JP3373753B2 - 超高周波帯無線通信装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はミリ波、マイクロ波
等の超高周波の周波数を利用する超高周波帯無線通信装
置に関する。
等の超高周波の周波数を利用する超高周波帯無線通信装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】準ミリ波帯/ミリ波帯と呼ばれる、周波
数が10GHz以上の超高周波帯を利用する、従来の送
信モジュールの概略を図7に、その回路ブロック図を図
8に示す。図8においてOSCは発振回路、PAは電力
増幅回路である。
数が10GHz以上の超高周波帯を利用する、従来の送
信モジュールの概略を図7に、その回路ブロック図を図
8に示す。図8においてOSCは発振回路、PAは電力
増幅回路である。
【0003】図7よりわかるように、従来の送信モジュ
ールは、OSCが半導体チップ71a、変調回路が半導
体チップ71b、電力増幅回路が半導体チップ71cと
いうように、それぞれ2mm角程度の1つの半導体チッ
プで構成されている。即ち、1つ1つの回路ブロックが
それぞれ半導体チップ71a、71b、71cより構成
され、これらが各々シールドされた形で1つのパッケー
ジ75に収まっている。そして、これらの半導体チップ
71a、71b、71c間を同軸部品やマイクロ波伝送
線路で接続することにより、送信モジュールが構成され
る。
ールは、OSCが半導体チップ71a、変調回路が半導
体チップ71b、電力増幅回路が半導体チップ71cと
いうように、それぞれ2mm角程度の1つの半導体チッ
プで構成されている。即ち、1つ1つの回路ブロックが
それぞれ半導体チップ71a、71b、71cより構成
され、これらが各々シールドされた形で1つのパッケー
ジ75に収まっている。そして、これらの半導体チップ
71a、71b、71c間を同軸部品やマイクロ波伝送
線路で接続することにより、送信モジュールが構成され
る。
【0004】このような構成は送信モジュールに限った
ことではなく、低雑音高周波増幅回路(LNA)や復調
回路から構成される受信モジュールでも同様である。1
つ1つの半導体チップ71a、71b、71cを各々シ
ールドするのは、半導体チップ間の相互干渉を防いだ
り、1つのシールドする空間が大きくなることで空洞共
振が発生する危険を防止するためである。すなわち、図
7における3つの半導体チップ71a、71b、71c
の各々をシールドするのではなく、パッケージ75によ
ってのみシールドしたとすると、シールドする空間が大
きくなってしまい、空洞共振が発生しやすくなる。
ことではなく、低雑音高周波増幅回路(LNA)や復調
回路から構成される受信モジュールでも同様である。1
つ1つの半導体チップ71a、71b、71cを各々シ
ールドするのは、半導体チップ間の相互干渉を防いだ
り、1つのシールドする空間が大きくなることで空洞共
振が発生する危険を防止するためである。すなわち、図
7における3つの半導体チップ71a、71b、71c
の各々をシールドするのではなく、パッケージ75によ
ってのみシールドしたとすると、シールドする空間が大
きくなってしまい、空洞共振が発生しやすくなる。
【0005】これらの問題を解決するために、本出願人
により超高周波無線通信装置が提案されている(特願平
8−180846)。これは、図9に示すように、ひと
つの閉空間内に、送信・受信アンテナまでをも含む無線
通信に必要な機能を持たせ、かつ、閉空間は電気的な狭
窄部90を有しているモジュールである。電気的な狭窄
部90においては、カットオフ周波数が無線通信のキャ
リア周波数より高い空間が形成される。このような構成
をとることにより、空洞共振の問題を回避し、モジュー
ルの小型化が可能となる。
により超高周波無線通信装置が提案されている(特願平
8−180846)。これは、図9に示すように、ひと
つの閉空間内に、送信・受信アンテナまでをも含む無線
通信に必要な機能を持たせ、かつ、閉空間は電気的な狭
窄部90を有しているモジュールである。電気的な狭窄
部90においては、カットオフ周波数が無線通信のキャ
リア周波数より高い空間が形成される。このような構成
をとることにより、空洞共振の問題を回避し、モジュー
ルの小型化が可能となる。
【0006】しかしながら、まだ以下に述べるような問
題点があった。まず、アンテナの放射パターンがモジュ
ール筐体84の影響を大きく受ける。この問題を回避す
るためには、アンテナ素子83、87から筐体84の壁
までの距離を大きく取れば良いが、そうするとモジュー
ル全体のサイズが大きくなるとともに、半導体チップ8
5からアンテナ素子83、87までの給電線路89b、
89aが長くなり、その線路で生じる損失も増大する。
題点があった。まず、アンテナの放射パターンがモジュ
ール筐体84の影響を大きく受ける。この問題を回避す
るためには、アンテナ素子83、87から筐体84の壁
までの距離を大きく取れば良いが、そうするとモジュー
ル全体のサイズが大きくなるとともに、半導体チップ8
5からアンテナ素子83、87までの給電線路89b、
89aが長くなり、その線路で生じる損失も増大する。
【0007】更に、閉空間を作るために使用する蓋81
の影響が生じる。蓋81は、モジュール内部を保護する
目的でも使用されるため、機械的強度を保持するため
に、ある程度以上の厚みが必要であり、そのために損失
も生じる。
の影響が生じる。蓋81は、モジュール内部を保護する
目的でも使用されるため、機械的強度を保持するため
に、ある程度以上の厚みが必要であり、そのために損失
も生じる。
【0008】なお、図9において、82は半導体チップ
が実装される基板、88は半導体チップと外部との間の
入出力端子、86は電気的な狭窄部90を形成するため
の導体層である。
が実装される基板、88は半導体チップと外部との間の
入出力端子、86は電気的な狭窄部90を形成するため
の導体層である。
【0009】また、図10は、図9のC−C´における
モジュールの断面構成を表す図である。この図におい
て、91はバンプ、92は絶縁層、93は接地導体層、
94は絶縁層(絶縁基板)である。
モジュールの断面構成を表す図である。この図におい
て、91はバンプ、92は絶縁層、93は接地導体層、
94は絶縁層(絶縁基板)である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の超
高周波無線通信装置は、アンテナの特性を確保するため
に、モジュール自体がある程度大きくなってしまうとい
う問題点があった。本発明は、上記実情に対処してなさ
れたもので、アンテナの特性を確保しつつ、小型化が可
能な超高周波無線通信装置を提供することを目的とす
る。
高周波無線通信装置は、アンテナの特性を確保するため
に、モジュール自体がある程度大きくなってしまうとい
う問題点があった。本発明は、上記実情に対処してなさ
れたもので、アンテナの特性を確保しつつ、小型化が可
能な超高周波無線通信装置を提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】前述した問題を解決する
ために本発明は、 半導体チップが実装される基板と、
該半導体チップの周囲にカットオフ周波数が無線通信の
キャリア周波数より高い空間を形成する電気的狭窄部と
を有するパッケージと、前記半導体チップと電気的に接
続され、前記パッケージの表面に設けられた受信アンテ
ナ及び送信アンテナとを具備したことを特徴とする超高
周波帯無線通信装置を提供する。
ために本発明は、 半導体チップが実装される基板と、
該半導体チップの周囲にカットオフ周波数が無線通信の
キャリア周波数より高い空間を形成する電気的狭窄部と
を有するパッケージと、前記半導体チップと電気的に接
続され、前記パッケージの表面に設けられた受信アンテ
ナ及び送信アンテナとを具備したことを特徴とする超高
周波帯無線通信装置を提供する。
【0012】かかる本発明において、以下の態様が望ま
しい。 (1)前記受信アンテナ及び送信アンテナに対応する前
記パッケージ内の位置には、前記無線通信のキャリア周
波数に対して空洞共振を起こす空間が設けられているこ
と。
しい。 (1)前記受信アンテナ及び送信アンテナに対応する前
記パッケージ内の位置には、前記無線通信のキャリア周
波数に対して空洞共振を起こす空間が設けられているこ
と。
【0013】(2)前記電気的狭窄部が形成する空間と
前記空洞共振を起こす空間とは連続した1つの空間を構
成すること。 (3)前記連続した1つの空間はH型の形状をしている
こと。
前記空洞共振を起こす空間とは連続した1つの空間を構
成すること。 (3)前記連続した1つの空間はH型の形状をしている
こと。
【0014】(4)前記パッケージは導体からなり、前
記半導体チップ、前記受信アンテナ及び送信アンテナと
絶縁されていること。 (5)前記パッケージは絶縁体からなり、前記電気的狭
窄部の内面には導体層が形成されていること。
記半導体チップ、前記受信アンテナ及び送信アンテナと
絶縁されていること。 (5)前記パッケージは絶縁体からなり、前記電気的狭
窄部の内面には導体層が形成されていること。
【0015】(6)接地導体層が前記パッケージの表面
に形成されていること。 (7)前記受信アンテナ及び送信アンテナは、それぞれ
前記パッケージの表面に島状に設けられ、該受信アンテ
ナ及び送信アンテナを取り囲むように接地導体層が前記
パッケージ表面に形成されていること。
に形成されていること。 (7)前記受信アンテナ及び送信アンテナは、それぞれ
前記パッケージの表面に島状に設けられ、該受信アンテ
ナ及び送信アンテナを取り囲むように接地導体層が前記
パッケージ表面に形成されていること。
【0016】(8)前記受信アンテナ及び送信アンテナ
は、それぞれ前記パッケージの表面に島状に設けられ、
該受信アンテナ及び送信アンテナ間の前記パッケージ表
面に接地導体層が形成されていること。
は、それぞれ前記パッケージの表面に島状に設けられ、
該受信アンテナ及び送信アンテナ間の前記パッケージ表
面に接地導体層が形成されていること。
【0017】(9)前記半導体チップにベースバンド信
号を入力するための入力端子と、該半導体チップからベ
ースバンド信号を出力するための出力端子と、該半導体
チップを制御するための制御信号用端子とをさらに具備
したこと。
号を入力するための入力端子と、該半導体チップからベ
ースバンド信号を出力するための出力端子と、該半導体
チップを制御するための制御信号用端子とをさらに具備
したこと。
【0018】(10)前記入力端子、出力端子、制御信
号用端子には、前記無線通信のキャリア周波数よりも低
周波の中間周波信号、ベースバンド信号、電源信号、制
御信号から選ばれる信号のみが通過すること。 (11)前記電気的狭窄部に少なくとも1個以上の半導
体チップが実装されていること。
号用端子には、前記無線通信のキャリア周波数よりも低
周波の中間周波信号、ベースバンド信号、電源信号、制
御信号から選ばれる信号のみが通過すること。 (11)前記電気的狭窄部に少なくとも1個以上の半導
体チップが実装されていること。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の実施形態について説明する。 (第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態に
係わる超高周波帯無線通信装置を示す図である。この無
線通信装置は、周波数60GHz帯のミリ波での使用を
想定している。図1において、2は高周波回路基板、
1、3はそれぞれ受信、送信用のアンテナパターン、1
2はグランドのベタパターン、5は送受信機能を有する
半導体チップで、この半導体チップは突起状電極4で高
周波回路基板2と接続されている。高周波回路基板2上
には、アンテナへの給電線路9とスロット10が設けら
れている。これらは、導電性材料からなるモジュール筐
体6に、回路基板2が蓋になるように装着される。
の実施形態について説明する。 (第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態に
係わる超高周波帯無線通信装置を示す図である。この無
線通信装置は、周波数60GHz帯のミリ波での使用を
想定している。図1において、2は高周波回路基板、
1、3はそれぞれ受信、送信用のアンテナパターン、1
2はグランドのベタパターン、5は送受信機能を有する
半導体チップで、この半導体チップは突起状電極4で高
周波回路基板2と接続されている。高周波回路基板2上
には、アンテナへの給電線路9とスロット10が設けら
れている。これらは、導電性材料からなるモジュール筐
体6に、回路基板2が蓋になるように装着される。
【0020】モジュール筐体6と回路基板2で作られる
閉空間7は、物理的に仕切りの無い1つの閉空間である
が、この中央部には、狭窄部8が設けられている。半導
体チップ5はこの狭窄部8に位置するように実装されて
いる。
閉空間7は、物理的に仕切りの無い1つの閉空間である
が、この中央部には、狭窄部8が設けられている。半導
体チップ5はこの狭窄部8に位置するように実装されて
いる。
【0021】狭窄部8に対向する高周波回路基板2の領
域は、配線以外の部位においてグランドのベタパターン
で覆われている。このような構成をとることにより、狭
窄部8は導波管状になる。このときの狭窄部8の寸法
は、狭窄部8を導波管と見立てた時の遮断周波数が、通
信で用いられる信号のキャリア周波数の、最も高い周波
数よりも高くなるように設定する。つまり、この狭窄部
8は導波管として用いるものではなく、通信に用いた周
波数の電磁波が、半導体チップ近辺に進入するのを防止
するために用いるものである。
域は、配線以外の部位においてグランドのベタパターン
で覆われている。このような構成をとることにより、狭
窄部8は導波管状になる。このときの狭窄部8の寸法
は、狭窄部8を導波管と見立てた時の遮断周波数が、通
信で用いられる信号のキャリア周波数の、最も高い周波
数よりも高くなるように設定する。つまり、この狭窄部
8は導波管として用いるものではなく、通信に用いた周
波数の電磁波が、半導体チップ近辺に進入するのを防止
するために用いるものである。
【0022】また、モジュールには、半導体チップ5か
らのベースバンド信号の入出力用、電源供給用、制御信
号用の入出力端子11が備わっている。この入出力端子
11は、通信で用いられる60GHzの高周波信号のや
りとりに用いられず、無線通信のキャリア周波数よりも
低周波の信号のやりとりに用いられる。
らのベースバンド信号の入出力用、電源供給用、制御信
号用の入出力端子11が備わっている。この入出力端子
11は、通信で用いられる60GHzの高周波信号のや
りとりに用いられず、無線通信のキャリア周波数よりも
低周波の信号のやりとりに用いられる。
【0023】以上のような構成で、超高周波通信モジュ
ールを試作した。図1のA−A´における断面構成を図
3に、図3のB−B´における断面構成を図2に示す。
これらの図に示すように、高周波回路基板2の層構成
は、500ミクロン厚のBT(ビスマレイミドトリアジ
ン)樹脂基板13の両面に、それぞれ17ミクロン厚の
銅パターン12、14を形成し、12をグランドパター
ン、14をスロット19を形成するパターンとした。パ
ターン14は接地されており、グランドパターン12と
導通しており、さらに導電性材料からなるモジュール筐
体6とも導通している。
ールを試作した。図1のA−A´における断面構成を図
3に、図3のB−B´における断面構成を図2に示す。
これらの図に示すように、高周波回路基板2の層構成
は、500ミクロン厚のBT(ビスマレイミドトリアジ
ン)樹脂基板13の両面に、それぞれ17ミクロン厚の
銅パターン12、14を形成し、12をグランドパター
ン、14をスロット19を形成するパターンとした。パ
ターン14は接地されており、グランドパターン12と
導通しており、さらに導電性材料からなるモジュール筐
体6とも導通している。
【0024】さらに、パターン14上に10ミクロン厚
のBCB(ベンゾサイクロブテン)樹脂層15及び3ミ
クロン厚の銅配線9を形成した。BT樹脂とBCB樹脂
は、比誘電率がそれぞれ、4.5、2.7のものを用い
た。
のBCB(ベンゾサイクロブテン)樹脂層15及び3ミ
クロン厚の銅配線9を形成した。BT樹脂とBCB樹脂
は、比誘電率がそれぞれ、4.5、2.7のものを用い
た。
【0025】上記の基板構成でアンテナ部を試作した。
アンテナの給電線路9は、50Ωに特性インピーダンス
を制御しており、配線幅は25ミクロンである。この給
電線路9は、その下方にあるパターン層14に形成され
ているスロット10を介してアンテナ素子3を励起させ
る。
アンテナの給電線路9は、50Ωに特性インピーダンス
を制御しており、配線幅は25ミクロンである。この給
電線路9は、その下方にあるパターン層14に形成され
ているスロット10を介してアンテナ素子3を励起させ
る。
【0026】また、同様な基板構成で、従来の構成の超
高周波通信モジュールを試作した。モジュール筐体84
の壁面の影響を回避するために、当該壁面からアンテナ
素子83、87までの距離を10mm程度にとった。ア
ンテナ素子83、87は1.5mm2 程度のサイズであ
るため、給電線路89a、89bの長さが9mmにもな
り、そこで生じる損失は1.5dB程度になった。ま
た、モジュールの外形寸法も20mm×50mmと大き
なものになった。
高周波通信モジュールを試作した。モジュール筐体84
の壁面の影響を回避するために、当該壁面からアンテナ
素子83、87までの距離を10mm程度にとった。ア
ンテナ素子83、87は1.5mm2 程度のサイズであ
るため、給電線路89a、89bの長さが9mmにもな
り、そこで生じる損失は1.5dB程度になった。ま
た、モジュールの外形寸法も20mm×50mmと大き
なものになった。
【0027】一方、本発明の第1の実施形態では、アン
テナ素子1、3は、モジュールの表面(高周波回路基板
2の裏面)に位置するため、筐体6の壁面の影響は受け
ない。そのため、その設置場所には特段の制約は無い。
第1の実施形態では、給電線路9の長さを1.5mm程
度にとることにより、給電線路での損失を従来のものと
比べて1/6にまで抑えることができた。また、モジュ
ールの外形寸法も、10mm×25mm程度と小さくす
ることができた。
テナ素子1、3は、モジュールの表面(高周波回路基板
2の裏面)に位置するため、筐体6の壁面の影響は受け
ない。そのため、その設置場所には特段の制約は無い。
第1の実施形態では、給電線路9の長さを1.5mm程
度にとることにより、給電線路での損失を従来のものと
比べて1/6にまで抑えることができた。また、モジュ
ールの外形寸法も、10mm×25mm程度と小さくす
ることができた。
【0028】さらに、本発明の上記実施形態の構成で
は、アンテナパターン1、3下の筐体6内部の空間を、
無線通信で使用するキャリア周波数で空洞共振するよう
なサイズに設定することにより、アンテナの効率を高め
ることも可能である。
は、アンテナパターン1、3下の筐体6内部の空間を、
無線通信で使用するキャリア周波数で空洞共振するよう
なサイズに設定することにより、アンテナの効率を高め
ることも可能である。
【0029】ここで、電気的狭窄部8が形成する空間と
空洞共振を起こす空間とは連続した1つの空間を構成す
る(本実施形態ではH型。)ので、筐体6の構成が簡単
なものとなる。
空洞共振を起こす空間とは連続した1つの空間を構成す
る(本実施形態ではH型。)ので、筐体6の構成が簡単
なものとなる。
【0030】さらに、図4に示すように、電気的狭窄部
8は幅が一定の溝状に形成することも可能であり、加工
容易性が向上する。この図において、46は筐体、47
は閉空間、48は電気的狭窄部である。
8は幅が一定の溝状に形成することも可能であり、加工
容易性が向上する。この図において、46は筐体、47
は閉空間、48は電気的狭窄部である。
【0031】なお、本実施形態では、モジュールを構成
するパッケージ(筐体6等)は導体からなるが、半導体
チップ5、受信、送信アンテナ1、3と絶縁されている
のは勿論のことである。また、高周波回路基板2に対し
て半導体チップ5を実装し、これらを蓋として筐体6に
取り付けているが、半導体チップ5を筐体6に装着し、
高周波回路基板2を蓋として筐体6に装着してもよい。
さらに、高周波回路基板2側と筐体6側とを入れ替え
て、受信、送信アンテナ等を筐体6に設けてもよい。
するパッケージ(筐体6等)は導体からなるが、半導体
チップ5、受信、送信アンテナ1、3と絶縁されている
のは勿論のことである。また、高周波回路基板2に対し
て半導体チップ5を実装し、これらを蓋として筐体6に
取り付けているが、半導体チップ5を筐体6に装着し、
高周波回路基板2を蓋として筐体6に装着してもよい。
さらに、高周波回路基板2側と筐体6側とを入れ替え
て、受信、送信アンテナ等を筐体6に設けてもよい。
【0032】(第2の実施形態)図5は、本発明の第2
の実施形態に係わる超高周波帯無線通信装置を示す。こ
の実施形態では、モジュール内に作られている閉空間に
は、物理的な意味での狭窄部は無い。しかしながら、第
1の実施形態とは異なり、モジュール筐体56は非導電
性の部材で作られている。この筐体56のうち、半導体
チップ5の位置する部位の内壁面を、例えば電解メッキ
や非電解メッキ等により導電処理化し、導電性部材56
aとする。この処理により、この部位は電気的には狭窄
構造を有していることになり、モジュール筐体56を複
雑にすることなく、第1の実施形態と同様な効果が得ら
れる。この図において、57は閉空間、58は電気的狭
窄部である。
の実施形態に係わる超高周波帯無線通信装置を示す。こ
の実施形態では、モジュール内に作られている閉空間に
は、物理的な意味での狭窄部は無い。しかしながら、第
1の実施形態とは異なり、モジュール筐体56は非導電
性の部材で作られている。この筐体56のうち、半導体
チップ5の位置する部位の内壁面を、例えば電解メッキ
や非電解メッキ等により導電処理化し、導電性部材56
aとする。この処理により、この部位は電気的には狭窄
構造を有していることになり、モジュール筐体56を複
雑にすることなく、第1の実施形態と同様な効果が得ら
れる。この図において、57は閉空間、58は電気的狭
窄部である。
【0033】なお、本実施形態においても、第1の実施
形態と同様にH型の空間を形成し、無線通信で使用する
キャリア周波数で空洞共振するようなサイズに設定する
ことにより、アンテナの効率を高めることも可能であ
る。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上
述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述
の実施形態では、受信アンテナ及び送信アンテナは、そ
れぞれパッケージの表面に島状に設けられ、該受信アン
テナ及び送信アンテナを取り囲むように接地導体層が前
記パッケージ表面に形成されているが、図6に示すよう
に、受信アンテナ61及び送信アンテナ63間のパッケ
ージ表面に選択的に接地導体層62が形成されていても
よい。このようにすれば、受信アンテナと送信アンテナ
間の干渉を防止しつつ、アンテナの面積を効率よく稼ぐ
ことができる。
形態と同様にH型の空間を形成し、無線通信で使用する
キャリア周波数で空洞共振するようなサイズに設定する
ことにより、アンテナの効率を高めることも可能であ
る。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上
述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述
の実施形態では、受信アンテナ及び送信アンテナは、そ
れぞれパッケージの表面に島状に設けられ、該受信アン
テナ及び送信アンテナを取り囲むように接地導体層が前
記パッケージ表面に形成されているが、図6に示すよう
に、受信アンテナ61及び送信アンテナ63間のパッケ
ージ表面に選択的に接地導体層62が形成されていても
よい。このようにすれば、受信アンテナと送信アンテナ
間の干渉を防止しつつ、アンテナの面積を効率よく稼ぐ
ことができる。
【0034】また、電気的狭窄部には1個のみならず、
2個以上の半導体チップが実装されている場合にも本発
明は適用可能である。さらに、上記実施形態では基板材
料にBCB樹脂とBT樹脂を用いたが、ポリイミド樹脂
やテフロン樹脂を使用しても良い。また、導体材料も銅
に限るものではない。さらにまた、以上の実施形態の組
み合わせも当然可能である。その他、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施可能である。
2個以上の半導体チップが実装されている場合にも本発
明は適用可能である。さらに、上記実施形態では基板材
料にBCB樹脂とBT樹脂を用いたが、ポリイミド樹脂
やテフロン樹脂を使用しても良い。また、導体材料も銅
に限るものではない。さらにまた、以上の実施形態の組
み合わせも当然可能である。その他、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施可能である。
【0035】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の超高周波無
線通信装置によれば、アンテナの特性を確保しつつ、小
型化が可能な超高周波無線通信装置を提供することがで
きる。
線通信装置によれば、アンテナの特性を確保しつつ、小
型化が可能な超高周波無線通信装置を提供することがで
きる。
【図1】 本発明の第1の実施形態に係わる超高周波通
信装置の概略図。
信装置の概略図。
【図2】 図1に示した装置の高周波回路基板の断面
図。
図。
【図3】 図1に示した装置の高周波回路基板の断面
図。
図。
【図4】 本発明の第1の実施形態に係わる超高周波通
信装置の変形例を示す概略図。
信装置の変形例を示す概略図。
【図5】 本発明の第2の実施形態に係わる超高周波通
信装置の概略図。
信装置の概略図。
【図6】 本発明の他の実施形態に係わる超高周波通信
装置の概略図。
装置の概略図。
【図7】 従来の超高周波通信モジュールの概略図。
【図8】 従来の超高周波通信モジュールの回路ブロッ
ク図。
ク図。
【図9】 電気的狭窄部を有する超高周波通信モジュー
ルの概略図。
ルの概略図。
【図10】 図9に示した装置の高周波回路基板の断面
図。
図。
【符号の説明】
1、63、83…受信アンテナ素子
2、82…高周波回路基板
3、63、87…送信アンテナ素子
4、91…突起状電極
5、85…半導体チップ
6、46、56、84…モジュール筐体
7、47、57…閉空間
8、48、58、90…電気的狭窄部
9、89a、89b…給電線路
10…スロット
11、88…入出力端子
12…グランドパターン
13…BT樹脂層
14…グランドパターン
15…BCB樹脂層
17、86…電気的な狭窄部を形成するための導電性部
材 81…蓋
材 81…蓋
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−287115(JP,A)
特開 平7−66746(JP,A)
特開 平9−69798(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H04B 1/38 - 1/58
Claims (11)
- 【請求項1】半導体チップが実装される基板と、該半導
体チップの周囲にカットオフ周波数が無線通信のキャリ
ア周波数より高い空間を形成する電気的狭窄部とを有す
るパッケージと、前記半導体チップと電気的に接続さ
れ、前記パッケージ表面に設けられた受信アンテナ及び
送信アンテナとを具備し、前記受信アンテナ及び送信ア
ンテナに対応する前記パッケージ内の位置には、前記無
線通信のキャリア周波数に対して空洞共振を起こす空間
が設けられていることを特徴とする超高周波帯無線通信
装置。 - 【請求項2】前記電気的狭窄部が形成する空間と前記空
洞共振を起こす空間とは連続した1つの空間を構成する
ことを特徴とする請求項1記載の超高周波帯無線通信装
置。 - 【請求項3】前記連続した1つの空間はH型の形状をし
ていることを特徴とする請求項2記載の超高周波帯無線
通信装置。 - 【請求項4】前記パッケージは導体からなり、前記半導
体チップ、前記受信アンテナ及び送信アンテナと絶縁さ
れていることを特徴とする請求項1乃至3記載の超高周
波帯無線通信装置。 - 【請求項5】前記パッケージは絶縁体からなり、前記電
気的狭窄部の内面には導体層が形成されていることを特
徴とする請求項1乃至3記載の超高周波帯無線通信装
置。 - 【請求項6】接地導体層が前記パッケージの表面に形成
されていることを特徴とする請求項1乃至5記載の超高
周波帯無線通信装置。 - 【請求項7】前記受信アンテナ及び送信アンテナは、そ
れぞれ前記パッケージの表面に島状に設けられ、該受信
アンテナ及び送信アンテナを取り囲むように接地導体層
が前記パッケージ表面に形成されていることを特徴とす
る請求項6記載の超高周波帯無線通信装置。 - 【請求項8】前記受信アンテナ及び送信アンテナは、そ
れぞれ前記パッケージの表面に島状に設けられ、該受信
アンテナ及び送信アンテナ間の前記パッケージ表面に接
地導体層が形成されていることを特徴とする請求項6記
載の超高周波帯無線通信装置。 - 【請求項9】前記半導体チップにベースバンド信号を入
力するための入力端子と、該半導体チップからベースバ
ンド信号を出力するための出力端子と、該半導体チップ
を制御するための制御信号用端子とをさらに具備したこ
とを特徴とする請求項1乃至8記載の超高周波帯無線通
信装置。 - 【請求項10】前記入力端子、出力端子、制御信号用端
子には、前記無線通信のキャリア周波数よりも低周波の
中間周波信号、ベースバンド信号、電源信号及び制御信
号から選ばれる信号のみが通過することを特徴とする請
求項9記載の超高周波帯無線通信装置。 - 【請求項11】前記電気的狭窄部に少なくとも1個以上
の半導体チップが実装されていることを特徴とする請求
項1乃至10記載の超高周波帯無線通信装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07709697A JP3373753B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 超高周波帯無線通信装置 |
US09/044,911 US6263193B1 (en) | 1997-03-28 | 1998-03-20 | Microwave transmitter/receiver module |
DE19813767A DE19813767C2 (de) | 1997-03-28 | 1998-03-27 | Mikrowellen-Sender /Empfängermodul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07709697A JP3373753B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 超高周波帯無線通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10276113A JPH10276113A (ja) | 1998-10-13 |
JP3373753B2 true JP3373753B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=13624263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07709697A Expired - Fee Related JP3373753B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 超高周波帯無線通信装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6263193B1 (ja) |
JP (1) | JP3373753B2 (ja) |
DE (1) | DE19813767C2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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DE19909071C2 (de) * | 1999-03-02 | 2001-03-29 | Fraunhofer Ges Forschung | DECT-Funkmodul |
US6542050B1 (en) * | 1999-03-30 | 2003-04-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Transmitter-receiver |
FI114259B (fi) * | 1999-07-14 | 2004-09-15 | Filtronic Lk Oy | Radiotaajuisen etupään rakenne |
DE19935666C2 (de) * | 1999-07-29 | 2002-08-29 | Daimler Chrysler Ag | Analog-Digital-Wandler für ein Signal im Gigahertz-Bereich, Millimeterwellenempfänger und Bandpaßfilter für Millimeterwellen |
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SE520151C2 (sv) * | 2000-06-07 | 2003-06-03 | Shaofang Gong | Modul för radiokommunikation |
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US6967347B2 (en) * | 2001-05-21 | 2005-11-22 | The Regents Of The University Of Colorado | Terahertz interconnect system and applications |
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