KR20120035394A - 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치 - Google Patents
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- H01L2924/15333—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a land array, e.g. LGA
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Abstract
본 발명은 단일 칩 패키지에 관한 것으로 랜드 그리드 어레이(LGA:Land Grid Arrary) 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 있어서, 적어도 하나 이상의 기판의 층(layer)을 가지고, 최 하위 기판의 층에 적어도 하나의 제 1 칩 영역 및 적어도 하나의 제 2 칩 영역을 구비하고, 상기 제 1 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩으로부터의 신호를 coaxial 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태로 수직구조의 전송선로 트랜지션을 구성하고, 상기 최 하위 층에 PCB(Printed Circuit Board)와 연결하기 위한 LGA 접합 패드를 구비하는 다층 회로 기판과, 상기 제 1 칩 영역 및 상기 2칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩과, 상기 LGA 접합 패드를 통해 상기 다층 회로 기판과 LGA 접합으로 연결되는 상기 PCB를 포함하는 것으로 추가적인 공정을 필요치 않으므로 저가화, 양산화, 소형화에 유리하고, 전력, 접지 등의 경로가 짧아 기생 인덕턴스가 작으므로 고주파 시스템 성능이 안정적이며, 방열에도 유리하므로 휴대용 단말기 적용이 매우 유리한 이점이 있다
Description
본 발명은 제품의 대량생산 시 저가화, 소형화를 가능하게 할 뿐 아니라, 패키지에서 발생하는 기생 인덕턴스를 감소시켜 RF 성능 저하를 최소화시키는 단일 칩 패키지를 제공하기 위한 장치에 관한 것이다.
기존의 단일 칩 패키지는 고주파 대역의 기판과 PCB(Printed Circuit Board)를 0.6~1mm 가량의 높이를 갖는 Ball을 이용하는 BGA (Ball Grid Array) 기술을 통해 접합하여 단일 칩 패키지로 구성하였다.
이러한 단일 칩 패키지는 생산 측면에서, Ball 형성, Ball 부착 및 Ball Molding 등의 추가적인 외부 공정이 필요하다. 그리고 Ball의 크기와 일정 간격 유지를 위해 패키지 사이즈가 커지며 부착한 Ball이 떨어질 수 있으므로 선적 또는handling에 불리한 문제점이 있다.
또한, 이러한 단일 칩 패키지는 성능 측면에서, 고주파 대역 회로에서는 전압 공급 및 접지를 위한 Ball로부터 발생하는 인덕턴스가 이득 감소 및 주파수 이동 등 성능 저하 및 특성 변화를 일으키고, 접지가 Ball을 통과해야 하므로 방열에 어려운 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 LGA 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 전압 공급 및 접지를 위한 경로가 짧고, coaxial 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태로 신호를 전송하므로 기생 인덕턴스가 최소화되어 RF 칩의 성능 저하 및 특성 변화가 없는 단일 칩 패키지를 위한 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 다층 회로 기판과 메인 보드가 패드를 통해 직접 연결되므로 방열에 우수한 성능을 가지는 고주파 단일 칩 패키지를 위한 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 견지에 따르면, 랜드 그리드 어레이(LGA:Land Grid Arrary) 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 있어서, 적어도 하나 이상의 기판의 층(layer)을 가지고, 최 하위 기판의 층에 적어도 하나의 제 1 칩 영역 및 적어도 하나의 제 2 칩 영역을 구비하고, 상기 제 1 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩으로부터의 신호를 coaxial 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태로 수직구조의 전송선로 트랜지션을 구성하고, 상기 최 하위 층에 PCB(Printed Circuit Board)와 연결하기 위한 LGA 접합 패드를 구비하는 다층 회로 기판과, 상기 제 1 칩 영역 및 상기 2칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩과, 상기 LGA 접합 패드를 통해 상기 다층 회로 기판과 LGA 접합으로 연결되는 상기PCB를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 견지에 따르면, 랜드 그리드 어레이 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 있어서, 적어도 하나 이상의 기판의 층(layer)을 가지고, 최 하위 기판의 층에 적어도 하나의 칩 영역을 구비하고, 상기 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩으로부터의 신호를 coaxial 형태 또는 CPW형태로 수직구조의 전송선로 트랜지션을 구성하고, 상기 최 하위 층에 PCB와 연결하기 위한 LGA 접합 패드를 구비하는 다층 회로 기판과, 상기 칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩과, 상기 LGA 접합 패드를 통해 상기 다층 회로 기판과 LGA 접합으로 연결되는 상기 PCB를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 추가적인 공정을 필요치 않으므로 저가화, 양산화, 소형화에 유리하고, 전력 및 접지 경로가 짧아 기생 인덕턴스가 작으므로 고주파 시스템 성능이 안정적이며, 방열에도 유리하므로 휴대용 단말기 적용이 매우 유리한 이점이 있다. 또한, 밀리미터파 대역 시스템 혹은 밀리미터파 대역과 2/5GHz 대역의 통합 시스템에도 소형 단일 집적 패키지화가 가능한 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 1실시 예에 따른 LGA 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 도시한 도면,
도 2 는 본 발명의 1 실시 예에 따른 SMT 이전의 다층 회로 기판을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 1 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 2 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 3 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 4 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 7은 본 발명의 5 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 8은 본 발명의 6 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 9은 본 발명의 7 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 8 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도11은 본 발명의 9 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 12는 본 발명의 10 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 13은 본 발명의 11 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면, 및,
도 14은 본 발명의 12 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면.
도 2 는 본 발명의 1 실시 예에 따른 SMT 이전의 다층 회로 기판을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 1 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 2 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 3 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 4 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 7은 본 발명의 5 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 8은 본 발명의 6 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 9은 본 발명의 7 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 8 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도11은 본 발명의 9 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 12는 본 발명의 10 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면,
도 13은 본 발명의 11 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면, 및,
도 14은 본 발명의 12 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하 본 발명은 LGA 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 대해 설명할 것이다.
본 발명은 제품의 대량생산 시 저가화, 소형화를 가능하게 할 뿐 아니라, 패키지에서 전압 공급 및 접지를 위한 경로가 짧고, coaxial 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태로 신호를 전송하므로 기생 인덕턴스가 최소화되어 RF 칩의 성능 저하 및 특성 변화가 없는 LGA 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 밀리미터파 대역에 매우 유용하며 추후 밀리미터파 대역 시스템이 2/5GHz 대역의 통합 시스템으로 집적되는 등 multi-frequency application 용 시스템을 단일패키지(system-on-package, SoP)로 구현하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 장치는 다층 회로 기판과 메인 보드 사이를 LGA(land grid array) 접합을 위한 접합 패드를 이용하여 접합하고 한 개 혹은 다수의 집적회로 칩이 실장될 수 있다.
본 발명에서, 고주파(밀리미터파) 대역 안테나 또는 집적회로 칩과 안테나 간 transition이 내장된 다층 회로 기판은 메인보드와 LGA 접합을 위한 접합 패드(interconnection contact pad)를 구비하여 추가적인 공정 없이 간단한 솔더링을 통해 연결될 수 있다.
본 발명에서, 칩은 flip-chip bump 혹은 wire를 통해 다층 회로 기판과 연결되며, 고주파 칩의 경우 신호선 범프 주변에 GND via들이 위치하여 마치 coaxial 또는 CPW (Co-Planar Waveguide guide)와 같은 저손실 전송선로 역할을 한다.
메인보드는 다층 회로 기판에 부착된 칩이 메인 보드와 충돌하지 않게 cavity를 형성하여 오목하게 만든다. 그리고 상기 메인보드는 저주파 대역 안테나와 연결되는 입력 단자가 존재할 수 있다. 그리고 상기 메인보드는 본 발명에서 PCB(Printed Circuit Board)와 동일한 의미로 사용될 것이다.
도 1은 본 발명의 1실시 예에 따른 LGA 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 도시한 도면이다.
상기 도 1을 참조하면, Chip 1(120)의 신호, 접지, 전력(signal, GND, power) 등이 플립칩 본딩을 통해 다층 회로 기판(multi-layer substrate) (110)과 연결될 수 있다(A 단계).
RF 신호(signal)는 주변에 2 개 이상의 GND via로 둘러싸여 동축 케이블(coaxial cable) 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태를 유지한다(B 단계).
상기 다층 회로 기판(110)의 최 상위 층에는 안테나 혹은 외부 안테나와 연결될 수 있는 접합구조(transition)가 위치한다(C 단계).
상기 다층 회로 기판(110)의 다층 구조에서, power, GND, digital/IF signal 등은 LGA 접합을 통해 메인 보드(150)와 연결될 수 있다(D 단계).
Chip 1. 2(120, 130)는 메인 보드(150) 상의 빈 공간(cavity)에 위치한다(E 단계).
Chip 2(130)의 signal, GND, power 등과 같은 연결 단자들은 와이어 본딩을 통해 상기 다층 회로 기판(110)과 연결될 수 있다(F 단계).
Chip 2(130)는 상기 다층 회로 기판(110)의 via를 통해 상기 다층 회로 기판(110) 에 내장된 GND와 연결될 수 있다(G 단계).
Chip 2 (130)의 power, GND, digital/IF signal등의 단자가 상기 메인보드(150) 에 연결될 수 있다(H 단계).
상기와 같은 단일 칩 구조에서, Chip 1(120) 과 상기 다층 회로 기판(110)이 연결되는 구조는 고주파 영역에 더 적합하게 사용될 수 있다 그리고 Chip 2(130) 와 상기 다층 회로 기판(110)이 연결되는 구조는 저주파 영역에 사용될 수 있다.
왜냐하면, Chip 1(120)과 상기 다층 회로 기판(110)이 연결되는 구조가 고주파 영역 및 저주파 영역에서도 성능 저하가 작고, Chip 2(130)와 상기 다층 회로 기판(110)이 연결되는 구조는 고주파 영역에서 성능 저하가 상대적으로 크지만 저주파 영역에서는 성능 저하가 작기 때문이다.
도 2 는 본 발명의 1 실시 예에 따른 SMT 이전의 다층 회로 기판을 도시한 도면이다.
상기 도 2를 참조하면, SMT 이전의 다층 회로 기판(210)을 도시한 것으로, 상기 다층 회로 기판(210)은 일 실시 예로, Chip 1(220) 및 Chip 2(230)를 포함하고 있으나, 구현 시 이러한 칩들의 수는 제한이 없다.
전술한 바와 같이 Chip 2(230)는 상기 다층 회로 기판(210)과 와이어 본딩을 통해 신호 패드(signal pad)(235)에 연결될 수 있다.
Chip 1(220)에서, 일 실시 예로, 2개의 signal via (227)가 도시되어 있다. 상기 signal via (227) 주위에는 GND via (225)가 둘러싸여 있고, 상기 GND via (225)는 메탈이 주위를 둘러싸고 있다.
상기 시그널 via(227)을 둘러싸고 있는 상기 GND via (225)의 수는 하나의 시그널 via당 2개 이상이고, 최대 값은 제한이 없다. 상기 Signal Via (227)와 상기 GND via (225)는 동축 케이블 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태이고, 고주파 영역에서 성능 감소가 작은 이점을 가지고 있다.
LGA 접합을 이용한 연결을 위해, LGA 연결 패드(Interconnection contact pad) (237)는 Chip 1,2(220, 230)의 digital/IF signal, power, GND, control signal 전송을 위해 사용될 수 있고, 전술한 바와 같이 메인보드와의 접합을 위해 사용될 수도 있다.
하기에서 설명될 실시 예에서, 다층 회로 기판과 메인 보드 사이에서 Chip 2가 상기 다층 회로 기판 또는 메인 보드에 어떻게 연결되었는지 그리고, 상기 다층 회로 기판과 메인 보드 사이에 Cavity는 어떻게 형성되었는지 그리고 히트 싱크(Heat Sink)가 메인 보드에 부착되었는지 등이 설명될 것이다.
도 3은 본 발명의 1 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 3을 참조하면, 다층 회로 기판(310)과 메인보드(350) 사이에 Chip 2(330)가 상기 다층 회로 기판(310)에 플립 칩 본딩으로 연결되어 있다. 상기 도 3에서 cavity는 상기 메인보드(350)에 위치한다.
도 4는 본 발명의 2 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 4를 참조하면, 다층 회로 기판(410)과 메인보드(450) 사이에 Chip 2(430)가 상기 메인 보드(450)에 플립 칩 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 메인보드(350)에 위치한다.
도 5는 본 발명의 3 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 5를 참조하면, 다층 회로 기판(510)과 메인보드(550) 사이에 Chip 2(530)가 상기 메인 보드(550)에 와이어 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 메인보드(550)에 위치한다.
도 6은 본 발명의 4 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 6을 참조하면, 다층 회로 기판(610)과 메인보드(650) 사이에 Chip 2(630)가 상기 다층 회로 기판(610)에 플립 칩 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(610) 에 위치한다.
도 7은 본 발명의 5 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 7을 참조하면, 다층 회로 기판(710)과 메인보드(750) 사이에 Chip 2(730)가 상기 다층 회로 기판(710)에 와이어 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(710) 에 위치한다.
도 8은 본 발명의 6 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 8을 참조하면, 다층 회로 기판(810)과 메인보드(850) 사이에 Chip 2(830)가 상기 메인 보드 (850)에 플립 칩 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(810)에 위치한다.
도 9은 본 발명의 7 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 9를 참조하면, 다층 회로 기판(910)과 메인보드(950) 사이에 Chip 2(930)가 상기 메인 보드 (950)에 와이어 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(910) 에 위치한다.
도 10은 본 발명의 8 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 10을 참조하면, 다층 회로 기판(1010)과 메인보드(1050) 사이에 Chip 2(1030)가 상기 다층 회로 기판 (1010)에 플립 칩 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(1010) 과 메인 보드 (1050)에 같이 위치한다.
도11은 본 발명의 9 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 11을 참조하면, 다층 회로 기판(1110)과 메인보드(1150) 사이에 Chip 2(1130)가 상기 다층 회로 기판 (1110)에 와이어 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(1110) 과 메인 보드 (1150)에 같이 위치한다.
도 12는 본 발명의 10 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 12를 참조하면, 다층 회로 기판(1210)과 메인보드(1250) 사이에 Chip 2(1230)가 상기 메인 보드 (1250)에 플립 칩 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(1210) 과 메인 보드 (1250)에 같이 위치한다.
도 13은 본 발명의 11 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 13을 참조하면, 다층 회로 기판(1310)과 메인보드(1350) 사이에 Chip 2(1330)가 상기 메인 보드 (1350)에 와이어 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 다층 회로 기판(1310) 과 메인 보드 (1350)에 같이 위치한다.
도 14는 본 발명의 12 실시 예에 따른 메인 보드와 다층 회로 기판의 연결 구조를 도시한 도면이다.
상기 도 14를 참조하면, 다층 회로 기판(1410)과 메인보드(1450) 사이에 Chip 2(1430)가 상기 다층 회로 기판 (1410)에 와이어 본딩으로 연결되어 있다. 이 경우 cavity는 상기 메인 보드 (1450) 에 위치한다.
그리고, 히트 싱크(Heat Sink)(1460)가 상기 메인 보드(1450)에 부착되어 있어서, 상기 메인 보드(1450)의 열 발산을 돕는다. 상기 히트 싱크 (1460)는 전술한 도 3 내지 도 13까지의 모든 메인보드에 부착되어 열 발산을 도울 수 있다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
Claims (20)
- 랜드 그리드 어레이(LGA:Land Grid Arrary) 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 있어서,
적어도 하나 이상의 기판의 층(layer)을 가지고, 최 하위 기판의 층에 적어도 하나의 제 1 칩 영역 및 적어도 하나의 제 2 칩 영역을 구비하고, 상기 제 1 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩으로부터의 신호를 coaxial 형태 또는 CPW(Co-Planar Waveguide guide) 형태로 수직구조의 전송선로 트랜지션을 구성하고, 상기 최 하위 층에 PCB(Printed Circuit Board)와 연결하기 위한 LGA 접합 패드를 구비하는 다층 회로 기판과,
상기 제 1 칩 영역 및 상기 2칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩과,
상기 LGA 접합 패드를 통해 상기 다층 회로 기판과 LGA 접합으로 연결되는 상기 PCB를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다층 회로 기판은 coaxial 형태 또는 CPW형태로 전송된 신호를 방사하는 적어도 하나의 안테나를 상기 다층 회로 기판의 적어도 하나의 층에 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다층 회로 기판은 coaxial 형태 또는 CPW형태로 전송된 신호를 방사하기 위한 외부 안테나와의 연결을 위해 적어도 하나의 안테나 접합 패드를 상기 최상위 층의 기판에 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 1칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩은 상기 다층 회로 기판과 플립 칩 본딩을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 coaxial 형태 또는 CPW 형태는
상기 다층 회로 기판과 상기 제 1 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩을 연결하는 적어도 하나의 신호 via 주위에 각각 적어도 2 개의 접지 via가 존재하는 형태인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 PCB에 부착되어 열을 발산하는 히트 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 2칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩은 상기 다층 회로 기판과 플립 칩 본딩을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 2칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩은 상기 다층 회로 기판과 와이어 본딩을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 2 칩 영역을 위한 적어도 하나의 집적회로 칩은 플립 칩 본딩 을 통해 상기 PCB에 접합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 2 칩 영역을 위한 적어도 하나의 집적회로 칩은 와이어 본딩을 통해 상기 PCB에 접합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 1 칩 영역 및 상기 2 칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩을 위한 캐비티(cavity)는 상기 다층 회로 기판, 상기 PCB 중 적어도 하나에 생성되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다층 회로 기판과 상기 PCB 사이의 신호, 접지 및 전력은 LGA 접합을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 랜드 그리드 어레이 접합을 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치에 있어서,
적어도 하나 이상의 기판의 층(layer)을 가지고, 최 하위 기판의 층에 적어도 하나의 칩 영역을 구비하고, 상기 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩으로부터의 신호를 coaxial 형태 또는 CPW 형태로 수직구조의 전송선로 트랜지션을 구성하고, 상기 최 하위 층에 PCB와 연결하기 위한 LGA 접합 패드를 구비하는 다층 회로 기판과,
상기 칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩과,
상기 LGA 접합 패드를 통해 상기 다층 회로 기판과 LGA 접합으로 연결되는 상기 PCB를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 다층 회로 기판은 coaxial 형태 또는 CPW형태로 전송된 신호를 방사하는 적어도 하나의 안테나를 다층 회로 기판의 적어도 하나의 층에 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 다층 회로 기판은 coaxial 형태 또는 CPW형태로 전송된 신호를 방사하기 위한 외부 안테나와의 연결을 위해 적어도 하나의 안테나 접합 패드를 상기 최상위 층의 기판에 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩은 상기 다층 회로 기판과 플립 칩 본딩을 통해 접합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 coaxial 형태 또는 CPW 형태는
상기 다층 회로 기판과 상기 칩 영역에 접합된 적어도 하나의 집적회로 칩을 연결하는 적어도 하나의 신호 via 주위에 각각 적어도 2 개의 접지 via가 존재하는 형태인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 PCB에 부착되어 열을 발산하는 히트 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 칩 영역에 접합되는 적어도 하나의 집적회로 칩을 위한 캐비티는 상기 다층 회로 기판, 상기 PCB 중 적어도 하나에 생성되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 다층 회로 기판과 상기 PCB 사이의 신호, 접지 및 전력은 LGA 접합을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100096885A KR20120035394A (ko) | 2010-10-05 | 2010-10-05 | 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치 |
PCT/KR2011/007359 WO2012047011A1 (ko) | 2010-10-05 | 2011-10-05 | 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치 |
EP11830896.4A EP2626897B1 (en) | 2010-10-05 | 2011-10-05 | Transmission line transition having vertical structure and single chip package using land grid array joining |
US13/877,378 US20130194754A1 (en) | 2010-10-05 | 2011-10-05 | Transmission line transition having vertical structure and single chip package using land grip array coupling |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100096885A KR20120035394A (ko) | 2010-10-05 | 2010-10-05 | 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120035394A true KR20120035394A (ko) | 2012-04-16 |
Family
ID=45927920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100096885A KR20120035394A (ko) | 2010-10-05 | 2010-10-05 | 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130194754A1 (ko) |
EP (1) | EP2626897B1 (ko) |
KR (1) | KR20120035394A (ko) |
WO (1) | WO2012047011A1 (ko) |
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- 2010-10-05 KR KR1020100096885A patent/KR20120035394A/ko not_active Application Discontinuation
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2011
- 2011-10-05 WO PCT/KR2011/007359 patent/WO2012047011A1/ko active Application Filing
- 2011-10-05 EP EP11830896.4A patent/EP2626897B1/en active Active
- 2011-10-05 US US13/877,378 patent/US20130194754A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2626897A4 (en) | 2017-06-14 |
EP2626897B1 (en) | 2021-09-15 |
EP2626897A1 (en) | 2013-08-14 |
US20130194754A1 (en) | 2013-08-01 |
WO2012047011A1 (ko) | 2012-04-12 |
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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