JP2701580B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2701580B2 JP2701580B2 JP3102908A JP10290891A JP2701580B2 JP 2701580 B2 JP2701580 B2 JP 2701580B2 JP 3102908 A JP3102908 A JP 3102908A JP 10290891 A JP10290891 A JP 10290891A JP 2701580 B2 JP2701580 B2 JP 2701580B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor
- ground conductor
- frequency circuit
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波回路が形成され
ている厚さの違う半導体基板を接続して構成される半導
体装置に関するものである。
ている厚さの違う半導体基板を接続して構成される半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のこの種の半導体装置を示す
斜視図であり、この図において、１は厚さの厚い半導体
基板、１０はこの半導体基板１上に形成されたマイクロ
ストリップ線路、１１は前記半導体基板１の反対面に形
成された接地導体、４は厚さの薄い半導体基板、５はこ
の半導体基板４上に形成されたマイクロストリップ線
路、６は前記厚さの薄い半導体基板４の反対面に形成さ
れた接地導体、７は段差Ｌを半導体基板１に対してつけ
た接地導体、８はボンディングワイヤである。
斜視図であり、この図において、１は厚さの厚い半導体
基板、１０はこの半導体基板１上に形成されたマイクロ
ストリップ線路、１１は前記半導体基板１の反対面に形
成された接地導体、４は厚さの薄い半導体基板、５はこ
の半導体基板４上に形成されたマイクロストリップ線
路、６は前記厚さの薄い半導体基板４の反対面に形成さ
れた接地導体、７は段差Ｌを半導体基板１に対してつけ
た接地導体、８はボンディングワイヤである。
【０００３】次に、従来の半導体装置の動作について説
明する。半導体基板上に形成されたマイクロストリップ
線路の特性インピ−ダンスＺ0は、次式で示すような公
式で表わされる。
明する。半導体基板上に形成されたマイクロストリップ
線路の特性インピ−ダンスＺ0は、次式で示すような公
式で表わされる。
【０００４】
【数１】 ここでは、εreは半導体基板の誘電率、ｈは半導体基板
の厚さ、Ｗはマイクロストリップ線路の幅である。
の厚さ、Ｗはマイクロストリップ線路の幅である。
【０００５】図３にマイクロストリップ線路幅Ｗを一定
の１１０μｍとした際の半導体基板厚ｈとマイクロスト
リップ線路の特性インピーダンスＺ0との関係を示す。
この図よりマイクロストリップ線路幅Ｗを一定とする
と、半導体基板厚ｈが小さくなるほど特性インピーダン
スが低くなることがわかる。したがって、図３に示すよ
うに基板厚の違う半導体基板を接続する場合、接続する
場所付近において、厚い半導体基板１上に形成されてい
るマイクロストリップ線路１０に対して薄い半導体基板
４の高さを上げるための接地導体７が厚い半導体基板１
の接地導体１１より接近することとなる。したがって、
両方の半導体基板１，４の接続部において、厚い半導体
基板１上に形成されているマイクロストリップ線路１０
の特性インピーダンスは、薄い半導体基板４の接地導体
６が接近することで設計値より低くなってしまう。
の１１０μｍとした際の半導体基板厚ｈとマイクロスト
リップ線路の特性インピーダンスＺ0との関係を示す。
この図よりマイクロストリップ線路幅Ｗを一定とする
と、半導体基板厚ｈが小さくなるほど特性インピーダン
スが低くなることがわかる。したがって、図３に示すよ
うに基板厚の違う半導体基板を接続する場合、接続する
場所付近において、厚い半導体基板１上に形成されてい
るマイクロストリップ線路１０に対して薄い半導体基板
４の高さを上げるための接地導体７が厚い半導体基板１
の接地導体１１より接近することとなる。したがって、
両方の半導体基板１，４の接続部において、厚い半導体
基板１上に形成されているマイクロストリップ線路１０
の特性インピーダンスは、薄い半導体基板４の接地導体
６が接近することで設計値より低くなってしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
以上のように構成されているので、厚い半導体基板１上
のマイクロストリップ線路１０が、薄い半導体基板４の
高さを上げるための接地導体７と接近する２つの半導体
基板１，４の接続部付近において、半導体基板厚が薄く
なることと同じ効果、つまり特性インピ−ダンスが低下
するという問題点があった。
以上のように構成されているので、厚い半導体基板１上
のマイクロストリップ線路１０が、薄い半導体基板４の
高さを上げるための接地導体７と接近する２つの半導体
基板１，４の接続部付近において、半導体基板厚が薄く
なることと同じ効果、つまり特性インピ−ダンスが低下
するという問題点があった。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、厚さの違う半導体基板を接続す
る場合に、接続部付近において、半導体基板上の伝送線
路の特性インピ−ダンスが変化しない半導体装置を得る
ことを目的とする。
ためになされたもので、厚さの違う半導体基板を接続す
る場合に、接続部付近において、半導体基板上の伝送線
路の特性インピ−ダンスが変化しない半導体装置を得る
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、それぞれに高周波回路が形成されている第１の半導
体基板とこの第１の半導体基板よりも厚さが薄い第２の
半導体基板とを、段差をつけた接地導体上に第１、第２
の半導体基板の表面を揃えて隣接して配設し、互いの高
周波回路を接続して構成した半導体装置において、第２
の半導体基板の高周波回路をこの第２の半導体基板の表
面に配設された導体膜と接地導体とで構成されるマイク
ロストリップ線路で形成すると共に、第１の半導体基板
の高周波回路を第１の半導体基板表面上に配設された伝
送線路膜と接地導体膜とで構成されるコプレーナ線路で
形成したものである。
は、それぞれに高周波回路が形成されている第１の半導
体基板とこの第１の半導体基板よりも厚さが薄い第２の
半導体基板とを、段差をつけた接地導体上に第１、第２
の半導体基板の表面を揃えて隣接して配設し、互いの高
周波回路を接続して構成した半導体装置において、第２
の半導体基板の高周波回路をこの第２の半導体基板の表
面に配設された導体膜と接地導体とで構成されるマイク
ロストリップ線路で形成すると共に、第１の半導体基板
の高周波回路を第１の半導体基板表面上に配設された伝
送線路膜と接地導体膜とで構成されるコプレーナ線路で
形成したものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、それぞれに高周波回路が形
成されている第１の半導体基板とこの第１の半導体基板
よりも厚さが薄い第２の半導体基板とを、段差をつけた
接地導体上に第１、第２の半導体基板の表面を揃えて隣
接して配設し、第２の半導体基板の高周波回路をマイク
ロストリップ線路で形成すると共に、第１の半導体基板
の高周波回路をコプレーナ線路で形成したことにより、
薄い第２の半導体基板上の高さを上げるための接地導体
の影響が防止される。
成されている第１の半導体基板とこの第１の半導体基板
よりも厚さが薄い第２の半導体基板とを、段差をつけた
接地導体上に第１、第２の半導体基板の表面を揃えて隣
接して配設し、第２の半導体基板の高周波回路をマイク
ロストリップ線路で形成すると共に、第１の半導体基板
の高周波回路をコプレーナ線路で形成したことにより、
薄い第２の半導体基板上の高さを上げるための接地導体
の影響が防止される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１について説明
する。図１において、図２と同一符号は同一構成部分を
示し、２，３はコプレーナ線路を構成する中心導体であ
る伝送線路と接地導体である。９は前記伝送線路２と接
地導体３により構成されたコプレーナ線路の接地導体３
と、接地導体７とを接続する金リボンである。
する。図１において、図２と同一符号は同一構成部分を
示し、２，３はコプレーナ線路を構成する中心導体であ
る伝送線路と接地導体である。９は前記伝送線路２と接
地導体３により構成されたコプレーナ線路の接地導体３
と、接地導体７とを接続する金リボンである。
【００１１】次に、動作について説明する。コプレ−ナ
線路の特性インピ−ダンスは、コプレ−ナ線路の幅Ｗ，
伝送線路２と同一面上に形成された接地導体３までの距
離Ｓと半導体基板の誘電率εreで決定される。特性イン
ピ−ダンスＺ0 は次式で表される。
線路の特性インピ−ダンスは、コプレ−ナ線路の幅Ｗ，
伝送線路２と同一面上に形成された接地導体３までの距
離Ｓと半導体基板の誘電率εreで決定される。特性イン
ピ−ダンスＺ0 は次式で表される。
【００１２】
【数２】
【００１３】線路の幅Ｗを一定とすると、線路と接地導
体間の距離Ｓが小さくなるとコプレーナ線路の特性イン
ピーダンスが低くなる。コプレーナ線路の特性インピー
ダンスは前記幅Ｗと距離Ｓの両方の値で決められるの
で、接続するマイクロストリップ線路５側の薄い基板厚
ｈよりも距離Ｓの値を小さく設計すればコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、接続する基板の接地導体の影
響を受けない。
体間の距離Ｓが小さくなるとコプレーナ線路の特性イン
ピーダンスが低くなる。コプレーナ線路の特性インピー
ダンスは前記幅Ｗと距離Ｓの両方の値で決められるの
で、接続するマイクロストリップ線路５側の薄い基板厚
ｈよりも距離Ｓの値を小さく設計すればコプレーナ線路
の特性インピーダンスは、接続する基板の接地導体の影
響を受けない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
それぞれに高周波回路が形成されている第１の半導体基
板とこの第１の半導体基板よりも厚さが薄い第２の半導
体基板とを、段差をつけた接地導体上に第１、第２の半
導体基板の表面を揃えて隣接して配設し、第２の半導体
基板の高周波回路をマイクロストリップ線路で形成する
と共に、第１の半導体基板の高周波回路をコプレーナ線
路で形成したので、接続部における特性インピーダンス
の変化が生じない。したがって、不要な反射波の生じな
い精度の高い半導体装置が得られる効果がある。
それぞれに高周波回路が形成されている第１の半導体基
板とこの第１の半導体基板よりも厚さが薄い第２の半導
体基板とを、段差をつけた接地導体上に第１、第２の半
導体基板の表面を揃えて隣接して配設し、第２の半導体
基板の高周波回路をマイクロストリップ線路で形成する
と共に、第１の半導体基板の高周波回路をコプレーナ線
路で形成したので、接続部における特性インピーダンス
の変化が生じない。したがって、不要な反射波の生じな
い精度の高い半導体装置が得られる効果がある。
【図１】 本発明の一実施例を示す半導体装置の斜視図
である。
である。
【図２】 従来の厚さに違いのある半導体基板を接続す
る例を示す斜視図である。
る例を示す斜視図である。
【図３】 マイクロストリップ線路幅を一定とした際の
半導体基板厚とマイクロストリップ線路の特性インピー
ダンスとの関係を示す図である。
半導体基板厚とマイクロストリップ線路の特性インピー
ダンスとの関係を示す図である。
１ 厚さの厚い半導体基板 ２ 伝送線路 ３ 接地導体 ４ 厚さの薄い半導体基板 ５ マイクロストリップ線路 ６ 薄い半導体基板の接地導体 ７ 段差をつけた接地導体 ８ ボンディングワイヤ ９ 金リボン
Claims (1)
- 【請求項１】 それぞれに高周波回路が形成されている
第１の半導体基板とこの第１の半導体基板よりも厚さが
薄い第２の半導体基板とを段差をつけた接地導体上に前
記第１、第２の半導体基板の表面を揃えて隣接して配設
し、互いの前記高周波回路を接続して構成した半導体装
置において、 前記第２の半導体基板の高周波回路をこの第２の半導体
基板の表面に配設された導体膜と前記接地導体とで構成
されるマイクロストリップ線路で形成すると共に、前記
第１の半導体基板の高周波回路を前記第１の半導体基板
表面上に配設された伝送線路膜と接地導体膜とで構成さ
れるコプレーナ線路で形成したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102908A JP2701580B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102908A JP2701580B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334101A JPH04334101A (ja) | 1992-11-20 |
| JP2701580B2 true JP2701580B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=14339959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3102908A Expired - Lifetime JP2701580B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701580B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3102908A patent/JP2701580B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04334101A (ja) | 1992-11-20 |
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