JP2846987B2 - 高周波用半導体装置 - Google Patents

高周波用半導体装置

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波信号の反射を小
さくして外部との電気的接続が行える高周波用半導体装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体技術の進歩により、各種半
導体素子が開発され、高周波信号処理回路においても広
く利用されている。そして、高周波信号処理回路に半導
体素子を使用する場合には、外部環境の影響から隔離し
たりするために、半導体素子をパッケージに搭載して、
基板上に実装する場合が多い。
【0003】図10は、従来の一般的な高周波用半導体
パッケージの模式図であり、セラミックや合成樹脂等の
絶縁体(誘電体)材料からなる基板10上には、同じ絶
縁体からなる側壁12と、導電体からなるとキャップ1
4とによりキャビティ16が形成されている。そして、
このキャビティ16内の誘電体基板10上には、半導体
素子18が搭載されている。
【0004】また、誘電体基板10の表面上には、導電
性の配線パターン20とグランド線22が印刷により形
成され、配線パターン20の一部は拡大され、リードピ
ン用のパッド24となっている。そして、誘電体基板1
0上の配線パターン20と半導体素子18はボンディン
グ線26によって接続されており、パッド24には、リ
ードピン28が接続され、パッケージが実装される他の
基板(図示せず)上の回路と電気的に接続される。な
お、ボンディング線26の接続は通常のワイヤボンディ
ングなどの技術によって行われる。
【0005】次に、パッド24とリードピン28との接
続について、図11に基づいて説明する。リードピン2
8は、その先端が、パッド24に対し、ろう付けにより
電気的、機械的に接続されている。ここで、リードピン
28は、アルミニウム(Al)、金(Au)などの金属
から構成されるが、その厚さは配線パターン20と同様
に薄く、機械的強度があまり強くない。そこで、接続部
における機械的強度を高める必要があり、通常の場合図
に示すようにリードピン28の先端部分をT字状として
ろう材溜まりができ易いようにし、機械的強度を高めて
いる。従って、リードピン28の先端部がT字状となっ
ているのに対応して、パッド24は、他の配線パターン
20よりも広くなっている。このようなパッド24の拡
がりは、小型のパッケージほど顕著であり、通常の配線
パターンの線路幅の3倍近い幅になることもある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ここで、半導体パッケ
ージは、信号処理を行う電気回路ではない。このため、
電気信号はパッケージを素通りすることが好ましい。し
かし、上述のような半導体パッケージを用いた場合、特
に高周波帯域における電気信号が、パッケージに反射さ
れて、伝送の効率が悪くなるという問題点があった。
【0007】一般的に、高周波回路においては、伝送線
路の伝搬モードが大きく変化する点、及びインピーダン
スが整合しない点において信号の反射が生じる。そし
て、線路のインピーダンスは特性インピーダンスで評価
できる。一方、伝送線路が高周波信号を伝送する場合
は、ωL>>R,ωC>>Gの関係が成り立ち、次の式
が近似的に成り立つことが知られている。
【0008】Z0 =(L/C)1/2 ここで、Z0 は線路の特性インピーダンス、Lは線路の
リアクタンス、Cは線路のキャパシタンス(静電容
量)、Rは伝送方向に沿う単位長さ当りの線路抵抗、G
は線路の漏れコンダクタンス、ωは信号の周波数(角速
度)である。
【0009】そして、伝送線路の幅が広がると、線路の
下方の誘電体全体がキャパシタンス成分として働くた
め、一般的に上述のキャパシタンス成分Cが増加する。
このため、リードピン用のパッド24の部分では、これ
に接続された配線パターン20との間に、キャパシタン
ス成分の段差が生じ、特性インピーダンスが不連続とな
る。そして、このような特性インピーダンスの不連続点
が線路上に存在した場合、ここにおいて高周波信号の反
射が起る。そこで、このような伝送線路幅の不連続な変
化をなくすることが必要となる。しかし、従来の技術、
特に小型パッケージにおいては、リードピンのろう付け
強度を確保するためには、パッド24の幅を広げる必要
があった。そこで、この特性インピーダンスの不連続点
をなくし、電気信号の反射を小さく抑えることができな
かった。
【0010】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、リードピン28のろう付け強度を高く
維持しながら、特性インピーダンスの変化を抑え、信号
の反射を減少することができる高周波用半導体装置を提
供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用半
導体装置は、表面上に半導体素子が搭載された誘電体基
板と、この誘電体基板の端部表面上に設けられ、外部か
らのリード線が接続される導電性パッドと、この導電性
パッドに先端部が接着されるリードピンとを含み、リー
ドピンが、その先端部に折り曲げ突起部を有することを
特徴とする。
【0012】
【作用】このように、本発明の高周波用半導体装置によ
れば、リードピンの先端部分にリードピンを折り曲げて
形成した突起部が形成されている。リードピンは、この
先端部がパッドにろう付けされるため、パッドの幅を小
さくしてもろう付け溜まりにおけるリードピンの面積を
十分大きくすることができ、ろう付け強度を大きくする
ことができる。そして、このようにパッドの幅を小さく
できるため、ここにおける線路の特性インピーダンスの
変化を小さくすることができ、信号の反射がなく、好適
な信号の伝達を行うことができる。
【0013】すなわち、図9に示すように従来の構成の
場合には、実線で示すようにパッドの部分において特性
インピーダンスが大きく減少し、この部分における特性
インピーダンスが不連続となる。しかし、本発明によれ
ば、線路幅を同一に保つこともでき、特性インピーダン
スの変化を小さくすることができる。従って、ここにお
ける信号の反射を防止することができる。リードピンは
通常、薄い金属膜のエッチングによって作られるため面
に垂直方向の突起などを加工することは困難であった。
しかし本発明の構造によれば加工は容易である。
【0014】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面に基
づいて説明する。
【0015】第1実施例 図1は、実施例の平面図及び正面断面図を示す構成図で
あり、図10及び図11に示した同一の部材については
同一の符号を付し、説明を省略する。本実施例において
は、リードピン28の先端部を折り曲げ突起部40を形
成している。そして、この突起部40パッド24にろう
付けしている。そこで、パッド24の幅を大きくしなく
ても、ろう材溜まり42によってリードピン28を十分
な強度でパッド24に固定することができる。
【0016】図2は、本実施例のリードピン28の先端
部の構成を示す図であり、リードピン28の先端部にお
いて中心に両側端をめくり上げてから押し潰すようにし
て突起部40を形成できる。そして、図3に示すように
この先端部をパッド24上に載置した後、図4に示すよ
うにろう付けする。このようにリードピン28の先端部
に突起部40を設けると、リードピン28の幅は狭くな
るが、高さ方向に厚みが増加する。従って、ここにおい
てろう材溜まりが容易に形成され、ろう付け強度を大き
くすることができる。
【0017】そして、この構成によれば、リードピン2
8の先端の幅は狭く、ろう材溜まり42を考慮してもパ
ッド24の幅を小さくすることができる。そこで、パッ
ド24の幅の拡大に伴うキャパシタンスの増加を抑制
し、パッド24の存在に起因する信号の反射を防止する
ことができる。
【0018】第2実施例 図5は、実施例の平面図及び正面断面図を示す構成図で
あり、図10及び図11に示した同一の部材については
同一の符号を付し、説明を省略する。本実施例において
は、第1実施例と同様に、リードピン28の先端部を折
り曲げ突起部40を形成している。そして、この突起部
40にパッド24にろう付けしている。そこで、パッド
24の幅を大きくしなくても、ろう材溜まり42によっ
てリードピン28を十分な強度でパッド24に固定する
ことができる。
【0019】図6は、本実施例のリードピン28の先端
部の構成を示す図であり、リードピン28の先端部に両
側端を上方に向けて折り曲げた突起部40を形成してい
る。そして、図7に示すようにこの先端部をパッド24
上に載置した後、図8に示すようにろう付けする。この
ようにリードピン28の先端部に突起部40を設ける
と、リードピン28の幅は狭くなるが、高さ方向に厚み
が増加する。従って、ここにおいてろう材溜まりを容易
に形成することができ、ろう付け強度を大きくすること
ができる。
【0020】そこで、この第2実施例によっても第1実
施例と同様に、パッド24の存在に起因する信号の反射
を防止することができる。
【0021】変形例 上述の第1および第2実施例においては、リードピン2
8の先端部に2つの態様で突起部40を形成することを
示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではな
く、中心部を摘み上げ、第1実施例と上下が逆になるよ
うな構成としてもよい。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードピンの先端部に突起部を設けることにより、パッ
ド部の幅の増加させずに、ろう付けの強度を十分なもの
とした。従って、パッドの幅の増加を抑制して特性イン
ピーダンスの変化を減少することができ、全体として電
磁波の伝搬モードの変化を小さくでき、反射を減少でき
る。しかも、本発明によるリードピンは製造が容易であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の平面図及び正面断面図を表す図で
ある。
【図2】同実施例におけるリードピンの先端部の構成を
示す図である。
【図3】同実施例におけるリードピン取り付けを説明す
るための図である。
【図4】同実施例におけるリードピン取り付けを説明す
るための図である。
【図5】第2実施例の平面図及び正面断面図を表す図で
ある。
【図6】同実施例におけるリードピンの先端部の構成を
示す図である。
【図7】同実施例におけるリードピン取り付けを説明す
るための図である。
【図8】同実施例におけるリードピン取り付けを説明す
るための図である。
【図9】本発明の動作を説明するための特性図である。
【図10】従来の半導体パッケージの構成を説明する模
式図である。
【図11】同従来例の斜視図である。
【符号の説明】
10 誘電体基板 18 半導体素子 20 配線パターン 24 パッド 28 リードピン 40 突起部

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面上に半導体素子が搭載された誘電体
    基板と、 この誘電体基板の端部表面上に設けられ、外部からのリ
    ード線が接続される導電性パッドと、 この導電性パッドに先端部が接着されるリードピンと、 を含み、 前記リードピンは、その先端部に折り曲げ突起部を有す
    ることを特徴とする高周波用半導体装置。
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