JP2000174515A - コプレーナウェーブガイド−導波管変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 広帯域で伝送損失が小さく、通過特性及び反
射特性の優れた変換装置を提供すること。 【解決手段】 変換装置は、スロット４０が形成された
管壁１２を有する導波管１０と、スロット４０を含む領
域上に接合された誘電体基板３１を備えたストリップ線
路型の変換部３０と、変換部３０に電気的に接続された
コプレーナウェーブガイド２０とを具備する。変換部３
０は、誘電体基板３１上に形成されたストリップ導体３
２と一対のグランド導体３３とを備えており、ストリッ
プ導体３２は信号伝送方向においてスロット４０の中心
を越えた位置まで延び、一対のグランド導体３３はスロ
ットの直下で途切れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、主としてマイク
ロ波、ミリ波等の高周波帯で使用する回路基板に用いら
れる、コプレーナウェーブガイドと導波管との間を特性
の劣化なく結合するための線路変換装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マイクロ波やミリ波等の高周波信号を伝
送する手段として、導波管、マイクロストリップ線路、
コプレーナウェーブガイド、ストリップ線路等が知られ
ている。導波管は伝送損失が小さい反面、形状が大き
く、製造の難しさに起因して複雑な回路に用いることは
困難である。一方、マイクロストリップ線路は製造が容
易であり、比較的集積化が進んでいる。したがって、高
周波帯においては、主として半導体回路部等において、
マイクロストリップ線路が用いられ、その回路に電力を
供給するのに導波管が用いられることが多い。そこで、
マイクロストリップ線路と導波管とを結合するための線
路変換装置について多くの提案がなされている。

【０００３】しかしながら、マイクロストリップ線路
も、ミリ波のような高周波帯になると伝送信号の損失が
大きくなり、電磁エネルギーの空中への放射による損失
も無視できなくなるので、電磁エネルギーの空中への放
射を可能な限り防止することが必要である。そこで、マ
イクロストリップ線路の代わりにコプレーナウェーブガ
イドを用いると、伝送損失を低減することができるう
え、放射損失もかなり抑制することができる。しかも、
コプレーナウェーブガイドは、信号線路であるストリッ
プ導体とグランド導体とが同一面上にあるので、フリッ
プチップ実装が可能になるという利点がある。そのた
め、ミリ波のような高周波帯においては、ワイヤやリボ
ン等による接合方法に代わるものとして、コプレーナウ
ェーブガイドは半導体チップとの間の低損失で反射が抑
制された接合のために必要不可欠なものになってきた。

【０００４】従来、伝送線路どおしを平面的に接続する
場合、導体スルーホールによる方法が用いられてきた
が、伝送信号の周波数がマイクロ波以上の高周波になっ
てくると、導体スルーホール固有の抵抗やインダクタン
スの影響が大きくなり、伝送線路の接続個所での損失が
増し、伝送特性の劣化が生じるという課題があった。そ
こで、マイクロストリップ線路どおしの結合、マイクロ
ストリップ線路とコプレーナウェーブガイドとの結合、
マイクロストリップ線路と導波管との結合等の高周波信
号を伝送する線路間の接続においては、スロットによる
電磁界結合を利用する方法が採用されてきている。しか
しながら、こうしたスロットによる電磁界結合はスロッ
トの共振現象を利用するため、伝送信号の周波数帯域が
極めて狭いという課題がある。コプレーナウェーブガイ
ドに関しては、他の伝送線路と結合させる必要があると
はいえ、有効な手段が提案されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、従来の技
術に内在する上記の課題を解決するために提案されたも
のであり、この発明は、反射、放射及び伝送損失が小さ
く、伝送信号の周波数帯域が広いコプレーナウェーブガ
イド−導波管変換装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の請求項１記載の発明は、少なくとも１
個のスロットが形成された管壁を有する導波管と、前記
管壁の前記スロットを含む領域上に接合された第１の誘
電体基板を備えたストリップ線路型の変換部と、前記変
換部に電気的に接続されたコプレーナウェーブガイド
と、を具備し、前記スロットを介して前記変換部と前記
導波管とを電磁界結合させてなることを特徴とするコプ
レーナウェーブガイド−導波管変換装置、を提供する。

【０００７】前記コプレーナウェーブガイドは、第１の
ストリップ導体と第１の一対のグランド導体とを備えて
おり、これに対応して、前記変換部は、前記第１の誘電
体基板上に形成された第２のストリップ導体と第２の一
対のグランド導体とを備えている。前記第２のストリッ
プ導体は前記第１のストリップ導体と電気的に接続さ
れ、前記第２の一対のグランド導体は前記第１の一対の
グランド導体と電気的に接続される。こうして、コプレ
ーナウェーブガイドと変換部とは電気的に接続される。
しかも、前記第２のストリップ導体は信号伝送方向にお
いて前記スロットの中心を越えた位置まで延びており、
前記第２の一対のグランド導体は前記コプレーナウェー
ブガイドに最も近くに位置するスロットの直下で途切れ
ている。

【０００８】前記変換部は、前記第２のストリップ導体
と前記第２の一対のグランド導体とを挟むように前記第
１の誘電体基板上に積層された第２の誘電体基板と、前
記第２の誘電体基板上に形成されたグランド電極とを更
に備えている。この場合、前記スロットの信号伝送方向
に沿う辺に平行に且つ該スロットの両側に、前記管壁と
前記グランド電極との間を電気的に接続する導体壁を設
けると、変換部からの信号の放射が低減される。

【０００９】前記第２の一対のグランド導体は、前記コ
プレーナウェーブガイドに最も近くに位置するスロット
の中央よりも前記コプレーナウェーブガイド側で途切れ
ていることが好ましい。これにより、スロットと変換部
との電磁界結合が効率良く行われる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態の構成と動作について詳細に説明す
る。なお、全図を通じて、同一の参照符号、数字は同じ
又は同様の構成要素を指すものとする。

【００１１】図１は、この発明に係るコプレーナウェー
ブカイド−導波管変換装置の第１の実施の形態の構成を
概略的に示す横断面図であり、図２の（ａ）、（ｂ）及
び（ｃ）は図１の線Ａ−Ａ′、Ｂ−Ｂ′及びＣ−Ｃ′に
沿う断面図である。図１及び図２において、コプレーナ
ウェーブカイド２０は変換部３０を介して導波管１０と
結合される。説明の都合上、信号は図１に向かって左か
ら右へと伝搬するものとする。

【００１２】導波管１０は、例えば、幅の広い管壁に垂
直な方向の電界が管軸の中央付近に集中して伝送される
矩形導波管であって、一端がバックショート１１によっ
て短絡され、幅の広い一対の管壁のうちの一方の管壁１
２には、コプレーナウェーブカイド３０の誘電体基板３
１が積層されている。このため、一方の管壁１２はコプ
レーナウェーブカイド２０のためのグランド電極として
も作用する。以下、一方の管壁１２を第１のグランド電
極と呼ぶことにする。第１のグランド電極１２には、導
波管１０とコプレーナウェーブカイド２０の変換部３０
とを結合するためのスロット４０が形成される。導波管
１０の内部は空気のままでも、誘電体で充填されていて
もよい。

【００１３】バックショート１１は、スロット４０にお
ける電磁界結合が最も強くなる位置に設置されればよい
が、スロット４０とバックショート１１との距離は、必
ずしも導波管１０の管内波長の４分の１である必要はな
い。また、スロット４０の信号伝搬方向の幅は、コプレ
ーナウェーブカイド２０の変換部３０における信号波長
の６分の１以上で２分の１以下であることが好ましい。
これは、信号波長の６分の１以下であるとスロット４０
を通過する信号が狭帯域になってしまい、信号波長の２
分の１以上になるとスロット４０での電磁界結合が弱ま
るうえ、高調波によるリップルの発生により通過信号の
伝送損失が大きくなるからである。

【００１４】コプレーナウェーブカイド２０は、周知の
とおり、伝送損失が小さく、回路パターンの形成が容易
なものであり、誘電体基板２１の一方の面上にストリッ
プ導体２２と該ストリップ導体を挟むようにギャップを
置いて一対のグランド導体２３とを形成したもので、電
界はストリップ導体２２と一対のグランド導体２３との
間のギャップに集中して伝送される。

【００１５】コプレーナウェーブカイド２０の導波管１
０と結合される部分は変換部３０として構成されてお
り、コプレーナウェーブカイド２０と電気的且つ機械的
に連続している。即ち、誘電体基板２１の一端に接合さ
れた第１の誘電体基板３１の面上に、コプレーナウェー
ブカイド２０のストリップ導体２２及び一対のグランド
導体２３と連続し且つそれらの導体と電気的接続される
ように、ストリップ導体３２及び一対のグランド導体３
３を形成し、その上に、第２の誘電体基板３４を積層
し、更に、その外側の面に第２のグランド電極３５を形
成したストリップ線路の構造をしている。変換部３０に
おけるストリップ導体３２と一対のグランド導体３３と
の間のギャップの幅を、コプレーナウェーブカイド２０
におけるストリップ導体２２と一対のグランド導体２３
との間のギャップの幅よりも大きくすると、コプレーナ
ウェーブカイド２０と変換部３０とのインピーダンスを
等しくすることが可能である。

【００１６】第１の誘電体基板３１、第２の誘電体基板
３４及び第２のグランド電極３５の信号伝搬方向の長さ
は任意でよいが、変換部３０の信号伝搬方向の長さが大
きくなると誘電体損や導体損が増加するので、変換部３
０の長さは短い方が好ましい。実際には、信号伝搬方向
においてストリップ導体３２の先端から信号波長の２分
の１までの部分が変換部として動作するものと考えられ
る。ただし、変換部３０における一対のグランド導体３
３、即ち、第１と第２の誘電体基板３１、３４によって
挟まれた導体部分の長さは、変換部３０を伝搬する信号
の波長の４分の１以上とすると変換効率を向上させるこ
とができるので好ましい。

【００１７】図２の（ｃ）に示すとおり、変換部３０の
ストリップ導体３２の開放端は、スロット４０での電磁
界結合が最大になるよう、スロット４０の中心を越えて
伝送信号の伝搬方向に所定の距離だけ延長されるが、一
対のグランド導体３３はスロット４０の直下で途切れて
いる。このように、一対のグランド導体３３をスロット
４０の直下で途切れさせると、電界は、この途切れた個
所よりも紙面左側では、ストリップ導体３２と一対のグ
ランド導体３３との間のギャップ間に主に集中する。そ
のため、スロット４０の紙面左側の半分を越えて一対の
グランド導体３３が存在すると、スロット４０で十分な
電磁界結合ができず、有効な変換を行うことはできない
ことになるので、一対のグランド導体３３は、スロット
４０の紙面左側の半分を越えることがないように形成さ
れる。

【００１８】前記のとおり、コプレーナウェーブカイド
２０では、ストリップ導体２２と一対のグランド導体２
３との間のギャップに、ストリップ導体２２とグランド
導体２３とを結ぶ方向に電界が集中して伝送され、一
方、導波管１０においては、信号は幅広の管壁に垂直な
方向に且つ管軸の中央付近に集中して伝送される。した
がって、コプレーナウェーブカイド２０と導波管１０と
を結合する場合、コプレーナウェーブカイド２０のスト
リップ導体２２とグランド導体２３との間のギャップに
集中している電界を弱め、即ち、ストリップ導体２２近
傍に集中している電界を弱め、導波管１０との結合個所
であるスロット４０に磁界を集中させる必要がある。そ
のためには、コプレーナウェーブカイド２０のストリッ
プ導体２２とグランド導体２３とのギャップを広くして
電界を小さくするのが１つの方法であるが、この場合に
は、インピーダンスが変化して反射が生じたり、電波が
空中へ放射されたりし、スロット４０での有効な電磁界
結合が行われない。

【００１９】そこで、（１）第１の誘電体基板３１の面
上にストリップ導体３２と一対のグランド導体３３と
を、ストリップ導体３２がスロット４０から所定距離だ
け延長され、一対のグランド導体３３がスロット４０の
中央付近で途切れるように形成し、（２）ストリップ導
体３２と一対のグランド導体３３との上に第２の誘電体
基板３４を接合し、（３）第２の誘電体基板３４の上に
第２のグランド電極３５を形成して変換部３０を作製
し、（４）作製された変換部３０の第１の誘電体基板３
１を誘電体基板２１の一端に接合し、ストリップ導体２
２とストリップ導体３２との間、及び、グランド導体２
３とグランド導体３３との間を電気的に接続し、変換部
３０の誘電体基板３１を導波管１０の一方の管壁に積層
する。

【００２０】このような構成を採用することにより、コ
プレーナウェーブカイド２０のギャップに集中していた
電界は、一対のグランド導体３３の直上にあるスロット
４０と効率良く電磁界結合して導波管１０へ伝達され
る。

【００２１】図３の（ａ）は、この発明に係るコプレー
ナウェーブカイド−導波管変換装置の第２の実施の形態
の構成を概略的に示す図であり、同（ｂ）は線Ｄ−Ｄ′
に沿う断面図である。この実施の形態においては、変換
部３０において、第１のグランド電極１２と第２のグラ
ンド電極３５との間は、一対のグランド導体３３をそれ
ぞれ垂直に貫通し且つそれと電気的に接続された第１及
び第２の導体３６ａ、３６ｂによって電気的に短絡され
る。この場合、第１の導体３６ａと第２の導体３６ｂと
の間隔は、スロット４０と重なり合わないよう、スロッ
ト４０の信号伝送方向に垂直な方向の長さよりも大きい
ことが必要である。

【００２２】導体３６の代わりに、図４の（ａ）に示す
ように、第１のグランド電極１２と第２のグランド電極
３５とを電気的に接続するスルーホール導体の列を用い
ることができる。この場合も、第１のスルーホール導体
列３７ａと第２のスルーホール導体列３７ｂとの間の間
隔は、スロット４０の信号伝送方向に垂直な方向の長さ
よりも大きくなければならない。なお、第１のスルーホ
ール導体列３７ａと第２のスルーホール導体列３７ｂと
の間隔は、一対のグランド導体３３が形成されている部
分と形成されていない部分とで異なっていてもよく（図
４の（ｂ）の場合）、ストリップ導体３２が形成されて
いない部分にはスルーホール導体を設置しなくてもよい
し（図４の（ｃ）の場合）、第１のスルーホール導体列
３７ａと第２のスルーホール導体列３７ｂとの間隔を一
対のグランド導体３３が形成されている部分から異なら
せてもよい（図４の（ｄ）の場合）。

【００２３】変換部３０におけるストリップ導体３２と
それぞれの導体３６ａ、３６ｂとの距離、及び、ストリ
ップ導体３２とそれぞれのスルーホール導体列３７ａ、
３７ｂとの距離は、ストリップ導体３２と第１又は第２
のグランド電極１２、３５との距離よりも大きいことが
必要である。これは、ストリップ導体３２とそれぞれの
導体３６ａ、３６ｂとの間やストリップ導体３２とそれ
ぞれのスルーホール導体列３７ａ、３７ｂとの間に電界
が集中するのを回避するためである。

【００２４】図５は、スロットの周囲をキャビティ構造
とした、この発明に係るコプレーナウェーブガイド−導
波管変換装置の第３の実施の形態の構成を概略的に示す
図で、（ａ）は横断面図、（ｂ）は線Ｅ−Ｅ´に沿う断
面図である。図に示すとおり、スロット４０の周囲は、
第１のグランド電極１２と第２のグランド電極３５との
間を電気的に接続するスルーホール導体３８によって取
り囲まれ、キャビティ構造が作られている。これまで説
明してきたように変換部３０の一対のグランド導体３３
がスロット４０の中心近傍で途切れると、その途切れた
個所で電界の伝搬形態が大きく変化し、特にスロット４
０の近傍では電界が大きく乱れてしまい、信号の反射や
放射が起こり易くなる。これを防止するために、スロッ
ト４０の周囲を取り囲むように、第１のグランド電極１
２と第２のグランド電極３５との間をスルーホール導体
３８で接続して一種のキャビティ構造を作る。これによ
り、コプレーナウェーブガイド２０を伝搬してきた高周
波信号はスロット４０で導波管１０と効率良く電磁界結
合することができるうえ、信号が変換部２０から外部へ
放射されるのを防止して伝送損失を低減することができ
る。

【００２５】このようなスルーホール導体３８は、コプ
レーナウェーブガイド２０の誘電体基板２１がセラミッ
クスのような硬質の材料である場合でも、グリーシート
の段階で通常の積層プロセスでのスルーホール形成で容
易に製造することができる。なお、スルーホール導体３
８の代わりに、スロット４０の周囲を囲み且つ第１のグ
ランド電極１２と第２のグランド電極３５とを電気的に
接続する壁状の導体を用いてもよい。

【００２６】以上、この発明の若干の実施の形態につい
て詳細に説明してきたが、この発明はこれらの実施の形
態に限定されるものではなく、種々の変形、修正が可能
である。例えば、図１において、第１のグランド電極１
２をコプレーナウェーブガイド２０の方まで延長し、コ
プレーナウェーブガイド２０をグランデッド・コプレー
ナウェーブガイド構造としてもよい。また、ストリップ
導体３２の端部は開放端ではなく、その先端を第１及び
第２のグランド電極１２、３５のいずれかとどう導通さ
せて短絡端としてもよい。あるいは、導波管１０を、誘
電体基板の対向する２つの面上に導体層を形成し、これ
らの導体層の間を別の導体層で電気的に接続した、いわ
ゆる誘電体導波管の構造とすることにより、コプレーナ
ウェーブガイド２０の変換部３０との積層が容易にな
る。更に、電磁界結合のためのスロットの数は１個に限
られるものではなく、第１のグランド電極１２に２個以
上のスロットを形成するようにしてもよく、それぞれの
スロットのサイズは同じであっても、異なってもよい。
スロットの数を２個以上とすることにより、電磁界結合
個所が増加するので、スロットが１個のときに比べて、
信号が通過し易くなる。その代わり、スロットを通過し
得る信号の周波数帯域が狭くなる可能性があるが、変換
部３０の一対のグランド導体３３を最もコプレーナウェ
ーブガイド２０に近いスロットの中央よりもコプレーナ
ウェーブガイド寄りの位置で途切れさせることにより、
及び、各スロットの信号伝送方向における長さを変換部
３０における信号波長の６分の１以上に設定することに
より、周波数帯域が狭くなるという問題は解消される。

【００２７】

【実施例】図６の（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、この発
明に係るコプレーナウェーブガイド−導波管変換装置の
一実施例の通過特性と反射特性をシミュレートした結果
を示すグラフである。この実施例における各部のサイズ
は下記のとおりであって、第１のグランド電極に２個の
スロットが形成され、図５に示すように、これらのスロ
ットを直径０．２４ｍｍのスルーホール導体で取り囲む
ようにした構造である。シミュレーションは、コプレー
ナウェーブガイドの一端を信号入力端とし、導波管の開
口端を信号出力端として行った。なお、以下の記載にお
いて、「右側スロット」とは、信号の伝送方向において
コプレーナウェーブガイド２０から遠い方のスロット
を、「左側スロット」は信号の伝送方向においてコプレ
ーナウェーブガイド２０から近い方のスロットを指す。
また、コプレーナウェーブガイドはグランデッド・コプ
レーナウェーブガイド構造とした。

【００２８】 コプレーナウェーブガイド： 誘電体基板の比誘電率 ７．５ 誘電体基板の厚さ ０．３ｍｍ ストリップ導体の幅 ０．１４ｍｍ ストリップ導体とグランド導体との間のギャップの幅 ０．０６ｍｍ 長さ ０．８ｍｍ 変換部： 誘電体基板の比誘電率 ７．５ 誘電体基板の厚さ ０．６ｍｍ ストリップ導体の幅 ０．１４ｍｍ グランド導体の長さ ０．５６ｍｍ ストリップ導体とグランド導体との間のギャップの幅 ０．０６ｍｍ コプレーナウェーブガイドと変換部との接続個所から右側スロットの中央ま での距離 １．４４ｍｍ 右側スロットの中央とストリップ導体の開放端との距離 ０．１８ｍｍ ストリップ導体を挟むスルーホール導体間の距離 一対のグランド導体がある部分 ０．７２ｍｍ 一対のグランド導体のない部分 １．８ｍｍ 信号の伝送方向におけるストリップ導体の開放端とスルーホール導体との距 離 ０．８３ｍｍ 導波管： 誘電体基板の比誘電率 ３．５ 高さ ０．７８ｍｍ 幅 １．８ｍｍ 開口端と右側スロットの中央との距離 １．６２ｍｍ バックショートと左側スロットの中央との距離 ０．７ｍｍ スロット： 数 ２ 信号伝送方向の幅 ０．５２ｍｍ 信号伝送方向に垂直な方向の長さ １．２ｍｍ ２個のスロットの中心間の距離 ０．７８ｍｍ。

【００２９】図６の（ａ）の通過特性のグラフは、７０
ＧＨｚから８０ＧＨｚまでにわたる広い周波数帯域にお
いて−０．３ｄＢ以上の極めて良好な結果が得られたこ
とを示している。また、図６の（ｂ）において、Ｓ１１
は前記信号入力端での反射特性、Ｓ２２は前記信号出力
端での反射特性を示すグラフであり、これらのグラフか
ら、７０〜８０ＧＨｚの周波数帯域においてＳ１１は−
２０ｄＢ以下、Ｓ２２は−１５ｄＢ以下の優れた反射特
性を示していることがわかる。

【００３０】

【発明の効果】以上、実施の形態を参照しながら、この
発明を詳細に説明したとおり、この発明は、コプレーナ
ウェーブガイドと電気的に接続されたストリップ線路型
の変換部をスロットを介して導波管と電磁界結合させる
ようにしたので、コプレーナウェーブガイドと導波管と
を効率良く結合することができるという格別の効果を奏
する。

【００３１】しかも、変換部の一対のグランド導体をス
ロットの直下で途切れさせるようにしたので、コプレー
ナウェーブガイドと導波管との間の伝送損失を低減し、
変換部における信号の反射や放射を小さくすることがで
きるばかりでなく、広い周波数帯域にわたる信号を結合
させることが可能であり、高い変換効率を達成すること
ができる。スロットを２個以上設けることにより、信号
の反射、放射や伝送損失を更に低減させ、信号の通過帯
域を広げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るコプレーナウェーブガイド−導
波管変換装置の第１の実施の形態の構成を概略的に示す
横断面図である。

【図２】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、図１の
線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´、Ｃ−Ｃ´に沿う断面図である。

【図３】（ａ）は、この発明に係るコプレーナウェーブ
ガイド−導波管変換装置の第２の実施の形態の構成を概
略的に示す横断面図、（ｂ）は線Ｄ−Ｄ´に沿う断面図
である。

【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）はそれぞ
れ、図３に示す第２の実施の形態の変形例を示す断面図
である。

【図５】（ａ）は、この発明に係るコプレーナウェーブ
ガイド−導波管変換装置の第３の実施の形態の構成を概
略的に示す横断面図、（ｂ）は線Ｅ−Ｅ´に沿う断面図
である。

【図６】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、この発明に係る
コプレーナウェーブガイド−導波管変換装置の一実施例
の通過特性と反射特性とを示すグラフである。

【符号の説明】

１０：導波管、 １１：バックショート、 １２：一方
の管壁（第１のグランド電極）、 ２０：コプレーナウ
ェーブガイド、 ２１：誘電体基板、 ２２：ストリッ
プ導体、 ２３：一対のグランド導体、 ３０：変換
部、 ３１：誘電体基板、 ３２：ストリップ導体、
３３：一対のグランド導体、 ３４：誘電体基板、 ３
５：第２のグランド電極、 ３６ａ、３６ｂ：導体、
３７ａ、３７ｂ：スルーホール導体列、 ３８：スルー
ホール導体、 ４０：スロット、

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１個のスロットが形成された
   管壁を有する導波管と、 前記管壁の前記スロットを含む領域上に接合された第１
   の誘電体基板を備えたストリップ線路型の変換部と、 前記変換部に電気的に接続されたコプレーナウェーブガ
   イドと、を具備し、前記スロットを介して前記変換部と
   前記導波管とを電磁界結合させてなることを特徴とする
   コプレーナウェーブガイド−導波管変換装置。
2. 【請求項２】 前記コプレーナウェーブガイドが第１の
   ストリップ導体と第１の一対のグランド導体とを備えて
   おり、 前記変換部が、前記第１の誘電体基板上に形成された第
   ２のストリップ導体と第２の一対のグランド導体とを備
   えており、前記第２のストリップ導体は前記第１のスト
   リップ導体と電気的に接続され、前記第２の一対のグラ
   ンド導体は前記第１の一対のグランド導体と電気的に接
   続されており、 前記第２のストリップ導体は信号伝送方向において前記
   スロットの中心を越えた位置まで延びており、 前記第２の一対のグランド導体が前記コプレーナウェー
   ブガイドに最も近くに位置するスロットの直下で途切れ
   ていることを特徴とする、請求項１記載のコプレーナウ
   ェーブガイド−導波管変換装置。
3. 【請求項３】 前記変換部が、前記第２のストリップ導
   体と前記第２の一対のグランド導体とを挟むように前記
   第１の誘電体基板上に積層された第２の誘電体基板と、
   前記第２の誘電体基板上に形成されたグランド電極とを
   更に備えていることを特徴とする、請求項２記載のコプ
   レーナウェーブガイド−導波管変換装置。
4. 【請求項４】 前記スロットの信号伝送方向に沿う辺に
   平行に且つ該スロットの両側に、前記管壁と前記グラン
   ド電極との間を電気的に接続する導体壁を設けたことを
   特徴とする、請求項３記載のコプレーナウェーブガイド
   −導波管変換装置。
5. 【請求項５】 前記第２の一対のグランド導体が、前記
   コプレーナウェーブガイドに最も近くに位置するスロッ
   トの中央よりも前記コプレーナウェーブガイド側で途切
   れていることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１
   つに記載のコプレーナウェーブガイド−導波管変換装
   置。