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线9位于多层微波板1的顶层射频电路板上。
所述微带线9的线宽为0.55mm，微带线9的特征阻抗为50Ω，微带线9刻蚀在多层微波板1的顶层射频电路板上。所述同轴地孔8与微带线的地11通过电镀连接，电镀连接路径与信号传输路径一致。所述微带线9的横截面呈扇形。
本实施例为又一较佳实施方式，同轴地孔8与微带线的地11通过电镀连接，电镀连接路径与信号传输路径一致，能够有效防止芯片6与多层微波板1的连接处出现地不连续的问题，保障接地效果，减小信号能量损耗。
实施例8
参见图1和图2，一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板1和天线阵列2，还包括第一键合金丝3、第二键合金丝4和散热腔体5，所述多层微波板1为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板1固定在散热腔体5的顶部，所述天线阵列2固定在散热腔体5的底部，所述多层微波板1上粘接有芯片6，多层微波板1上开有导通孔7和同轴地孔8，导通孔7和同轴地孔8分别与散热腔体5连通，所述多层微波板1上设置有微带线9和绝缘子10，所述同轴地孔8分别与微带线9及微带线的地11连接，所述绝缘子10的一端穿过多层微波板1的导通孔7并与多层微波板1上的微带线9通过第一键合金丝3连接，绝缘子10的另一端穿过散热腔体5并与天线阵列2焊接，所述芯片6通过第二键合金丝4与微带线9连接。
进一步的，所述芯片6粘接在多层微波板1的顶部，同轴地孔8和散热腔体5形成用于芯片6导热的散热通道。
进一步的，所述绝缘子10上设置有焊接点12，焊接点12位于绝缘子10的底部，天线阵列2焊接在绝缘子10的焊接点12上。
进一步的，所述同轴地孔8为多个，多个同轴地孔8呈环状布置在导通孔7外，任意两个相邻的同轴地孔8间距为1mm。
进一步的，所述多层微波板1为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线9位于多层微波板1的顶层射频电路板上。所述微带线9的线宽为0.55mm，微带线9的特征阻抗为50Ω，微带线9刻蚀在多层微波板1的顶层射频电路板上。所述同轴地孔8与微带线的地11通过电镀连接，电镀连接路径与信号传输路径一致。所述微带线9的横截面呈矩形。所述绝缘子10的上端面与多层微波板1上的微带线9位于同一水平面上。
本实施例为最佳实施方式，绝缘子10的上端面与多层微波板1上的微带线9位于同一水平面上，利于防止使用过程中微带线9产生弯折受损，保障整个天线互联结构的使用可靠性。
Claims (5)
1.一种接地良好的天线互联结构，包括多层微波板（1）和天线阵列（2），其特征在于：还包括第一键合金丝（3）、第二键合金丝（4）和散热腔体（5），所述多层微波板（1）为层叠至少两层导电层的射频电路板，多层微波板（1）固定在散热腔体（5）的顶部，所述天线阵列（2）固定在散热腔体（5）的底部，所述多层微波板（1）上粘接有芯片（6），多层微波板（1）上开有导通孔（7）和同轴地孔（8），导通孔（7）和同轴地孔（8）分别与散热腔体（5）连通，所述多层微波板（1）上设置有微带线（9）和绝缘子（10），所述同轴地孔（8）分别与微带线（9）及微带线的地（11）连接，所述绝缘子（10）的一端穿过多层微波板（1）的导通孔（7）并与多层微波板（1）上的微带线（9）通过第一键合金丝（3）连接，绝缘子（10）的另一端穿过散热腔体（5）并与天线阵列（2）焊接，所述芯片（6）通过第二键合金丝（4）与微带线（9）连接，所述绝缘子（10）上设置有焊接点（12），焊接点（12）位于绝缘子（10）的底部，天线阵列（2）焊接在绝缘子（10）的焊接点（12）上，所述绝缘子（10）的上端面与多层微波板（1）上的微带线（9）位于同一水平面上；所述芯片（6）粘接在多层微波板（1）的顶部，同轴地孔（8）和散热腔体（5）形成用于芯片（6）导热的散热通道；所述多层微波板（1）为6层射频电路板，各层射频电路板的厚度为0.018mm，微带线（9）位于多层微波板（1）的顶层射频电路板上。
2.根据权利要求1所述的一种接地良好的天线互联结构，其特征在于：所述同轴地孔（8）为多个，多个同轴地孔（8）呈环状布置在导通孔（7）外，任意两个相邻的同轴地孔（8）间距为1mm。
3.根据权利要求1所述的一种接地良好的天线互联结构，其特征在于：所述微带线（9）的线宽为0.55mm，微带线（9）的特征阻抗为50Ω，微带线（9）刻蚀在多层微波板（1）的顶层射频电路板上。
4.根据权利要求1所述的一种接地良好的天线互联结构，其特征在于：所述同轴地孔（8）与微带线的地（11）通过电镀连接，电镀连接路径与信号传输路径一致。
5.根据权利要求1所述的一种接地良好的天线互联结构，其特征在于：所述微带线（9）的横截面呈扇形或矩形。
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