JPS6334324Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （考案の技術分野） この考案は高周波又は高速回路に用いられるマ
イクロ波回路基板に関する。

（技術的背景） シリコン半導体或いは化合物半導体により形成
される電子デバイスの高速化に伴ない、これらデ
バイスを搭載する基板も高周波化・高速化に対応
出来るようにする必要がある。

まず、この考案の説明の理解を容易にするため
に従来のマイクロ波回路基板につき第１図Ａ及び
Ｂを参照して説明する。第１図Ａに断面図として
示す従来のマイクロ波回路基板１では、アルミナ
等から成るセラミツク基板（又は誘電体層ともい
う）２の上面２ａには抵抗、容量、インダクタン
ス等を含んだマイクロ波回路や伝送線路が、ま
た、周辺部には信号入力又は出力端子等を構成す
る複数個の導体が、一般には厚膜又は薄膜技術に
よつて、設けられている。図中、これら導体を３
で示す。また、この基板２の下面２ｂには接地面
として供する接地導体４がほぼ全面に亙り設けら
れている。これら導体３はこの接地導体４と共
に、セラミツク基板を構成する誘電体層２を挾ん
で、夫々ストリツプラインを形成している。さら
に、このマイクロ波回路基板１には半導体チツプ
（図に現われていない）の端子をこれら所要のマ
イクロ波回路や、伝送線路や、或いは端子に接続
するために搭載するための半導体チツプ搭載領域
（図示せず）が設けられている。

第１図Ｂに示す従来構造のマイクロ波回路基板
は、第１図Ａの場合とは異なり、セラミツク基板
２が多層構造、例えば、二層２１，２２から成つ
ていて、接地導体４がセラミツク基板２の二つの
誘電体層２１，２２間に中間層として設けられて
いるが、その他の構成は第１図Ａと同様な構成と
なつている。

このような構造の従来のマイクロ波回路基板で
は、ストリツプラインを構成する導体には高周波
或いは高速信号を伝達すなわち受渡ししたりする
導体もある。従つて、これら高周波又は高速信号
用導体（以下、高速信号導体と称する）を含む高
周波・高速回路（以下、単に高速回路という）等
の集積回路が高集積化されるに従つて、回路パタ
ーン同志が接近し、これがため、高速回路とこれ
に近接する回路同志が電気磁気的に結合してしま
い、誤動作を生じてしまうという欠点がある。

また、ストリツプラインの特性インピーダンス
はストリツプラインの導体３と基板２の裏側又は
中間の接地面４との間の距離及びこのストリツプ
ラインの導体３の幅によつて決るが、高速回路が
接近してくると、近接回路すなわち近接の他のマ
イクロ波回路、伝送線路、端子等の導体からの影
響が出てストリツプラインのインピーダンス特性
も変化してしまうという欠点があつた。

（考案の目的） この考案の目的は、上述した従来のマイクロ波
回路基板の有する欠点に鑑み、マイクロ波回路
や、伝送線路や、端子等の回路が高集積化されて
も、この高集積化が回路動作やストリツプライン
の特性インピーダンスに影響を及ばさないように
した構造のマイクロ波回路基板を提供するにあ
る。

（考案の構成） この目的の達成を図るため、この考案によれ
ば、基板の上面の導体のうち高速又は高周波信号
用導体及びこれら高速又は高周波信号用導体に近
接する他の導体間の距離を、これら高速又は高周
波用導体のセラミツク基板側の面及びこの基板の
下面又は基板中の接地導体の高速又は高周波用導
体側の面間の最短距離よりも大として成ることを
要旨とする。

（実施例の説明） 以下、第２図及び第３図によりこの考案の実施
例につき説明する。

第２図及び第３図はこの考案のマイクロ波回路
基板の実施例をそれぞれ示す略図的断面図であつ
て、第１図Ａ及びＢに示した構成成分と同一の構
成成分については同一の符合を付して示す。

第２図に示す実施例では、セラミツク基板２の
下面２ｂに接地面である接地導体４を具え、セラ
ミツク基板２の上面２ａには高周波・高速信号
（以下、単に高速信号という）を伝達する端子と
か、伝送線路とか、或いは又マイクロ波回路とか
をそれぞれ構成する導体５と、これに接近して配
設された他の低速信号、電源或いはその他の信号
用ストリツプラインを構成する他の導体６とが設
けられている。そして、この実施例の場合には、
高速信号を伝速する導体５とこの近接する他の導
体６との対向する側縁間の距離ｄ１，ｄ２（この
導体に直交する横断面図内で基板の上面に沿いか
つこの上面と平行な方向に測つた距離）を、この
高速信号伝達導体５の、基板２側の面と基板２の
下面２ｂに設けられている接地導体４の、基板２
側の面との間の最短距離ｔ（同様に、この横断面
図内で基板面に垂直な方向に測つた距離）よりも
大きくなしている。

また、第３図は基板を多層構造とした例で、セ
ラミツク基板２の誘電体層２１，２２の間に接地
導体４を中間層として具えている。この場合にも
第２図の場合と同様に、高速信号伝達導体５及び
近接する他の導体６間の距離ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６を、この高速信号伝達導体５の基板２側の面
及び基板２中の接地導体４の基板２の上面２ａ側
の面間の距離ｔよりも大きくなしている。

これらの実施例において、近接する他の導体に
はマイクロ波回路、ストリツプライン及び端子等
を構成する導体を含んでいる。

（考案の効果） このように、この考案のマイクロ波回路基板の
構造によれば、高速信号が伝達する導体に最も接
近する導体はセラミツク基板の裏面又はセラミツ
ク基板中に設けられている接地導体であるので、
導体に高速或いは高周波信号が流れた場合に、こ
の導体に接近している他の導体に従来のマイクロ
波回路基板のように悪い影響が及ぶことが無く、
従つて、高周波・高速信号を伝達或いは受渡しす
る端子、伝送線路、マイクロ波回路等を構成する
ストリツプラインの導体のインピーダンス特性が
影響を受ず、その特性が保証されるという利点が
ある。

さらに、この高速信号が伝達する導体は低周波
回路を構成する導体と離れているので、これら導
体間の電磁結合を低減出来るという利点もある。

この考案によるマイクロ波回路基板の構造によ
れば、高速信号の伝達するストリツプラインのみ
に関してこれに接近する他のストリツプラインと
の間隔を広げればよいので、回路が高集積化され
ても充分に対処出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ及びＢは従来のマイクロ波回路基板を
示す断面図、第２図及び第３図はこの考案のマイ
クロ波回路基板の実施例を夫々示す略図的断面図
である。 １……マイクロ波回路基板、２……セラミツク
基板（又は誘電体層）、２１，２２……誘電体層、
２ａ……セラミツク基板の上面、２ｂ……セラミ
ツク基板の下面、３……マイクロ波回路、伝送線
路、端子構成する導体、４……接地導体（又は接
地面）、５……高周波・高速信号を伝達する導体、
６……他の導体。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミツク基板の上面にストリツプラインを構
   成するための複数個の導体を具えると共に、該セ
   ラミツク基板の下面又はその中間部に接地導体を
   具えていて半導体チツプを搭載出来るように構成
   したマイクロ波回路基板において、前記導体のう
   ち高速又は高周波信号用導体と該高速又は高周波
   信号用導体に近接する他の導体との間の距離を、
   該高速又は高周波用導体のセラミツク基板側の面
   と前記接地導体の前記高速又は高周波用導体側の
   面との間の最短距離よりも大として成ることを特
   徴とするマイクロ波回路基板。