DE19813767C2

DE19813767C2 - Mikrowellen-Sender /Empfängermodul

Info

Publication number: DE19813767C2
Application number: DE19813767A
Authority: DE
Inventors: Yuji Iseki; Keiichi Yamaguchi; Mitsuo Konno
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1998-03-27
Publication date: 2003-01-23
Anticipated expiration: 2018-03-28
Also published as: JP3373753B2; DE19813767A1; JPH10276113A; US6263193B1

Description

Die Erfindung betrifft ein Mikrowellen-Sender/Empfänger modul, das in Mikrowellenfrequenzbändern arbeitet, die Zen timeter- und Millimeterwellen umfassen.

Fig. 1A und 1B zeigen eine perspektivische Ansicht und ein Blockdiagramm, die ein Mikrowellen-Sendermodul nach dem Stand der Technik zeigen, das in Mikrowellenbändern um 10 GHz oder darüber arbeitet, die Sub-Millimeterbänder und Mil limeterbänder umfassen.

Das Modul hat einen Halbleiterchip 71a, der als ein Oszil lator (OSC) dient, einen Halbleiterchip 71b, der als ein Mo dulator (MOD) dient, und einen Halbleiterchip 71c, der als ein Leistungsverstärker (PA) dient. Jeder der Chips hat eine quadratische Form von ungefähr 2 mm × 2 mm. Die Chips 71a bis 71c sind in getrennten Kammern untergebracht und durch eine Gehäusebaugruppe 75 gegen äußere Magnetfelder abgeschirmt. Die Chips 71a bis 71c sind untereinander durch Mikrowellen- Übertragungsleiter wie Koaxialleitungen und Mikrostriplei tungen verbunden.

Diese Art des Aufbaus wird nicht nur für Sendermodule, son dern auch für Emfängermodule verwendet, die rauscharme HF- Verstärker (LNAs) und Demodulatoren haben.

Die Unterbringung der Chips 71a bis 71c in drei getrennten Kammern wie in Fig. 1A gezeigt kompliziert die Struktur der Gehäusebaugruppe. Vorzugsweise werden daher alle Chips 71a bis 71b in einer einzigen Kammer zusammengefaßt und gegen äußere Magnetfelder abgeschirmt. Die Gehäusebaugruppe mit einer einzigen Kammer zur Aufnahme und Abschirmung aller Chips weist jedoch unvermeidlich einen großen Innenraum auf, der leicht eine Hohlraumresonanz verursachen kann.

Um das Problem der Hohlraumresonanz zu lösen, hat der Anmel der der Erfindung in der japanischen Patentanmeldung Nr. 8- 180846 ein Mikrowellen-Sender/Empfängermodul (T/R) vorge schlagen. Dieses Modul ist in Fig. 2A und 2B gezeigt. Das Modul hat einen einzigen abgeschlossenen Raum, der Sende- und Empfangsantennenstrukturen etc. enthält, um für Mikro wellenverbindungen erforderliche Funktionen bereitzustellen. Der abgeschlossene Raum hat einen verengten Raum 90.

Ein Halbleiterchip 85 ist auf einer Leiterplatte 82 ange bracht, die in einem Gehäuse 84 aus einem leitenden Material eingeschlossen ist. I/O-Anschlüsse 88, die den Chip 85 elek trisch mit der Außenseite verbinden, sind an den Seitenwän den am Mittelteil des Gehäuses 84 angeordnet, in dem sich der verengte Raum 90 befindet. Das Gehäuse 84 ist mit einem Deckel 81 abgeschlossen. Eine Leiterschicht 86 ist auf dem Mittelteil der Unterseite des Deckels 81 aufgebracht. Der verengte Raum 90 ist ein elektromagnetisch verengter Raum, der durch drei Leiterebenen bestehend aus dem Boden und zwei Seitenflächen des verengten Raumes 90 und eine Ebene beste hend aus der Leiterschicht 86 an der Unterseite des Deckels 81 definiert ist. Die Leiterplatte bzw. Platine 82 hat des weiteren Empfangsantennenstrukturen 83, Sendeantennenstruk turen 87 und Zuführungen 89b und 89a zur Verbindung der An tennenstrukturen 83 und 87 mit dem Chip 85.

Fig. 2B ist eine Schnittdarstellung entlang einer Linie III- III in Fig. 2A, die einen Teil der Platine 82 zeigt. Die Platine 82 besteht aus einer ersten Isolierschicht oder ei nem Substrat 94, einer Erdleiterschicht 93, die auf der Iso lierschicht 94 gebildet ist, und einer zweiten Isolier schicht 92, die auf der Erdleiterschicht 93 gebildet ist. Die Zuführung 89a ist auf der zweiten Isolierschicht 92 aus gebildet und mit dem Chip 85 über einen Kontakthöcker 91 verbunden.

Der elektromagnetisch verengte Raum 90 bildet einen Wellen leiter. Der Wellenleiter hat eine Grenzfrequenz, die so festgelegt ist, daß sie höher ist als eine Trägerfrequenz für Mikrowellenverbindungen, um das Problem der Hohlraumre sonanz zu vermeiden und um ein kompaktes Modul zu realisie ren.

Dieses Modul weist die folgenden Probleme auf:

a) Das Gehäuse 84 beeinflußt die Antennenstrukturen 83 und 87, so daß die Antennenstrukturen 83 und 87 hinreichend weit von dem Gehäuse 84 entfernt sein müssen. Dies er höht die Größe des Moduls und verlängert die Zuführun gen 89b und 89a zwischen den Antennenstrukturen 83 und 87 und dem Chip 85, wodurch die Zuführungsverluste grö ßer werden.
b) Der Deckel 81 beeinflußt die Antennenstrukturen 83 und 87 ebenfalls. Der Deckel 81 muß dick sein, um eine aus reichende mechanische Festigkeit für den Schutz des In neren des Moduls zu gewährleisten. Dies erhöht jedoch die elektromagnetischen Abstrahlungsverluste.

Dadurch hat das Mikrowellen-Sender/Empfängermodul der Fig. 2A und 2B das Problem großer Abmessungen, um die Leistungs fähigkeit der Antennenstrukturen sicherzustellen, und das Problem elektromagnetischer Abstrahlungsverluste und von Zuführungsverlusten.

DE 43 15 847 A1 offenbart ein Modul entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Ebenfalls ist aus EP-590 671 A1 und DE 195 25 477 A1 ein Modul bekannt, bei dem die Sende/Empfangsschaltung in einem dichten Gehäuse untergebracht ist, an dessen einer Außenseite die Antennenstrukturen angebracht sind.

Die Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines kompakten Mikrowellen-Sender/Empfängermoduls.

Entsprechend der Erfindung wird die Aufgabe durch ein Mikrowellen-Sender/Empfängermodul nach Anspruch 1 gelöst. Die abhängigen Ansprüche betreffen weitere vorteilhafte Aspekte der Erfindung.

Ein Vorteil der Erfindung ist die Bereitstellung eines Mikrowellen-Sender/Empfängermoduls, das in der Lage ist, Zuführungsverluste zu vermeiden und die Hochfrequenz- Leistungs-fähigkeit sicherzustellen.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist die Bereitstellung eines Mikrowellen-Sender/Empfängermoduls, das in der Lage ist, elektomagnetische Abstrahlungsverluste zu beseitigen und die Leistungsfähigkeit der Antennenstrukturen sicherzustellen.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist die Bereitstellung eines Mikrowellen-Sender/Empfängermoduls, das einfach herzustellen ist und eine hohe Fertigungsausbeute sicherstellt.

Die Erfindung stellt ein Mikrowellen-Sender/Empfängermodul bereit, das mindestens eine Baugruppe, eine Empfangsantennenstruktur und eine Sendeantennenstruktur hat. Die Baugruppe hat mindestens eine Leiterplatte und ein Gehäuse. Die Leiter platte hat einen Halbleiterchip auf ihrer Unterseite ange bracht und dient als Deckel zum Abschließen des Gehäuses, wobei der Halbleiterchip in dem Gehäuse eingeschlossen wird. Die Empfangsantennenstruktur ist auf der Oberseite der Leiterplatte ausgebildet. Die Sendeantennenstruktur ist auf der Oberseite der Leiterplatte an einer von der Empfangs antennenstruktur verschiedenen Position ausgebildet. Wenn es mit der Leiterplatte abgedeckt ist, definiert das Gehäuse einen elektromagnetisch verengten ersten Raum um den Halbleiterchip. Der erste Raum dient als ein Wellenleiter, dessen Grenzfrequenz höher ist als eine Trägerfrequenz für Mikrowellenverbindun gen. Die Empfangs- und Sendeantennenstrukturen sind beide elektromagnetisch mit dem Halbleiterchip gekoppelt. Genauer gesagt, die Antennenstrukturen und der Halbleiterchip sind miteinander durch elektromagnetische Energiekopplung der elektromagnetischen Wellen gekoppelt, die durch Schlitze hindurchtreten, die in einer Leiterschicht mit Abschirmfunk tion angebracht sind. Diese elektromagnetische Verbindung oder Kopplung muß von der durch das Fließen elektrischer Ströme hergestellten elektrischen Verbindung unterschieden werden. In der vorliegenden Beschreibung deckt der Begriff "Mikrowellen" einen weiten Bereich von Mikrowellen ein schließlich Millimeterwellen ab. Erfindungsgemäße Mikro wellen-Sender/Empfängermodule sind vorzugsweise für Mikro wellen von z. B. 10 GHz oder darüber, und noch besser für 60 GHz oder darüber verwendbar. In der vorliegenden Beschrei bung ist die "Platine" oder "Leiterplatte" eine Hochfre quenzleiterplatte mit Mikrostrip-Streifenleitern etc., die für Mikrowellen von 10 GHz oder darüber verwendet werden kann.

Das Mikrowellen-Sender/Empfängermodul des ersten Gesichts punkts kann zweite und dritte Räume haben. Der zweite Raum ist genau unter der Empfangsantennenstruktur angeordnet und so bemessen, daß er eine Hohlraumresonanz bezüglich der Trä gerfrequenz für Mikrowellenverbindungen bewirkt. Der dritte Raum ist genau unter der Sendeantennenstruktur angebracht und so bemessen, daß er eine Hohlraumresonanz bezüglich der Trägerfrequenz für Mikrowellenverbindungen bewirkt. Der er ste, zweite und dritte Raum bilden einen einzigen zusammen hängenden Raum zur Vereinfachung des Aufbaus des Moduls.

Demzufolge ist das Mikrowellen-Sender/Empfängermodul des er sten Gesichtspunkts kompakt und in der Lage, die Leistungs fähigkeit der Antennenstrukturen sicherzustellen.

Ein zweiter Gesichtspunkt der Erfindung stellt ein Mikrowel len-Sender/Empfängermodul bereit, das mindestens eine Bau gruppe, eine Empfangsantennenstruktur und eine Sendeanten nenstruktur hat. Die Baugruppe hat mindestens ein Gehäuse zur Aufnahme eines Halbleiterchips. Die Empfangsantennen struktur ist auf der Unterseite des Gehäuses ausgebildet. Die Sendeantennenstruktur ist auf der Unterseite des Gehäu ses an einer von der Empfangsantennenstruktur verschiedenen Position ausgebildet. Das Gehäuse hat einen elektromagne tisch verengten ersten Raum, um den Halbleiterchip aufzuneh men. Der erste Raum dient als ein Wellenleiter, dessen Grenzfrequenz höher ist als eine Trägerfrequenz für Mikro wellenverbindungen. Die Empfangsantennenstruktur ist durch einen ersten Schlitz elektromagnetisch mit dem Halbleiter chip gekoppelt, und die Sendeantennenstruktur ist durch ei nen zweiten Schlitz elektromagnetisch mit dem Halbleiterchip gekoppelt.

Das Mikrowellen-Sender/Empfängermodul des zweiten Gesichts punkts kann zweite und dritte Räume haben. Der zweite Raum ist genau über der Empfangsantennenstruktur angeordnet und so bemessen, daß er eine Hohlraumresonanz bezüglich der Trä gerfrequenz für Mikrowellenverbindungen bewirkt. Der dritte Raum ist genau über der Sendeantennenstruktur angebracht und so bemessen, daß er eine Hohlraumresonanz bezüglich der Trä gerfrequenz für Mikrowellenverbindungen bewirkt. Der erste, zweite und dritte Raum bilden einen einzigen zusammenhängen den Raum zur Vereinfachung des Aufbaus des Moduls.

Demzufolge ist das Mikrowellen-Sender/Empfängermodul des zweiten Gesichtspunkts kompakt und in der Lage, die Lei stungsfähigkeit der Antennenstrukturen sicherzustellen.

Andere und weiterführende Aufgaben und Merkmale der Erfin dung werden anhand der beispielhaften Ausführungsformen ver ständlich, die in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben werden oder in den anschließenden Ansprüchen an gegeben sind, wobei dem Fachmann viele hierin nicht be schriebene Vorteile bei der praktischen Anwendung der Erfin dung deutlich werden.

In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1A eine perspektivische Darstellung eines Mikrowel len-Sendermoduls nach dem Stand der Technik;

Fig. 1B ein Blockdiagramm des Mikrowellen-Sendermoduls nach dem Stand der Technik;

Fig. 2A eine Explosionsdarstellung eines Mikrowellen- Sender/Empfängermoduls, das einen elektromagne tisch verengten Raum entsprechend dem Stand der Technik aufweist;

Fig. 2B eine teilweise Schnittdarstellung einer Hochfre quenzleiterplatte des Moduls der Fig. 2A;

Fig. 3A eine Explosionsdarstellung eines Mikrowellen- Sender/Empfängermoduls gemäß einer ersten Ausfüh rungsform der Erfindung;

Fig. 3B eine perspektivische Darstellung der Unterseite einer Hochfrequenzleiterplatte, die zur Abdeckung des Moduls der Fig. 3A dient;

Fig. 3C einen vergrößerten Schnitt eines Teils der Hoch frequenzleiterplatte entlang einer Linie I-I in Fig. 3A;

Fig. 3D eine Schnittdarstellung entlang einer Linie II-II in Fig. 3C;

Fig. 4 eine Explosionsdarstellung eines vergleichbaren Mikrowellen-Sender/Empfängermoduls zur Bewertung der Leistungsmerkmale des Mikrowellen-Sender/Emp fängermoduls der ersten Ausführungsform;

Fig. 5A und 5B jeweils ein Blockdiagramm mit Beispielen des Halbleiterchip, der in dem Mikrowellen-Sender/Emp fängermodul der ersten Ausführungsform einzusetzen ist;

Fig. 6 eine Explosionsdarstellung eines Mikrowellen-Sen der/Empfängermoduls entsprechend einer Modifikati on der ersten Ausführungsform;

Fig. 7 eine teilweise Schnittdarstellung eines Mikrowel len-Sender/Empfängermoduls entsprechend einer wei teren Modifikation der ersten Ausführungsform;

Fig. 8 eine Explosionsdarstellung eines Mikrowellen-Sen der/Empfängermoduls entsprechend einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 9 eine Explosionsdarstellung eines Mikrowellen-Sen der/Empfängermoduls entsprechend einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; und

Fig. 10 eine Explosionsdarstellung eines Mikrowellen-Sen der/Empfängermoduls entsprechend einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.

Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung werden unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung beschrieben. Es ist anzu merken, daß die gleichen oder einander entsprechende Bezugs zeichen für die gleichen oder einander entsprechende Teile und Elemente der Zeichnungen verwendet werden, und daß die Beschreibung gleicher oder einander entsprechender Teile und Elemente weggelassen oder vereinfacht wird. Allgemein und wie bei der Beschreibung von Mikrowelleneinrichtungen üblich, ist ersichtlich, daß die verschiedenen Darstellungen in den verschiedenen Figuren nicht maßstabgetreu von Figur zu Figur und ebensowenig innerhalb einer bestimmten Figur wiedergegeben sind, und daß insbesondere die Schichtdicken willkürlich wiedergegeben sind, um die Verständlichkeit der Zeichnungen zu erleichtern.

ERSTE AUSFÜHRUNGSFORM

Fig. 3A bis 3D zeigen ein Mikrowellen-Sender/Empfängermodul gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung. Das Modul arbeitet mit Millimeterwellen in einem 60 GHz-Frequenzband.

Das Modul hat eine Hochfrequenzleiterplatte 2, die als Dec kel eines Gehäuses 6 dient. Eine Empfangsantennenstruktur 1 und eine Sendeantennenstruktur 3 sind auf der Platine 2 aus gebildet. Die Antennenstrukturen 1 und 3 sind von einer Er dungsstruktur 12 umgeben. Das Gehäuse 6 und die Platine 2 definieren einen abgeschlossenen Raum 7, der keine physi schen Unterteilungen hat. Im Mittelteil des abgeschlossenen Raumes 7 umschließt ein elektromagnetisch verengter erster Raum 8c einen Halbleiterchip 5, der auf der Unterseite der Platine 2 angebracht ist.

Fig. 3B zeigt die Unterseite der Platine 2. Die Unterseite hat mikrowellenübertragende Kupferzuführungen 9a und 9b und Leitungsstrukturen 22 für die Übertragung von Gleichströmen oder niederfrequenten Signalen. Der Chip 5 hat Sende- und Empfangsfunktionen und ist mit den Zuführungen 9a und 9b und den Leitungsstrukturen 22 über Kontakthöckerelektroden 4 verbunden. Der Chip 5 ist z. B. mit einem Kleber an der Un terseite der Platine 2 befestigt.

Fig. 3C ist ein vergrößerter Teilschnitt entlang einer Linie I-I in Fig. 3A, der die Verbindung des Chip 5 mit der Zuführung 9b auf der Platine 2 mittels der Kontakthöckerelektrode 4 zeigt. Fig. 3D ist eine Schnittdarstellung entlang einer Linie II-II in Fig. 3C. Die Platine 2 besteht aus einem er sten Isolationssubstrat 13, einer Leiterzwischenschicht 14, die an der Unterseite des Substrats 13 angebracht ist, und einem zweiten Isolationssubstrat 15, das an der Unterseite der Schicht 14 angebracht ist. Das erste Isolationssubstrat 13 ist aus BT-Harz (Bismaleimidtriazin-Harz) mit einer Dicke von 500 µm gebildet. Auf der Oberseite des Substrats 13 sind die Empfangsantennenstruktur 1, die Sendeantennenstruktur 3 und die Erdungsstruktur 12 aus einem Kupferdünnfilm mit ei ner Dicke von 17 µm ausgebildet. Die Leiterschicht 14 be steht aus einem Kupferdünnfilm mit einer Dicke von 17 µm und hat einen ersten Schlitz 10a und einen zweiten Schlitz 10b. Die Schlitze 10a und 10b haben jeweils eine Größe von unge fähr 0,2 mm × 0,6 mm und dienen zum Abstrahlen elektromagne tischer Wellen. Die Leiterschicht 14 ist geerdet und mit der Erdungsstruktur 12 verbunden. Die Leiterschicht 14 ist au ßerdem mit dem Gehäuse 6 verbunden, das aus leitendem Mate rial hergestellt ist, um eine Abschirmfunktion zu bewirken. Das zweite Isolationssubstrat 15 besteht aus BCB-Harz (Ben zocyclobuten-Harz) mit einer Dicke von 10 µm. Auf der Unter seite des Substrats 15 sind Kupferleiter mit einer Dicke von 3 µm angeordnet, die als die erste Zuführung 9a für die An tennenstruktur 1 und die zweite Zuführung 9b für die Anten nenstruktur 3 dienen. Das BT-Harz des ersten Isolationssub strats 13 hat eine Dielektrizitätskonstante von 4,5, und das BCB-Harz des zweiten Isolationssubstrats 15 hat eine Dielek trizitätskonstante von 2,7.

Die Leiterschicht 14 deckt die Platine 2 mit Ausnahme der Schlitze 10a und 10b vollständig ab. Infolgedessen sind vier Seitenflächen des verengten Raumes 8c von Leitern umgeben, um einen Wellenleiter zu bilden. Der verengte Raum 8c ist so bemessen, daß die Grenzfrequenz des Wellenleiters höher als die höchste der Trägerfrequenzen wird, die für Mikrowellen verbindungen verwendet und durch die Antennenstrukturen 1 und 3 empfangen und gesendet werden. Der durch den verengten Raum 8c gebildete Wellenleiter ist nicht dazu bestimmt, Mi krowellensignale für das Modul weiterzuleiten, sondern ist dazu bestimmt, das Eindringen elektromagnetischer Wellen für Mikrowellenverbindungen in den Chip 5 und dessen Peripherie zu verhindern.

I/O-Anschlüsse 11 führen Basisbandsignale, Stromversorgung und Steuersignale für den Chip 5. Die I/O-Anschlüsse 11 wer den nicht benutzt, um 60 GHz-Hochfrequenzsignale für Mikro wellenverbindungen zu übertragen. Statt dessen übertragen sie niederfrequente Signale unterhalb der Trägerfrequenzen für Mikrowellenverbindungen. Die I/O-Anschlüsse 11 sind mit Leitungsstrukturen 21 auf der Oberseite des Gehäuses 6 über Leitungen (nicht dargestellt) verbunden, die in das Gehäuse 6 einbezogen sind. Das Modul der Fig. 3A hat sechs I/O-An schlüsse 11, von denen drei auf der rückwärtigen Seite durch das Gehäuse 6 verdeckt sind. Die sechs I/O-Anschlüsse 11 ge hören zu den jeweiligen Leitungsstrukturen 21. Die I/O-An schlüsse 11 sind individuell dazu bestimmt, ein Basisbandsi gnal an den Chip 5, ein Basisbandsignal von dem Chip 5, Stromversorgung für den Chip 5 und Steuersignale zum Steuern des Chip 5 entsprechend den Spezifikationen des Chip 5 zu übertragen. Die Leitungsstrukturen 21 auf der Oberseite des Gehäuses 6 und die Leitungsstrukturen 22 auf der Unterseite der Platine 2 sind über Kontakthöckerelektroden 44 miteinan der verbunden.

Jede der Zuführungen 9a und 9b hat einen Wellenwiderstand von 50 Ω und eine Breite von 25 µm. Für die Einhaltung des Wellenwiderstands der Zuführungen 9a und 9b werden bekannte Mikrostreifenleiter-Entwurfsverfahren verwendet. Die Zufüh rung 9b strahlt elektromagnetische Millimeterwellen durch den in der Leiterschicht 14 vorgesehenen Schlitz 10b ab, um die Sendeantennenstruktur 3 zu erregen. Die Empfangsanten nenstruktur 1 strahlt elektromagnetische Millimeterwellen durch den in der Leiterschicht 14 vorgesehenen Schlitz 10a ab, um die Zuführung 9a zu erregen.

Fig. 4 zeigt ein Vergleichs-Mikrowellen-Sender/Empfänger modul zur Untersuchung der Leistungsfähigkeit des Mikrowel len-Sender/Empfängermoduls der ersten Ausführungsform. Das Vergleichsmodul gleicht dem Modul der Fig. 2A mit der Aus nahme, daß das Vergleichsmodul nur eine Empfangsantennen struktur 83 und eine Sendeantennenstruktur 87 hat, so daß diese denjenigen der ersten Ausführungsform entsprechen. Um die Einflüsse der Wand eines Gehäuses 84 zu vermeiden, sind in dem Vergleichsmodul die Antennenstrukturen 83 und 87 un gefähr 10 mm von den Wänden entfernt angeordnet. Die Anten nenstrukturen 83 und 87 haben jeweils Abmessungen von unge fähr 1,5 mm × 1,5 mm, so daß deshalb die Zuführungen 89a und 89b jeweils über 10 mm erstreckt sind und somit einen Ver lust von ungefähr 1,5 dB verursachen. Das Vergleichsmodul weist Außenabmessungen von 20 mm × 50 mm auf.

Andererseits sind bei der ersten Ausführungsform die Anten nenstrukturen 1 und 3 an den Außenflächen des Moduls, d. h. an der Oberseite der Platine 2 angeordnet, so daß die Wände des Gehäuses 6 keine Einflüsse ausüben und die Antennen strukturen 1 und 3 hinsichtlich ihrer Positionen keinen Ein schränkungen unterliegen. Die Zuführungen 9a und 9b der er sten Ausführungsform sind jeweils über ungefähr 1,5 mm er streckt, um den Zuführungsverlust auf ungefähr ein Sechstel des Standes der Technik zu drücken. Das Modul der ersten Ausführungsform ist kompakt und mißt nur ungefähr 10 mm × 25 mm in den Außenabmessungen.

Das Gehäuse 6 der ersten Ausführungsform hat einen zweiten Raum 8a genau unter der Antennenstruktur 1 und einen dritten Raum 8b genau unter der Antennenstruktur 3. Der zweite und der dritte Raum 8a und 8b sind von einer Größe, die eine Hohlraumresonanz bei einer Trägerfrequenz für Mikrowellen verbindungen bewirkt. Dies verbessert die Effizienz der An tennenstrukturen 1 und 3. Der erste verengte Raum 8c und der zweite und der dritte Raum 8a und 8b bilden einen einzigen zusammenhängenden H-förmigen Raum, um den Aufbau des Gehäu ses 6 zu vereinfachen.

Fig. 5A ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel des in dem Modul der ersten Ausführungsform installierten Chip 5 zeigt. Der Chip 5 hat einen rauscharmen Verstärker 32, der über die erste Zuführung 9a und den ersten Schlitz 10a mit der Emp fangsantennenstruktur 1 verbunden ist. Der rauscharme Ver stärker 32 ist mit einem Mischer 34 verbunden, der mit einem Zwischenfrequenzverstärker (ZF-Verstärker) 35 verbunden ist, der mit einem Demodulator 65 verbunden ist. Der Demodulator 65 stellt ein Basisbandsignal über den I/O-Anschluß 11 be reit. Der Mischer 34 erhält ein Signal von einem Oszillator (nicht dargestellt) und ein Signal von dem rauscharmen Ver stärker 32. Der Chip 5 hat des weiteren einen Modulator 38 für den Empfang eines Basisbandsignals von dem I/O-Anschluß 11. Der Modulator 38 ist mit einem Mischer 66 verbunden, der mit einem Leistungsverstärker 67 verbunden ist. Der Mischer 66 erhält ein Signal von dem Oszillator (nicht dargestellt) und ein Signal von dem Modulator 38. Der Leistungsverstärker 67 ist mit der Sendeantennenstruktur 3 über die zweite Zu führung 9b und den zweiten Schlitz 10b verbunden.

Fig. 5B zeigt ein weiteres Beispiel des in dem Modul der er sten Ausführungsform installierten Chip 5. Der Chip 5 hat einen rauscharmen Verstärker 32, der mit der Empfangsanten nenstruktur 1 über die erste Zuführung 9a und den ersten Schlitz 10a verbunden ist. Der rauscharme Verstärker 32 ist mit einem Filter 33 verbunden, der mit einem Mischer 34 ver bunden ist. Der Mischer 34 ist mit einem Zwischenfrequenz verstärker (ZF-Verstärker) 35 verbunden, der mit einem A/D- Wandler 36 verbunden ist. Der A/D-Wandler 36 ist mit einem Prozessor 37 verbunden, der mit einem Modulator 38 verbunden ist. Der Modulator 38 ist mit einem Treiberverstärker 39 verbunden, der mit einer Phaseneinheit 40 verbunden ist, die mit einem Sendeverstärker 41 verbunden ist. Der Sendever stärker 41 ist mit der Sendeantennenstruktur 3 über die zweite Zuführung 9b und den zweiten Schlitz 10b verbunden.

Die Baugruppe, die das Gehäuse 6 der ersten Ausführungsform umfaßt, ist aus leitfähigem Material gefertigt und von dem Halbleiterchip 5 und den Sende- und Empfangsantennenstruktu ren 1 und 3 isoliert. Das Gehäuse 6 und der Halbleiterchip 5 können voneinander isoliert werden, indem der Raum zwischen diesen mit getrockneter Luft oder einem Inertgas gefüllt wird, oder indem der Halbleiterchip 5 mit Isolierfett oder -harz von hoher Wärmeleitfähigkeit vergossen wird.

Fig. 6 ist eine Explosionsdarstellung, die ein Mikrowellen- Sender/Empfängermodul gemäß einer Modifikation der ersten Ausführungsform zeigt. Eine Hochfrequenzleiterplatte 2 dient als Deckel eines Gehäuses 46 des Moduls. Eine Empfangsanten nenstruktur 1 und eine Sendeantennenstruktur 3 sind auf der Platine 2 ausgebildet. Eine Erdungsstruktur 12 ist um die Antennenstrukturen 1 und 3 angeordnet. Schlitze 10a und 10b für die Abstrahlung elektromagnetischer Wellen sind in der Platine 2 angebracht. Das Modul hat eine Vertiefung 48 von gleichbleibender Breite. Die Vertiefung 48 ist eine integra le Zusammenfassung eines elektromagnetisch verengten ersten Raums und eines zweiten Raums genau unter der Empfangsanten nenstruktur 1 und eines dritten Raums genau unter der Sende antennenstruktur 3. Ein Halbleiterchip 5 ist am Mittelteil in der Vertiefung 48 angeordnet. Die Platine 2 besteht aus einem ersten Isolationssubstrat, einer Leiterzwischen schicht, die mit der Unterseite des ersten Isolationssub strats verbunden ist, und einem zweiten Isolationssubstrat, das mit der Unterseite der Leiterzwischenschicht verbunden ist. Die ersten und zweiten Schlitze 10a und 10b sind an vorbestimmten Positionen auf der Leiterzwischenschicht ange ordnet. Erste und zweite Zuführungen 9a und 9b sind auf der Unterseite des zweiten Isolationssubstrats ausgebildet. Vier Seitenflächen des ersten Raumes am mittleren Teil der Ver tiefung 48 sind mit Leitern umgeben, um einen Wellenleiter zu bilden. Die Vertiefung 48 ist so bemessen, daß sie die Grenzfrequenz des Wellenleiters höher als die höchste der Trägerfrequenzen für Mikrowellenverbindungen macht. I/O- Anschlüsse 11 übertragen Basisbandsignale, Stromversorgung und Steuersignale. Die I/O-Anschlüsse 11 sind mit Leitungs strukturen 21 auf der Oberseite des Gehäuses 46 durch Lei tungen verbunden (nicht dargestellt), die in das Gehäuse 46 einbezogen sind.

Die zweiten und dritten Räume unter den Antennenstrukturen 1 und 3 und dem elektromagnetisch verengten ersten Raum sind durch die Platine 2 abgeschlossen, um einen zusammenhängen den geschlossenen Raum 47 bereitzustellen. Die Integration des ersten bis dritten Raumes in die Vertiefung 48 mit einer gleichmäßigen Breite vereinfacht die Verarbeitbarkeit des Moduls.

Fig. 7 ist eine teilweise Schnittdarstellung, die ein Mikro wellen-Sender/Empfängermodul gemäß einer weiteren Abwandlung der ersten Ausführungsform zeigt. Die Figur zeigt insbeson dere einen Teil eines Gehäuses um eine Sendeantennenstruktur 3. Anders als bei der Struktur der Fig. 3A bis 3D, die die Platine 2 als einen Deckel für das Gehäuse 6 verwendet, ist bei der Abwandlung nach Fig. 7 ein Halbleiterchip 5 in dem Gehäuse angebracht, wobei eine Hochfrequenzleiterplatte als Deckel für das Gehäuse dient. In diesem Fall sind die Sende antennenstruktur 3 etc. auf der Unterseite des Gehäuses aus gebildet. Das Gehäuse besteht aus einem Isolationssubstrat 25, auf dem die Sendeantennenstruktur 3 ausgebildet ist, ei ner Leiterzwischenschicht 24, die auf der Oberseite des Sub strats 25 angebracht ist und einen zweiten Schlitz 10b hat, und einem Isolationssubstrat 23, das auf der Oberseite der Leiterschicht 24 angebracht ist. Das Isolationssubstrat 25 kann aus BCB- oder BT-Harz bestehen. Die Sendeantennenstruk tur 3 und eine Erdungsstruktur 12, die auf der Unterseite des Isolationssubstrats 25 ausgebildet sind, bestehen aus Kupferdünnfilm mit einer Dicke von 17 µm. Die Oberseite des Isolationssubstrats 25 ist im wesentlichen vollständig durch die Leiterzwischenschicht 24 aus einem Kupferfilm mit einer Dicke von 17 µm bedeckt. Der zweite Schlitz 10b ist an einer vorbestimmten Position in der Leiterschicht 24 angebracht. Die Leiterschicht 24 ist geerdet und mit der Erdungsstruktur 12 verbunden.

Eine zweite Zuführung 9b aus einem Kupferdraht mit einer Dicke von 3 µm ist auf der Oberseite des Isolationssubstrats 23 angeordnet. Die zweite Zuführung 9b ist mit dem Chip 5 durch eine Kontakthöckerelektrode 4 verbunden. Das Isola tionssubstrat 23 kann aus keramischen Werkstoffen wie z. B. Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid oder aus BCB- oder BT-Harz bestehen.

Obwohl Fig. 7 nur die Seite der Sendeantennenstruktur 3 zeigt, hat das Modul eine Seite mit einer Empfangsantennen struktur, die einen ersten Schlitz, eine erste Zuführung etc. hat, um eine gleichartige Struktur zu bilden. Die Ab wandlung in Fig. 7 ersetzt nämlich die Seite der Platine 2 der Struktur der Fig. 3A bis 3D durch die Gehäuseseite 6 derselben.

ZWEITE AUSFÜHRUNGSFORM

Fig. 8 ist eine Explosionsdarstellung, die ein Mikrowellen- Sender/Empfängermodul gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Eine Hochfrequenzleiterplatte 2 dient als ein Deckel für ein Gehäuse 56. Eine Empfangsantennen struktur 1 und eine Sendeantennenstruktur 3 sind auf der Platine 2 ausgebildet. Eine Erdungsstruktur 12 ist um die Antennenstrukturen 1 und 3 angeordnet. Schlitze 10a und 10b zur Abstrahlung elektromagnetischer Wellen sind in der Pla tine 2 angebracht. Das Gehäuse 56 aus einem Isolierstoff wie z. B. Keramik hat eine Vertiefung 58 mit einer gleichmäßigen Breite. Ein Halbleiterchip 5 ist in einem mittleren ersten Raum in der Vertiefung 58 angeordnet. Die Wände des ersten Raums sind beispielsweise durch elektrolytisches oder nicht elektrolytisches Metallisieren behandelt, um einen Leiter 56a zu bilden, der bewirkt, daß der erste Raum zu einem elektromagnetisch verengten Raum wird. An den beiden Seiten des ersten Raums in der Vertiefung 58 schließen sich ein zweiter und ein dritter Raum an. Der erste Raum dient als ein Wellenleiter. Die Vertiefung 58 ist so bemessen, daß sie die Grenzfrequenz des Wellenleiters höher als die höchste Trägerfrequenz für Mikrowellenverbindungen macht.

Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform besteht die Pla tine 2 aus einem ersten Isolationssubstrat, einer Leiterzwischenschicht, die an der Unterseite des ersten Isolati onssubstrats angebracht ist, und einem zweiten Isolations substrat, das an der Unterseite der Leiterzwischenschicht angebracht ist. Der erste und der zweite Schlitz 10a und 10b sind an vorbestimmten Positionen in der Leiterzwischen schicht gebildet. Auf der Unterseite des zweiten Isola tionssubstrats sind erste und zweite Zuführungen 9a und 9b ausgebildet. I/O-Anschlüsse 11 übertragen Basisbandsignale, Stromversorgung und Steuersignale für den Chip 5. Die I/O- Anschlüsse 11 sind mit Leitungsstrukturen 21 auf dem Gehäuse 56 durch Leitungen verbunden (nicht dargestellt), die in das Gehäuse 56 einbezogen sind. Die Leitungsstrukturen 21 und auf der Unterseite der Platine 2 ausgebildete Leitungsstruk turen sind miteinander durch Kontakthöckerelektroden 44 ver bunden. Die Leitungsstrukturen auf der Unterseite der Plati ne 2 sind ebenfalls durch Kontakthöckerelektroden 4 mit Kon taktierungsflächen des Chip 5 verbunden, so daß Gleichstrom- Vorspannungen und Niederfrequenzsignale über die I/O-An schlüsse 11 mit dem Chip 5 ausgetauscht werden. Der zweite und der dritte Raum unter den den Antennenstrukturen 1 und 3 und der elektromagnetisch verengte erste Raum bilden einen abgeschlossenen Raum 57.

Die Anordnung des elektromagnetisch verengten ersten Raums in der Mitte der Vertiefung 58 verbessert die Verarbeitbar keit des Moduls. Die zweite Ausführungsform hat somit die gleiche Wirkung wie die erste Ausführungsform, ohne daß die Struktur derselben verkompliziert wird.

Wie bei der ersten Ausführungsform können der zweite und der dritte Raum der zweiten Ausführungsform breiter als der er ste Raum ausgeführt werden, um einen H-förmigen Raum bereit zustellen. In diesem Fall sind der zweite und der dritte Raum so bemessen, daß eine Hohlraumresonanz bei einer für Mikrowellenverbindungen verwendeten Trägerfrequenz bewirkt wird. Dies resultiert in einer Effizienzverbesserung der An tennenstrukturen 1 und 3.

WEITERE AUSFÜHRUNGSFORMEN

Die Erfindung ist nicht auf die erste und die zweite Ausfüh rungsform beschränkt. Entsprechend der ersten und der zwei ten Ausführungsform sind die Sende- und Empfangsantennen strukturen 1 und 3 in Form von Inseln auf der Oberseite der Platine 2 ausgebildet, die als ein Deckel der Baugruppe dient, und die Erd- bzw. Masseleiterschicht 12 ist auf der Oberseite der Platine 2 um die Antennenstrukturen 1 und 3 herum angeordnet. Eine Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 9 hat anstelle dessen eine Erdleiterschicht 62 zwischen einer Empfangsantennenstruktur 61 und einer Sendeantennen struktur 63 auf der Oberseite einer Leiterplatte 2. Die An tennenstrukturen 61 und 63 haben die gleiche Breite wie die Platine 2. Diese Anordnung vergrößert die Flächen der Anten nenstrukturen 61 und 63 in wirksamer Weise, ohne daß eine gegenseitige Beeinflussung zwischen diesen auftritt. Das Ge häuse der Fig. 9 hat einen ersten Raum mit einer Grenzfre quenz höher als eine Trägerfrequenz für Mikrowellenverbin dungen, einen zweiten Raum 8a genau unter der Empfangsanten nenstruktur 61 und einen dritten Raum genau unter der Sende antennenstruktur 63. Der zweite und der dritte Raum 8a und 8b sind so dimensioniert, daß eine Hohlraumresonanz bei ei ner Trägerfrequenz für Mikrowellenverbindungen bewirkt wird.

Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der zwei oder mehr Halbleiterchips in einem elektroma gnetisch verengten Raum eines Mikrowellen-Sender/Empfänger moduls angeordnet sind. In Fig. 10 hat der elektromagnetisch verengte Raum 8c Platz für drei Halbleiterchips 51, 52 und 53. Diese Chips können den Schaltungsblöcken 51 bis 53 von Fig. 5B entsprechen. Auf dem Halbleiterchip 51 sind acht Kontakthöckerelektroden 4a ausgebildet. Eine der Kontakthöc kerelektroden 4a ist mit der Zuführung 9b verbunden, und ei ne andere ist mit der Leitungsstruktur 22b auf der Untersei te der Platine 2 verbunden. Die anderen Kontakthöckerelek troden 4a sind mit Leitungsstrukturen auf der Unterseite der Platine 2 (in Fig. 10 nicht dargestellt) verbunden, die je weils durch Kontakthöckerelektroden 44 mit Leitungsstruktu ren 21 auf dem Gehäuse 6 verbunden sind. Auf den Halbleiter chips 52, 53 sind jeweils Kontakthöckerelektroden 4b, 4c ausgebildet. Eine der Kontakthöckerelektroden ist mit der Leitungsstruktur 22b verbunden, wodurch zwei Halbleiterchips 51, 52 gegenseitig verbunden sind. Eine weitere Kontakthöc kerelektrode 4b und eine der Kontakthöckerelektroden 4c sind mit der Leitungsstruktur 22a auf der Unterseite der Platine 2 verbunden, um zwei Halbleiterchips 52, 53 gegenseitig zu verbinden. Eine weitere Kontakthöckerelektrode 4c ist mit der Zuführung 9a auf der Unterseite der Platine 2 verbunden. Die Zuführungen 9a und 9b sind durch die Schlitze 10a bzw. 10b elektromagnetisch mit den Antennenstrukturen 1 und 3 ge koppelt. Weitere Kontakthöckerelektroden 4b, 4c sind mit Leitungsstrukturen auf der Unterseite der Platine 2 (in Fig. 10 nicht dargestellt) verbunden, die jeweils über Kontakt höckerelektroden 44 mit Leitungsstrukturen 21 verbunden sind.

Die Schaltungsblöcke 51 und 53 können Verbindungshalbleiter chips sein, die z. B. aus Galliumarsenid (GaAs) hergestellt sind, und der Schaltungsblock 52 kann ein LSI-Chip aus Sili zium (Si) sein. Wenn der Schaltungsblock 51 ein Verbindungs halbleiterchip ist, ist der Sendeverstärker 41 der Fig. 5B z. B. ein HEMT. Das Modul kann zwei Halbleiterchips enthal ten, einen für Senden und den anderen für Empfangen. Die An zahl der I/O-Anschlüsse 11 der Fig. 10 wird entsprechend den Spezifikationen der Chips 51 bis 53 geeignet festgesetzt. Das Gehäuse 6 der Fig. 10 hat einen zweiten Raum 8a genau unter der Antennenstruktur 1 und einen dritten Raum 8b genau unter der Antennenstruktur 3. Der zweite und der dritte Raum 8a und 8b sind so bemessen, daß sie eine Hohlraumresonanz bei einer Trägerfrequenz für Mikrowellenverbindungen bewir ken. Dies verbessert die Effizienz der Antennenstrukturen 1 und 3.

Obwohl die Substrate der ersten und zweiten Ausführungsform aus BCB-Harz und BT-Harz bestehen, können sie auch aus Po lyimidharz und Teflonharz hergestellt werden. Die für die Erfindung verwendeten Leiter sind nicht auf solche aus Kup fer beschränkt.

Claims

1. Mikrowellen-Sender/Empfängermodul mit:
einem Gehäuse (6, 46, 56),
einem Deckel (2),
einem Halbleiterchip (5) in dem Gehäuse (6, 46, 56),
wobei das Gehäuse (6, 46, 56) einen elektrisch verengten ersten Raum (8c, 48, 58) für die Aufnahme des Halbleiterchips enthält,
einer Empfangsantennen-Struktur (1, 61) auf der Außenseite des Gehäuses (6, 46, 56) oder des Deckels (2), und
einer Sendeantennen-Struktur (3, 63) auf der Außenseite des Gehäuses (6, 46, 56) oder des Deckels (2) und beabstandet von der Empfangsantennen-Struktur (1, 61),
wobei
vier Seitenflächen des elektrisch verengten Raums (8c, 48, 58) von leitende Schichten umgeben sind, und der elektrisch verengte Raum einen Wellenleiter mit rechteckigem Querschnitt bildet, dessen Grenzfrequenz höher als eine Trägerfrequenz für die Mikrowellenverbindung ist.

2. Mirkowellen-Sender/Empfängermodul nach Anspruch 1 mit:
einer Leiterplatte (2), die als der Deckel zum Abschließen des Gehäuses (6, 46, 56) ausgestaltet ist, wobei der Halbleiterchip an deren Unterseite und die Empfangs- und Sendeantennen-Struktur (1, 61; 3, 63) an deren Oberseite angebracht sind.

3. Modul nach Anspruch 1, des weiteren umfassend:
einen zweiten Raum (8a), der genau unter der Empfangs anntennen-Struktur (1, 61) gebildet und so bemessen ist, dass eine Hohlraumresonanz bei der Trägerfrequenz für Mikrowellen verbindungen bewirkt wird; und
einen dritten Raum (8b), der genau unter der Sende antennen-Struktur (3, 63) gebildet und so bemessen ist, dass eine Hohlraumresonanz bei der Trägerfrequenz für Mikrowellen verbindungen bewirkt wird.

4. Modul nach Anspruch 3, bei dem der erste, zweite und dritte Raum (8a, 8b, 8c; 48, 58) einen einzigen zusammen hängenden Raum (7, 47, 57) bilden.

5. Modul nach Anspruch 4, bei dem der einzige zusammen hängende Raum (7) von der Leiterplatte (2) her gesehen eine H-Form aufweist.

6. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Gehäuse (6, 46) aus einem leitfähigen Material gefertigt und gegenüber dem Halbleiterchip (5) isoliert ist.

7. Modul nach einem der Anprüche 1 bis 5, bei dem das Gehäuse (56) aus einem Isolator gefertigt ist und eine leitende Schicht (56a) hat, um den ersten Raum (58) zu zu fest zu legen.

8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem eine leitende Erdungsschicht (12, 62) auf der Oberseite der Leiterplatte (2) angebracht ist.

9. Modul nach Anspruch 8, bei dem die Empfangs- und Sende antennen-Strukturen (1, 3) auf der Oberseite der Leiterplatte (2) wie Inseln ausgebildet sind, die von der leitenden Erdungsschicht (12) umgeben sind.

10. Modul nach Anspruch 8, bei dem die Empfangs- und Sendeantennen-Strukturen (61, 63) auf der Oberseite der Leiterplatte (2) wie Inseln ausgebildet sind, die aneinander gegenüberliegenden Seiten der leitenden Erdungsschicht (62) isoliert sind.

11. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Baugruppe des weiteren aufweist:
einen Eingangsanschluß (11) zum Übertragen eines Basisbandsignals an den Halbleiterchip (5);
einen Ausgangsanschluß (11) zum Übertragen eines Basisbandsignals von dem Halbleiterchip (5); und
einen Steuersignalanschluß (11) zum Übertragen von Steuersignalen zum Steuern des Halbleiterchips (5).

12. Modul nach Anspruch 11, bei dem die Eingangs-, Ausgangs- und Steuersignalanschlüsse (11) Signale über tragen, die aus Zwischenfrequenzsignalen, Basisband signalen, Stromversorgungssignalen und Steuersignalen mit niedrigeren Frequenzen als die Trägerfrequenz für Mikro wellenverbindungen gewählt sind.

13. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem mindestens ein Halbleiterchip (5; 51, 52, 53) in dem ersten Raum (8c; 48; 58) angebracht ist.

14. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 13, bei dem die Leiterplatte (2) aufweist:
ein erstes Isolationssubstrat (13), das eine Ober seite hat, auf der die Empfangs- und Sendeantennen- Strukturen (1, 3; 61, 63) ausgebildet sind;
eine leitende Zwischenschicht (14), die an der Unterseite des ersten Isolationssubstrats (13) angebracht ist und erste und zweite Schlitze (10a, 10b) hat; und
ein zweites Isolationssubstrat (15), das an der Unterseite der Leiterzwischenschicht (14) angebracht ist.

15. Modul nach Anspruch 14, des weiteren umfassend:
erste und zweite Zuführungen (9a, 9b), die auf der Unterseite des zweiten Isolationssubstrats (15) ausgebildet sind und elektrisch mit dem Halbleiter chip (5) verbunden sind.

16. Modul nach Anspruch 15, bei dem der erste Schlitz (10a) genau unter der Empfangsantennen- Struktur (1; 61) angeordnet ist, und der zweite Schlitz (10b) genau unter der Sendeantennen-Struktur (3; 63) angeordnet ist.

17. Modul nach Anspruch 16, bei dem die erste Zuführung (9a) genau unter dem ersten Schlitz (10a) angeordnet ist, und die zweite Zuführung (9b) genau unter dem zweiten Schlitz (10b) angeordnet ist.

18. Modul nach Anspruch 17, bei dem die erste Zuführung (9a) durch den ersten Schlitz (10a) elektro magnetisch mit der Empfangsantennen-Struktur (1; 61) gekoppelt ist, und die zweite Zuführung (9b) durch den zweiten Schlitz (10b) elektromagnetisch mit der Sende antennen-Struktur (3; 62) gekoppelt ist.

19. Modul nach Anspruch 15, bei dem die erste und die zweite Zuführung (9a, 9b) durch Kontakthöcker elektroden (4) elektrisch mit dem Halbleiterchip (5) verbunden sind.

20. Modul nach Anspruch 1, des weiteren umfassend:
einen zweiten Raum, der genau über der Empfangs antennen-Struktur (1) gebildet und so bemessen ist, daß eine Hohlraumresonanz bei der Trägerfrequenz für Mikro wellenverbindungen bewirkt wird; und
einen dritten Raum, der genau über der Sende antennen-Struktur (3) gebildet und so bemessen ist, daß eine Hohlraumresonanz bei der Trägerfrequenz für Mikro wellenverbindungen bewirkt wird.

21. Modul nach Anspruch 1, bei dem die Empfangs antennen-Struktur (1) auf der Unterseite des Gehäuses (6) ausgebildet und durch einen ersten Schlitz (10a) elektro magnetisch mit dem Halbleiterchip (5) verbunden ist, und die Sendeantennen-Struktur (3) auf der Unterseite des Gehäuses (6) an einer Position beabstandet von der Empfangsantennen-Struktur (1) ausgebildet und durch einen zweiten Schlitz (10b) elektromagnetisch mit dem Halb leiterchip (5) verbunden ist.