KR20080102270A - 단일 패키지 무선 통신 장치 - Google Patents

단일 패키지 무선 통신 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080102270A
KR20080102270A KR1020087023957A KR20087023957A KR20080102270A KR 20080102270 A KR20080102270 A KR 20080102270A KR 1020087023957 A KR1020087023957 A KR 1020087023957A KR 20087023957 A KR20087023957 A KR 20087023957A KR 20080102270 A KR20080102270 A KR 20080102270A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
integrated circuit
radio frequency
substrate
package
Prior art date
Application number
KR1020087023957A
Other languages
English (en)
Inventor
모하메드 에이. 메가헤드
Original Assignee
인텔 코오퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인텔 코오퍼레이션 filed Critical 인텔 코오퍼레이션
Publication of KR20080102270A publication Critical patent/KR20080102270A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2291—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles used in bluetooth or WI-FI devices of Wireless Local Area Networks [WLAN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48—Earthing means; Earth screens; Counterpoises
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/02—Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • H04L27/04—Modulator circuits; Transmitter circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06506—Wire or wire-like electrical connections between devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

집적된 다중-다이 라디오 송수신기(integrated, multi-die radio transceiver)를 위한 패키지, 이를 패키지하는 방법, 이를 위한 패키지를 포함하는 시스템에 관한 발명이다. 일 실시예에서, 집적 회로 패키지는 안테나, 라디오 주파수 집적 회로를 포함하는 제1 다이, 기초 밴드 통신 프로세서를 포함하는 제2 다이 및 전단 모듈을 포함하는 제3 다이를 포함한다.
라디오 송수신기, 단일 패키지

Description

단일 패키지 무선 통신 장치{A SINGLE PACKAGE WIRELESS COMMUNICATION DEVICE}
본 발명은 초소형 전자 기술(microelectronics)에 관한 발명이며, 보다 구체적으로는 무선 통신 장치를 패키징하는 기술에 관한 발명이지만, 이에 한정되지는 않는다.
집적 회로 설계의 발전으로 인해 작동 주파수가 높아지고 트랜지스터의 수가 증가했으며, 물리적으로 더 작아진 장치가 등장하게 되었다. 이러한 추세가 계속됨에 따라, 집적 회로와 전기적 연결의 면적 밀도(area density)가 증가하게 되었다. 또한, 이러한 추세에 의해 PCB(printed circuit board) 상의 컴포넌트의 패키징 밀도가 증가했으며, 시스템 설계자가 해결방법을 찾기 위해 이용할 수 있는 설계 공간에 제약이 따르게 되었다. 또한, 물리적으로 더 작아진 장치는 점차 이동통신장치가 되어가고 있다.
동시에, 이동통신장치가 네트워크에 접속된 상태를 유지하여야 하는 무선 통신 표준이 증가하고 있다. 따라서, 수많은 이동통신장치가 복수의 통신 표준 중 하나 이상에 따라 통신 가능한 라디오 송수신기(radio transceiver)를 포함한다. 서로 다른 무선 통신 표준은 각각 서로 다른 유형의 네트워크를 제공한다. 예를 들어, BT(Blue Tooth) 같은 PAN(personal area network)는 수 피트의 범위에서 장치 연결(device connectivity)을 무선으로 유지한다. IEEE 802.11 a/b/g(Wi-Fi) 같은 다른 무선표준은 수 피트에서 수십 피트에 이르는 범위의 LAN(local area network)를 통한 장치 연결을 유지한다.
통상적인 라디오 송수신기는 복수의 집적 회로 패키지 간에 분산되어 있는 다양한 기능의 블록을 포함한다. 나아가, 별개의 패키지는, 별개의 목적을 위해 설계되고 인접 패키지의 집적 회로를 위한 공정과는 상이한 공정을 이용해 제조된 집적 회로를 각각 포함한다. 예를 들어, 일 집적회로는 주로 아날로그 신호를 처리하기 위한 집적회로인 반면, 다른 집적회로는 주로 디지털 신호의 고속 연산 처리를 위한 집적회로일 수 있다. 일반적으로, 각 집적 회로의 제조 공정은 집적 회로에 필요한 기능에 따르며, 예를 들어 아날로그 회로는 일반적으로 고속 연산 디지털 회로를 제조하는데 이용되는 공정과 상이한 공정을 통해 만들어진다. 나아가, 설계자가 전자기 간섭을 방지하기 위해 각종 회로를 서로 간에 격리시키는 것을 원할 수 있다. 따라서, 일반적으로 통상적인 라디오 송수신기의 각종 기능 블록은 별개로 패키징된 복수의 다이 간에 분산되어 있다.
각 패키지는 서로 간의 패키지 배치에 영향을 미치는 복수의 전원, 접지, 그리고 신호 연결을 가진다. 일반적으로, 패키지 상의 전자 연결의 수가 증가하면, 다른 패키지의 배치가 불가능한 통로 라우팅 밀도(trace routing density)를 가진 패키지를 둘러싼 영역이 증가한다. 그러므로 복수 패키지 간에 기능 블록을 분산시키면 라디오 송수신기의 물리적 크기를 감소시키는데 제한이 따르게 되고, 따라 서 라디오 송수신기가 집적된 장치의 물리적 크기에도 제한이 따르게 된다.
본 발명은 전기 통로(electrical trace)를 포함하는 제1 층 및 유전 재료로 실질적으로 형성된 제2 층을 포함하는 기판, 제1 집적 회로를 포함하는 제1 다이 및 와이어 결합(wire bond)을 통해 기판 상의 집적 회로로 전기적으로 연결되고, 제1 다이의 제1 면에 실질적으로 평행한 제1 다이의 제2 면에 기계적으로 연결되어, 제1 다이가 기판과 제2 다이 사이에 배치되도록 하는 제2 다이를 포함하는 집적 회로 패키지에 관한 발명이다.
또한, 본 발명은 라디오 주파수 송수신기를 포함하는 집적 회로 패키지로서, 안테나, 전단 모듈(front end module)에 전기적으로 연결된 라디오 주파수 집적 회로를 포함하는 제1 다이, 라디오 주파수 집적 회로에 전기적으로 연결된 기초 밴드 통신 프로세서를 포함하는 제2 다이 및 라디오 주파수 신호를 처리하고, 안테나에 연결되며, 저 노이즈 증폭기(low noise amplifer), 전원 증폭기(power amplifer) 및 스위치를 포함하는 전단 모듈을 포함하는 제3 다이를 포함하는 집적 회로 패키지에 관한 발명이다.
또한, 본 발명은 라디오 주파수 송수신기를 포함하는 집적 회로 패키지에 연결된 대용량 저장 장치를 포함하며, 라디오 주파수 송수신기는 안테나, 전단 모듈에 전기적으로 연결된 라디오 주파수 집적 회로를 포함하는 제1 다이, 라디오 주파수 집적 회로에 전기적으로 연결된 기초 밴드 통신 프로세서를 포함하는 제2 다이 및 라디오 주파수 신호를 처리하고, 안테나에 연결되며, 저 노이즈 증폭기(low noise amplifer), 전원 증폭기(power amplifer) 및 스위치를 포함하는 전단 모듈을 포함하는 제3 다이를 포함하는 시스템에 관한 발명이다.
또한, 본 발명은 제1 다이를 기판으로 솔더링하는 단계, 제2 집적 회로를 포함하는 제2 다이를 제1 다이의 제1 면에 실질적으로 평행한 제1 다이의 제2 면으로 기계적으로 연결시켜서, 제1 다이가 기판과 제2 다이 사이에 배치되는 단계 및 제2 다이를 와이어 결합을 통해 기판 상의 집적회로에 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 방법에 관한 발명이다.
도 1은 종래의 라디오 송수신기 애플리케이션의 블록 다이어그램을 도시하는 도면.
도 2는 예시적인 단일 패키지 라디오 송수신기 애플리케이션의 블록 다이어그램을 도시하는 도면.
도 3은 예시적인 단일 패키지 라디오 송수신기의 단면도를 도시하는 도면.
도 4는 단일 패키지 라디오 송수신기를 PCB에 연결시키기 위한 솔더 볼(solder balls)의 예시적인 배열 및 단일 패키지 라디오 송수신기가 연결될 수 있는 PCB 상의 솔더 패드(solder pads)의 예시적인 배열을 도시하는 도면.
도 5는 단일 패키지 라디오 송수신기를 패키징하는 방법의 실시예를 설명하는 도면.
도 6은 단일 패키지 라디오 송수신기의 실시예를 포함하는 도식적인 시스템을 도시하는 도면.
본 명세서에서 집적된 다중-다이 라디오 송수신기(integrated, multi-die radio transceiver)를 위한 패키지, 이를 패키지하는 방법, 이를 위한 패키지를 포함하는 시스템을 개시한다.
이하의 상세한 설명에서, 도면 부호가 그에 대응하는 구성 요소를 나타내고 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시의 방법으로 도시하는, 본 명세서의 일부인 첨부된 도면을 참고한다. 다른 실시예가 이용될 수 있고, 구조적 또는 논리적 변형이 본 발명의 범위에 벗어나지 않는 범위에서 이루어질 수 있다. 방향 및 도면 참조(예컨대, 위, 아래, 상부, 하부, 주요면, 후면 등)가 도면의 설명을 용이하게 하기 위해 사용될 수 있으며, 이는 본 발명의 실시예의 적용을 한정하기 위한 것이 아니다. 그러므로 이하의 상세한 설명은 한정의 의미로 해석될 수 없으며, 본 발명의 실시예의 범위는 첨부된 청구항 및 균등물에 의해 정의된다.
라디오 송수신기에 관한 설명
종래의 라디오 송수신기 애플리케이션의 기능 블록 다이어그램에 대한 도 1을 참고한다.
일반적으로, 통상적인 라디오 송수신기는 FEM(Front End Module; 106), RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit; 108) 및 특정 애플리케이션 회로 소자(application specific circuitry; 118)와 전기적으로 연결된 기초 밴드/통신 프로세서(Base Band/Communication Processor; 112)를 포함하는 별개의 복수 기능 블 록을 포함한다. 통상적인 라디오 송수신기는 복수의 기능 블록을 서로 다른 다이 및 집적 회로 패키지 간에 분산시킨다. 일반적으로 FEM(106)은 안테나(104)로부터 수집된 RF(radio frequency) 신호를 처리한다. FEM(106)은 약 90dB 이상의 미세 신호 수신기 게인(gain)을 위한 저 노이즈 증폭기(low noise amplifier) 또는 약 17dBm 또는 약 50mW를 초과하는 출력 전원을 위한 전원 증폭기(power amplifier) 및 수동 주파수 선택 회로(passive frequency selection circuits)를 포함할 수 있다. FEM(106)은 혼합 신호 처리를 위해 신호를 RFIC(108)로 통신하기 전에 RF 신호를 처리한다. 일반적으로 RFIC(108)는 FEM(106)으로부터의 RF 신호를 디지털 신호로 변환하여 디지털 신호를 기초 밴드/통신 프로세서(112)로 전달한다. 일반적으로 기초 밴드/통신 프로세서(112)는 사용자 인터페이스 주변 장치(126)와 시스템 메모리(120)에 연결된 애플리케이션 프로세서(122)를 일반적으로 포함하는 특정 애플리케이션 회로 소자(118)와 통신한다. 몇몇 실시예에서, 기초 밴드/통신 프로세서(112)는 메모리(110)에 연결되며, 메모리(110)는 별개의 다이 상에 있거나, 기초 밴드/통신 프로세서(112)의 다이로 집적될 수 있다. 애플리케이션 프로세서를 위한 전원 소모는 전원 관리 회로 소자(124)에 의해 관리될 수 있다. 또한, RFIC(108)는 GPS 수신기(Global Positioning System Receiver; 114)로부터 수집된 신호 입력을 수신할 수 있다.
일반적으로 FEM(106)과 RFIC(108)는 동일한 다이 제조 공정을 통해서는 용이하게 해결될 수 없는 회로 간의 기능적 차이점 때문에 서로 다른 다이 상에 있다. 통상적으로, 기초 밴드/통신 프로세서(112)는 고속 연산 동작(computationally intensive operation)을 수행하므로, FEM(106) 또는 RFIC(108)를 제조하는데 이용되는 공정과는 상이한 공정을 이용해서 제조될 수 있다. 나아가, 종래의 무선 집적 블록(102)에 의해 도시된 바와 같이 종래의 라디오 수신기에서 FEM(106)과 RFIC(108)가 동일한 패키지 내로 집적되어 왔지만, 일반적으로 서로 다른 다이는 별개로 패키지된다. 일반적으로, GPS 수신기(114)도 다른 다이로 별개로 패키지된다. 나아가, 일반적으로 참조 발진기(크리스털; reference oscillator; 116)는 온도 변화에 대한 민감하기 때문에 서로 다른 패키지에 있다.
FEM(106)과 RFIC(108)가 집적되어 있는 현재의 패키지는 다이를 패키지 기판에 연결시키기 위해 개별 다이 상의 솔더 범프의 배열을 이용한다. 나아가 다이가 실질적으로 2차원인 레이아웃으로 기판 상에 각각 배치된다. 단일 패키지에 집적된 라디오 주파수 송수신기(radio frequency transceiver)는 현재의 라디오 주파수 송수신기의 수많은 결점들을 해결할 수 있다. 일반적으로 서로 다른 다이가 별개로 패키지되기 때문에, 현재의 시스템 비용은 다양한 다이가 단일 패키지에 포함될 수 있는 경우보다 더 높다. 나아가, 현재 시스템은 계속해서 구성 요소들을 더 작게 형성하도록 발전되고 있기 때문에, 시스템 개발자는 단일 패키지로 집적된 라디오 주파수 송수신기에 의해 복수의 패키지 간에 분산되어 있는 라디오 주파수 송수신기보다 시스템 자체의 크기가 더 작은, 원하는 시스템의 전체 크기를 이룰 수 있다.
단일 패키지로의 라디오 송수신기의 집적
도 2는 라디오 주파수 송수신기(202)를 이용한 시스템(200)의 기능 블록 다이어그램을 도시하며, 시스템(200)에서 라디오 주파수 송수신기(202)가 도 3에서 도시하고 이하에서 더 설명하는 바와 같이 단일 집적 회로 패키지로 집적된다. 라디오 주파수 송수신기(202)는 안테나(204), FEM(아날로그; 206), RFIC(혼합 아날로그/디지털; 208) 및 기초 밴드/통신 프로세서(디지털; 212)를 포함한다. 일반적으로 참조 발진기(크리스털; 216)가 패키지 조립 동안 필연적인 온도 및 기계적 스트레스에 대해 민감하기 때문에 집적 회로 패키지(300)의 외부에 위치한다. 또한, 라디오 주파수 송수신기(202)의 몇몇 실시예는 기초 밴드/통신 프로세서(212)에 연결된 메모리(210)를 포함한다. 라디오 주파수 송수신시(202)의 다른 실시예는, 예컨대 GPS 수신기(214) 같은 다른 유형의 수신기로부터 입력을 수신할 수 있다. 대체 수신기(214)에 의해 수집된 신호가 RFIC(208)로 전송된다. 기초 밴드/통신 프로세서(212)의 디지털 출력이 애플리케이션 프로세서(222)를 포함하는 특정 애플리케이션 집적 회로(218)로 연결된다. 나아가, 애플리케이션 프로세서(222)가 메모리(220), 전원 관리 회로 소자(224) 및 임의의 주변 장치(226)에 연결된다. 일반적으로, 주변 장치(226)는 입출력 인터페이스, 사용자 인터페이스, 오디오, 비디오 및 오디오/비디오 인터페이스 중 하나 이상을 포함한다.
일반적으로, 애플리케이션 프로세서(222)가 라디오 주파수 송수신기(202)가 사용하는 표준을 정의한다. 예시적인 표준으로는 수 피트의 범위에서 장치 연결을 무선으로 유지하는, 예컨대 BT(blue Tooth) 같은 PAN(personal area network), 수 피트에서 수십 피트의 범위의, 예컨대 IEEE 802.11 a/b/g(Wi-Fi) 같은 LAN(local area network), 예컨대 Wi-Max 같은 MAN(metropolitan area network) 및 셀룰러 네트워크 같은 WAN(wide area network)에 대한 정의가 있지만 이에 한정되지 않는다.
라디오 주파수 송수신기(202)를 집적하는 패키지(300)의 예시적인 실시예가 도 3에 도시되며, 패키지(300)는 종래의 2차원 레이아웃과 연관된, 예컨대 크기를 줄이는데 따르는 제한 및 패키징 비용의 증가 같은 상술한 수많은 문제점을 제거하기 위해 3차원 다이 스태킹(stacking) 또는 패키징(packaging)을 이용한다. 단일 패키지(300)에 집적된 라디오 주파수 송수신기(202)는 구리 스터드(copper stud; 322)에 의해 형성된 안테나(204) 및 패키지 기판(328)에 연결된 제1 다이(306) 및 제2 다이(310)의 스택을 포함하며, 패키지 기판(328)은 제3 다이(302)에도 연결된다.
도 3의 실시예에서, 제3 다이(302)는 FEM(206)를 형성하며, 솔더 범프(304)를 통해 기판(328)으로 연결된다. 제3 다이가 갈륨 비소(gallium arsenide), SOS(silicon on sapphire), 또는 실리콘 게르마늄(silicon germanium)으로 실질적으로 형성될 수 있다. 제2 다이(310)는 기초 밴드/통신 프로세서(210)를 형성하며, RFIC(208)을 포함하는 제1 다이(306)로 기계적으로 연결된다. 제1 다이(306)가 일반적으로 솔더 범프(308)에 의해 기판(328)에 전기적으로 연결된다. 일반적으로 약 3.5mm×3.5mm보다 작은 크기의 제1 다이(306) 대해서, 언더필(underfill)을 사용할 수 없다. 더 큰 제1 다이(306)가 언더필을 이용할 수 있다. 제2 다이(310)가 와이어 결합(wire bond; 312)에 의해 기판(328)에 전기적으로 연결된다. 제1 다이(306)와 제2 다이(310)를 기계적으로 연결시키는 일 방법으로는, 에폭시 같은 인터페이스 결합 작용제(interface bonding agent; 314)를 이용하는 방법이 있다. 에폭시 외의 인터페이스 결합 작용제로는 예컨대 RTV 고무가 알려져 있다. 패키지(300)는 열 분산기로서의 역할도 할 수 있는 패키지 커버(334)로 연결되는 구리 스터드(322)로 형성된 안테나(204)를 포함한다. 또한, 도 3에서 도시된 실시예에서, 메모리(210)가 형성된 제4 다이(316)가 포함된다. 제4 다이(316)는 솔더 범프(318) 및 언더필(320)로 형성된 직접적인 칩 접착(chip attach)을 통해 제2 다이(310)의 회로 소자에 연결된다. 언더필(320)의 몇몇 실시예로는 접착 테이프 또는 언더필(320)을 들 수 있다. 튜닝에 이용되는 인덕터 기반 컴포넌트 같은 수동 컴포넌트들(330; 332)이 RFIC(208)을 포함하는 다이(306)에 포함될 수 없는 경우 기판(328) 상의 편리한 위치에 위치할 수 있다. 수동 컴포넌트들(330; 332)은 공핍 CMOS 장치(depleted CMOS device) 상에 형성된 고속 스위칭 컴포넌트를 포함할 수 있으며, 따라서 재구성가능 적응 수동 회로(reconfigurable adaptive passive circuit)가 가능할 수 있다. 패키지 기판(328)은 표면 마운트 컴포넌트(surface mount component)를 위한 솔더 마스크 정의 패드(solder mask defined pad)를 가질 수 있으며, 금 도금 플레이팅(immersion gold plating)이 패드 상에서 이용될 수 있다.
도시된 패키지(300)의 실시예는 패키지(300)를 (도시되지 않은) PCB에 전기적 및 기계적으로 연결시키는데 이용될 수 있는 솔더 볼(326)의 배열을 포함한다. 몇몇의 솔더 볼(326)은 리플로우(reflow) 동안 붕괴하고 합체하여 패키지(300)를 접지하는데 편리한 넓은 영역의 연결을 형성하는 집합(324)으로 배열된다. 도 4는 신호 솔더 볼(404)의 배열과 접지 솔더 볼(408)의 배열을 가지는 패키지(400)의 기판(402)을 도시한다. 신호 솔더 볼은 각 솔더 볼(404)의 집적을 유지하는 볼 피치(406)를 이용하여 분산된다. 접지를 위해 이용되는 솔더 볼(408)은 더 좁은 피치(410)로 분산되며, 리플로우 동안 볼이 합체하여 더 넓은 영역의 연결을 형성한다. 도 4에 의해 도시된 실시예는, 전원, 접지, 부가 신호, 또는 임의의 전기적 연결이 없는 추가적인 단순한 구조적 지지를 위해 이용될 수 있는 솔더 볼(412)을 포함한다. PCB(414)는 솔더 볼의 배열과 유사한 노출 패드들(416; 418)의 배열을 포함할 수 있다. 예를 들어, 신호를 위한 노출 패드 간의 피치(420)는 신호 솔더 볼(404)을 위한 피치(406)와 실질적으로 유사할 수 있다. 접지 패드(418)는 노출 금속의 넓은 단일 영역 또는 도시된 것과 유사한 넓은 노출 영역의 배열일 수 있다. 기판(414)은 약 35㎛ 두께의 외부 금속 층과 약 60㎛에서 150㎛의 두께인 내부 금속 층을 가질 수 있다.
단일 패키지 라디오 송수신기 조립 방법
도 5는 단일 집적 회로 패키지에 다중 다이를 집적하는 예시적인 방법을 설명한다. 설명한 방법은 다이의 조합체를 패키지하는데 이용될 수 있으며, 다이의 조합체에서 라디오 송수신기를 형성하는 다이 중 몇몇 다이가 스태킹되어 3차원 집적을 형성한다. 예를 들어, 도 5의 방법은 제1 다이를 전기 통로(electrical trace) 층과 또 다른 유전 재료 층을 가지는 패키지 기판에 솔더링(soldering)하는 단계(502)를 포함한다. 또한, 도 5에서 설명한 방법과 유사한 일 방법은 제2 다이 를 제1 다이에 기계적으로 연결시키는 단계(504)를 포함한다. 기능적인 다이 스택을 형성하기 위해, 와이어 결합이 제2 다이를 패키지 기판에 전기적으로 연결시킨다(506).
설명한 바와 같이, 도 5에서 설명한 방법에 의해 실질적으로 집적된 라디오 주파수 송수신기를 생산할 수 있다. 도 5에서 설명한 방법은, PAN(personal area network) 또는 LAN(local area network)에서 MAN(metropolitan area network) 또는 WAN(wide are network)에 이르는 네트워크 동작을 포괄하는 복수의 무선 표준 중 임의의 표준에 따라 통신할 수 있는 라디오 주파수 송수신기를 만드는데 이용될 수 있다. 이어서, 도 5는 기판에 전기적으로 연결된 안테나를 형성하는 단계(508) 및 제3 다이를 기판에 솔더링하여 안테나, 제1 다이, 제2 다이, 제3 다이가 라디오 송수신기를 실질적으로 형성하는 단계(510)를 설명한다. 제3 다이가 다른 재료로 형성될 수 있지만, 일반적으로 갈륨 비소(gallium arsenide), SOS(silicon on sapphire), 또는 실리콘 게르마늄(silicon germanium)으로 실질적으로 형성될 수 있다.
도 5에서 설명한 조립 공정을 가지는 유형의 라디오 주파수 송수신기에서, 일반적으로 제2 다이는 기초 밴드 통신 프로세서의 고속 연산, 디지털 회로를 실질적으로 형성한다. 라디오 회로 송수신기의 몇몇 실시예는 메모리를 기초 밴드 통신 프로세서의 디지털 회로로 연결시킨다. 이러한 실시예 중 몇몇은 메모리를 위한 별개의 다이를 이용할 수 있으며, 메모리 다이를 기초 밴드 통신 프로세서의 디지털 회로를 실질적으로 포함하는 제2 다이로 연결시킬 수 있다. 도 5에서 설명한 바와 같이, 조립 방법은 제2 다이를 제1 다이에 기계적으로 연결시키기 전에 메모리 다이를 제2 다이에 연결시킬 수 있다(512).
나아가, 일반적으로 라디오 주파수 송수신기는 넓은 영역의 전기 접지 연결을 통한 접지를 이용할 수 있다. 위에서 설명한 바와 같이, 이 같은 연결이 2개 이상의 솔더 볼이 리플로우 동안 붕괴하고 합체할 때 형성되어, 단일 구성 솔더 볼보다 넓은 단면적을 가지는 전기 연결이 형성된다(514).
단일 패키지 라디오 송수신기를 포함하는 시스템 실시예
도 6은 단일 패키지 라디오 송수신기(600)의 실시예를 포함하는 다양한 시스템(60) 중 하나를 도식적으로 나타낸다. 실시예에서, 라디오 주파수 송수신기(600)를 포함하는 패키지는 도 3과 연관해서 설명한 패키지와 유사한 실시예일 수 있다. 또한, 다른 실시예에서, 패키지(600)는 마이크로 프로세서를 포함하는 서브 조립체에 연결될 수 있다. 또 다른 대체 실시예에서, 집적 회로 패키지는 ASIC(application specific integrated circuit)를 포함하는 서브 조립체에 연결될 수 있다. 또한, 칩셋(예컨대, 그래픽, 사운드 및 제어 칩셋)에서 찾아 볼 수 있는 집적 회로 또는 메모리가 상술한 마이크로 프로세서 및 ASIC와 연관해서 설명한 실시예에 따라 패키지될 수 있다.
또한, 도 6에서 도시된 실시예와 유사한 실시예에 대해, 시스템(60)은 도시된 바와 같이 버스(610)에 의해 서로 연결된 주 메모리(602), 그래픽 프로세서(604), 대용량 저장장치(606) 및 입출력 모듈(608)을 포함할 수 있다. 메모 리(602)의 예시로는 SRAM(static random access memory) 및 DRAM(dynamic random access memory)가 있지만 이에 한정되지 않는다. 대용량 저장장치(606)의 예시로는 하드 디스크, 플래시 드라이브, CD(compact disk drive), DVD(digital versatile disk drive) 등이 있지만 이에 한정되지 않는다. 입출력 모듈(608)의 예시로는 키보드, 커서 제어 장치, 디스플레이, 네트워크 인터페이스 등이 있지만 이에 한정되지 않는다. 버스(610)의 예시로는 PCI 버스(peripheral control interface bus), PCI 고속 버스, ISA 버스(Industry Standard Architecture bus) 등이 있지만 이에 한정되지 않는다. 각종 실시예에서, 시스템(60)은 무선 모바일 전화기, PDA, 포켓 PC, 태블렛 PC, 노트북 PC, 데스크톱 컴퓨터, 셋탑 박스, 오디오/비디오 컨트롤러, DVD 재생기, 네트워크 라우터, 네트워크 스위칭 장치, 모바일 장치 또는 서버가 될 수 있다.
실시예를 설명할 목적에서 특정 실시예를 본 명세서에서 도시하고 설명하였지만, 당업자가 이해할 수 있듯이 개시된 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 범위 내에서 유사한 목적을 달성하기 위해 고안된 다양한 대체물 및/또는 동등물이 도시하고 설명한 특정 실시예에 의해 대체될 수 있다. 예를 들어, 프로세서 및 칩셋이 도면에서 도시하고 상술한 패키지의 실시예에 따라 단일 패키지 내로 집적될 수 있다. 대체하여, 칩셋 및 메모리가 유사하게 집적될 수 있으며, 그래픽 컴포넌트 및 메모리 컴포넌트도 그에 유사하게 집적될 수 있다.
당업자가 쉽게 이해할 수 있듯이, 이상의 설명 및 이하의 청구항이 다양한 실시예를 이용하여 구현될 수 있다. 상세한 설명에 의해 본 명세서에서 설명한 실 시예에 대한 임의의 부가 또는 변형을 포괄하고자 한다. 따라서, 본 발명은 청구항 및 균등물에 의해서만 한정되어야 한다.

Claims (27)

  1. 전기 통로(electrical trace)를 포함하는 제1 층 및 실질적으로 유전 재료로 형성된 제2 층을 포함하는 기판 - 상기 전기 통로는 상기 기판 상에 집적 회로를 부분적으로 형성함 - ;
    제1 집적 회로를 포함하는 제1 다이 - 상기 다이는 상기 다이의 제1 면 상에 솔더 범프(solder bump)의 배열을 포함하고, 상기 솔더 범프는 상기 제1 집적 회로를 상기 기판으로 연결시킴 - ; 및
    와이어 결합(wire bond)을 통해 상기 기판 상의 상기 집적 회로로 전기적으로 연결되고, 상기 제1 다이의 상기 제1 면에 실질적으로 평행한 상기 제1 다이의 제2 면에 기계적으로 연결되어, 상기 제1 다이가 상기 기판과 상기 제2 다이 사이에 배치되도록 하는 제2 다이
    를 포함하는 집적 회로 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 집적 회로에 전기적으로 연결된 안테나, 및 제3 집적 회로를 포함하고, 솔더 범프의 배열에 의해 상기 기판 상의 상기 집적 회로에 전기적으로 연결된 제3 다이를 더 포함하고,
    상기 안테나, 상기 제1 집적 회로, 상기 제2 집적 회로, 상기 제3 집적 회로가 라디오 송수신기를 실질적으로 형성하는 집적 회로 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 집적 회로는 기초 밴드 통신 프로세서(base band communication processor)를 더 포함하는 집적 회로 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    메모리 장치를 형성하는 제3 집적회로를 포함하고, 상기 제3 다이의 활성면을 상기 제2 다이의 활성면으로 연결하는 솔더 범프를 통해 상기 제2 집적 회로로 전기적으로 연결된 제3 다이를 더 포함하는 집적 회로 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    리플로우(reflow) 동안 합체하여, 리플로우 동안의 단일 구성 솔더 볼보다 더 넓은 단면적을 가지는 전기적 연결을 형성하는 2개 이상의 솔더 볼을 더 포함하는 집적 회로 패키지.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 집적 회로는 라디오 주파수 집적 회로(radio frequency integrated circuit) 및 혼합 신호 프로세서(mixed signal processor)를 더 포함하는 집적 회로 패키지.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 라디오 주파수 송수신기는 PAN(personal area network), LAN(local area network), MAN(metropolitan area network), WAN(wide are network) 및 이상의 조합으로 구성된 네트워크 그룹 중 선택된 일 네트워크를 위해 실질적으로 이용되는 무선 표준에 따라 통신할 수 있는 집적 회로 패키지.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제3 다이는 갈륨 비소(gallium arsenide), SOS(silicon on sapphire) 및 실리콘 게르마늄(silicon germanium)으로 구성된 그룹 중에서 선택된 일 재료로 실질적으로 구성된 집적 회로 패키지.
  9. 라디오 주파수 송수신기를 포함하는 집적 회로 패키지로서,
    안테나;
    상기 전단 모듈(front end module)에 전기적으로 연결된 라디오 주파수 집적 회로를 포함하는 제1 다이;
    상기 라디오 주파수 집적 회로에 전기적으로 연결된 기초 밴드 통신 프로세서를 포함하는 제2 다이; 및
    라디오 주파수 신호를 처리하고, 상기 안테나에 연결되며, 저 노이즈 증폭기(low noise amplifer), 전원 증폭기(power amplifer) 및 스위치를 포함하는 전단 모듈을 포함하는 제3 다이
    를 포함하는 집적 회로 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 라디오 주파수 집적 회로는 GPS 수신기(global positioning system receiver)로부터 입력 신호를 수신할 수 있는 집적 회로 패키지.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제3 다이 및 상기 제1 다이는 각 다이 상의 솔더 범프의 배열에 의해 상기 패키지의 기판에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 다이는 와이어 결합에 의해 상기 기판에 전기적으로 연결된 집적 회로 패키지.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 라디오 주파수 송수신기는 PAN, LAN, MAN, WAN 및 이상의 조합으로 구성된 네트워크 그룹 중 선택된 일 네트워크를 위해 실질적으로 이용되는 무선 표준에 따라 통신할 수 있는 집적 회로 패키지.
  13. 제9항에 있어서,
    리플로우(reflow) 동안 합체하여, 리플로우 동안의 단일 구성 솔더 볼보다 더 넓은 단면적을 가지는 전기적 연결을 형성하는 2개 이상의 솔더 볼을 더 포함하는 집적 회로 패키지.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 기초 밴드 통신 프로세서에 연결된 메모리 회로를 더 포함하는 집적 회로 패키지.
  15. 라디오 주파수 송수신기를 포함하는 집적 회로 패키지에 연결된 대용량 저장 장치
    를 포함하며,
    상기 라디오 주파수 송수신기는
    안테나,
    상기 전단 모듈에 전기적으로 연결된 라디오 주파수 집적 회로를 포함하는 제1 다이,
    상기 라디오 주파수 집적 회로에 전기적으로 연결된 기초 밴드 통신 프로세서를 포함하는 제2 다이, 및
    라디오 주파수 신호를 처리하고, 상기 안테나에 연결되며, 저 노이즈 증폭기(low noise amplifer), 전원 증폭기(power amplifer) 및 스위치를 포함하는 전단 모듈을 포함하는 제3 다이
    를 포함하는 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 라디오 주파수 송수신기는 PAN, LAN, MAN, WAN 및 이상의 조합으로 구성된 네트워크 그룹 중 선택된 일 네트워크를 위해 실질적으로 이용되는 무선 표준에 따라 통신할 수 있는 시스템.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 기초 밴드 통신 프로세서에 연결된 애플리케이션 프로세서, 상기 애플리케이션 프로세서에 연결된 메모리, 및 상기 애플리케이션 프로세서에 연결된 입출력 인터페이스를 더 포함하는 시스템.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 라디오 주파수 집적 회로는 GPS 수신기로부터 입력 신호를 수신할 수 있는 시스템.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 입출력 인터페이스는 사용자 인터페이스를 포함하는 시스템.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 시스템은 셋톱 박스, 미디어-센터 개인 컴퓨터, DVD 재생기, 서버, 개인 컴퓨터, 이동식 개인 컴퓨터, 네트워크 라우터, 휴대 장치 및 네트워크 스위칭 장치 중 선택된 일 장치인 시스템.
  21. 제1 다이를 기판으로 솔더링하는 단계;
    제2 집적 회로를 포함하는 제2 다이를 상기 제1 다이의 상기 제1 면에 실질적으로 평행한 상기 제1 다이의 제2 면으로 기계적으로 연결시켜서, 상기 제1 다이가 상기 기판과 상기 제2 다이 사이에 배치되는 단계; 및
    상기 제2 다이를 와이어 결합을 통해 상기 기판 상의 상기 집적회로에 전기적으로 연결하는 단계
    를 포함하고,
    상기 기판은 상기 기판 상에 집적 회로를 부분적으로 형성하는 전기 통로를 포함하는 제1 층 및 실질적으로 유전 재료로 형성된 제2 층을 포함하며, 상기 제 1 다이는 제1 집적회로를 포함하는 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 집적 회로에 전기적으로 연결된 안테나를 형성하는 단계, 및 제3 집적 회로를 포함하는 제3 다이를 솔더 범프의 배열에 의해 상기 기판 상의 상기 집적 회로에 솔더링하는 단계를 더 포함하고,
    상기 안테나, 상기 제1 집적 회로, 상기 제2 집적 회로, 상기 제3 집적 회로가 라디오 송수신기를 실질적으로 형성하는 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 제2 집적 회로는 기초 밴드 통신 프로세서를 더 포함하는 방법.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 제2 다이를 상기 제1 다이에 기계적으로 연결하기 전에 메모리 장치를 형성하는 제3 집적 회로를 포함하는 제3 다이를 상기 제2 다이로 연결하는 단계를 더 포함하는 방법.
  25. 제21항에 있어서,
    리플로우 동안 2개 이상의 솔더 볼이 붕괴하고 합체하여 단일 구성 솔더 볼보다 더 큰 단면적을 가지는 전기 연결을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  26. 제22항에 있어서,
    상기 라디오 주파수 송수신기는 PAN, LAN, MAN, WAN 및 이상의 조합으로 구성된 네트워크 그룹 중 선택된 일 네트워크를 위해 실질적으로 이용되는 무선 표준에 따라 통신할 수 있는 방법.
  27. 제22항에 있어서,
    상기 제3 다이는 갈륨 비소(gallium arsenide), SOS(silicon on sapphire) 및 실리콘 게르마늄(silicon germanium)으로 구성된 그룹 중에서 선택된 일 재료로 실질적으로 구성된 방법.
KR1020087023957A 2006-03-31 2007-03-29 단일 패키지 무선 통신 장치 KR20080102270A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/394,831 US7692295B2 (en) 2006-03-31 2006-03-31 Single package wireless communication device
US11/394,831 2006-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080102270A true KR20080102270A (ko) 2008-11-24

Family

ID=38574352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087023957A KR20080102270A (ko) 2006-03-31 2007-03-29 단일 패키지 무선 통신 장치

Country Status (6)

Country Link
US (7) US7692295B2 (ko)
JP (1) JP4688934B2 (ko)
KR (1) KR20080102270A (ko)
CN (2) CN105702659A (ko)
TW (1) TWI348196B (ko)
WO (1) WO2007126910A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012047011A1 (ko) * 2010-10-05 2012-04-12 삼성전자주식회사 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6542720B1 (en) * 1999-03-01 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices, methods of operating microelectronic devices, and methods of providing microelectronic devices
US7692295B2 (en) 2006-03-31 2010-04-06 Intel Corporation Single package wireless communication device
US8164773B2 (en) 2006-05-26 2012-04-24 Marvell World Trade Ltd. Wireless system-in-package and image processing control apparatus
TW200836315A (en) * 2007-02-16 2008-09-01 Richtek Techohnology Corp Electronic package structure and method thereof
US20080246139A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Don Craven Polar hybrid grid array package
JP4981625B2 (ja) * 2007-11-08 2012-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2009212315A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
US10251273B2 (en) 2008-09-08 2019-04-02 Intel Corporation Mainboard assembly including a package overlying a die directly attached to the mainboard
CN103283023B (zh) * 2010-12-20 2016-09-14 英特尔公司 封装衬底中具有集成无源器件的集成数字和射频片上系统器件及其制造方法
JP5284382B2 (ja) * 2011-02-01 2013-09-11 株式会社東芝 無線装置及び無線機器
US9020420B2 (en) * 2011-02-11 2015-04-28 Jasper Display Corp. Adaptive antenna module in active IC package
US8901945B2 (en) 2011-02-23 2014-12-02 Broadcom Corporation Test board for use with devices having wirelessly enabled functional blocks and method of using same
US8901688B2 (en) * 2011-05-05 2014-12-02 Intel Corporation High performance glass-based 60 ghz / mm-wave phased array antennas and methods of making same
JP5414749B2 (ja) 2011-07-13 2014-02-12 株式会社東芝 無線装置
US20130258621A1 (en) * 2011-08-25 2013-10-03 Itsik Refaeli Microelectronic package having a coaxial connector
US9679869B2 (en) 2011-09-02 2017-06-13 Skyworks Solutions, Inc. Transmission line for high performance radio frequency applications
US8928139B2 (en) * 2011-09-30 2015-01-06 Broadcom Corporation Device having wirelessly enabled functional blocks
CN103988140B (zh) 2011-12-22 2017-08-11 英特尔公司 利用封装上的输入/输出接口互连在封装中封装的芯片与晶片
WO2013188712A1 (en) 2012-06-14 2013-12-19 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules including related systems, devices, and methods
CN104508975B (zh) 2012-06-14 2018-02-16 天工方案公司 工艺补偿的hbt功率放大器偏置电路和方法
KR101991489B1 (ko) 2012-09-03 2019-09-30 삼성전자주식회사 무선 통신 회로와 장치 및 그 제어 방법
US9252077B2 (en) * 2013-09-25 2016-02-02 Intel Corporation Package vias for radio frequency antenna connections
US9230921B2 (en) 2013-10-08 2016-01-05 Globalfoundries Inc. Self-healing crack stop structure
US9659904B2 (en) * 2013-12-12 2017-05-23 Intel Corporation Distributed on-package millimeter-wave radio
US20160164725A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Cyntec Co., Ltd. Wireless System Package and Communication Method of Wireless System Package and Communication Device
GB2533767B (en) * 2014-12-16 2019-06-19 Leonardo Mw Ltd Integrated circuits and methods of manufacturing.
US9859225B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Skyworks Solutions, Inc. Backside cavity formation in semiconductor devices
US9953936B2 (en) * 2015-10-30 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
CN105428347A (zh) * 2015-12-28 2016-03-23 中南大学 一种微系统三维芯片叠层封装的改进方法
CN105552065A (zh) * 2016-02-01 2016-05-04 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种t/r组件控制模块的系统级封装结构及其封装方法
US10593565B2 (en) 2017-01-31 2020-03-17 Skyworks Solutions, Inc. Control of under-fill with a packaging substrate having an integrated trench for a dual-sided ball grid array package
CN107622996B (zh) * 2017-09-25 2020-10-02 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 三维高密度扇出型封装结构及其制造方法
US11355849B2 (en) * 2017-09-29 2022-06-07 Intel Corporation Antenna package using ball attach array to connect antenna and base substrates
CN108091582B (zh) * 2017-11-29 2019-11-08 上海无线电设备研究所 一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法
KR102025906B1 (ko) 2017-12-06 2019-11-04 삼성전자주식회사 안테나 모듈
US10510694B2 (en) * 2018-04-18 2019-12-17 Analog Devices, Inc. Radio frequency communication systems
JP7140969B2 (ja) * 2018-10-22 2022-09-22 富士通株式会社 アンテナ一体型増幅器及び通信機
US11217899B2 (en) 2019-08-05 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd Antenna module and electronic device for using the antenna module
US10979087B1 (en) * 2019-09-20 2021-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device
KR20210105033A (ko) 2020-02-18 2021-08-26 삼성전기주식회사 고주파 모듈
CN112038304B (zh) * 2020-08-24 2022-05-03 头领科技（昆山）有限公司 一种分层封装的tws耳机用芯片
JP2022043690A (ja) * 2020-09-04 2022-03-16 セイコーエプソン株式会社 電子機器、及び半導体集積回路装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5438305A (en) * 1991-08-12 1995-08-01 Hitachi, Ltd. High frequency module including a flexible substrate
JPH0786495A (ja) 1993-06-29 1995-03-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体デバイス
DE19614979C2 (de) 1995-04-20 2001-05-17 Fujitsu Ltd Hochfrequenz-Sende-Empfangs-Vorrichtung zur Datenkommunikation
US7166495B2 (en) * 1996-02-20 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a multi-die semiconductor package assembly
JPH11265975A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Mitsubishi Electric Corp 多層化集積回路装置
US6229216B1 (en) * 1999-01-11 2001-05-08 Intel Corporation Silicon interposer and multi-chip-module (MCM) with through substrate vias
US6542720B1 (en) 1999-03-01 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices, methods of operating microelectronic devices, and methods of providing microelectronic devices
JP4228457B2 (ja) * 1999-03-15 2009-02-25 ソニー株式会社 電子モジュール及び電子機器
KR20010068589A (ko) 2000-01-07 2001-07-23 이수남 칩 스캐일 스택 패키지
EP1126522A1 (en) 2000-02-18 2001-08-22 Alcatel Packaged integrated circuit with radio frequency antenna
US6258626B1 (en) * 2000-07-06 2001-07-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making stacked chip package
JP2002076267A (ja) * 2000-08-22 2002-03-15 Hitachi Ltd 無線送受信装置
US6734539B2 (en) * 2000-12-27 2004-05-11 Lucent Technologies Inc. Stacked module package
US20040234982A1 (en) * 2001-06-20 2004-11-25 Shioko Kimura Human ugrp (uteroglobin-related protein) 1 promoter and its use
US7176506B2 (en) * 2001-08-28 2007-02-13 Tessera, Inc. High frequency chip packages with connecting elements
US6730860B2 (en) * 2001-09-13 2004-05-04 Intel Corporation Electronic assembly and a method of constructing an electronic assembly
KR100755832B1 (ko) 2001-10-18 2007-09-07 엘지전자 주식회사 모듈 패키지 및 모듈 패키징 방법
US6770955B1 (en) * 2001-12-15 2004-08-03 Skyworks Solutions, Inc. Shielded antenna in a semiconductor package
JP2003309483A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Mitsubishi Electric Corp 高周波モジュール，アクティブフェーズドアレーアンテナ及び通信装置
JP3978369B2 (ja) * 2002-05-20 2007-09-19 アルプス電気株式会社 高周波モジュールの取付構造
US7383058B2 (en) * 2002-07-16 2008-06-03 Intel Corporation RF/microwave system with a system on a chip package or the like
US20040232982A1 (en) * 2002-07-19 2004-11-25 Ikuroh Ichitsubo RF front-end module for wireless communication devices
US6933598B2 (en) * 2002-10-08 2005-08-23 Chippac, Inc. Semiconductor stacked multi-package module having inverted second package and electrically shielded first package
JP2006505973A (ja) * 2002-11-07 2006-02-16 フラクタス・ソシエダッド・アノニマ 微小アンテナを含む集積回路パッケージ
EP1434264A3 (en) * 2002-12-27 2017-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique
US20040152276A1 (en) * 2003-01-14 2004-08-05 Naoki Nishimura Device, and substrate on which circuit and antenna are formed
TWI240388B (en) 2003-07-15 2005-09-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Stacked semiconductor package and fabrication method thereof
US20050119025A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Rishi Mohindra Serial digital interface for wireless network radios and baseband integrated circuits
US7173340B2 (en) * 2004-02-25 2007-02-06 Texas Instruments Incorporated Daisy chaining of serial I/O interface on stacking devices
KR100543729B1 (ko) * 2004-03-24 2006-01-20 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 열 방출 효율이 높고 두께는 물론 크기를 감소시킨 고주파모듈 패키지 및 그 조립 방법
US7312505B2 (en) * 2004-03-31 2007-12-25 Intel Corporation Semiconductor substrate with interconnections and embedded circuit elements
JP2005303056A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
KR20060005722A (ko) 2004-07-14 2006-01-18 (주) 윈팩 멀티 칩 패키지
KR20060020761A (ko) 2004-08-31 2006-03-07 엘지이노텍 주식회사 적층형 반도체 패키지
US7217994B2 (en) * 2004-12-01 2007-05-15 Kyocera Wireless Corp. Stack package for high density integrated circuits
KR100654450B1 (ko) * 2005-02-03 2006-12-06 삼성전자주식회사 소프트웨어 방식에 의한 통신 방법 및 상기 방법에 의해동작하는 통신 장치
US7318349B2 (en) * 2005-06-04 2008-01-15 Vladimir Vaganov Three-axis integrated MEMS accelerometer
US7342299B2 (en) * 2005-09-21 2008-03-11 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US7582951B2 (en) * 2005-10-20 2009-09-01 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages
US7692295B2 (en) 2006-03-31 2010-04-06 Intel Corporation Single package wireless communication device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012047011A1 (ko) * 2010-10-05 2012-04-12 삼성전자주식회사 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20070235864A1 (en) 2007-10-11
US7692295B2 (en) 2010-04-06
US20210057800A1 (en) 2021-02-25
US20120202436A1 (en) 2012-08-09
JP2009527944A (ja) 2009-07-30
US10727567B2 (en) 2020-07-28
US20170141456A1 (en) 2017-05-18
CN101411077A (zh) 2009-04-15
WO2007126910A1 (en) 2007-11-08
US20100222013A1 (en) 2010-09-02
US8138599B2 (en) 2012-03-20
TW200807589A (en) 2008-02-01
CN105702659A (zh) 2016-06-22
US10439265B2 (en) 2019-10-08
US20200112082A1 (en) 2020-04-09
US11552383B2 (en) 2023-01-10
US20230163444A1 (en) 2023-05-25
TWI348196B (en) 2011-09-01
US11942676B2 (en) 2024-03-26
JP4688934B2 (ja) 2011-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11942676B2 (en) Single-package wireless communication device
US11978730B2 (en) Offset interposers for large-bottom packages and large-die package-on-package structures
TWI619221B (zh) 含有具有垂直集成之相位陣列天線與低頻和功率遞送基體的通矽孔晶粒之晶片封裝體
US8901688B2 (en) High performance glass-based 60 ghz / mm-wave phased array antennas and methods of making same
US20140124907A1 (en) Semiconductor packages
US11528809B2 (en) Method for orienting solder balls on a BGA device
KR20120035394A (ko) 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치
TW201917864A (zh) 半導體封裝
CN113725170A (zh) 芯片封装结构以及制作方法、电子设备
KR20110027807A (ko) 패키지 온 패키지 스택을 위한 광 시그널링
JP2004128288A (ja) 半導体装置および電子装置
US7763960B2 (en) Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electric equipment system
US20050180122A1 (en) Electronic circuit module
KR100985565B1 (ko) 시스템 인 패키지 모듈 및 이를 구비하는 휴대용 단말기
WO2022141427A1 (zh) 芯片、芯片封装结构及电子设备
KR20110021418A (ko) 본딩 와이어 안테나 통신 모듈
KR20070111286A (ko) Ｓｉｐ구조의 통신모듈 및 ｓｉｐ구조의 통신모듈 제조방법
KR20060020483A (ko) 피씨비

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application