JPH03129902A

JPH03129902A - 多層ストリップ線路

Info

Publication number: JPH03129902A
Application number: JP1266572A
Authority: JP
Inventors: Makoto Matsunaga; 誠松永
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1989-10-14
Filing date: 1989-10-14
Publication date: 1991-06-03
Anticipated expiration: 2012-11-17
Also published as: JP2678506B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、誘電体基板あるいは半導体基板に構成した
マイクロストリップ線路とトリプレート形ストリップ線
路あるいはトリプレート形ストリップ線路と１〜リブレ
ート形ストリップ線路を用いた多層ストリップ線路から
成る給電回路の層間接続に関するものである。なお、こ
こではマイクロストリップ線路とトリプレート形ストリ
ップ線路を総称してストリップ線路と呼ぶ。

［従来の技術］従来例としては、例えば、１９８７　ＩＥＥＥ　ＭＴＴ
−５Ｄｉｄｅｓｔ　ｐｐ、９４９−９５２に掲載された
”ＬＯＷ　Ｃ０５ＴＣＡＲＴＯＰ　ＰＨＡＳＥＤ　ＡＲ
ＲＡＹ　５ＴＥＥＲＩＮＧ”に示されたトリプレート形
ストリップ線路で成る多層給電回路に用いられているよ
うな接続導体を用いた層間接続の構成例がある。第１１
図がその多層ストリップ線路の構造を示す図であり、こ
れを例にとり説明する。第１１図（ａｌはその一部を示
す平面図、へ）はそのＡＡ’断面図である。図において
、１は第一の誘電体基板、２は第一のストリップ導体、
３は第二の誘電体基板、４は第二のストリップ導体、５
は共通の地導体板、６は第一の地導体板、７は第二の地
導体板、８は接続導体である。上記接続導体８と共通地
導体板５の短絡を防ぐため、接続導体８の周辺の共通地
導体板５は導体を取り除いた導体除去部９を形成してい
る。また、１０は第一の接地導体で、第一の地導体板６
と共通地導体板５を導通させ、１１は第二の接地導体で
、第二の地導体板７と共通地導体板５を導通させる役目
を果たしている。上記第一の誘電体基板１に形成された
第一のストリップ導体２は共通地導体板５、第一の地導
体板６とともに第一のトリプレート形ストリップ線路１
２を構成し、第二の誘電体基板３に形成された第二のス
トリップ導体４は共通地導体板５．第二の地導体板７と
ともに第二のトリプレート形ストリップ線路１３を構成
している。

従来の多層ストリップ線路の接続導体８を用いた層間接
続は上記のように構成されているので、第一のトリプレ
ート形ストリップ線路１２を伝搬してきた電波は、第一
のストリップ導体２の先端に接続された接続導体８を伝
わり、地導体が共通である第二のトリプレート形ストリ
ップ線路１３へ伝搬していく。ここで、線路を伝わる電
流に着目し、ストリップ導体及び地導体を流れる電流の
流れで電波の伝搬を説明する。第一のトリプレート形ス
トリップ線路１２の第一のストリップ導体２を流れる電
流は、接続導体８を通って第二のトリプレート形ストリ
ップ線路１３の第二のストリップ導体４へと流れる。一
方、第一のトリプレート形ストリップ線路１２の第一の
地導体板６を流れる電流は第一の接地導体１０により共
通地導体板５へ、共通地導体板５を流れる電流は第二の
接地導体１１により第二の地導体板７へそれぞれ流れて
いき、この電流が第二のトリプレート形ストリップ線路
１３の地導体を流れる電流となる。このようにストリッ
プ導体を流れる電流も、地導体を流れる電流も不連続が
なく、電波は大きな反射を生じることなく層間を伝搬し
ていく。

［発明が解決しようとする課題］従来の多層ストリップ線路は以上のように構成され、層
間接続のためには各層のストリップ導体間を接続導体を
用いて機械的に接続する必要があるため、スルーホール
あるいは半田付は等の手段を用いる必要があり、層間接
続箇所が多い場合、工数の増加、信頼性の低下などの問
題が生じる。

また、３層以上に層間接続がなる場合は半田付は等は困
難である。更に５層間の接続手順を考慮に入れて各層の
回路構成９組み立て手順を決める必要があり、回路構成
に制約が生じるなどの問題があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各層のストリップ導体間に接続導体を用いる
ことなく層間接続を行うことを目的とする。

［課題を解決するための手段］この発明に係る多層ストリップ線路は、各ストリップ線
路を構成するストリップ導体の一端同志を対向させ、こ
の対向部分に対応して共通地導体板に各ストリップ導体
と交差する細隙を形成するとともに、この細隙から各ス
トリップ導体の一端までの長さを所定値に設定して開放
端とし、かつトリプレート形ストリップ線路については
、当該トリプ娑−ト形ストリップ線路の地導体板と共通
地導体板を細隙の近傍の給電端側で導通させて層間接続
したものである。

［作用コこの発明における多層ストリップ線路は、二層以上から
成るストリップ線路の共通地導体板に導体を取り去った
細隙を設け、トリプレート形ストリップ線路の両地導体
板を細隙の近傍の給電端側で導通させるようにしたので
、トリプレート形ストリップ線路の両地導体板を流れる
電流が、細隙の給電端側において細隙の形成された側の
地導体板にだけ流れるようになる。そのため、ストリッ
プ線路を流れる総ての電流が有効に細隙に結合し、つい
でもう一方の層のストリップ線路に電流が流れるように
なる。従って、反射の少ない電磁結合による層間結合が
可能となる。

［発明の実施例コ以下、この発明の実施例を図について説明する。なお、
本願においては、線路を構成する基板として、モノリシ
ック・マイクロウェーブ・インテグレーテッド・サーキ
ット（ＭＭ　Ｉ　Ｃ）に用いるＧａＡｓ、　Ｓｉ等の半
導体基板あるいはマイクロウェーブ・インテグレーテッ
ド・サーキット（ＭＩＣ）に用いる誘電体基板が対象と
なる。

第１図は一実施例を示す構成図で、同図（ａｌは平面図
、（ｂ）はそのＡＡ’断面図、（Ｃ）は同じ＜ＢＢ’断
面図であり、前記従来例と同一、又は相当部分には同一
符号を用いてその説明は省略する。図において、１４は
共通地導体板５に形成された細隙、１５は第一の地導体
板６と共通地導体板５を接続するための第一の貫通導体
、１６は第二の地導体板７と共通地導体板５を接続する
ための第二の貫通導体である。これら第−及び第二の貫
通導体１５．１６は第一の誘電体基板１．第二の誘電体
基板３にスルーホールメツキ等の技術を用いて形成され
る。また、これら第−及び第二の貫通導体１５，１６は
細隙１４の近傍の給電端側に配置される。なお、２ａは
第一のストリップ導体２の一端を構成している第一の開
放スタブ、４ａは第二のストリップ導体４の一端を構成
している第二の開放スタブであり、上記第一の開放スタ
ブ２ａと第二の開放スタブ４ａは対向するように配置さ
れており、細隙１４は上記対向部分ａに対応して共通地
導体板５に各ストリップ導体２，４と交差するように形
成されている。これら第一の開放スタブ２　ａ　を第二
の開放スタブ４ａの長さを細隙１４からそれぞれの線路
の開放端までの距離で規定すると、それぞれ概略１／４
波長の長さに設定される。

この構成による多層ストリップ線路では、第一のトリプ
レート形ストリップ線路１２を伝搬してきた電波の両地
導体を流れる電流が、細隙１４の給電端側に設けられた
第一の貫通導体１５によって短絡される。このとき、細
隙１４の形成された側の共通地導体板５に流れる電流は
細隙１４に結合していくため、第一の地導体板６に流れ
る電流も共通地導体板５に流れ込むようになる。更に、
第一のトリプレート形ストリップ線路１２の開放端であ
る第一のストリップ導体２の先端から概略１７４波長の
位置にある細隙１４の配置位置において磁界が最大とな
り容易に細隙１４を励振する。このようにしてストリッ
プ線路の地導体を流れる総ての電流が有効に細隙１４に
結合する。ついで細隙１４に結合した電波は上記と逆に
第二のトリプレート形ストリップ線路１３へと伝搬して
いく。なお、細隙１４の位置を上記例ではストリップ導
体の先端から概略１／４波長の位置と説明したが、トリ
プレート形ストリップ線路と細隙１４の整合をとるため
１／４波長と異なる位置に設けられることもある。

このように、この発明による多層ストリップ線路では、
トリプレート形ストリップ線路を流れる総ての電流が有
効に細隙１４に結合し、従って、接続導体を用いること
なしに反射の少ない層間接続が可能となる。

なお、上記実施例では、貫通導体１５．１６からトリプ
レート形ストリップ線路の開放端側にも第一、第二の地
導体板６，７が設けられている場合を示したが、第２図
に示すように、この部分の地導体の導体部を取り去って
も良い。また、この部分は第３図に示すように、金属基
台１７に空洞１８を設け、この部分の地導体に電流を流
さない構成としてもこの発明は有効である。

また、上記実施例では、トリプレート形ストリップ線路
の開放端のストリップ導体の形状、すなわち第一の開放
スタブ２ａ、第２の開放スタブ４ａの形状は線路幅が給
電側の線路幅と同一の場合を示したが、これに限らず、
第４図に示す平面図のように第一の開放スタブ２ａ、第
二の開放スタブ４ａの線路幅を給電側と異なる幅にして
動作する周波数帯域の拡大を図っても良い。また、第一
の開放スタブ２ａ及び第２の開放スタブ４ａの形状は第
５図に示す平面図のように扇形にしても良い。更に、上
記実施例では、第一の開放スタブ２ａ、第二の開放スタ
ブ４ａの位置が細隙１４に対して反対側にある場合につ
いて示したが、これに限らず、第６図ｆａｔ、ｆｆ１）
に平面図及びそのＡＡ’断面図を示すように第一の開放
スタブ２ａ、第二の開放スタブ４ａを細隙１４に対して
同じ側に配置しても良い。

また、上記実施例では、細隙１４の形状として長方形の
場合を示したが、これに限らず、第７図、第８図に平面
図で示すように楕円形やダンベル状の形状としても良い
。

更に、上記実施例は二層のトリプレート形ストリップ線
路間の層間接続についての説明であったが、第９図に示
すように三層以上のトリプレート形ストリップ線路の接
続、及び第１０図に示すようにマイクロストリップ線路
１９とトリプレート形ストリップ線路２０の接続に用い
ることができる。

［発明の効果］以上のように、この発明によれば、共通地導体板の一方
の面側にトリプレート形ストリップ線路を形成し、他方
の面側にマイクロストリップ線路又はトリプレート形ス
トリップ線路を形成した多層ストリップ線路において、
層間で共有する共通地導体板に電磁結合用の細隙を設け
るとともに、この細隙から各ストリップ導体の一端まで
の長さを所定値に設定して開放端とし、かつトリプレー
ト形ストリップ線路については、当該トリプレート形ス
トリップ線路の地導体板と共通地導体板を細隙の近傍の
給電端側で導通させて眉間接続したので、各層のストリ
ップ線路を伝搬する電波が有効に細隙に結合し、反射の
少ない層間接続が接続用の導体を用いなくとも可能とな
り、従来の不具合が解消される効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌ〜（Ｃ）はこの発明の一実施例による多層
ストリップ線路の構成を示す平面図と断面図、第２図〜
第１０図は他の実施例を示す平面図ないし断面図、第１
１図（ａｌ、（ｂｌは従来の多層ストリップ線路の構成
を示す平面図と断面図である。１．３は第一、第二の誘電体基板、２，４は第一、第二
のストリップ導体、２ａ、４ａは第一。第二の開放スタブ、５は共通地導体板、６，７は第一、
第二の地導体板、１２．１３は第一、第二のトリプレー
ト形ストリップ線路、１４は細隙、１５．１６は第一、
第二の貫通導体、１９はマイクロストリップ線路、２０
はトリプレート形ストリップ線路、ａは対向部分。

Claims

【特許請求の範囲】　共通地導体板の一方の面側にトリプレート形ストリッ
プ線路を形成し、他方の面側にマイクロストリップ線路
又はトリプレート形ストリップ線路を形成した多層スト
リップ線路において、各ストリップ線路を構成するストリップ導体の一端同志
を対向させ、この対向部分に対応して共通地導体板に各
ストリップ導体と交差する細隙を形成するとともに、こ
の細隙から各ストリップ導体の一端までの長さを所定値
に設定して開放端とし、かつトリプレート形ストリップ
線路については、当該トリプレート形ストリップ線路の
地導体板と共通地導体板を細隙の近傍の給電端側で導通
させて層間接続したことを特徴とする多層ストリップ線
路。