JPH03129903A - 多層マイクロストリップ線路 - Google Patents

多層マイクロストリップ線路

Info

Publication number
JPH03129903A
JPH03129903A JP1266578A JP26657889A JPH03129903A JP H03129903 A JPH03129903 A JP H03129903A JP 1266578 A JP1266578 A JP 1266578A JP 26657889 A JP26657889 A JP 26657889A JP H03129903 A JPH03129903 A JP H03129903A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microstrip line
conductor
open
gap
radio wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1266578A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Matsunaga
誠 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1266578A priority Critical patent/JPH03129903A/ja
Publication of JPH03129903A publication Critical patent/JPH03129903A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、誘電体基板あるいは半導体基板に構成した
マイクロストリップ線路を用いた多層マイクロストリッ
プ線路から成る給電回路の層間接続に関するものである
[従来の技術] 従来例としては1例えば、 1987 IEEE MT
T−5Didest pp、949−952に掲載され
た”LOW C05TCARTOP PHASED A
RRAY 5TEERING”に示された多層給電回路
に用いられているような接続導体を用いた層間接続の構
成例がある。上記文献の例はトリプレート形ストリップ
線路に関するものであるが、層間接続に接続導体を用い
るという技術に関してはマイクロストリップ線路に同様
に適用できるため、ここでは、第8図に示す多層マイク
ロストリップ線路を例にとり説明する。第8図ta+は
その一部を示す平面図、(blばそのAA’断面図であ
る。図において、1は第一の誘電体基板、2は第一のス
トリップ導体、3は第二の誘電体基板、4は第二のスト
リップ導体、5は共通の地導体板、6は接続導体である
。上記第一の誘電体基板1に形成された第一のストリッ
プ導体2は共通の地導体板5とともに第一のマイクロス
トリップ線路7を構成し、第二の誘電体基板3に形成さ
れた第二のストリップ導体4は共通の地導体板5ととも
に第二のマイクロストリップ線路8を構成している。
従来の多層マイクロス1−リップ線路の接続導体6を用
いた層間接続は上記のように構成されているので、入力
端9から第一のマイクロストリップ線路7を伝搬してき
た電波は、第一のストリップ導体2の先端に接続された
接続導体6に伝わり、地導体が共通である第二のマイク
ロストリップ線路8へ伝搬していく。ここで、線路を伝
わる電流に着目する。第一のマイクロストリップ線路7
゜第二のマイクロス1−リップ線路8の地導体は共通の
地導体板5を用いているため、地導体に流れる電流に不
連続部がなく、電流は大きな反射を生じることなく第一
のマイクロストリップ線路7から第二のマイクロストリ
ップ線路8へと流れていく。また、第一のマイクロスト
リップ線路7.第二のマイクロストリップ線路8の第−
及び第二のストリップ導体2,4を流れる電流は、これ
ら第−及び第二のストリップ導体2,4が接続導体6に
より接続されているため大きな反射を生じることなく、
第一のマイクロス1−リップ線路7から第二のマイクロ
ストリップ線路8へと流れていく。
このようにして第一のマイクロストリップ線路7から第
二のマイクロストリップ線路8へ伝搬してきた電波は大
きな反射を受けることなく出力端10へ現れる。
[発明が解決しようとする課題] 従来の多層マイクロストリップ線路は以上のように構成
され、N間接績のためには各層のストリップ導体間を接
続導体を用いて機械的に接続する必要があるため、スル
ーホールあるいは半田付は等の手段を用いる必要があり
、層間接続箇所が多い場合、工数の増加、信頼性の低下
などの問題が生じる。また、層間の接続手順を考慮に入
れて各層の回路構成9組み立て手順を決める必要があり
、回路構成に制約が生じるなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各層のストリップ導体間に接続導体を用いる
ことなく層間接続を行うことを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る多層マイクロストリップ線路は、層間接
続する各ストリップ導体の一端同志を対向させ、この対
向部分に対応して地導体板に各ストリップ導体と交差す
る細隙を形成するとともに、この細隙から各ストリップ
導体の一端までの長さを所定値に設定して開放端とする
か、又は各ストリップ導体の一端側と細隙の近傍とを短
絡導体で接続して短絡端とすることにより層間接続した
ものである。
[作用] この発明における多層マイクロストリップ線路は、層間
で共有している地導体板に細隙を設け、この細隙を介し
て層間の線路を電気的に接続するようにしたので、地導
体板に設けた細隙の幅や長さを適切な値に設定すること
により、マイクロストリップ線路を伝搬する電波と上記
細隙を結合させることができ、この細隙を介して各層の
マイクロストリップ線路間を電波が伝搬可能となる。
[発明の実施例] 以下、この発明の実施例を図について説明する。なお、
本願においては、線路を構成する基板として、モノリシ
ック・マイクロウェーブ・インテグレーテッド・サーキ
ット(MMIC)に用いるGaAs、 Si等の半導体
基板あるいはマイクロウェーブ・インテグレーテッド・
サーキット(MIC)に用いる誘電体基板が対象となる
第1図は一実施例を示す構成図で、同図(a)は平面図
、う)はそのAA’断面図であり、前記従来例と同一、
又は相当部分には同ブ符号を用いてその説明は省略する
。図において、11は共通の地導体板5に形成された細
隙、12は第一のストリップ導体2の一端を構成してい
る第一の開放スタブ、13は第二のストリップ導体4の
一端を構成している第二の開放スタブであり、上記第一
の開放スタブ12と第二の開放スタブ13は対向するよ
うに配置されており、細隙11は上記対向部分aに対応
して地導体板5に各ストリップ導体2.4と交差するよ
うに形成されている。これら第一の開放スタブ12.第
二の開放スタブ13の長さを細隙11からそれぞれの線
路の開放端までの距離で規定すると、それぞれ概略1/
4波長の長さであるが、細隙11の形状により、あるい
は該開放スタブの長さをインピーダンス整合を兼ねた長
さに設定する場合は174波長から異なった長さになる
この構成による多層マイクロストリップ線路では、入力
端9から第一のマイクロストリップ線路7を伝搬してき
た電波は第一のストリップ導体2の先端が第一の開放ス
タブ12となって開放端のため、この開放端から概略1
/4波長の位置において第一のストリップ導体2を取り
巻く磁界が強くなり、細隙11の幅、長さを適切に設定
することにより、有効に細隙11と結合する。この細隙
11と結合した電波は、更に、先端が第2の開放スタブ
13となって開放端となり、かつ、この開放端から概略
1/4波長の位置において細隙11と交差するように配
置されている第二のマイクロストリップ線路8に上記と
同様の理由により結合し、出力端10に現れる。
以上は、マイクロストリップ線路の先端を開放端とし、
概略1/4波長の位置において磁界が強くなり細隙11
を励振し易いことを利用していたが、第2図fa+、(
b)に示すように、細隙11近傍において第−及び第二
のストリップ導体2,4それぞれの先端を第一の短絡端
14.第二の短絡端15としてスルーホール等の短絡導
体16.17により共通の地導体板5と短絡する構成と
しても良い。この構成では短絡点近傍において磁界が強
くなり、開放端の場合と同様の効果が得られる。
また、この構成では第一の開放スタブ12.第二の開放
スタブ13が不要となり、基板上に配置する線路パター
ンの占有面積の削減を図ることができる。
このように、この発明による多層マイクロスl−リップ
線路では各層のマイクロス1〜リツプ線路を伝搬する電
波が有効に細隙11に結合し、層間の接続が接続用の導
体なしに可能となる。
なお、上記実施例では、第一の開放スタブ12、第2の
開放スタブ13の形状は線路幅が第−及び第二のストリ
ップ導体2,4と同一の場合を示したが、これに限らず
、第3図に示す平面図のように第一の開放スタブ12.
第二の開放スタブ]−3の線路幅を第−及び第二のスト
リップ導体2.4と異なる幅にして動作する周波数帯域
の拡大を図っても良い。また、第一の開放スタブ12及
び第2の開放スタブ13の形状は第4図に示す平面図の
ように扇形にしても良い。更に、上記実施例では、第一
の開放スタブ12.第二の開放スタブ13の位置が細隙
11に対して反対側にある場合について示したが、これ
に限らず、第5図+8+、(blに・F面図及びそのA
A’断面図を示すように第一の開放スタブ12.第二の
開放スタブ13を細隙11に対して同じ側に配置しても
良い。
また、上記実施例では、細隙11の形状として長方形の
場合を示したが、これに限らず、第6図、第7図に平面
図で示すように楕円形やダンベル状の形状としても良い
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、層間で共有する地導
体板に電磁結合用の細隙を設けたので、各層のマイクロ
ス1−リップ線路を伝搬する電波が有効に細隙に結合し
、層間の接続が接続用の導体を用いなくとも可能となり
、従来の不具合が解消される効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(al、 (b)はこの発明の一実施例による多
層マイクロストリップ線路の構成を示す平面図と断面図
、第2図叫−→〜第7図は他の実施例を示す平面図ない
し断面図、第8図(al、 (blは従来の多層マイク
ロストリップ線路の構成を示す平面図と断面図である。 ■、3は第一、第二の誘電体基板、2,4は第、第二の
ストリップ導体、5は地導体板、7゜8は第一、第二の
マイクロストリップ線路、11は細隙、12.13は第
一、第二の開放スタブ、14.15は第一、第二の短絡
端、16.17は短絡導体、aは対向部分。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  地導体板と、この地導体板の両面側にストリップ導体
    を設けた多層マイクロストリップ線路において、 各ストリップ導体の一端同志を対向させ、この対向部分
    に対応して地導体板に各ストリップ導体と交差する細隙
    を形成するとともに、この細隙から各ストリップ導体の
    一端までの長さを所定値に設定して開放端とするか,又
    は各ストリップ導体の一端側と細隙の近傍とを短絡導体
    で接続して短絡端とすることにより層間接続したことを
    特徴とする多層マイクロストリップ線路。
JP1266578A 1989-10-14 1989-10-14 多層マイクロストリップ線路 Pending JPH03129903A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1266578A JPH03129903A (ja) 1989-10-14 1989-10-14 多層マイクロストリップ線路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1266578A JPH03129903A (ja) 1989-10-14 1989-10-14 多層マイクロストリップ線路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03129903A true JPH03129903A (ja) 1991-06-03

Family

ID=17432757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1266578A Pending JPH03129903A (ja) 1989-10-14 1989-10-14 多層マイクロストリップ線路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03129903A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6597902B1 (en) 1999-06-29 2003-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Radio-frequency circuit module
WO2011078061A1 (ja) 2009-12-22 2011-06-30 京セラ株式会社 線路変換構造およびそれを用いたアンテナ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54131851A (en) * 1978-04-04 1979-10-13 Mitsubishi Electric Corp Multi-layer transmission line assembly
JPH01252002A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk マイクロストリップアンテナ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54131851A (en) * 1978-04-04 1979-10-13 Mitsubishi Electric Corp Multi-layer transmission line assembly
JPH01252002A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk マイクロストリップアンテナ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6597902B1 (en) 1999-06-29 2003-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Radio-frequency circuit module
WO2011078061A1 (ja) 2009-12-22 2011-06-30 京セラ株式会社 線路変換構造およびそれを用いたアンテナ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4821007A (en) Strip line circuit component and method of manufacture
US4636753A (en) General technique for the integration of MIC/MMIC'S with waveguides
US4882553A (en) Microwave balun
JPS6035804A (ja) サスペンデツトマイクロストリツプ回路
JP2000510299A (ja) コプレーナ導波路結合器
JP3045074B2 (ja) 誘電体線路、電圧制御発振器、ミキサーおよび回路モジュール
JP3067675B2 (ja) 平面誘電体集積回路
US3530407A (en) Broadband microstrip hybrid tee
JP3678194B2 (ja) 伝送線路および送受信装置
JP3155901B2 (ja) 高周波基板装置
JP3119191B2 (ja) 平面誘電体集積回路
JPH03129903A (ja) 多層マイクロストリップ線路
JPH03129902A (ja) 多層ストリップ線路
JPH01300701A (ja) コプラナー型アンテナ
JPS60153603A (ja) 共平面回路
JPH06291524A (ja) 高周波用結合器およびその設計方法
JP2000174515A (ja) コプレーナウェーブガイド−導波管変換装置
JPS6346801A (ja) 超高周波信号分配回路
JP2781557B2 (ja) マイクロ波集積回路用受動回路装置
JPS644362B2 (ja)
KR960010010B1 (ko) 레인지 커플러
JP2619097B2 (ja) 結合器
JP2000244209A (ja) 高周波用半導体装置
KR20010112034A (ko) 도파관-마이크로스트립 변환 구조를 이용한 전력 결합기
JP2023136491A (ja) 平面線路・導波管変換器