JP2002111328A

JP2002111328A - 電力分配合成器

Info

Publication number: JP2002111328A
Application number: JP2000297220A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Murakami; 康村上
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-09-28
Filing date: 2000-09-28
Publication date: 2002-04-12

Abstract

(57)【要約】【課題】多層間接続が可能で、かつ、回路の簡素化を
図ることができる電力分配合成器を実現する。【解決手段】対向するように配置された第１および第
２の誘電体基板１０，２０と、第１および第２の誘電体
基板１０，２０に挟まれた接地導体板２２と、接地導体
板２２上に形成された開口部である結合用スロット１８
と、第１の誘電体基板１０の上部に配置された第１の高
周波伝送線路１２と、第２の誘電体基板２０の上部に配
置された第２および第３の高周波伝送線路１４，１６
と、から構成された電力分配合成器である。第１、第２
および第３の高周波伝送線路１２，１４，１６は、結合
用スロット１８と直交するように配置され、結合用スロ
ット１８を介して電力が分配または合成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯から
ミリ波帯領域の電力分配器あるいは電力合成器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】マイクロ波帯からミリ波帯領域で利用さ
れる電力分配合成器としては、たとえば、図１２（ａ）
に示すＴ分岐回路や、図１２（ｂ）に示すウィルキンソ
ン型の電力分配合成器が知られている。このような電力
分配合成器において、誘電体基板１００の表面に配置さ
れた第１の高周波伝送線路１０２からの信号を、誘電体
基板１００の裏面に配置された第２および第３の高周波
伝送線路（図示しない）に分配するためには、誘電体基
板１００の表面と裏面とを接続する接続手段が必要であ
る。この接続手段としては、たとえば、誘電体基板１０
０の内部にスルーホールを形成する方法や、特開平３−
１２９９０３号公報に記載されたスロット結合、等が挙
げられる。そして、まず、それらの手法によって、第２
および第３の高周波伝送線路が配置された裏面に、表面
の第１の高周波伝送線路１０２を接続した上で、従来の
電力分配合成器を構成する。

【０００３】しかしながら、上記のような接続手段を用
いた場合、多層基板間を接続するための領域、上記の
スルーホールや、スロット結合のための領域と、電力
分配合成器を構成するための領域と、の両方を設ける必
要がある。このため、多層間接続を行わないものと比べ
て、回路規模が大きくなってしまうという問題が生じて
しまう。さらに、その回路規模の増大により、特に、ミ
リ波帯等においては、伝送線路からの損失が大きくなる
という問題もある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題を解決するためになされたもので、回路の簡素化を
図り、特に、ミリ波帯で回路規模を小さくすることがで
きる電力分配合成器を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、図１に例示するように、対向するように
配置された第１および第２の誘電体基板１０，２０と、
第１および第２の誘電体基板１０，２０それぞれの対向
面の一部と直接接触して配置された地導体（接地導体
板）２２と、接地導体板２２上に形成された開口部（結
合用スロット）１８と、第１の誘電体基板１０の対向面
と逆の面の上部に配置された第１の高周波伝送線路１２
と、第１および第２の誘電体基板１０，２０の対向面と
逆の面のうちのいずれかの上部に配置された第２および
第３の高周波伝送線路１４，１６と、を備えた電力分配
合成器であって、第１、第２および第３の高周波伝送線
路１２，１４，１６は、結合用スロット１８と少なくと
も交差するように配置されることを特徴とする。

【０００６】本発明によれば、たとえば、第１の高周波
伝送線路１２に供給された電力は、結合用スロット１８
上の電界を励振させる。そして、その電界によって、今
度は、第２および第３の高周波伝送線路１４，１６を励
振させることになる。この現象によって、第１の高周波
伝送線路１２に供給された電力は、結合用スロット１８
を介して、第２および第３の高周波伝送線路１４，１６
の分配されることになる。第２および第３の高周波伝送
線路１４，１６それぞれの、結合用スロット１８に対す
る相対的な位置関係、特性インピーダンス、開放端の長
さ、等の調節によって、第１の高周波伝送線路１２から
結合用スロット１８を見た特性インピーダンスを調節で
きる。このため、第１、第２および第３の高周波伝送路
すべてを同一面上に配置した場合と同等の特性を持った
電力分配合成器を実現できる。また、第２および第３の
高周波伝送線路１４，１６は、必ずしも同一面上に配置
される必要はない。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
または類似の部分には同一または類似の符号を付してい
る。

【０００８】（第１実施の形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る電力分配合成器の構成を示す図であ
り、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）をI-I方向か
ら見た断面図である。この第１の実施の形態に係る電力
分配合成器では、第１の誘電体基板１０の一方の面（以
下、「第１の主面」と呼ぶ。）の上部に第１の高周波伝
送線路１２が配置されている。この第１の高周波伝送線
路１２は、たとえば、マイクロストリップ線路によって
構成すれば良い。また、グラウンデッドコプレーナ線路
や、カップルドマイクロストリップ線路等であっても良
い。一方、第２の誘電体基板２０の一方の面（以下、
「第２の主面」と呼ぶ。）の上部には、第２および第３
の高周波伝送線路１４，１６が配置されている。この第
２および第３の高周波伝送線路１４，１６も第１の高周
波伝送線路１２と同様、マイクロストリップ線路や、グ
ラウンデッドコプレーナ線路、カップルドマイクロスト
リップ線路等によって構成されている。図１では、たと
えば、第１の主面上の第１の高周波伝送線路１２からの
電力が第２の主面上の第２および第３の高周波伝送線路
１４，１６に分配される、あるいは、第２および第３の
高周波伝送線路１４，１６からの電力が合成されて第１
の高周波伝送線路１２に供給されることになる。

【０００９】第１および第２の誘電体基板１０，２０
は、それぞれの他方の面どうしの接続によって、多層誘
電体基板を構成している。第１の誘電体基板１０と第２
の誘電体基板２０との間には、接地導体板２２が挟み込
まれている。そして、第１の誘電体基板１０、第２の誘
電体基板２０および接地導体板２２によって囲まれた、
矩形形状を有する開口部１８が形成されている。この開
口部１８は、第１の主面上に配置された第１の高周波伝
送線路１２と第２の主面上に配置された第２の高周波伝
送線路１４との間、および、第１の主面上に配置された
第１の高周波伝送線路１２と第２の主面上に配置された
第３の高周波伝送線路１６との間、それぞれを結合する
結合用スロットとなる。第１、第２および第３の高周波
伝送線路１２，１４，１６それぞれと結合用スロット１
８とは交差するように配置されている。より具体的に
は、第１の高周波伝送線路１２は、その中心軸と結合用
スロット１８の短軸とが一致するように配置され、第２
および第３の高周波伝送線路１４，１６は、結合用スロ
ット１８の短軸に対して線対称となる位置に配置され、
さらに、結合用スロット１８から各高周波伝送線路１
２，１４，１６の開放端までの距離（以下、「開放スタ
ブ長」と呼ぶ。）Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が所定の長さを有し
ている。

【００１０】次に、本発明の第１の実施の形態の動作に
ついて説明する。たとえば、給電端子Ｔ１から第１の高
周波伝送線路１２に供給された高周波電力は、第１の高
周波伝送線路１２と交差する結合用スロット１８上の電
界を励振させる。この電界は、第１の高周波伝送線路１
２が結合用スロット１８の短軸方向の中心線に沿って形
成され、第１の高周波伝送線路１２の開放スタブ長Ｌ１
が動作周波数のλｇ／４（λｇ：線路内波長、管内波長
ともいう）となった時に最大となる。この結合用スロッ
ト１８上で励振された電界は、今度は、第２の主面上に
配置された第２および第３の高周波伝送線路１４，１６
を励振させることになる。この時、上述したように、第
２および第３の高周波伝送線路１４，１６が結合用スロ
ット１８の短軸方向の中心線に対して線対称な位置にあ
ると、第２および第３の高周波伝送線路１４，１６に対
して均等に電力の分配が可能となる。さらに、第１、第
２および第３の高周波伝送線路１２，１４，１６の特性
インピーダンスおよび開放スタブ長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３そ
れぞれを最適な値に設定すれば、高周波伝送線路１２，
１４，１６でインピーダンス整合することができる。

【００１１】本発明者は、図１の本発明の第１の実施の
形態に係る電力分配合成器を試作し、各給電端子の反射
損失、挿入損失の周波数特性を測定した。試作した電力
分配合成器の各パラメータは、以下の通りである。

【００１２】

【数１】（ａ）誘電体基板１０，２０の比誘電率：２．
６０、厚さ：０．８ｍｍ（ｂ）高周波伝送線路１２，１４，１６：マイクロスト
リップ線路（ｃ）高周波伝送線路１２の幅：１ｍｍ（約５０Ω）（ｄ）高周波伝送線路幅１４，１６：０．６３ｍｍ（約
７０Ω）（ｅ）開放スタブ長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３：６．６ｍｍ（ｆ）高周波伝送線路１４，１６間の距離：６ｍｍ（ｇ）結合用スロット１８：１６ｍｍ×１ｍｍここで、第２および第３の高周波伝送線路１４，１６
は、結合用スロット１８付近での特性インピーダンスが
約７０Ωであり、その開放スタブ長Ｌ２，Ｌ３が約λｇ
／４である。また、第１の高周波伝送線路１２の特性イ
ンピーダンスが約５０Ωである。したがって、結合用ス
ロット１８直下から見た第２および第３の高周波伝送線
路１４，１６の特性インピーダンスは約１００Ωとな
る。

【００１３】図２に、図１の各給電端子Ｔ１〜Ｔ３それ
ぞれから見た電力分配合成器側の反射損失の周波数特性
を示す。図２からわかるように、給電端子Ｔ１から見た
反射損失（Ｓ１１）は測定した周波数範囲で−２０ｄＢ
以下の良好な特性が得られた。また、図３は、図１の給
電端子Ｔ１からＴ２、および、給電端子Ｔ１からＴ３へ
の挿入損失の周波数特性を示す図である。測定した周波
数範囲で多少アンバランスが見られるが、給電端子Ｔ１
からＴ２への挿入損失（Ｓ２１）、給電端子Ｔ１からＴ
３への挿入損失（Ｓ３１）はいずれも、ほぼ−３．５ｄ
Ｂ程度であり、まったく損失がない場合の−３ｄＢに比
較して各々０．ｄＢ程度の損失に抑えられていること
がわかる。また、両者への電力供給の差は最大で１ｄＢ
程度であり、５．７ＧＨｚから６ＧＨｚの範囲において
は０．５ｄＢ以下と良好な値を示している。

【００１４】本発明の第１の実施の形態に係る電力分配
合成器では、通常のＴ分岐回路とほぼ同等の特性を実現
することができる。さらに、異なる誘電体基板上に配置
された高周波伝送線路間を、スルーホールや層間接続用
スロット等を利用しないで、接続することができる。こ
のため、本発明の第１の実施の形態によれば、回路規模
を増大させること無く、異なる層に配置された高周波伝
送線路どうしを接続することが可能となる。

【００１５】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。図４は、本発明の第２
の実施の形態に係る電力分配合成器の構成を示す図であ
り、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）をI-I方向か
ら見た断面図である。この第２の実施の形態は、上記の
図１に示した第１の実施の形態において、第２の高周波
伝送線路１４と第３の高周波伝送線路１６との間に抵抗
素子２４を接続した構成となっている。ここで、抵抗素
子２４と結合用スロット１８との間の距離Ｌ４は、約λ
ｇ／４である。

【００１６】本発明の第２の実施の形態に係る電力分配
合成器は、図１２（ｂ）に示した一般的なウィルキンソ
ン型の電力配分器と同等の構成を備えている。抵抗素子
２４は、第１の高周波伝送線路１２から供給された電力
が第２および第３の高周波伝送線路１４，１６に分配さ
れる時に生じるアンバランス分を吸収し、さらに、第２
および第３の高周波伝送線路１４，１６から電力分配合
成器側を見た入力インピーダンス特性を改善させる効果
を持っている。また、抵抗素子２４は、第２の高周波伝
送線路１４から第３の高周波伝送線路１６への電力の漏
洩、あるいは、第３の高周波伝送線路１６から第２の高
周波伝送線路１４への電力の漏洩を防ぐ効果も備えてい
る。

【００１７】上記の第１の実施の形態の場合と同様、本
発明者は、図４の本発明の第２の実施の形態に係る電力
分配合成器を試作し、各給電端子の反射損失、挿入損失
の周波数特性を測定した。試作した電力分配合成器の各
パラメータは、第１の実施の形態の場合と同様である。
また、抵抗素子２４に関しては、次のように設定した。

【００１８】（ｈ）抵抗素子２４の抵抗値：１００Ω ここで、抵抗素子２４は、結合用スロット１８からλｇ
／４の位置に接続した。

【００１９】図５に、図４の各給電端子Ｔ１〜Ｔ３それ
ぞれから見た電力分配合成器側の反射損失の周波数特性
を示す。図５から、給電端子Ｔ１から見た反射損失（Ｓ
１１）に加えて、給電端子Ｔ２およびＴ３から見た反射
損失（Ｓ２２，Ｓ３３）も、測定した周波数範囲で−１
５ｄＢ以下と良好な特性を得ていることがわかる。した
がって、図２と比較すれば明らかなように、抵抗素子２
４の付加によって、給電端子Ｔ１のみならず給電端子Ｔ
２およびＴ３から見た反射損失特性も改善することがで
きる。

【００２０】また、図６は、給電端子Ｔ１からＴ２への
挿入損失の周波数特性と、給電端子Ｔ１からＴ３への挿
入損失の周波数特性と、を示す図である。測定した周波
数範囲で挿入損失は−４ｄＢでほぼ一定であることがわ
かる。図３に比較して約０．５ｄＢの挿入損失の劣化が
みられるが、逆に挿入損失がほぼ一定になったことによ
り、使いやすくなっていることがわかる。

【００２１】さらに、図７に、給電端子Ｔ２からＴ３へ
のアイソレーション量の周波数特性を示す。通常のウィ
ルキンソン型の電力分配合成器では、給電端子Ｔ２と給
電端子Ｔ３のアイソレーション（給電端子Ｔ２から給電
端子Ｔ３への電力の漏洩）が−２０ｄＢ以下に抑えられ
る。図７より、本実施形態の電力分配合成器においても
同等の特性が得られていることがわかる。

【００２２】本発明の第２の実施の形態に係る電力分配
合成器では、通常のウィルキンソン型の電力分配合成器
とほぼ同等の特性を実現できる。

【００２３】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態について説明する。図８は、本発明の第３
の実施の形態に係る電力分配合成器の構成を示す図であ
り、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）をI-I方向か
ら見た断面図である。この第３の実施の形態は、上記の
図１に示した第１の実施の形態において、第１の高周波
伝送線路１２の第１の主面の上部に、さらに、第３の誘
電体基板２６を積層し、第１の高周波伝送線路１２を第
２の誘電体基板２０と第３の誘電体基板２６で挟み込ん
だ構成となっている。

【００２４】本発明の第３の実施の形態では、第１の高
周波伝送線路１２を第１の誘電体基板１０と第３の誘電
体基板２６との間に挟み込むことで、第１の高周波伝送
線路１２内の管内波長を短縮し、それにより、回路の小
型化を実現する。さらに、第３の誘電体基板２６の存在
によって、第１の高周波伝送線路１２からの不要放射を
抑圧できる。このため、伝送の低損失化が可能であると
共に、装置をパッケージ等に格納した場合に不要な共振
による特性の劣化を低減できるという特徴を持ってい
る。

【００２５】本発明の第３の実施の形態では、第１の誘
電体基板１０の第１の主面側に第３の誘電体基板２６を
積層した構成となっているが、本発明は、これに限られ
るものではない。たとえば、第２の誘電体基板２０の第
２の主面側に積層しても、もちろん構わない。さらに、
第１の誘電体基板１０の第１の主面側および第２の誘電
体基板２０の第２の主面側の両方に、第３の誘電体基板
２６が積層された構造であっても構わない。

【００２６】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態について説明する。図９は、本発明の第４
の実施の形態に係る電力分配合成器の構成を示す図であ
り、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）をI-I方向か
ら見た断面図である。上記の図１に示した第１の実施の
形態では、第２および第３の高周波伝送線路１４，１６
は共に、同一面上に、具体的には、第２の誘電体基板２
０の第２の主面上に配置されていたが、この第４の実施
の形態では、第２および第３の高周波伝送線路１４，１
６が異なる面上に、配置されている。本発明の第４の実
施の形態では、電力の分配を異なる層に配置された高周
波伝送線路に供給することが可能となる。このため、必
要以上に層間接続を行う必要がなくなり、回路規模の低
減に効果がある。

【００２７】図９では、第２の高周波伝送線路１４は、
第１の高周波伝送線路１２が配置された第１の主面上に
配置されているが、もちろん、本発明はこれに限るもの
ではない。たとえば、第１の高周波伝送線路１２の上部
に新たな誘電体基板を挿入し、その誘電体基板上に第２
の高周波伝送線路１４を配置しても構わない。

【００２８】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態について説明する。図１０は、本発明の第
５の実施の形態に係る電力分配合成器の構成を示す図で
あり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）をI-I方向
から見た断面図である。上記の第１の実施の形態では、
第２および第３の高周波伝送線路１４，１６の一方の端
部は開放端であったが、この第５の実施の形態では、第
２および第３の高周波伝送線路２８，３０の両端を給電
端子とするものである。

【００２９】本発明の第５の実施の形態によれば、第２
および第３の高周波伝送線路２８，３０それぞれに分配
された電力を、さらに、２分配することが可能となる。
つまり、本発明の第５の実施の形態によれば、回路規模
の増大を招くこと無く、４分配回路を実現できる。

【００３０】（第６の実施の形態）次に、本発明の第６
の実施の形態について説明する。図１１は、本発明の第
６の実施の形態に係る電力分配合成器の構成を示す図で
あり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）をI-I方向
から見た断面図である。この第６の実施の形態は、上記
の第５の実施の形態に、さらに、第４および第５の高周
波伝送線路３２，３４を追加した構成となっている。

【００３１】図１１に示すように、この第６の実施の形
態に係る電力分配合成器では、第２および第３の高周波
伝送線路２８，３０が第２の誘電体基板２０の第２の主
面上に配置され、第４および第５の高周波伝送線路３
２，３４が、第１の高周波伝送線路１２と共に、第１の
誘電体基板１０の第１の主面上に配置されている。

【００３２】本発明の第６の実施の形態によれば、第１
の高周波伝送線路１２から第２、第３、第４および第５
の高周波伝送線路２８，３０，３２，３４それぞれに分
配された電力を、さらに、２分配することが可能とな
る。すなわち、本発明の第６の実施の形態によれば、回
路規模の増大を招くこと無く、８分配回路を実現するこ
とができる。

【００３３】（その他の実施の形態）以上、本発明者に
よって成された発明を記載したが、この開示の一部をな
す論述および図面はこの発明を限定するものであると理
解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替
実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

【００３４】たとえば、上記の第１乃至第４の実施の形
態では、第１の高周波伝送線路１２の給電端子Ｔ１と第
２および第３の高周波伝送線路１４，１６の給電端子Ｔ
２，Ｔ３とは、結合用スロット１８を挟んで、対向する
位置にそれぞれ配置されているが、もちろん、すべての
給電端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３が、結合用スロット１８に対
して、同じ側に配置されていてももちろん構わない。さ
らに、第２および第３の高周波伝送線路１４，１６の給
電端子Ｔ２，Ｔ３が、結合用スロット１８を挟んで、対
向するように配置されていても良い。

【００３５】また、上記の第１乃至第６の実施の形態に
おいて、第１乃至第３の誘電体基板１０，２０，２６の
材料は、たとえば、発泡材、ハニカム材であっても良い
し、これらを組み合わせて積層した構造のものであって
も構わない。また、誘電体基板とこれらを組み合わせて
積層した積層基板であってもよい。さらに、誘電体基
板、半導体基板に穴あるいは溝などにより周期的構造を
人工的に構成した基板であってもよい。

【００３６】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定さ
れるものである。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、層間接続が可能で、か
つ、回路が簡素化された電力分配合成器を実現できる。
特に、本発明は、ミリ波帯等の高い周波数で使用される
電力分配合成器に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電力分配合成
器の構成を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）
は（ａ）をI-I方向から見た断面図である。

【図２】図１の各給電端子Ｔ１〜Ｔ３それぞれから見た
電力分配合成器側の反射損失の周波数特性を示す図であ
る。

【図３】図１の給電端子Ｔ１からＴ２への挿入損失の周
波数特性、および、給電端子Ｔ１からＴ３への挿入損失
の周波数特性を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る電力分配合成
器の構成を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）
は（ａ）をI-I方向から見た断面図である。

【図５】図４の各給電端子Ｔ１〜Ｔ３それぞれから見た
電力分配合成器側の反射損失の周波数特性を示す図であ
る。

【図６】図４の給電端子Ｔ１からＴ２への挿入損失の周
波数特性、および、給電端子Ｔ１からＴ３への挿入損失
の周波数特性を示す図である。

【図７】図４の給電端子Ｔ２からＴ３へのアイソレーシ
ョン量の周波数特性を示す図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態に係る電力分配合成
器の構成を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）
は（ａ）をI-I方向から見た断面図である。

【図９】本発明の第４の実施の形態に係る電力分配合成
器の構成を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）
は（ａ）をI-I方向から見た断面図である。

【図１０】本発明の第５の実施の形態に係る電力分配合
成器の構成を示す図であり、（ａ）はその平面図、
（ｂ）は（ａ）をI-I方向から見た断面図である。

【図１１】本発明の第６の実施の形態に係る電力分配合
成器の構成を示す図であり、（ａ）はその平面図、
（ｂ）は（ａ）をI-I方向から見た断面図である。

【図１２】従来技術に係る電力分配合成器の構成を示す
平面図であり、（ａ）はＴ分岐回路、（ｂ）はウィルキ
ンソン型の電力分配合成器である。

【符号の説明】

１０第１の誘電体基板１２第１の高周波伝送線路１４，２８第２の高周波伝送線路１６，３０第３の高周波伝送線路１８結合用スロット２０第２の誘電体基板２２接地導体板２４抵抗素子２６第３の誘電体基板３２第４の高周波伝送線路３４第５の高周波伝送線路１００誘電体基板１０２高周波伝送線路Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７，Ｔ８，Ｔ
９給電端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向するように配置された第１および第
２の誘電体基板と、該第１および第２の誘電体基板それぞれの対向面の一部
と直接接触して配置された地導体と、前記地導体上に形成された開口部と、前記第１の誘電体基板の前記対向面と逆の面の上部に配
置された第１の高周波伝送線路と、前記第１および第２の誘電体基板の前記対向面と逆の面
のうちのいずれかの上部に配置された第２および第３の
高周波伝送線路とを具備し、前記第１、第２および第３の高周波伝送線路は、前記開
口部と少なくとも交差するように配置されることを特徴
とする電力分配合成器。
【請求項２】前記第２および第３の高周波伝送線路
は、前記第１の高周波伝送線路とは異なる面の上部に配
置され、かつ、前記第２および第３の高周波伝送線路間
は、抵抗素子によって接続される、ことを特徴とする請
求項１に記載の電力分配合成器。
【請求項３】前記第１および第２の誘電体基板の前記
対向面と逆の面のうちの少なくとも一方に対向するよう
に配置された少なくとも一つの誘電体基板を、さらに具
備することを特徴とする請求項１に記載の電力分配合成
器。
【請求項４】前記第２および第３の高周波伝送線路そ
れぞれの両端のうちの一方は開放端であり、他方は給電
端子である、ことを特徴とする請求項１乃至３に記載の
電力分配合成器。
【請求項５】前記第２および第３の高周波伝送線路そ
れぞれの両端のいずれも給電端子である、ことを特徴と
する請求項１乃至４に記載の電力分配合成器。
【請求項６】前記第１、第２および第３の高周波伝送
線路と前記開口部とは略直交し、前記第１の高周波伝送
線路の長手方向の中心軸と前記開口部の短手方向の中心
軸とは略一致し、かつ、前記第２および第３の高周波伝
送線路は対と成り、前記第１の高周波伝送線路の長手方
向の中心軸に対して略線対称の位置に配置される、こと
を特徴とする請求項１乃至５に記載の電力分配合成器。
【請求項７】前記第１および第２の誘電体基板の前記
対向面と逆の面のうちのいずれかの上部に配置され、対
を成す第２ｎ＋２（ｎ：自然数）および第２ｎ＋３の高
周波伝送線路を、さらに具備し、前記第２ｎ＋２および
第２ｎ＋３の高周波伝送線路と前記開口部とは略直交
し、かつ、前記第２ｎ＋２および第２ｎ＋３の高周波伝
送線路は前記第１の高周波伝送線路の長手方向の中心軸
に対して略線対称の位置に配置される、ことを特徴とす
る請求項１乃至６に記載の電力分配合成器。
【請求項８】前記第２ｎ＋２および第２ｎ＋３の高周
波伝送線路それぞれの両端のうちの一方は開放端であ
り、他方は給電端子である、ことを特徴とする請求項７
に記載の電力分配合成器。
【請求項９】前記第２ｎ＋２および第２ｎ＋３の高周
波伝送線路それぞれの両端のいずれも給電端子である、
ことを特徴とする請求項７に記載の電力分配合成器。