JPH03129903A - 多層マイクロストリップ線路 - Google Patents
多層マイクロストリップ線路Info
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- JPH03129903A JPH03129903A JP1266578A JP26657889A JPH03129903A JP H03129903 A JPH03129903 A JP H03129903A JP 1266578 A JP1266578 A JP 1266578A JP 26657889 A JP26657889 A JP 26657889A JP H03129903 A JPH03129903 A JP H03129903A
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 15
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、誘電体基板あるいは半導体基板に構成した
マイクロストリップ線路を用いた多層マイクロストリッ
プ線路から成る給電回路の層間接続に関するものである
。
マイクロストリップ線路を用いた多層マイクロストリッ
プ線路から成る給電回路の層間接続に関するものである
。
［従来の技術］
従来例としては１例えば、 １９８７ ＩＥＥＥ ＭＴ
Ｔ−５Ｄｉｄｅｓｔ ｐｐ、９４９−９５２に掲載され
た”ＬＯＷ Ｃ０５ＴＣＡＲＴＯＰ ＰＨＡＳＥＤ Ａ
ＲＲＡＹ ５ＴＥＥＲＩＮＧ”に示された多層給電回路
に用いられているような接続導体を用いた層間接続の構
成例がある。上記文献の例はトリプレート形ストリップ
線路に関するものであるが、層間接続に接続導体を用い
るという技術に関してはマイクロストリップ線路に同様
に適用できるため、ここでは、第８図に示す多層マイク
ロストリップ線路を例にとり説明する。第８図ｔａ＋は
その一部を示す平面図、（ｂｌばそのＡＡ’断面図であ
る。図において、１は第一の誘電体基板、２は第一のス
トリップ導体、３は第二の誘電体基板、４は第二のスト
リップ導体、５は共通の地導体板、６は接続導体である
。上記第一の誘電体基板１に形成された第一のストリッ
プ導体２は共通の地導体板５とともに第一のマイクロス
トリップ線路７を構成し、第二の誘電体基板３に形成さ
れた第二のストリップ導体４は共通の地導体板５ととも
に第二のマイクロストリップ線路８を構成している。
Ｔ−５Ｄｉｄｅｓｔ ｐｐ、９４９−９５２に掲載され
た”ＬＯＷ Ｃ０５ＴＣＡＲＴＯＰ ＰＨＡＳＥＤ Ａ
ＲＲＡＹ ５ＴＥＥＲＩＮＧ”に示された多層給電回路
に用いられているような接続導体を用いた層間接続の構
成例がある。上記文献の例はトリプレート形ストリップ
線路に関するものであるが、層間接続に接続導体を用い
るという技術に関してはマイクロストリップ線路に同様
に適用できるため、ここでは、第８図に示す多層マイク
ロストリップ線路を例にとり説明する。第８図ｔａ＋は
その一部を示す平面図、（ｂｌばそのＡＡ’断面図であ
る。図において、１は第一の誘電体基板、２は第一のス
トリップ導体、３は第二の誘電体基板、４は第二のスト
リップ導体、５は共通の地導体板、６は接続導体である
。上記第一の誘電体基板１に形成された第一のストリッ
プ導体２は共通の地導体板５とともに第一のマイクロス
トリップ線路７を構成し、第二の誘電体基板３に形成さ
れた第二のストリップ導体４は共通の地導体板５ととも
に第二のマイクロストリップ線路８を構成している。
従来の多層マイクロス１−リップ線路の接続導体６を用
いた層間接続は上記のように構成されているので、入力
端９から第一のマイクロストリップ線路７を伝搬してき
た電波は、第一のストリップ導体２の先端に接続された
接続導体６に伝わり、地導体が共通である第二のマイク
ロストリップ線路８へ伝搬していく。ここで、線路を伝
わる電流に着目する。第一のマイクロストリップ線路７
゜第二のマイクロス１−リップ線路８の地導体は共通の
地導体板５を用いているため、地導体に流れる電流に不
連続部がなく、電流は大きな反射を生じることなく第一
のマイクロストリップ線路７から第二のマイクロストリ
ップ線路８へと流れていく。また、第一のマイクロスト
リップ線路７．第二のマイクロストリップ線路８の第−
及び第二のストリップ導体２，４を流れる電流は、これ
ら第−及び第二のストリップ導体２，４が接続導体６に
より接続されているため大きな反射を生じることなく、
第一のマイクロス１−リップ線路７から第二のマイクロ
ストリップ線路８へと流れていく。
いた層間接続は上記のように構成されているので、入力
端９から第一のマイクロストリップ線路７を伝搬してき
た電波は、第一のストリップ導体２の先端に接続された
接続導体６に伝わり、地導体が共通である第二のマイク
ロストリップ線路８へ伝搬していく。ここで、線路を伝
わる電流に着目する。第一のマイクロストリップ線路７
゜第二のマイクロス１−リップ線路８の地導体は共通の
地導体板５を用いているため、地導体に流れる電流に不
連続部がなく、電流は大きな反射を生じることなく第一
のマイクロストリップ線路７から第二のマイクロストリ
ップ線路８へと流れていく。また、第一のマイクロスト
リップ線路７．第二のマイクロストリップ線路８の第−
及び第二のストリップ導体２，４を流れる電流は、これ
ら第−及び第二のストリップ導体２，４が接続導体６に
より接続されているため大きな反射を生じることなく、
第一のマイクロス１−リップ線路７から第二のマイクロ
ストリップ線路８へと流れていく。
このようにして第一のマイクロストリップ線路７から第
二のマイクロストリップ線路８へ伝搬してきた電波は大
きな反射を受けることなく出力端１０へ現れる。
二のマイクロストリップ線路８へ伝搬してきた電波は大
きな反射を受けることなく出力端１０へ現れる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の多層マイクロストリップ線路は以上のように構成
され、Ｎ間接績のためには各層のストリップ導体間を接
続導体を用いて機械的に接続する必要があるため、スル
ーホールあるいは半田付は等の手段を用いる必要があり
、層間接続箇所が多い場合、工数の増加、信頼性の低下
などの問題が生じる。また、層間の接続手順を考慮に入
れて各層の回路構成９組み立て手順を決める必要があり
、回路構成に制約が生じるなどの問題があった。
され、Ｎ間接績のためには各層のストリップ導体間を接
続導体を用いて機械的に接続する必要があるため、スル
ーホールあるいは半田付は等の手段を用いる必要があり
、層間接続箇所が多い場合、工数の増加、信頼性の低下
などの問題が生じる。また、層間の接続手順を考慮に入
れて各層の回路構成９組み立て手順を決める必要があり
、回路構成に制約が生じるなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各層のストリップ導体間に接続導体を用いる
ことなく層間接続を行うことを目的とする。
たもので、各層のストリップ導体間に接続導体を用いる
ことなく層間接続を行うことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る多層マイクロストリップ線路は、層間接
続する各ストリップ導体の一端同志を対向させ、この対
向部分に対応して地導体板に各ストリップ導体と交差す
る細隙を形成するとともに、この細隙から各ストリップ
導体の一端までの長さを所定値に設定して開放端とする
か、又は各ストリップ導体の一端側と細隙の近傍とを短
絡導体で接続して短絡端とすることにより層間接続した
ものである。
続する各ストリップ導体の一端同志を対向させ、この対
向部分に対応して地導体板に各ストリップ導体と交差す
る細隙を形成するとともに、この細隙から各ストリップ
導体の一端までの長さを所定値に設定して開放端とする
か、又は各ストリップ導体の一端側と細隙の近傍とを短
絡導体で接続して短絡端とすることにより層間接続した
ものである。
［作用］
この発明における多層マイクロストリップ線路は、層間
で共有している地導体板に細隙を設け、この細隙を介し
て層間の線路を電気的に接続するようにしたので、地導
体板に設けた細隙の幅や長さを適切な値に設定すること
により、マイクロストリップ線路を伝搬する電波と上記
細隙を結合させることができ、この細隙を介して各層の
マイクロストリップ線路間を電波が伝搬可能となる。
で共有している地導体板に細隙を設け、この細隙を介し
て層間の線路を電気的に接続するようにしたので、地導
体板に設けた細隙の幅や長さを適切な値に設定すること
により、マイクロストリップ線路を伝搬する電波と上記
細隙を結合させることができ、この細隙を介して各層の
マイクロストリップ線路間を電波が伝搬可能となる。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。なお、
本願においては、線路を構成する基板として、モノリシ
ック・マイクロウェーブ・インテグレーテッド・サーキ
ット（ＭＭＩＣ）に用いるＧａＡｓ、 Ｓｉ等の半導体
基板あるいはマイクロウェーブ・インテグレーテッド・
サーキット（ＭＩＣ）に用いる誘電体基板が対象となる
。
本願においては、線路を構成する基板として、モノリシ
ック・マイクロウェーブ・インテグレーテッド・サーキ
ット（ＭＭＩＣ）に用いるＧａＡｓ、 Ｓｉ等の半導体
基板あるいはマイクロウェーブ・インテグレーテッド・
サーキット（ＭＩＣ）に用いる誘電体基板が対象となる
。
第１図は一実施例を示す構成図で、同図（ａ）は平面図
、う）はそのＡＡ’断面図であり、前記従来例と同一、
又は相当部分には同ブ符号を用いてその説明は省略する
。図において、１１は共通の地導体板５に形成された細
隙、１２は第一のストリップ導体２の一端を構成してい
る第一の開放スタブ、１３は第二のストリップ導体４の
一端を構成している第二の開放スタブであり、上記第一
の開放スタブ１２と第二の開放スタブ１３は対向するよ
うに配置されており、細隙１１は上記対向部分ａに対応
して地導体板５に各ストリップ導体２．４と交差するよ
うに形成されている。これら第一の開放スタブ１２．第
二の開放スタブ１３の長さを細隙１１からそれぞれの線
路の開放端までの距離で規定すると、それぞれ概略１／
４波長の長さであるが、細隙１１の形状により、あるい
は該開放スタブの長さをインピーダンス整合を兼ねた長
さに設定する場合は１７４波長から異なった長さになる
。
、う）はそのＡＡ’断面図であり、前記従来例と同一、
又は相当部分には同ブ符号を用いてその説明は省略する
。図において、１１は共通の地導体板５に形成された細
隙、１２は第一のストリップ導体２の一端を構成してい
る第一の開放スタブ、１３は第二のストリップ導体４の
一端を構成している第二の開放スタブであり、上記第一
の開放スタブ１２と第二の開放スタブ１３は対向するよ
うに配置されており、細隙１１は上記対向部分ａに対応
して地導体板５に各ストリップ導体２．４と交差するよ
うに形成されている。これら第一の開放スタブ１２．第
二の開放スタブ１３の長さを細隙１１からそれぞれの線
路の開放端までの距離で規定すると、それぞれ概略１／
４波長の長さであるが、細隙１１の形状により、あるい
は該開放スタブの長さをインピーダンス整合を兼ねた長
さに設定する場合は１７４波長から異なった長さになる
。
この構成による多層マイクロストリップ線路では、入力
端９から第一のマイクロストリップ線路７を伝搬してき
た電波は第一のストリップ導体２の先端が第一の開放ス
タブ１２となって開放端のため、この開放端から概略１
／４波長の位置において第一のストリップ導体２を取り
巻く磁界が強くなり、細隙１１の幅、長さを適切に設定
することにより、有効に細隙１１と結合する。この細隙
１１と結合した電波は、更に、先端が第２の開放スタブ
１３となって開放端となり、かつ、この開放端から概略
１／４波長の位置において細隙１１と交差するように配
置されている第二のマイクロストリップ線路８に上記と
同様の理由により結合し、出力端１０に現れる。
端９から第一のマイクロストリップ線路７を伝搬してき
た電波は第一のストリップ導体２の先端が第一の開放ス
タブ１２となって開放端のため、この開放端から概略１
／４波長の位置において第一のストリップ導体２を取り
巻く磁界が強くなり、細隙１１の幅、長さを適切に設定
することにより、有効に細隙１１と結合する。この細隙
１１と結合した電波は、更に、先端が第２の開放スタブ
１３となって開放端となり、かつ、この開放端から概略
１／４波長の位置において細隙１１と交差するように配
置されている第二のマイクロストリップ線路８に上記と
同様の理由により結合し、出力端１０に現れる。
以上は、マイクロストリップ線路の先端を開放端とし、
概略１／４波長の位置において磁界が強くなり細隙１１
を励振し易いことを利用していたが、第２図ｆａ＋、（
ｂ）に示すように、細隙１１近傍において第−及び第二
のストリップ導体２，４それぞれの先端を第一の短絡端
１４．第二の短絡端１５としてスルーホール等の短絡導
体１６．１７により共通の地導体板５と短絡する構成と
しても良い。この構成では短絡点近傍において磁界が強
くなり、開放端の場合と同様の効果が得られる。
概略１／４波長の位置において磁界が強くなり細隙１１
を励振し易いことを利用していたが、第２図ｆａ＋、（
ｂ）に示すように、細隙１１近傍において第−及び第二
のストリップ導体２，４それぞれの先端を第一の短絡端
１４．第二の短絡端１５としてスルーホール等の短絡導
体１６．１７により共通の地導体板５と短絡する構成と
しても良い。この構成では短絡点近傍において磁界が強
くなり、開放端の場合と同様の効果が得られる。
また、この構成では第一の開放スタブ１２．第二の開放
スタブ１３が不要となり、基板上に配置する線路パター
ンの占有面積の削減を図ることができる。
スタブ１３が不要となり、基板上に配置する線路パター
ンの占有面積の削減を図ることができる。
このように、この発明による多層マイクロスｌ−リップ
線路では各層のマイクロス１〜リツプ線路を伝搬する電
波が有効に細隙１１に結合し、層間の接続が接続用の導
体なしに可能となる。
線路では各層のマイクロス１〜リツプ線路を伝搬する電
波が有効に細隙１１に結合し、層間の接続が接続用の導
体なしに可能となる。
なお、上記実施例では、第一の開放スタブ１２、第２の
開放スタブ１３の形状は線路幅が第−及び第二のストリ
ップ導体２，４と同一の場合を示したが、これに限らず
、第３図に示す平面図のように第一の開放スタブ１２．
第二の開放スタブ］−３の線路幅を第−及び第二のスト
リップ導体２．４と異なる幅にして動作する周波数帯域
の拡大を図っても良い。また、第一の開放スタブ１２及
び第２の開放スタブ１３の形状は第４図に示す平面図の
ように扇形にしても良い。更に、上記実施例では、第一
の開放スタブ１２．第二の開放スタブ１３の位置が細隙
１１に対して反対側にある場合について示したが、これ
に限らず、第５図＋８＋、（ｂｌに・Ｆ面図及びそのＡ
Ａ’断面図を示すように第一の開放スタブ１２．第二の
開放スタブ１３を細隙１１に対して同じ側に配置しても
良い。
開放スタブ１３の形状は線路幅が第−及び第二のストリ
ップ導体２，４と同一の場合を示したが、これに限らず
、第３図に示す平面図のように第一の開放スタブ１２．
第二の開放スタブ］−３の線路幅を第−及び第二のスト
リップ導体２．４と異なる幅にして動作する周波数帯域
の拡大を図っても良い。また、第一の開放スタブ１２及
び第２の開放スタブ１３の形状は第４図に示す平面図の
ように扇形にしても良い。更に、上記実施例では、第一
の開放スタブ１２．第二の開放スタブ１３の位置が細隙
１１に対して反対側にある場合について示したが、これ
に限らず、第５図＋８＋、（ｂｌに・Ｆ面図及びそのＡ
Ａ’断面図を示すように第一の開放スタブ１２．第二の
開放スタブ１３を細隙１１に対して同じ側に配置しても
良い。
また、上記実施例では、細隙１１の形状として長方形の
場合を示したが、これに限らず、第６図、第７図に平面
図で示すように楕円形やダンベル状の形状としても良い
。
場合を示したが、これに限らず、第６図、第７図に平面
図で示すように楕円形やダンベル状の形状としても良い
。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、層間で共有する地導
体板に電磁結合用の細隙を設けたので、各層のマイクロ
ス１−リップ線路を伝搬する電波が有効に細隙に結合し
、層間の接続が接続用の導体を用いなくとも可能となり
、従来の不具合が解消される効果がある。
体板に電磁結合用の細隙を設けたので、各層のマイクロ
ス１−リップ線路を伝搬する電波が有効に細隙に結合し
、層間の接続が接続用の導体を用いなくとも可能となり
、従来の不具合が解消される効果がある。
第１図（ａｌ、 （ｂ）はこの発明の一実施例による多
層マイクロストリップ線路の構成を示す平面図と断面図
、第２図叫−→〜第７図は他の実施例を示す平面図ない
し断面図、第８図（ａｌ、 （ｂｌは従来の多層マイク
ロストリップ線路の構成を示す平面図と断面図である。 ■、３は第一、第二の誘電体基板、２，４は第、第二の
ストリップ導体、５は地導体板、７゜８は第一、第二の
マイクロストリップ線路、１１は細隙、１２．１３は第
一、第二の開放スタブ、１４．１５は第一、第二の短絡
端、１６．１７は短絡導体、ａは対向部分。
層マイクロストリップ線路の構成を示す平面図と断面図
、第２図叫−→〜第７図は他の実施例を示す平面図ない
し断面図、第８図（ａｌ、 （ｂｌは従来の多層マイク
ロストリップ線路の構成を示す平面図と断面図である。 ■、３は第一、第二の誘電体基板、２，４は第、第二の
ストリップ導体、５は地導体板、７゜８は第一、第二の
マイクロストリップ線路、１１は細隙、１２．１３は第
一、第二の開放スタブ、１４．１５は第一、第二の短絡
端、１６．１７は短絡導体、ａは対向部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 地導体板と、この地導体板の両面側にストリップ導体
を設けた多層マイクロストリップ線路において、 各ストリップ導体の一端同志を対向させ、この対向部分
に対応して地導体板に各ストリップ導体と交差する細隙
を形成するとともに、この細隙から各ストリップ導体の
一端までの長さを所定値に設定して開放端とするか，又
は各ストリップ導体の一端側と細隙の近傍とを短絡導体
で接続して短絡端とすることにより層間接続したことを
特徴とする多層マイクロストリップ線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266578A JPH03129903A (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 多層マイクロストリップ線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266578A JPH03129903A (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 多層マイクロストリップ線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129903A true JPH03129903A (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=17432757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266578A Pending JPH03129903A (ja) | 1989-10-14 | 1989-10-14 | 多層マイクロストリップ線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03129903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597902B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-07-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency circuit module |
| WO2011078061A1 (ja) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 京セラ株式会社 | 線路変換構造およびそれを用いたアンテナ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54131851A (en) * | 1978-04-04 | 1979-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Multi-layer transmission line assembly |
| JPH01252002A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロストリップアンテナ |
-
1989
- 1989-10-14 JP JP1266578A patent/JPH03129903A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54131851A (en) * | 1978-04-04 | 1979-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Multi-layer transmission line assembly |
| JPH01252002A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロストリップアンテナ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597902B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-07-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency circuit module |
| WO2011078061A1 (ja) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 京セラ株式会社 | 線路変換構造およびそれを用いたアンテナ |
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