JPS6346801A - 超高周波信号分配回路 - Google Patents

超高周波信号分配回路

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JPS6346801A
JPS6346801A JP61189491A JP18949186A JPS6346801A JP S6346801 A JPS6346801 A JP S6346801A JP 61189491 A JP61189491 A JP 61189491A JP 18949186 A JP18949186 A JP 18949186A JP S6346801 A JPS6346801 A JP S6346801A
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JP
Japan
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conductor
strip
width
ground
center conductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP61189491A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Muraguchi
正弘 村口
Kuniki Owada
大和田 邦樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPS6346801A publication Critical patent/JPS6346801A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はコプレーナ伝送線路を超高周波回路の基本導波
路として用いるために不可欠な信号分配部分(分岐部分
)の伝送特性を向上させる回路構成に関するものである
(従来技術および発明が解決しようとする問題点)従来
、超高周波回路の基本導波路はマイクロストリップ線路
が主に使用されていた。これは信号分配の為の伝送線路
の分岐が非常に容易かつ良好であシ、各種超高周波回路
を設計するうえで簡便であるためであった。一方、コプ
レーナ線路は、誘電体基板の表面だけで伝送線路が形成
できるため、直流的な接地を必要とするFITやダイオ
ードなどの能動素子の接続が容易かつ良好であり、かつ
、増幅器等で問題となるソース接地インダクメンスによ
る利得の低下を防ぐことができるという利点があυ、こ
の点ではマイクロストリップ線路に比べ優れているが、
伝送線路の分岐が容易でなく、かつ分岐部の伝送特性も
良くない為、本格的な回路、例えば超高周波増幅器など
で使用された例は殆んどなかった。従来のコプレーナ線
路の分岐の例を第8図および第9図に示す。いずれも印
は平面図、(ロ)は断面図を示す。図において1は誘電
体基板上に形成された金属膜よシなる中心導体ス) I
Jツブ2,3及び4は同上の接地導体を示す。第8図は
、分岐による伝送特性を何も考慮せずに形成した例で、
図の左よ逆信号を入れた場合、接地導体2および3は良
好に作用するが、接地導体4は、不確定な電位となる。
そこで、誘電体基板の外部で金ワイヤやコネクターで接
地していた。しかし、これでは直流的な接地はできても
RF的には全く接地されておらず、接地導体4の大きさ
が周波数的に見て無視できる低い周波数でしか使用でき
ない。このため第9図は、RF的に改善しようと、分岐
部を金ワイヤ5でビンデインして接続した例である。金
ワイヤでデンディングすることにより、金ワイヤの長す
が無視できる周波数まで使用可能となる。第2図は、使
用周波数に対する等価接地抵抗を表わしたもので、人、
Bの直線は金ワイヤで接続した場合である。停価接地抵
抗の大きさが小さい程良好な接地となる。コプレーナ線
路は通常の特性インピーダンス50Ωで使用するが、接
地抵抗はこれに比べ十分小さい必要があシ、悪くても1
0Ω以下にすべきである。金ワイヤでの接続でに、ワイ
ヤデンディング装置を用いるが、微細な加工には限度が
あり、金ワイヤの長さは短かくても500μtn程度と
なる。
このように、金ワイヤ接続では微細加工の面から、接地
抵抗を小さくすることができず、そのため、高い周波数
で使用できない。また、モノリシックマイクロ波集積回
路のような数n角のチップ上にマイクロ波回路を集積す
るような応用には全く適さない技術である。
(問題点を解決するための手段) 本発明はこれらの欠点を除去するために、提案されたも
のでモノリシックマイクロ波集積回路フロセスで開発さ
れたエアープリツ・ゾグロセスを用いて、低接地抵抗で
、かつ良好な伝送特性を有するコプレーナ線路の分岐を
実現することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は誘電体基板上に形
成された中心導体ストリップと、前記の中心導体ストリ
ップの両側に所定の間隔をおいて形成された接地導体か
らなるコグレーナ伝送線路において、前記のコプレーナ
線路をY型分岐またはY型分岐によって3つに分割され
九接地導体相互を接続するエアーブリッジ導体を、中心
導体ストリップをまたいで形成し、前記のエアーブリッ
ジ導体と少くとも中心導体ストリップとの間に誘電体薄
膜および空気Nを介在せしめ、エアーブリッジ導体の幅
を中心導体幅と少くとも同一とし、かつ前記の分岐部各
所における特性インピーダンスを伝送線路の特性インピ
ーダンスと同じくなるように中心ストリップ導体幅、及
び中心ストリップと接地導体間の間隔を定めることを特
徴とする超高周波信号分配回路を発明の要旨とするもの
である。
次に本発明の実施例について説明する。なお実施例は一
つの例示であって1本発明の精神を逸脱しない範囲で種
々の変更あるいは改良を行ないうろことは言うまでもな
い。
第1図は本発明の実施例であって、図において11′!
中心導体ストリップ、2.3及び4は接地導体、6は誘
電体基板、7はエアーブリッジ導体、8はエアーブリッ
ジ下部の空気部、9は誘電体薄膜、10は2,3.4の
接地導体のどれかに対応する導体である。なお、6は誘
電体基板でアルミナやガリウムひ素でできている。接地
導体2.3.4は第1図(ロ)に示すエアーブリッジ7
で互に接続される。しかして誘電体基板6上に形成され
た中心導体ストリップ1を、またぐようにして、接地導
体2と3.2と4.3と4を接続するエアーブリッジ導
体7を形成する。しかして中心導体ストリップ1と対向
する接地導体2と3.2と4との側縁をおおって誘電体
薄膜9を形成し、かつこの誘電体薄膜9と、エアーブリ
ッジ導体7との間に空気層8を設ける。
このエアーブリッジ部の構造は次のようにして決められ
る。エアーブリッジ導体の幅は、接地導体間を良好に接
地するため広い方が良く、中心導体ストリップ幅と等し
いかそれ以上にする。このエアーブリッジを設けると、
中心導体ストIJソッと接地導体間の静電容量が増加し
、これによってコプレーナ線路の特性インピーダンスが
変化して入射波の反射損失が増大してしまうので、これ
を防ぐために分岐部の中心導体ストリップ幅Wと中心導
体ストリップと接地導体との間隔Gを特性インピーダン
スが変化しないように狭める。しかし、中心導体ストリ
ップ幅を狭めると線路の抵抗分が増えるため信号の伝搬
損失が大きくなる。したがって、中心導体ストリップ幅
の狭め方は、入射波の反射損失と伝搬損失との兼ね合い
で決められる。反射損失を生ずるもう一つの要因として
エアーブリッジ導体の長さがある。この長さが長くなる
とそのインダクタンスが大きくなるため特性インピーダ
ンスが大きくなりで反射損失を生ずるためエアーブリッ
ジ導体の長さは短かい万が良い。分岐部の特性インピー
ダンスを考慮しなければならない理由は、分岐部にある
中心導体ストリップの長さが通常、100μm以上とな
り、例えば20GH1の回路を製作する場合、この部分
の長さを設計に取り入れないと、I GHz以上の周波
数のずれを生ずるためである。エアーブリッジ導体の幅
を30μm、ブリッジの導体厚さを2μm、ブリッジの
長さを50μmとすると、接地抵抗は30GHzにおい
ても3.40であシ、良好な接地が得られる。第2図に
、エアープリツ・ゾ接続Cと従来の全ワイヤ接続A、B
との特性比較を示す。エアーブリツ・ゾ接続によれば金
ワイヤに比べ大幅に等価接地抵抗が改善できることが判
る。
第3図は分岐部における信号の方向を示す図、第4図は
分岐部による入力反射損失を示す図、第5図は分岐部に
よる伝送損失を示す。
また、ここで計算モデルとして用いたエアーブリッジは
第1図ヒ)、(ロ)に示した構造のもので、エアーブリ
ッジ部以外の中心導体ス) IJッグの幅がWz=40
μmで厚さが2.On、中心導体ストリップと接地導体
間のギャップ部の幅がG2==30μmであり、エアー
ブリッジ部の中心導体ストリップの幅がW1=20μm
で厚さが2μm、中心導体ストリップと接地導体間のギ
ャップ部の幅がG1=15μm、接地導体間を接続して
いるエアーブリッジ導体の幅が30μm長さが50μm
厚さが2μm、誘電体薄膜9の厚さが0.4μm、誘電
体薄膜9とエアーブリッジ導体との間の空気部のギャッ
プが2.5μm、誘電体基板6の材質が半絶縁性GaA
sで厚さが400μm、中心導体ストリップ、接地導体
及び接続導体の材質が金の場合である。
以上は比較的周波数の低い場合の特性について述べたが
、以下に入力反射損失と伝搬損失が極立ってくるより高
い周波数での特性てついて述べる。
第6図は中心導体ス) IJツブと接地導体の間隔G1
を10μmから50μmに変化させたときのコプレーナ
線路の伝搬損失の変化、および、そのコプレーナ線路に
ブリッジをかけたときのブリッジの反射損失の計算結果
を示したものである。
周波数は100 GHzで計算した。間隔G1を変化さ
せるに従い、線路の特性インピーダンスが変化しないよ
うに中心導体ストリップ幅W1を第7図に示すように変
化させた。
第7図は、ガリウムひ素基板(厚さ400μm1比訪電
率12.6上に50Ωコプレーナ線路(導体厚金2μm
)を製作する場合の中心導体ストリップ幅W1と中心導
体ストリップ−接地導体間隔G1の関係を示したもので
ある。
第6図から分かるように、100 GT(z程度の高い
周波数領域ではブリッジによる反射損失(主にエアーブ
リツ・ゾ導体のインダクタンス分で生ずる)と伝搬損失
との両方が余り大きくならないエアーブリッジ部の線路
の幅が存在する。
(発明の効果) 以上説明したように、コプレーナ線路の分岐をエアーブ
リッジを用いて本発明のような構成にすれば、接地導体
間の良好な接続ができることから、超高周波に至るまで
良好な信号分配を行な′うことかできる。コプレーナ線
路でこの分岐回路を使えば、従来マイクロストリップ線
路で構成されていた10 GHz帯以上のマイクロ波回
路をすべて、コプレーナ線路で構成できる。特に、増幅
器ではマイクロストリツfII回路に比べFETのソー
ス接地インダクタンスを大幅に小さくすることができる
ため、利得特性の点でマイクロストリップ線路構成に比
べはるかに優れた性能を期待できる。また、コプレーナ
線路で構成した回路は、ウエハグローパを用いれば、切
シ出して治具に搭載することなくウェハのitで高周波
測定ができるため、検査・製造コストを大幅に改善でき
る。これも、マイフロストリラグ線路で構成した回路で
は見られなかった大きな特徴である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の超高周波信号分配回路の実施例、第2
図は本発明及び従来例による分岐回路の周波数−等価接
地抵抗特性、第3図は分岐部における信号の方向を示す
図、第4図は分岐部による入力反射損失を示す図、第5
図は分岐部による伝送損失を示す図、第6図はコプレー
ナ線路幅と伝播損失と反射損失との関係、第7図は50
0コグレーナ線路における中心導体ストリップ幅と中心
導体ストリップと接地導体との間の間隔との関係を示す
。第8図及び第9図は従来例を示す。 1・・・中心導体ストIJッデ、2,3.4・・・接地
導体、5・・・デンディングされた金ワイヤ、6・・・
誘電体基板、7・・・エアーブリッジ、8・・・空気層
、9・・・誘電体薄膜、10・・・接地導体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  誘電体基板上に形成された中心導体ストリツプと、前
    記の中心導体ストリツプの両側に所定の間隔をおいて形
    成された接地導体からなるコプレーナ伝送線路において
    、前記のコプレーナ線路をT型分岐またはY型分岐によ
    つて3つに分割された接地導体相互を接続するエアーブ
    リッジ導体を、中心導体ストリップをまたいで形成し、
    前記のエアーブリッジ導体と少くとも中心導体ストリッ
    プとの間に誘電体薄膜および空気層を介在せしめ、エア
    ーブリッジ導体の幅を中心導体幅と少くとも同一とし、
    かつ前記の分岐部各所における特性インピーダンスを伝
    送線路の特性インピーダンスと同じくなるように中心ス
    トリップ導体幅、及び中心ストリツプと接地導体間の間
    隔を定めることを特徴とする超高周波信号分配回路。
JP61189491A 1986-08-14 1986-08-14 超高周波信号分配回路 Pending JPS6346801A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0284802U (ja) * 1988-12-19 1990-07-02
US5198787A (en) * 1990-11-20 1993-03-30 Tokimec, Inc. Waveguide for dividing and combining microwaves
EP0584650A1 (de) * 1992-08-26 1994-03-02 Daimler-Benz Aktiengesellschaft Koplanarer Wellenleiter mit geringem Wellenwiderstand
JPH09223906A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Nec Corp マイクロ波ミリ波集積回路基板間接続方法
JP5542231B1 (ja) * 2013-04-09 2014-07-09 太陽誘電株式会社 多層回路基板

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