JPH0537163A - 回路装置 - Google Patents
回路装置Info
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- JPH0537163A JPH0537163A JP3214561A JP21456191A JPH0537163A JP H0537163 A JPH0537163 A JP H0537163A JP 3214561 A JP3214561 A JP 3214561A JP 21456191 A JP21456191 A JP 21456191A JP H0537163 A JPH0537163 A JP H0537163A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 実装密度が高く、アイソレーションがとれ、
安定度が高い分布定数回路を構成する回路装置を提供す
ることを目的とする。 ［構成］ 中間のグランド層１１を挟むようにその両側
に絶縁層１２、１３を設け、これらの絶縁層１２、１３
の外表面にそれぞれ高周波回路を形成するとともに、少
なくとも一方の回路の配線部分にストリップライン１７
を設け、これによって分布定数回路を構成するようにし
たものである。
安定度が高い分布定数回路を構成する回路装置を提供す
ることを目的とする。 ［構成］ 中間のグランド層１１を挟むようにその両側
に絶縁層１２、１３を設け、これらの絶縁層１２、１３
の外表面にそれぞれ高周波回路を形成するとともに、少
なくとも一方の回路の配線部分にストリップライン１７
を設け、これによって分布定数回路を構成するようにし
たものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路装置に係り、とくに
絶縁層の上に形成されている導電層によってストリップ
ラインを形成するようにした回路装置に関する。
絶縁層の上に形成されている導電層によってストリップ
ラインを形成するようにした回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波回路は例えば図１１に示さ
れるように、絶縁層１の上側に銅箔２を接合するととも
に、この銅箔２によって配線を形成する。そして銅箔２
上に回路素子３をマウントするとともに、上記銅箔２の
配線によって互いに接続するようにしている。絶縁層１
の下側の表面にはグランド層を構成する導電層４を形成
するようにしている。
れるように、絶縁層１の上側に銅箔２を接合するととも
に、この銅箔２によって配線を形成する。そして銅箔２
上に回路素子３をマウントするとともに、上記銅箔２の
配線によって互いに接続するようにしている。絶縁層１
の下側の表面にはグランド層を構成する導電層４を形成
するようにしている。
【０００３】別の従来の高周波回路は例えば図１２に示
されるように、絶縁層１の両側にそれぞれ銅箔２を接合
するとともに、これらの銅箔２によってプリント配線を
行ない、両面にそれぞれ回路素子３をマウントするよう
にしている。
されるように、絶縁層１の両側にそれぞれ銅箔２を接合
するとともに、これらの銅箔２によってプリント配線を
行ない、両面にそれぞれ回路素子３をマウントするよう
にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１１に示すような従
来の高周波回路によれば、絶縁層１の下面に形成されて
いる導電層４によってグランド層が形成されるために、
安定度が高く、銅箔２によってストリップラインを形成
することが可能になる。ところがこのような高周波回路
は、基板の上面にのみしか回路素子３をマウントするこ
とができず、片面実装しか行なえない。従って回路素子
３の実装密度が低いという欠点がある。
来の高周波回路によれば、絶縁層１の下面に形成されて
いる導電層４によってグランド層が形成されるために、
安定度が高く、銅箔２によってストリップラインを形成
することが可能になる。ところがこのような高周波回路
は、基板の上面にのみしか回路素子３をマウントするこ
とができず、片面実装しか行なえない。従って回路素子
３の実装密度が低いという欠点がある。
【０００５】これに対して図１２に示すような高周波回
路によれば、基板の両面にそれぞれ回路素子３をマウン
トすることができるために、実装密度が向上する。とこ
ろが回路基板の上側の回路と下側の回路とのアイソレー
ションがとれず、これによって両側の回路の安定度が悪
くなったり、信号が歪んだりすることになる。またグラ
ンド層を必要とするストリップラインをこのような回路
基板上に形成することができない。
路によれば、基板の両面にそれぞれ回路素子３をマウン
トすることができるために、実装密度が向上する。とこ
ろが回路基板の上側の回路と下側の回路とのアイソレー
ションがとれず、これによって両側の回路の安定度が悪
くなったり、信号が歪んだりすることになる。またグラ
ンド層を必要とするストリップラインをこのような回路
基板上に形成することができない。
【０００６】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、多層構造とするとともに、回路間のア
イソレーションが確実にとれ、またストリップラインが
形成できるようにした回路装置を提供することを目的と
するものである。
たものであって、多層構造とするとともに、回路間のア
イソレーションが確実にとれ、またストリップラインが
形成できるようにした回路装置を提供することを目的と
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、中間のグ
ランド層と、前記グランド層の両側に設けられている絶
縁層と、前記絶縁層の外表面に設けられている導電層か
ら成る配線と、前記配線によって前記両側の絶縁層の上
に形成されている回路とから成り、前記両側の外表面の
導電層の内の少なくとも一方にスリップラインが形成さ
れていることを特徴とする回路装置に関するものであ
る。
ランド層と、前記グランド層の両側に設けられている絶
縁層と、前記絶縁層の外表面に設けられている導電層か
ら成る配線と、前記配線によって前記両側の絶縁層の上
に形成されている回路とから成り、前記両側の外表面の
導電層の内の少なくとも一方にスリップラインが形成さ
れていることを特徴とする回路装置に関するものであ
る。
【０００８】第２の発明は、中間のグランド層と、前記
グランド層の両側に設けられている絶縁層と、前記絶縁
層の外表面に設けられている導電層から成る配線と、前
記配線によって前記両側の絶縁層の上に形成されている
回路と、前記グランド層と前記絶縁層と前記導電層とか
ら成る基板のコーナの部分に形成されている非円形のビ
ス挿通孔と、該ビス挿通孔の周囲に設けられている多数
の小孔と、前記小孔の内表面に形成されかつ前記グラン
ド層に接続されているメッキ層とから成る回路装置に関
するものである。
グランド層の両側に設けられている絶縁層と、前記絶縁
層の外表面に設けられている導電層から成る配線と、前
記配線によって前記両側の絶縁層の上に形成されている
回路と、前記グランド層と前記絶縁層と前記導電層とか
ら成る基板のコーナの部分に形成されている非円形のビ
ス挿通孔と、該ビス挿通孔の周囲に設けられている多数
の小孔と、前記小孔の内表面に形成されかつ前記グラン
ド層に接続されているメッキ層とから成る回路装置に関
するものである。
【０００９】第３の発明は、２層構造の絶縁層と、該絶
縁層に挟着されるように中間に形成された導電層と、前
記導電層によって形成されているストリップラインと、
前記２層の絶縁層の外表面にそれぞれ形成されているグ
ランド層とから成る回路装置に関するものである。
縁層に挟着されるように中間に形成された導電層と、前
記導電層によって形成されているストリップラインと、
前記２層の絶縁層の外表面にそれぞれ形成されているグ
ランド層とから成る回路装置に関するものである。
【００１０】
【作用】第１の発明によれば、絶縁層の外表面の導電層
から成る配線によって形成される回路は、中間のグラン
ド層によって互いに分離され、各層間のアイソレーショ
ンがとれる。また中間のグランド層によって必要に応じ
て片側の導電層あるいは両側の導電層にストリップライ
ンを形成できるようになる。
から成る配線によって形成される回路は、中間のグラン
ド層によって互いに分離され、各層間のアイソレーショ
ンがとれる。また中間のグランド層によって必要に応じ
て片側の導電層あるいは両側の導電層にストリップライ
ンを形成できるようになる。
【００１１】第２の発明によれば、非円形のビス挿通孔
内を挿通するビスとこの非円形のビス挿通孔の内周面に
形成されているメッキ層とによって一定でない容量が発
生しても、このような容量はその周囲に設けられている
小孔の内表面のメッキ層がグランド層と接続されている
ために、このような小孔のメッキ層によって一定でない
容量のキャパスタンス成分がシールドされる。
内を挿通するビスとこの非円形のビス挿通孔の内周面に
形成されているメッキ層とによって一定でない容量が発
生しても、このような容量はその周囲に設けられている
小孔の内表面のメッキ層がグランド層と接続されている
ために、このような小孔のメッキ層によって一定でない
容量のキャパスタンス成分がシールドされる。
【００１２】第３の発明によれば、中間の導電層によっ
て形成されるストリップラインは、両側の絶縁層の表面
に形成されているグランド層によってシールドされるよ
うになる。従ってストリップラインの完全なアイソレー
ションが達成される。
て形成されるストリップラインは、両側の絶縁層の表面
に形成されているグランド層によってシールドされるよ
うになる。従ってストリップラインの完全なアイソレー
ションが達成される。
【００１３】
【実施例】図１および図２は本発明の第１の実施例に係
る回路装置を示すものであって、この回路装置の回路基
板１０は中間のグランド層１１と、その両側に形成され
ている絶縁層１２、１３とを備えている。そして上下の
絶縁層１２、１３の外表面にはそれぞれ銅箔１４、１５
が接合されている。銅箔１４、１５はエッチングによっ
て配線パターンを形成するようになっており、これらの
配線パターンによって絶縁層１２、１３の外表面にマウ
ントされている回路素子１６が所定の回路を構成するよ
うになっている。またとくに上側の絶縁層１２の外表面
上にはストリップライン１７が形成されている。
る回路装置を示すものであって、この回路装置の回路基
板１０は中間のグランド層１１と、その両側に形成され
ている絶縁層１２、１３とを備えている。そして上下の
絶縁層１２、１３の外表面にはそれぞれ銅箔１４、１５
が接合されている。銅箔１４、１５はエッチングによっ
て配線パターンを形成するようになっており、これらの
配線パターンによって絶縁層１２、１３の外表面にマウ
ントされている回路素子１６が所定の回路を構成するよ
うになっている。またとくに上側の絶縁層１２の外表面
上にはストリップライン１７が形成されている。
【００１４】図２はこのような回路基板１０の全体の上
面を示している。ストリップライン１７は銅箔１４を残
して細条としたものである。なおこのストリップライン
１７を構成する細条の幅は、例えば０．２５ｍｍになっ
ており、このようなストリップライン１７によってコン
デンサやコイルを構成するようにしている。またこのよ
うな回路基板１０上には、必要に応じてスルーホール２
１、２２が形成されている。さらにこのような回路基板
１０の３つのコーナの部分には円形の取付け孔２６が形
成されるとともに、もう１つのコーナの部分には長円形
の取付け孔２７が形成されている。
面を示している。ストリップライン１７は銅箔１４を残
して細条としたものである。なおこのストリップライン
１７を構成する細条の幅は、例えば０．２５ｍｍになっ
ており、このようなストリップライン１７によってコン
デンサやコイルを構成するようにしている。またこのよ
うな回路基板１０上には、必要に応じてスルーホール２
１、２２が形成されている。さらにこのような回路基板
１０の３つのコーナの部分には円形の取付け孔２６が形
成されるとともに、もう１つのコーナの部分には長円形
の取付け孔２７が形成されている。
【００１５】図３はこのような回路基板１３の製作方法
を示しており、上側の絶縁層１２の上下の面にはそれぞ
れ銅箔１４とグランド層１１とを予め接合しておく。こ
れに対して下側の絶縁層１３については、その下面に銅
箔１５を接合しておく。なおここでは上側の絶縁層１２
としてガラスエポキシ樹脂が用いられ、下側の絶縁層１
３として接着剤を含むエポキシ樹脂が用いられている。
そして両者は熱圧着によって互いに接合されるようにな
っており、これによって図１に示すような断面構造の多
層基板１０が組立てられることになる。
を示しており、上側の絶縁層１２の上下の面にはそれぞ
れ銅箔１４とグランド層１１とを予め接合しておく。こ
れに対して下側の絶縁層１３については、その下面に銅
箔１５を接合しておく。なおここでは上側の絶縁層１２
としてガラスエポキシ樹脂が用いられ、下側の絶縁層１
３として接着剤を含むエポキシ樹脂が用いられている。
そして両者は熱圧着によって互いに接合されるようにな
っており、これによって図１に示すような断面構造の多
層基板１０が組立てられることになる。
【００１６】このような構造の回路装置によれば、中間
層にグランド層１１が形成されているために、上側の面
と下側の面に異なる周波数の回路を構成しても、それら
が互いに干渉することがなくなる。また同一周波数の増
幅回路や発振回路をそれぞれの面に形成しても、寄生発
振がなくなり、安定度が向上する。ＰＬＬ回路の場合に
は、基準クロックのラインを異なる面とすると、クロッ
クのリークが少なくなる。
層にグランド層１１が形成されているために、上側の面
と下側の面に異なる周波数の回路を構成しても、それら
が互いに干渉することがなくなる。また同一周波数の増
幅回路や発振回路をそれぞれの面に形成しても、寄生発
振がなくなり、安定度が向上する。ＰＬＬ回路の場合に
は、基準クロックのラインを異なる面とすると、クロッ
クのリークが少なくなる。
【００１７】図１は分布定数回路と集中定数回路とをそ
れぞれの面に構成した例を示している。３層基板の場合
には、基板の製造上片面の板厚精度があげ易いために、
分布定数回路を構成するストリップライン１７をばらつ
きなく構成できる。しかもストリップライン１７はグラ
ンド層１１を必ず必要とするために、図１のような構造
によれば、その片面または両面にそれぞれストリップラ
イン１７を形成することができる。あるいはまた一方の
面に分布定数回路を形成するとともに、他方の面に集中
定数回路を形成することができ、回路装置の小型化が図
られるようになる。
れぞれの面に構成した例を示している。３層基板の場合
には、基板の製造上片面の板厚精度があげ易いために、
分布定数回路を構成するストリップライン１７をばらつ
きなく構成できる。しかもストリップライン１７はグラ
ンド層１１を必ず必要とするために、図１のような構造
によれば、その片面または両面にそれぞれストリップラ
イン１７を形成することができる。あるいはまた一方の
面に分布定数回路を形成するとともに、他方の面に集中
定数回路を形成することができ、回路装置の小型化が図
られるようになる。
【００１８】しかもこのような回路装置によれば、回路
基板１０は両面実装基板となるために、回路素子１６の
実装密度が上がり、回路装置の小型化が達成される。す
なわち図１１に示す構造に比べて、約半分の回路面積と
することができるようになる。また両面実装を行なって
も、上下の回路間にグランド層１１が存在するために、
クローストークが少なくなり、上下の回路間でのアイソ
レーションがとれるようになる。
基板１０は両面実装基板となるために、回路素子１６の
実装密度が上がり、回路装置の小型化が達成される。す
なわち図１１に示す構造に比べて、約半分の回路面積と
することができるようになる。また両面実装を行なって
も、上下の回路間にグランド層１１が存在するために、
クローストークが少なくなり、上下の回路間でのアイソ
レーションがとれるようになる。
【００１９】図４はこのような回路基板１０に形成され
ているスルーホール２１を示している。スルーホール２
１はその内周面にメッキ層２３を備えている。そしてこ
のメッキ層２３が中間のグランド層１１に接続されるよ
うになっている。従ってこのようなスルーホール２１の
メッキ層２３を介して両側の導電層１４、１５がグラン
ド層１１に落ちるようになる。
ているスルーホール２１を示している。スルーホール２
１はその内周面にメッキ層２３を備えている。そしてこ
のメッキ層２３が中間のグランド層１１に接続されるよ
うになっている。従ってこのようなスルーホール２１の
メッキ層２３を介して両側の導電層１４、１５がグラン
ド層１１に落ちるようになる。
【００２０】上下の導電層１４、１５間での導通のみを
必要とし、グランド層１１へ落す必要がない場合には、
図５のような構造にすればよい。すなわち中間のグラン
ド層１１のスルーホール２２の部分を予めエッチングし
ておき、これによってスルーホール２２のメッキ層２３
がグランド層１１に接続されないようにする。するとメ
ッキ層２３によって上下の導電層１４、１５の導通のみ
を達成できるようになる。
必要とし、グランド層１１へ落す必要がない場合には、
図５のような構造にすればよい。すなわち中間のグラン
ド層１１のスルーホール２２の部分を予めエッチングし
ておき、これによってスルーホール２２のメッキ層２３
がグランド層１１に接続されないようにする。するとメ
ッキ層２３によって上下の導電層１４、１５の導通のみ
を達成できるようになる。
【００２１】図６および図７は回路基板１０の図２にお
ける右上の調整用の取付け孔２７の構造を示している。
この取付け孔２７はその周囲に多数の小孔２８を備えて
いる。しかもこの小孔２８の内周面にメッキ層２９が形
成されている。メッキ層２９はグランド層１１に接続さ
れるようになっている。
ける右上の調整用の取付け孔２７の構造を示している。
この取付け孔２７はその周囲に多数の小孔２８を備えて
いる。しかもこの小孔２８の内周面にメッキ層２９が形
成されている。メッキ層２９はグランド層１１に接続さ
れるようになっている。
【００２２】長円形の取付け孔２７には図７に示すよう
にビス３２が挿通されるようになっており、このビス３
２がシールド板３０の取付け部３１にねじ込まれるよう
になっている。
にビス３２が挿通されるようになっており、このビス３
２がシールド板３０の取付け部３１にねじ込まれるよう
になっている。
【００２３】このようにして回路基板１０をシールド板
３０に固定すると、ビス３２と長円形の取付け孔２７の
内周面のメッキ層２９との間で一定でない容量を発生
し、回路基板１０の上下の面にそれぞれ形成されている
高周波回路に悪影響を及ぼす可能性がある。このような
悪影響は、周囲の小孔２８の内周面に形成されているメ
ッキ層２９によって防止される。すなわちグランド層１
１と接続されている小孔２８のメッキ層２９によって、
ビス３２が発生する一定でない容量のキャパスタンスを
シールドするようになる。従って長円形の取付け孔２７
をルータ加工して、その内周面がギザギザになり、メッ
キが均一につかない場合においても、とくに支障がなく
なる。
３０に固定すると、ビス３２と長円形の取付け孔２７の
内周面のメッキ層２９との間で一定でない容量を発生
し、回路基板１０の上下の面にそれぞれ形成されている
高周波回路に悪影響を及ぼす可能性がある。このような
悪影響は、周囲の小孔２８の内周面に形成されているメ
ッキ層２９によって防止される。すなわちグランド層１
１と接続されている小孔２８のメッキ層２９によって、
ビス３２が発生する一定でない容量のキャパスタンスを
シールドするようになる。従って長円形の取付け孔２７
をルータ加工して、その内周面がギザギザになり、メッ
キが均一につかない場合においても、とくに支障がなく
なる。
【００２４】図８は別の実施例を示している。この実施
例においては、グランド層１１を挟着するように設けら
れている絶縁層１２、１３の上下にそれぞれ銅箔１４、
１５によってストリップライン１７を形成するようにし
ている。すなわちこの実施例においては、上下の面にそ
れぞれ分布定数回路を形成するようにしている。上下の
分布定数回路は中間のグランド層１１によって分離され
ることになる。
例においては、グランド層１１を挟着するように設けら
れている絶縁層１２、１３の上下にそれぞれ銅箔１４、
１５によってストリップライン１７を形成するようにし
ている。すなわちこの実施例においては、上下の面にそ
れぞれ分布定数回路を形成するようにしている。上下の
分布定数回路は中間のグランド層１１によって分離され
ることになる。
【００２５】図９はさらに別の実施例を示している。こ
の実施例においては、上下の絶縁層１２、１３によって
挟着されるグランド層として、放熱板を兼ねた金属板３
５が用いられるようになっている。このような金属板３
５を用いることによって、回路基板１０の放熱性を高め
ることが可能になる。
の実施例においては、上下の絶縁層１２、１３によって
挟着されるグランド層として、放熱板を兼ねた金属板３
５が用いられるようになっている。このような金属板３
５を用いることによって、回路基板１０の放熱性を高め
ることが可能になる。
【００２６】すなわち上側の絶縁層１２の表面にストリ
ップライン１７を形成するとともに、下側の絶縁層１３
の下面に高出力回路を形成することができるようにな
る。高出力回路によって発生される熱が放熱板を兼ねる
金属板３５によって効果的に放熱される。しかも上下の
回路間のアイソレーションが金属板３５によって確実に
行なわれることになる。
ップライン１７を形成するとともに、下側の絶縁層１３
の下面に高出力回路を形成することができるようにな
る。高出力回路によって発生される熱が放熱板を兼ねる
金属板３５によって効果的に放熱される。しかも上下の
回路間のアイソレーションが金属板３５によって確実に
行なわれることになる。
【００２７】図１０はさらに別の実施例を示している。
この実施例によれば、上下の絶縁層１２、１３に挟着さ
れるように、銅箔１４が接合されている。しかもこのよ
うな銅箔１４によってエッチングでストリップライン１
７が形成されるようになっている。そして絶縁層１２、
１３の上下面にはそれぞれグランド層１１が形成されて
いる。従ってこのような構造によれば、上下のグランド
層１１によって完全なアイソレーションとシールドとが
達成されることになり、極めて安定度の高いストリップ
ライン１７から成る分布定数回路が得られるようにな
る。
この実施例によれば、上下の絶縁層１２、１３に挟着さ
れるように、銅箔１４が接合されている。しかもこのよ
うな銅箔１４によってエッチングでストリップライン１
７が形成されるようになっている。そして絶縁層１２、
１３の上下面にはそれぞれグランド層１１が形成されて
いる。従ってこのような構造によれば、上下のグランド
層１１によって完全なアイソレーションとシールドとが
達成されることになり、極めて安定度の高いストリップ
ライン１７から成る分布定数回路が得られるようにな
る。
【００２８】
【発明の効果】第１の発明によれば、両側の外表面の導
電層の内の少なくとも一方にストリップラインが形成さ
れることになり、このようなストリップラインは反対側
の回路と中間のグランド層によって分離されることにな
り、これによって分布定数回路の安定度を高めることが
可能になる。
電層の内の少なくとも一方にストリップラインが形成さ
れることになり、このようなストリップラインは反対側
の回路と中間のグランド層によって分離されることにな
り、これによって分布定数回路の安定度を高めることが
可能になる。
【００２９】第２の発明によれば、非円形のビス挿通孔
とビスとの間に一定でない容量が発生しても、このよう
な容量は、非円形のビス挿通孔の周囲に形成されている
多数の小孔の内表面に形成されかつグランド層に接続さ
れているメッキ層によってシールドされることになり、
上記一定でない容量が高周波回路に悪影響を及ぼすこと
が防止される。
とビスとの間に一定でない容量が発生しても、このよう
な容量は、非円形のビス挿通孔の周囲に形成されている
多数の小孔の内表面に形成されかつグランド層に接続さ
れているメッキ層によってシールドされることになり、
上記一定でない容量が高周波回路に悪影響を及ぼすこと
が防止される。
【００３０】第３の発明によれば、両側の絶縁層によっ
て挟着されるように形成されているストリップライン
は、その両側のグランド層によって他の回路と完全に分
離され、しかもこのようなグランド層によってシールド
されることになり、極めて安定度の高い分布定数回路が
得られるようになる。
て挟着されるように形成されているストリップライン
は、その両側のグランド層によって他の回路と完全に分
離され、しかもこのようなグランド層によってシールド
されることになり、極めて安定度の高い分布定数回路が
得られるようになる。
【図１】第１の実施例の回路装置の縦断面図である。
【図２】同回路装置を構成する回路基板の平面図であ
る。
る。
【図３】回路基板を組立てる動作を示す縦断面図であ
る。
る。
【図４】スルーホールの縦断面図である。
【図５】別のスルーホールの縦断面図である。
【図６】回路基板のコーナの部分の拡大平面図である。
【図７】非円形の取付け孔による回路基板の取付けを示
す拡大縦断面図である。
す拡大縦断面図である。
【図８】他の実施例の回路装置の縦断面図である。
【図９】さらに別の実施例の回路装置の縦断面図であ
る。
る。
【図１０】さらに別の実施例の回路装置の縦断面図であ
る。
る。
【図１１】従来の回路装置の縦断面図である。
【図１２】別の従来の回路装置の縦断面図である。
１ 絶縁層 ２ 銅箔 ３ 回路素子 ４ 導電層（グランド層） １０ 回路基板 １１ グランド層 １２ 絶縁層（上） １３ 絶縁層（下） １４、１５ 銅箔 １６ 回路素子 １７ ストリップライン ２１、２２ スルーホール ２３ メッキ層 ２６ 取付け孔（円形孔） ２７ 取付け孔（長円形孔） ２８ 小孔 ２９ メッキ層 ３０ シールド板 ３１ 取付け部 ３２ ビス ３５ 金属板（放熱板）
Claims (3)
- 【請求項１】 中間のグランド層と、 前記グランド層の両側に設けられている絶縁層と、 前記絶縁層の外表面に設けられている導電層から成る配
線と、 前記配線によって前記両側の絶縁層の上に形成されてい
る回路とから成り、 前記両側の外表面の導電層の内の少なくとも一方にスリ
ップラインが形成されていることを特徴とする回路装
置。 - 【請求項２】 中間のグランド層と、 前記グランド層の両側に設けられている絶縁層と、 前記絶縁層の外表面に設けられている導電層から成る配
線と、 前記配線によって前記両側の絶縁層の上に形成されてい
る回路と、 前記グランド層と前記絶縁層と前記導電層とから成る基
板のコーナの部分に形成されている非円形のビス挿通孔
と、 該ビス挿通孔の周囲に設けられている多数の小孔と、 前記小孔の内表面に形成されかつ前記グランド層に接続
されているメッキ層とから成る回路装置。 - 【請求項３】 ２層構造の絶縁層と、 該絶縁層に挟着されるように中間に形成された導電層
と、 前記導電層によって形成されているストリップライン
と、 前記２層の絶縁層の外表面にそれぞれ形成されているグ
ランド層とから成る回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03214561A JP3082789B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03214561A JP3082789B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537163A true JPH0537163A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3082789B2 JP3082789B2 (ja) | 2000-08-28 |
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ID=16657766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03214561A Expired - Lifetime JP3082789B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082789B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11103176A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多層高周波回路基板及びこれを用いた高周波装置 |
| JP2006041378A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | 多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および電子機器 |
| JP2009158744A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子装置及びその製造方法及び配線基板及びその製造方法 |
| US7635046B2 (en) | 2006-03-06 | 2009-12-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Electric power steering apparatus |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP03214561A patent/JP3082789B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11103176A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多層高周波回路基板及びこれを用いた高周波装置 |
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| US7635046B2 (en) | 2006-03-06 | 2009-12-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Electric power steering apparatus |
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| KR101454419B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2014-10-27 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 전자 장치 및 그 제조 방법과, 배선 기판 및 그 제조 방법 |
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| Publication number | Publication date |
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