JP2569697B2 - モノリシックマイクロ波集積回路の配線構造 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路の配線構造Info
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- JP2569697B2 JP2569697B2 JP63048822A JP4882288A JP2569697B2 JP 2569697 B2 JP2569697 B2 JP 2569697B2 JP 63048822 A JP63048822 A JP 63048822A JP 4882288 A JP4882288 A JP 4882288A JP 2569697 B2 JP2569697 B2 JP 2569697B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、GaAsモノリシックマイクロ波集積回路
（MMIC）,SiMMIC等のマイクロ波帯〜ミリ波帯で動作す
るモノリシックマイクロ波集積回路の配線構造に関する
ものである。
（MMIC）,SiMMIC等のマイクロ波帯〜ミリ波帯で動作す
るモノリシックマイクロ波集積回路の配線構造に関する
ものである。
〔従来の技術〕 第５図〜第７図は、例えば従来のコプレーナ配線を用
いたMMICの配線部分の拡大図を示すものであり、第５図
は斜視図、第６図は上面図、第７図は、第６図のＢ−
Ｂ′線による断面図である。これらの図において、１は
信号線路、２は接地導体、３はエアブリッジ、４は半絶
縁性半導体基板である。
いたMMICの配線部分の拡大図を示すものであり、第５図
は斜視図、第６図は上面図、第７図は、第６図のＢ−
Ｂ′線による断面図である。これらの図において、１は
信号線路、２は接地導体、３はエアブリッジ、４は半絶
縁性半導体基板である。
次に動作について説明する。高周波（マイクロ波帯〜
ミリ波帯）信号は、信号線路１および接地導体２とで形
成されたコプレーナ伝送線路中を伝播する。このコプレ
ーナ伝送線路の特性インピーダンス は、第６図に示した信号線路１の配線幅Waおよび信号線
路１と、接地導体２との距離Ｇによって決まる定数値で
ある。一方、コプレーナ伝送線路において、接地導体２
は中心導体の両側にあり伝送線路長が長くなると、両側
の接地導体２間で部分的な電位差が生じる。この問題を
解決するため、コプレーナ線路上に一定距離を置いて、
両側の接地導体２を、例えば配線を基板から離して空中
に橋のように形成した配線、すなわちエアブリッジ３を
用いて接続し、信号線路１の両側の接地導体２に電位差
が生じないようにしている。
ミリ波帯）信号は、信号線路１および接地導体２とで形
成されたコプレーナ伝送線路中を伝播する。このコプレ
ーナ伝送線路の特性インピーダンス は、第６図に示した信号線路１の配線幅Waおよび信号線
路１と、接地導体２との距離Ｇによって決まる定数値で
ある。一方、コプレーナ伝送線路において、接地導体２
は中心導体の両側にあり伝送線路長が長くなると、両側
の接地導体２間で部分的な電位差が生じる。この問題を
解決するため、コプレーナ線路上に一定距離を置いて、
両側の接地導体２を、例えば配線を基板から離して空中
に橋のように形成した配線、すなわちエアブリッジ３を
用いて接続し、信号線路１の両側の接地導体２に電位差
が生じないようにしている。
しかしながら、上記のように構成された従来のコプレ
ーナ線路は、信号線路１とエアブリッジ３の交わる点
で、信号線路１とエアブリッジ３の間に交差容量が生じ
てしまい、伝送線路の特性インピーダンスZoがエアブリ
ッジ３のある区間とない区間で異なってしまい、高周波
の不要な反射をまねいていた。
ーナ線路は、信号線路１とエアブリッジ３の交わる点
で、信号線路１とエアブリッジ３の間に交差容量が生じ
てしまい、伝送線路の特性インピーダンスZoがエアブリ
ッジ３のある区間とない区間で異なってしまい、高周波
の不要な反射をまねいていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、伝送線路の特性インピーダンスをエアブ
リッジと信号線路の交差部と、それ以外の区間で同一に
保ったコプレーナ線路を備えたモノリシックマイクロ波
集積回路の配線構造を得ることを目的とする。
されたもので、伝送線路の特性インピーダンスをエアブ
リッジと信号線路の交差部と、それ以外の区間で同一に
保ったコプレーナ線路を備えたモノリシックマイクロ波
集積回路の配線構造を得ることを目的とする。
この発明に係るモノリシックマイクロ波集積回路の配
線構造は、信号線路の両側に設けられた接地導体を接続
するための配線と信号線路が交わる部分の信号線路の線
路幅を、他の部分の信号線路の線路幅より小さくしたも
のである。
線構造は、信号線路の両側に設けられた接地導体を接続
するための配線と信号線路が交わる部分の信号線路の線
路幅を、他の部分の信号線路の線路幅より小さくしたも
のである。
この発明においては、信号線路と接地導体を接続する
ための配線との交差部は、信号線路の線路幅を小さくす
ることにより、信号線路と配線間の容量、および両側の
接地導体との容量を小さくでき、配線を付加したことに
よる容量の増加を抑え、さらに線路幅が小さくなったこ
とにより、インダクタンスが増加するので、特性インピ
ーダンスが一定に保たれる。
ための配線との交差部は、信号線路の線路幅を小さくす
ることにより、信号線路と配線間の容量、および両側の
接地導体との容量を小さくでき、配線を付加したことに
よる容量の増加を抑え、さらに線路幅が小さくなったこ
とにより、インダクタンスが増加するので、特性インピ
ーダンスが一定に保たれる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示す図で、１
は信号線路であり、エアブリッジ３との交差部の線路幅
を、交差部以外の線路幅Waより小さいWbとしたものであ
る。なお、その他は第５図〜第７図と同じものである。
は信号線路であり、エアブリッジ３との交差部の線路幅
を、交差部以外の線路幅Waより小さいWbとしたものであ
る。なお、その他は第５図〜第７図と同じものである。
このように、信号線路１とエアブリッジ３の交差部の
線路幅Wbを小さくすることにより、伝送線路の特性イン
ピーダンスZoが交差部で変化しないようにし、全体を一
定に保ことができる。
線路幅Wbを小さくすることにより、伝送線路の特性イン
ピーダンスZoが交差部で変化しないようにし、全体を一
定に保ことができる。
なお、上記実施例では、信号線路１の両側の接地導体
２を接続するために、エアブリッジ３の配線を用いてい
るが、信号線路１と接地導体２を接続する配線の間に誘
電体、例えばSi3N4やSiO2膜があっても良い。
２を接続するために、エアブリッジ３の配線を用いてい
るが、信号線路１と接地導体２を接続する配線の間に誘
電体、例えばSi3N4やSiO2膜があっても良い。
また、上記実施例では信号線路１の線路幅Waを、エア
ブリッジ３部分の信号線路１の線路幅Wbと他の部分とで
段階的に変化させているが、第４図に示すように、エア
ブリッジ３の端面におけるフリンジングを考慮してテー
パ状に変化させても良い。
ブリッジ３部分の信号線路１の線路幅Wbと他の部分とで
段階的に変化させているが、第４図に示すように、エア
ブリッジ３の端面におけるフリンジングを考慮してテー
パ状に変化させても良い。
以上説明したように、この発明は、半導体基板表面に
形成された信号線路の両側に接地導体を備え、接地導体
間を配線によって接続したモノリシックマイクロ波集積
回路において、接地導体間を接続する配線と信号線路と
が交わる交差部分の信号線路幅を、他の部分の信号線路
幅より小さくしたので、交差部が高周波特性（特性イン
ピーダンス）へ影響することを防止できる効果がある。
形成された信号線路の両側に接地導体を備え、接地導体
間を配線によって接続したモノリシックマイクロ波集積
回路において、接地導体間を接続する配線と信号線路と
が交わる交差部分の信号線路幅を、他の部分の信号線路
幅より小さくしたので、交差部が高周波特性（特性イン
ピーダンス）へ影響することを防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるコプレーナ線路を示
す図、第２図はこの発明の一実施例によるコプレーナ線
路の表面図、第３図はこの発明の他の実施例によるコプ
レーナ線路を示す図、第４図はこの発明の第２図におけ
るＡ−Ａ′線による断面図、第５図は従来のコプレーナ
線路を示す図、第６図は従来のコプレーナ線路の表面
図、第７図は第６図におけるＢ−Ｂ′線による断面図で
ある。 図において、１は信号線路、２は接地導体、３はエアブ
リッジ、４は半絶縁性半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
す図、第２図はこの発明の一実施例によるコプレーナ線
路の表面図、第３図はこの発明の他の実施例によるコプ
レーナ線路を示す図、第４図はこの発明の第２図におけ
るＡ−Ａ′線による断面図、第５図は従来のコプレーナ
線路を示す図、第６図は従来のコプレーナ線路の表面
図、第７図は第６図におけるＢ−Ｂ′線による断面図で
ある。 図において、１は信号線路、２は接地導体、３はエアブ
リッジ、４は半絶縁性半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板表面に形成された信号線路の両
側に接地導体を備え、前記接地導体間を配線によって接
続したモノリシックマイクロ波集積回路において、前記
接地導体間を接続する配線と前記信号線路とが交わる交
差部分の前記信号線路幅を、他の部分の信号線路幅より
小さくしたことを特徴とするモノリシックマイクロ波集
積回路の配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048822A JP2569697B2 (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | モノリシックマイクロ波集積回路の配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048822A JP2569697B2 (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | モノリシックマイクロ波集積回路の配線構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223752A JPH01223752A (ja) | 1989-09-06 |
| JP2569697B2 true JP2569697B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=12813915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048822A Expired - Lifetime JP2569697B2 (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | モノリシックマイクロ波集積回路の配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569697B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5072417B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2012-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018531560A (ja) * | 2016-05-12 | 2018-10-25 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | フィルタリング装置およびフィルタ |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP63048822A patent/JP2569697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01223752A (ja) | 1989-09-06 |
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