JP2001237263A - 高周波回路装置及びその製造方法 - Google Patents

高周波回路装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001237263A
JP2001237263A JP2000047926A JP2000047926A JP2001237263A JP 2001237263 A JP2001237263 A JP 2001237263A JP 2000047926 A JP2000047926 A JP 2000047926A JP 2000047926 A JP2000047926 A JP 2000047926A JP 2001237263 A JP2001237263 A JP 2001237263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
frequency circuit
frequency
circuit device
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000047926A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Isono
磯野　　忠
Terumi Nakazawa
照美 仲沢
Kazuo Matsuura
一雄 松浦
Shiro Ouchi
四郎 大内
Mamoru Oba
衛 大場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Car Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Car Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000047926A priority Critical patent/JP2001237263A/ja
Publication of JP2001237263A publication Critical patent/JP2001237263A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/4848—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48499—Material of the auxiliary connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48844—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4941—Connecting portions the connecting portions being stacked
    • H01L2224/49425—Wedge bonds
    • H01L2224/49426—Wedge bonds on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1903—Structure including wave guides
    • H01L2924/19032—Structure including wave guides being a microstrip line type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子とマイクロストリップラインの接
続部における伝送損失の充分な低減と、接続部での信頼
性の充分な保持が得られるようにした高周波回路装置を
提供すること。 【解決手段】 高周波用半導体基板４上のボンディング
パッド９に、予め金又は銅などの金属バンプ１１を形成
しておき、この金属バンプ１１を介して複数本のボンデ
ィングワイヤ７が接合されるようにし、超音波によるボ
ンディングパッド９のダメージを軽減するようにしたも
の。 【効果】 接合面積の広い金属バンプ１１が接合されて
いるため、高周波用回路基板６の高周波伝送線路５との
接合が確実になされるので、有機材料で構成した高周波
用回路基板６においても、接続信頼性を高める効果があ
り、テールの発生が無いため、放射による伝送損失を低
減でき、これによる伝送特性のばらつきを低減できる効
果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波・ミリ
波などの高周波で動作する半導体回路に係り、特に、マ
イクロストリップ線路を備えた半導体回路と、その製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波・ミリ波などの高周波で動作
する半導体回路装置には、高周波信号を伝送する手段と
して、マイクロストリップラインを用いたモジュールが
一般的に使用されているが、この場合、マイクロストリ
ップラインと半導体素子などの回路素子の間はワイヤボ
ンディングにより接続されることが多い。
【０００３】図７は、このようなマイクロストリップラ
インを用いた高周波用半導体回路装置の一例として、マ
イクロ波レーダ装置用の送受信装置を示したもので、図
において、１は、例えば金属やセラミックで形成された
ベースプレート、２はウォール、３はカバーで、これら
により筐体を形成する。
【０００４】そして、ベースプレート１の一方の面、つ
まり筐体の内側の面に、高周波信号を発振、増幅するた
めの高周波用半導体素子が形成された半導体基板４と、
高周波伝送線路５が形成された伝送路基板６を実装し、
ベースプレート１の他方の面には、平面アンテナ８を設
けてある。
【０００５】ここで、伝送路基板６に形成されている高
周波伝送線路５がマイクロストリップラインを構成する
導体条で、これの端部と、半導体基板４に形成されてい
るボンディングパッド９の間が、金(Ａu)などのボンデ
ィングワイヤ７で接続され、必要な回路が形成されるよ
うにしてある。
【０００６】ところで、この場合、高周波伝送線路５は
高周波用半導体素子４と異なる誘電率の誘電体基板上に
形成されることが多く、それぞれの特性インピーダンス
を、例えば５０Ωなど、同じ値に整合させたとすると、
各基板の誘電率の違いから、伝送線路の幅を違う寸法に
する必要が生じ、これら幅の異なる伝送線路間をワイヤ
ボンディングにより接続した場合、その形状的な不連続
性から反射による伝送損失が生じ易い。
【０００７】そこで、この反射による伝送損失を回避す
るため、従来技術では、例えば図８に示すように、２本
乃至３本の複数本のボンディングワイヤ７を用い、これ
により、高周波伝送線路５の幅に比較して、半導体基板
４のボンディングパッド９の大きさが小さいことによる
形状の不連続性を改善し、伝送損失の抑制が得られるよ
うにしていた。
【０００８】ここで、この図８において、同図(a)は、
図７の接続部を拡大して示した平面図で、同図(b)は、
図８(a)のＢ−Ｂ線による断面図である。なお、この種
の技術については、例えば特開平１１−４１０１号公報
の開示を挙げることができる
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、半導
体素子の小型化に対して配慮がされておらず、素子の小
型化に伴って接続部での信頼性が低下してしまうという
問題があった。これを図８により説明すると、半導体素
子は年々小型化の傾向にあり、これに伴い、半導体基板
４に形成されるボンディングパッド９のサイズも微細に
なってゆく。
【０００９】ここで、半導体基板４に設けてあるボンデ
ィングパッド９のサイズは、形状的な不連続性を考慮す
ると、この半導体基板４に形成されている回路内での伝
送線路の幅とほぼ同等にする必要がある。
【００１０】そうすると、このような小さなパッド面
に、複数本のワイヤ７をボンディングしようとすると、
ボンディングパッド９上に全てのワイヤを並べることが
でくなくなって、重ね合わせてウエッジボンディングせ
ざるを得ず、このため、チップ側のワイヤの接続に充分
な信頼性が確保できなくなってしまうのである。
【００１１】例えば、高周波用半導体素子によく用いら
れているガリウム砒素(ＧaＡs)基板の場合、その厚さに
よっても異なるが、通常、ボンディングパッド９のサイ
ズは０.１ｍｍ角程度であり、従って、ここに２本から
３本の複数本ワイヤをウエッジボンディングしようとす
ると、２本目、３本目のボンディングワイヤは、１本目
にボンディングしたワイヤの上からボンディングされる
ことになる。
【００１２】そうすると、１本目のワイヤは、一旦ボン
ディングパッド９にボンディングされた後、更に２度も
３度もの超音波加振を受けることになり、この結果、上
記した従来技術では、ワイヤ強度が劣化したり、ボンデ
ィングパッド９を形成している蒸着膜と１本目のワイヤ
が過剰に結合させられることにより、ボンディングパッ
ド９の基板に対する密着強度が低下し、接合強度の保持
が困難になって、信頼性が低下してしまうのである。
【００１３】また、従来技術では、ウエッジボンディン
グ、或いはリボンボンディングにより半導体素子とマイ
クロストリップラインを接続した場合、図８に示すよう
に、ボンディングワイヤ７の接続部にテール(接続の前
後に発生する余分な線)１０が残ってしまう虞れも回避
できないため、この部分からの放射による伝送損失も無
視できないものとなり、伝送特性にばらつきが生じてし
まうといった課題もあった。
【００１４】すなわち、ウエッジボンディングを適用し
た場合には、その機構上、図８で説明したようにテール
１０の発生が避けられないが、高周波の伝送経路の途中
にテールのような突起部があると、これがアンテナの作
用をして、放射による伝送損失が発生してしまう。しか
も、このテールは、その長さや形状に不可避的にバラツ
キを持ち、この場合、そのまま伝送特性のバラツキに繋
がってしまうからである。
【００１５】本発明の目的は、半導体素子とマイクロス
トリップラインの接続部における伝送損失の充分な低減
と、接続部での信頼性の充分な保持が得られるようにし
た高周波回路装置と、その製造方法を提供することにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、高周波用回
路基板上に金属膜により形成された高周波伝送線路と高
周波用半導体基板を複数本のボンディングワイヤにより
接続した高周波回路装置において、前記高周波用半導体
基板のボンディング部に予め金属バンプが形成してあ
り、前記複数本のボンディングワイヤが、前記金属バン
プを介して接続されるようにして達成される。
【００１７】また、上記目的は、高周波用回路基板上に
金属膜により形成された高周波伝送線路と、高周波用半
導体基板を複数本のボンディングワイヤにより接続した
高周波回路装置において、前記高周波伝送線路の接続部
と前記高周波用半導体基板のボンディング部の双方に予
め金属バンプが形成してあり、前記複数本のボンディン
グワイヤが、前記金属バンプを介して接続されるように
しても達成される。
【００１８】このとき、前記金属バンプが金のボールバ
ンプにより形成されているようにしてもよく、前記金属
バンプに対する前記複数本のボンディングワイヤの接合
が、ウエッジ式ボンディングでなされるようにし、さら
には、前記ボンディングワイヤがリボン線で構成される
ようにしても良い。
【００１９】さらに、上記目的は、高周波用回路基板上
に金属膜により形成された高周波伝送線路と、高周波用
半導体基板を複数本のボンディングワイヤにより接続し
た高周波回路装置の製造方法において、前記高周波用半
導体基板のボンディング部にボールバンプを形成する工
程と、前記高周波伝送線路の接続部に、ワイヤの一方の
端部に形成したボールバンプを接合する工程と、前記ワ
イヤの他方の端部を、前記高周波用半導体基板のボンデ
ィング部に形成してあるボールバンプまでもたらして、
該ボールバンプに接合する工程とを備えるようにして達
成される。
【００２０】本発明によれば、伝送損失が抑えられ、接
続信頼性の高い高周波回路装置を提供でき、さらには、
伝送特性のばらつきが抑えられた高周波回路装置を提供
できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による高周波用半導
体回路装置について、図示の実施形態の形態により、詳
細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態で、
同図(a)が拡大平面図で、同図(b)はＡ−Ａ線による断面
図であり、これらの図において、１１は金属バンプで、
その他は図８で説明した従来技術と同じである。
【００２２】従って、この実施形態でも、半導体基板４
に形成されている接続端子部伝送路基板６に形成されて
いる高周波伝送線路５の端部と、半導体基板４のボンデ
ィングパッド９の間がボンディングワイヤ７で接続して
あり、これによりマイクロストリップラインを用いた所
定の高周波回路が構成されている点は、図８の従来技術
と同じであり、さらにこのとき、複数本、この場合は３
本のボンディングワイヤ７が接続に用いられていて、反
射による伝送損失の低減が図られている点も従来技術と
同じである。
【００２３】金属バンプ１１は、例えば図示のように、
短い円柱形をした、所定の大きさの金又は銅(Ｃu)の粒
状体で、例えば蒸着などの技法により、予め半導体基板
４のボンディングパッド９上に形成されているものであ
る。なお、この金属バンプ１１の形状は上記の短い円柱
形に限るものではなく、要は立方体、つまり塊になって
さえいればよい。
【００２４】そして、図示のように、３本のボンディン
グワイヤ７をウエッジボンディングにより半導体基板４
に接続する際、そこに形成してある金属バンプ１１の上
に順次、１本づつボンディングしてゆくのである。
【００２５】そうすると、最初のボンディングワイヤ７
も、ボンディングパッド９の上に直接置かれるのではな
く、ある程度厚さを持った金属バンプ１１の上に置かれ
た状態になるので、ボンディングパッド９を形成してい
る蒸着膜に対しては、ボンディング用の超音波振動が間
接的に伝えられる形になり、ボンディングパッド９を形
成している蒸着膜に対するダメージを充分に軽減させる
ことができる。
【００２６】また、２本目以降に接合されるボンディン
グワイヤ７は、最初のボンディングワイヤ７の上に重ね
られた状態で次々にボンディングされるが、このとき、
下側のボンディングワイヤ７は金属バンプ１１の中に埋
め込まれた形で接合されているので、このときもボンデ
ィングパッド９に超音波が加振されるのが抑えられ、ダ
メージを充分に軽減することができる。
【００２７】更に、２本目以降に接合されるボンディン
グワイヤ７も、単に下側にあるボンのボンディングワイ
ヤ７の上に重ねて接合されるのではなくて、金属バンプ
１１の中に一部でも埋め込まれた形で接合されるので、
ボンディングが強固に与えられる。
【００２８】従って、この実施形態によれば、多数本、
例えば３本ものボンディングワイヤ７の接合によっても
ボンディングパッド９にダメージを与える虞れがなく、
この結果、伝送損失が少なくて信頼性の高い高周波回路
装置を容易に得ることができる。
【００２９】次に、図２は、本発明の第２の実施の形態
であり、図の(a)は拡大平面図で、同図(b)はＣ−Ｃ線に
よる断面図であり、これらの図において、１２はボール
バンプで、その他の構成は、図１で説明した第１の実施
形態と同じである。
【００３０】既に図１の実施形態で説明したように、本
発明では、半導体基板４のボンディングパッド９上に設
けるべき金属は、要するに立方体、つまり塊になってい
ればよい。そこで、この図２の実施形態では、図示のよ
うに、ほぼ球形をしたボールバンプ１２をボンディング
パッド９上に形成し、これにより３本のボンディングワ
イヤ７を高周波用の半導体基板４と高周波用回路基板６
を接続し、マイクロストリップラインを用いた所定の高
周波回路が得られるようにしたものである。
【００３１】ボールバンプ１２は、例えば周知の金線ボ
ールボンダを用い、予め高周波用半導体基板４のボンデ
ィングパッド９上に形成しておく。
【００３２】そして、その後、最初のボンディングワイ
ヤ７については、同じく金線ボールボンダでボールボン
ディングによりボールバンプ１２上に接合させ、２本目
以降は、同じく金線ボールボンダによるも、今度はウエ
ッジボンディングにより順次ボールバンプ１２上にボン
ディングワイヤ７を接合してゆくのである。
【００３３】この図２の実施形態によれば、図１で説明
した第１の実施形態の効果に加え、ボールボンダを用い
ているので、ウエッジボンディングで生ずるテール１０
(図８参照)の発生が無いため、放射による伝送損失を低
減でき、これによる伝送特性のばらつきを低減できる効
果がある。
【００３４】次に、図３は、本発明の第３の実施の形態
であり、図の(a)は拡大平面図、同図(b)はＧ−Ｇ線によ
る断面図であり、これらの図において、１２Ａ、１２
Ｂ、１２Ｃはボールバンプで、その他の構成は、図２で
説明した第２の実施形態と同じである。
【００３５】従って、この実施形態が、図２の実施形態
と異なる点は、高周波用回路基板６上の高周波伝送線路
５上のボンディング部にも、ボールバンプ１２Ａ、１２
Ｂ、１２Ｃを設け、夫々により３本のボンディングワイ
ヤ７の接合を行なうようにした点にある。
【００３６】一般に、高周波用回路基板６の誘電体とし
ては、加工性、コストの面からテフロンなどの有機材料
が選択されているが、このような有機材料の場合、剛性
が低く、ボンディングの際、超音波加振力が吸収されて
しまうため、無機材料の基板の場合に比較してボンダビ
リティ(接合性)が劣ってしまうという問題がある。
【００３７】特に、ウエッジボンディングのように、接
合面積が比較的小さいボンディング技法を用いた場合、
ボンダビリティに歴然とした差が現われる。
【００３８】ここで、この図３の実施形態によれば、予
め接合面積が広く得られる金属のボールバンプ１２Ａ、
１２Ｂ、１２Ｃが設けられているので、高周波用回路基
板６の剛性が低くても、これらボールバンプ１２Ａ、１
２Ｂ、１２Ｃにより超音波加振力が受け止められるの
で、充分な接合エネルギーへの変換が得られることにな
り、高いボンダビリティが得られる。
【００３９】従って、この図３の実施形態によれば、有
機材料の高周波用回路基板６を用いた場合でも、高周波
伝送線路５との接合が確実になされるので、接続信頼性
の高い高周波回路装置を提供できる。
【００４０】ところで、特に説明しなかったが、図１に
より説明した第１の実施形態では、高周波用回路基板６
の高周波伝送線路５に対して、ボンディングワイヤ７が
ボールボンディングされているが、図４に示す第４の実
施形態のように、高周波用回路基板６の高周波伝送線路
５に対するボンディングワイヤ７の接合にも、ウエッジ
式ワイヤボンディングを適用してもよい。
【００４１】この場合でも、高周波用回路基板６の高周
波伝送線路５との接合と、高周波用半導体素子４のボン
ディングパッド９の蒸着膜への接合が確実になされるた
め、第１の実施形態と同等の効果を得ることができる。
なお、この図４でも、図の(a)は拡大平面図であり、同
図(b)はＤ−ＤＧ線による断面図である。
【００４２】次に、図５は、本発明の第５の実施形態
で、この実施形態は、図３により説明した第３の実施形
態におけるボンディングワイヤ７に代えて、リボンワイ
ヤ１３を用いた場合の本発明の一実施形態で、図の(a)
は拡大平面図であり、同図(b)はＥ−Ｅ線による断面図
である。
【００４３】そして、この図５の実施形態も、上記した
第３の実施形態と同じく、ボールバンプ１２、１２Ａ、
１２Ｂを用いているので、当然、第３の実施形態とと同
等の効果が得られることはいうまでもない。
【００４４】次に、本発明による高周波回路装置の製造
方法について、図６により説明すると、これは、図１〜
図３で説明した本発明の実施形態による高周波回路装置
を製造するのに好適な本発明による高周波回路装置の製
造方法の一実施形態であり、以下、この製造方法につい
て詳細に説明する。
【００４５】まず、この図６において、１４はキャピラ
リで、毛細管を持った細間状の部材剤であり、ボールバ
ンプが形成できる金線ボールボンダのボンディング工具
となるものである。
【００４６】そして、このキャピラリ１４の毛細管の中
に金のワイヤ１５を通しておき、このワイヤ１５を毛細
管の先端から繰り出して、例えば電気火花放電などによ
り溶融してボールバンプ１２を形成できるようになって
いるもので、かつ、このキャピラリ１４の先端を超音波
ボンディング用の工具として使用し、ウエッジボンディ
ングが行なえるようになっているものである。
【００４７】次に、この実施形態による製造工程につい
て、説明する。最初、図の(2)に示すように、金ボール
バンプ１２を形成する。次に、(1)に示すように、高周
波用半導体基板４のボンディングパッド９上に金のボー
ルバンプ１２をボンディングする。次いで、再び(2)に
示すように、キャピラリ１４の先端にボールバンプ１２
を形成する。
【００４８】次に、(3)に示すように、キャピラリ１４
の先端のボールバンプ１２を用い、高周波用回路基板６
の高周波伝送線路５上にボールボンディングしてから金
のワイヤ１５を引き出してボンディングワイヤ７としな
がら、キャピラリ１４を高周波用半導体基板４のボンデ
ィングパッド９上に移動させる。
【００４９】この後、(4)に示すように、今度は、キャ
ピラリ１４を用い、ウエッジボンディングにより、金の
ワイヤ１４の先端を高周波用半導体基板４のボンディン
グパッド９上にあるボールバンプ１２に接合する。
【００５０】そして、以上の処理をボンディングワイヤ
７の本数に応じて繰り返し、(5)に示すようにボンディ
ングして、所定の高周波回路装置を得る。
【００５１】従って、この実施形態によれば、図１〜図
２に示した本発明の実施形態である高周波回路装置を容
易に構成することができる。
【００５２】なお、この実施形態では、本発明を金線ボ
ールボンダにより実施した場合を例に取り示したが、蒸
着あるいは金属ボールで形成した金属バンプ１２を予め
高周波用半導体基板４のボンディングパッド９に形成し
た後に、ボンディングワイヤー７をウエッジボンディン
グにより接続しても構成できる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、ある程度厚さを持った
金属バンプが、見かけ上、ボンディングパッドの代替と
なるので、超音波によるボンディングパッドの蒸着膜へ
のダメージを軽減する効果がある。
【００５４】また、接合面積の広い金属バンプにより接
合されているため、有機材料で構成した高周波用回路基
板においても、接続信頼性を高める効果がある。
【００５５】さらには、テールの発生が無いため、放射
による伝送損失を低減でき、これによる伝送特性のばら
つきを低減できる効果がある。
【００５６】従って、本発明によれば、伝送損失を抑え
つつ、接続信頼性の高い高周波回路装置を提供でき、さ
らには、伝送特性のばらつきを抑えた高周波回路装置を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による高周波回路装置の第１の実施形態
を示す説明図である。
【図２】本発明による高周波回路装置の第２の実施形態
を示す説明図である。
【図３】本発明による高周波回路装置の第３の実施形態
を示す説明図である。
【図４】本発明による高周波回路装置の第４の実施形態
を示す説明図である。
【図５】本発明による高周波回路装置の第５の実施形態
を示す説明図である。
【図６】本発明による高周波回路装置の製造方法の一実
施形態を示す説明図である。
【図７】高周波回路装置の一例を示す断面図である。
【図８】従来技術による高周波回路装置の一例を示す説
明図である。
【符号の説明】
１ ベースプレート ２ ウォール ３ カバー ４ 高周波用半導体基板 ５ 高周波伝送線路 ６ 高周波用回路基板 ７ ボンディングワイヤ ８ 平面アンテナ ９ ボンディングパッド １０ テール １１ 金属バンプ １２ ボールバンプ １３ リボンワイヤ １４ キャピラリ １５ 金のワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 5/08 Ｈ０１Ｐ 5/08 Ｎ 11/00 11/00 Ｆ (72)発明者 仲沢 照美 茨城県ひたちなか市高場2520番地 株式会 社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 松浦 一雄 茨城県ひたちなか市高場2520番地 株式会 社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 大内 四郎 茨城県ひたちなか市高場2520番地 株式会 社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 大場 衛 茨城県ひたちなか市高場2520番地 株式会 社日立製作所自動車機器グループ内 Ｆターム(参考） 5F044 AA05 AA18 AA19 CC01 CC05 FF04 FF08

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高周波用回路基板上に金属膜により形成
    された高周波伝送線路と、高周波用半導体基板を複数本
    のボンディングワイヤにより接続した高周波回路装置に
    おいて、 前記高周波用半導体基板のボンディング部に予め金属バ
    ンプが形成してあり、前記複数本のボンディングワイヤ
    が、前記金属バンプを介して接続されていることを特徴
    とする高周波回路装置。
  2. 【請求項２】 高周波用回路基板上に金属膜により形成
    された高周波伝送線路と、高周波用半導体基板を複数本
    のボンディングワイヤにより接続した高周波回路装置に
    おいて、 前記高周波伝送線路の接続部と前記高周波用半導体基板
    のボンディング部の双方に予め金属バンプが形成してあ
    り、 前記複数本のボンディングワイヤが、前記金属バンプを
    介して接続されていることを特徴とする高周波回路装
    置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の発明にお
    いて、 前記金属バンプが金のボールバンプにより形成されてい
    ることを特徴とする高周波回路装置。
  4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の発明にお
    いて、 前記金属バンプに対する前記複数本のボンディングワイ
    ヤの接合が、ウエッジ式ボンディングでなされているこ
    とを特徴とする高周波回路装置。
  5. 【請求項５】 請求項１又は請求項２に記載の発明にお
    いて、 前記ボンディングワイヤがリボン線で構成されているこ
    とを特徴とする高周波回路装置。
  6. 【請求項６】 高周波用回路基板上に金属膜により形成
    された高周波伝送線路と、高周波用半導体基板を複数本
    のボンディングワイヤにより接続した高周波回路装置の
    製造方法において、 前記高周波用半導体基板のボンディング部にボールバン
    プを形成する工程と、 前記高周波伝送線路の接続部に、ワイヤの一方の端部に
    形成したボールバンプを接合する工程と、 前記ワイヤの他方の端部を、前記高周波用半導体基板の
    ボンディング部に形成してあるボールバンプまでもたら
    して、該ボールバンプに接合する工程とを備えた高周波
    回路装置の製造方法。
JP2000047926A 2000-02-24 2000-02-24 高周波回路装置及びその製造方法 Pending JP2001237263A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000047926A JP2001237263A (ja) 2000-02-24 2000-02-24 高周波回路装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000047926A JP2001237263A (ja) 2000-02-24 2000-02-24 高周波回路装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001237263A true JP2001237263A (ja) 2001-08-31

Family

ID=18570095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000047926A Pending JP2001237263A (ja) 2000-02-24 2000-02-24 高周波回路装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001237263A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281509A (ja) * 2007-06-15 2007-10-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US7417324B2 (en) 2004-03-10 2008-08-26 Nec Electronics Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2120259A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-18 Tektronix, Inc. Ball-bump bonded ribbon-wire interconnect
WO2022150348A1 (en) * 2021-01-11 2022-07-14 Cree, Inc. Devices incorporating stacked wire bonds and methods of forming the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7417324B2 (en) 2004-03-10 2008-08-26 Nec Electronics Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2007281509A (ja) * 2007-06-15 2007-10-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP4642047B2 (ja) * 2007-06-15 2011-03-02 三洋電機株式会社 半導体装置
EP2120259A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-18 Tektronix, Inc. Ball-bump bonded ribbon-wire interconnect
JP2009278116A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Tektronix Inc ボール・バンプ結合リボン・ワイヤ配線及び電気部品を基板に接続する方法
US7977804B2 (en) 2008-05-16 2011-07-12 Tektronix, Inc. Ball-bump bonded ribbon-wire interconnect
WO2022150348A1 (en) * 2021-01-11 2022-07-14 Cree, Inc. Devices incorporating stacked wire bonds and methods of forming the same
US11908823B2 (en) 2021-01-11 2024-02-20 Wolfspeed, Inc. Devices incorporating stacked bonds and methods of forming the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7468560B2 (en) Semiconductor device with micro connecting elements and method for producing the same
US7497694B2 (en) Printed board with a pin for mounting a component
JP3859340B2 (ja) 半導体装置
US8008785B2 (en) Microelectronic assembly with joined bond elements having lowered inductance
EP1675178A2 (en) Connection arrangement for micro lead frame plastic packages
US6756686B2 (en) Semiconductor device
JP6643714B2 (ja) 電子装置及び電子機器
KR20010005659A (ko) 납땜 와이어로 접속된 안테나를 갖는 무접촉 카드 제조 방법
US6762493B2 (en) Microwave integrated circuit
JP2001237263A (ja) 高周波回路装置及びその製造方法
JP2001036309A (ja) マルチチップモジュール接続構造
JP2002271101A (ja) 半導体装置
WO2021033418A1 (ja) 高周波モジュール
US20110147928A1 (en) Microelectronic assembly with bond elements having lowered inductance
JP2003218472A (ja) モジュールおよび表面実装モジュール
JP2002190540A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2538072B2 (ja) 半導体装置
JP2001326508A (ja) １８０度分配器
JP3619398B2 (ja) 高周波用配線基板および接続構造
JP2003008343A (ja) 電力増幅装置
JPH0936617A (ja) 高周波モジュール
JP2846987B2 (ja) 高周波用半導体装置
JP3732103B2 (ja) 半導体素子およびその製造方法、ならびに半導体装置およびそれを用いた電子機器
JP2791301B2 (ja) マイクロ波集積回路及びマイクロ波回路装置
JP2000040771A (ja) 高周波パッケージ