JP2002057266A - プラスチックのパッケージングを有する電気構成部品または光電気構成部品、およびそのような構成部品の端末リード線のインピーダンスを変更するための方法 - Google Patents

プラスチックのパッケージングを有する電気構成部品または光電気構成部品、およびそのような構成部品の端末リード線のインピーダンスを変更するための方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 端末リード線のインピーダンスを、構成部品
が集積されている回路構成および回路のインピーダンス
まで変更および低減することができる、電気構成部品ま
たは光電気構成部品を提供する。 【解決手段】 少なくとも1つの電気構成部品または光
電気構成部品3、13が、パッケージング2、12中に
構成され、端末リード線4、14は、回路または各回路
3、13の接続ために、パッケージング2、12から突
出している。できる限り最も簡単な方式で端末リード線
4、14のインピーダンスZを低減するために、少なく
とも1つの誘電体プレート6、16’、16”を端末リ
ード線4、14の少なくとも1つに取り付けることが提
案されている。誘電体プレート6、16は、パッケージ
ング2、12の内側で構成されていることが好ましく、
セラミック、特に酸化アルミニウムAlからなる
ことが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチックのパ
ッケージングを有する電気構成部品または光電気構成部
品に関する。少なくとも1つの電気集積回路または光電
気集積回路が、パッケージング中に構成されている。回
路または各回路を接続するための端末リード線は、パッ
ケージから突出している。回路または各回路は、ベース
によって、または、例えばはんだ付けした接続によっ
て、端末リード線を利用して、プリント回路板に取り付
けることができ、回路板上に形成されている回路構成と
統合することができる。また、本発明は、そのような電
気構成部品または光電気構成部品の端末リード線のイン
ピーダンスを変更するための方法に関する。
【0002】
【従来の技術】初めに述べたタイプの電気構成部品また
は光電気構成部品は、従来の技術から知られている。そ
のような構成部品のパッケージング中に構成された集積
回路は、記憶素子またはマイクロプロセッサなど広範な
用途のために構成することができる。構成部品の端末リ
ード線(いわゆるピン)の配置およびサイズは、概ね規
格化されている。この種の構成部品は、特に、比較的遅
くまたは比較的低周波数で動作する回路構成で使用され
る。処理速度が数Gb/sである高速応用例、および数
GHzの高周波数応用例では、動作中にインピーダンス
を制御しなければならない。すなわち、回路構成の構成
部品のインピーダンス、回路構成のプリント導体のイン
ピーダンス、端末リード線のインピーダンス、および回
路のインピーダンスは、ほぼ同じ大きさでなければなら
ない。インピーダンスが異なると、高速応用例および高
周波数応用例では、回路板上の回路または回路構成にお
いて、弱め合う信号反射を生じることがあり得る。
【0003】回路板上のプリント導体、回路板上に構成
されている他の構成部品、および回路のインピーダンス
は、特に努力せずに、ほぼ同じ値に設定することができ
る。これらのインピーダンスは、通常、約25オームま
たは50オームである。回路と構成部品の端末リード線
との間の結合接続(結合ワイヤなど)と、端末リード線
自体のみが、この値とは異なるより大きなインピーダン
スを有する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】弱め合う信号反射を低
減するために、端末リード線のインピーダンスを、構成
部品が統合されている回路構成のインピーダンス、およ
び回路のインピーダンスまで、低減する必要がある。し
かし、プラスチックのパッケージングを有する知られて
いる構成部品では、端末リード線の配置、サイズ、およ
び間隔を互いに対して設定する際に、端末リード線のイ
ンピーダンスを簡単に変更または低減することができ
る。さらに、端末リード線の配置、サイズ、または間隔
を変更することによって、知られている構成部品で、端
末リード線のインピーダンスを約25オームまたは50
オームまで低減することは、あったとしても、極めて強
い生産技術の要請がある場合のみに可能である。これら
の強い生産技術の要請は、例えば、互いに隣接して構成
されている2つの端末リード線間の距離は、インピーダ
ンスが25オームまたは50オームまで低減されると、
非常に小さいので、端末リード線は、従来のパンチング
ダイスを使用して製造することがほとんど不可能であ
る、ということに由来する。
【0005】電気構成部品または光電気構成部品は、セ
ラミックまたは金属のパッケージングを有する従来の技
術から知られている。これらの構成部品では、端末リー
ド線のインピーダンスを、構成部品が集積されている回
路構成および回路のインピーダンスまで、変更および低
減することができる。しかし、セラミックまたは金属の
パッケージングを有する構成部品の製造は、非常に時間
がかかり、高価である。
【0006】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、プラスチックのパッケージングを有する電気構成
部品または光電気構成部品の端末リード線のインピーダ
ンスを変更、特に低減するために、可能な限り簡単で安
価である選択肢を提供することである。
【0007】この目的を達成するために、本発明は、初
めに述べたタイプの構成部品から開始して、少なくとも
1つの誘電体プレートが、端末リード線の少なくとも1
つに取り付けられていることを提案する。
【0008】互いに直接隣接して構成されている構成部
品の2つの端末リード線(いわゆるピン)に関する等価
回路図を検査する場合、これは、端末リード線の長手方
向に延びるインダクタンスと、互いに隣接して構成され
ている端末リード線間のキャパシタンスを有する。端末
リード線のインピーダンスは、インダクタンスとキャパ
シタンスの商の平方根に比例する。すなわち、端末リー
ド線のインピーダンスは、2つの端末リード線間で作用
しているキャパシタンスを増大することによって低減す
ることができる。本発明によれば、少なくとも1つの誘
電体プレートを端末リード線に取り付けることによっ
て、端末リード線間のキャパシタンスを増大することが
提案されている。キャパシタンスは、材料を選択し、し
たがって誘電体プレートの誘電率を選択し、誘電体プレ
ートの寸法を変更することによって、変更することがで
きる。端末リード線のインピーダンスは、材料と誘電体
プレートの寸法を適切に選択することによって、所望の
値に設定することができる。
【0009】誘電体プレートをパッケージングの外部の
端末リード線に取り付けることは、考えられることであ
る。しかし、本発明の有利な展開によれば、誘電体プレ
ートまたは各誘電体プレートを、パッケージングの端末
リード線または各端末リード線に取り付けることが提案
されている。これにより、誘電体プレートが端末リード
線から不注意に外れることが防止され、本発明による構
成部品の取扱いは、より簡単になる。さらに、この展開
による構成部品は、構成部品のプラスチックパッケージ
ングを作成するための作成段階の状況において、端末リ
ード線に結合されている回路が、プラスチック内の端末
リード線上にはめ込まれている誘電体プレートと共に封
入されているという点で、特に簡単で安価に製造するこ
とができる。
【0010】本発明の実施形態の好ましい形態によれ
ば、誘電体プレートまたは各誘電体プレートは、パッケ
ージングのプラスチックより大きい誘電率を有すること
が提案されている。誘電体プレートまたは各誘電体プレ
ートは、セラミック、好ましくは酸化アルミニウム(A
)からなることが有利である。
【0011】本発明の他の有利な展開によれば、パッケ
ージングを端末リード線上で横方向に引き出すことが提
案されている。したがって、端末リード線は、回路から
離れた第1の例では、パッケージの内側で水平方向に延
び、次いで、垂直方向に下方に曲がり、最終的に構成部
品の下面でパッケージから出る。また、端末リード線
が、もう一度垂直方向から水平方向に分かれ、その後で
のみパッケージングから横方向に出るということが考え
られる。この展開では、端末リード線が、パッケージの
内側の最大限に可能な領域上で延び、プラスチックによ
って封入されていることが非常に重要である。ほぼ全長
にわたって端末リード線を封入するプラスチックの誘電
率は、従来の構成部品では端末リード線の大部分を取り
囲んでいる空気の誘電率より大きい。したがって、構成
部品の端末リードは、誘電体プレートが端末リード線に
取り付けられていない場合でも、この展開により低減さ
れたインピーダンスを有する。誘電体プレートは、端末
リード線の任意の点で、好ましくはパッケージの内側
で、端末リード線に取り付けることができる。
【0012】端末リード線間のキャパシタンスをさらに
増大するために、本発明の実施形態に関する他の好まし
い形態によれば、端末リード線とは反対の方向を向いて
いる誘電体プレートまたは各誘電体プレートの表面を、
少なくとも部分的に金属層で被覆することが提案されて
いる。この展開によれば、端末リード線と金属層は、そ
の間に配置されている誘電体プレートと共に、ある程度
プレートコンデンサを形成する。
【0013】2つの誘電体プレートが、端末リード線に
取り付けられていることが有利である。一方の誘電体プ
レートを、パッケージングの内側で水平方向に延びる端
末リード線の領域に取り付けることができ、他方の誘電
体プレートを、垂直方向に下方に延びる端末リード線の
領域に取り付けることができる。
【0014】また、本発明によれば、電気構成部品また
は光電気構成部品の端末リード線のインピーダンスを変
更するために、誘電体プレートを使用することが提案さ
れている。構成部品は、プラスチックのパッケージング
と、パッケージング中に構成されている少なくとも1つ
の電気集積回路または光電気集積回路と、回路または各
回路を接続するためにパッケージングから突出している
いくつかの端末リード線とを有する。端末リード線のイ
ンピーダンスを変更するために、誘電体プレートが端末
リード線に取り付けられている。
【0015】本発明の目的を達成する他の方法として、
少なくとも1つの誘電体プレートを端末リード線の少な
くとも1つに取り付ける、初めに述べたタイプの方法か
ら開始することが提案されている。
【0016】本発明の他の特徴、応用例の選択肢、およ
び利点は、図面に示されている、本発明の実際の例に関
する以下の記述から得られる。この点については、記述
または図示したすべての特徴は、請求項の概要または参
照に関係なく、および記述または図面の説明または描写
に関係なく、それ自体または任意の組合わせで本発明の
目的を形成する。
【0017】
【発明の実施の形態】図1および2では、本発明の実施
形態の第1形態による電気構成部品または光電気構成部
品の全体が、参照符号1によって記述されている。構成
部品1は、プラスチックのパッケージング2と、パッケ
ージング2中に構成されている電気集積回路または光電
気集積回路3を有する。端末リード線4は、一方が回路
3の端末に結合されており、パッケージング2から横方
向に突出している。この実際の例では、結合は、いわゆ
る結合ワイヤ5によって行われている。他方、端末リー
ド線4は、回路3の対応するコンタクトに結合されてい
る。端末リード線4は、回路3を、回路板上などに形成
され、構成部品1が統合されている回路構成に接続する
ことに役立つ。構成部品1は、適切なベースまたははん
だ付け接続などによって回路板に取り付けられ、回路構
成に結合されている。
【0018】また、構成部品1は、端末リード線4の少
なくとも2つに取付けされている、2つの誘電体プレー
ト6を有する。誘電体プレート6’は、2つの端末リー
ド線4に取り付けられ、誘電体プレート6”は、4つの
端末リード線4に取り付けられている。誘電体プレート
6のために、誘電体プレート6が取り付けられている端
末リード線4のインピーダンスは、低減することができ
る。この実際の例では、インピーダンスは、通常数10
0オームを超える値から、通常25オームまたは50オ
ームの値である、構成部品1が統合されている残りの回
路構成、および回路3のインピーダンスの値まで低減す
ることができる。
【0019】端末リード線4のインピーダンスを低減す
るのは、特に、ビットレートが最高で数Gb/sである
高速応用例と、最高で数GHzの高周波数応用例とで構
成部品1を使用するときである。この種の応用例では、
動作中にインピーダンスを制御するべきである。すなわ
ち、端末リード線4のインピーダンスは、回路3と構成
部品1が統合されている全体の回路構成とのインピーダ
ンスに整合されるべきである。端末リード線4のインピ
ーダンスは、図3および4を参照して以下でより詳細に
説明するように、誘電体プレート6を利用することで低
減することができる。
【0020】図3は、透視図で、図1および2からの本
発明による構成部品1のセクションを示す。プラスチッ
クのパッケージング2といくつかの端末リード線4を、
認識することができる。端末4のための等価回路図が、
構成部品1のこのセクションの上に重ね合わされてい
る。等価回路図は、互いに隣接して構成されている端末
リード線4の間のキャパシタンスCと、端末リード線4
に沿うインダクタンスLとを有する。端末リード線4の
インピーダンスZは、インダクタンスLとキャパシタン
スCの商の平方根に比例する。キャパシタンスCを増大
することによって、端末リード線4のインピーダンスZ
を低減することができる。
【0021】互いに隣接して延びる2つの端末リード線
4間のキャパシタンスCは、2つの端末リード線4間に
存在する媒体の誘電率εに比例する。空気は、約1の
誘電率を有し、プラスチックは、約2.5から6の誘電
率を有する。ガラスの誘電率は約4である。セラミッ
ク、好ましくは酸化アルミニウム(Al)からな
る誘電体プレート6では、誘電率εは、約5から10
である。特別なセラミック材料では、誘電率は、最高で
1000の値に達することがある。したがって、誘電体
プレート6を少なくとも1つの端末リード線4に取り付
けることによって、2つの端末リード線4間で等価回路
図により作られたキャパシタンスCを、著しく増大する
ことができ、これにより端末リード線4のインピーダン
スZを低減することになる。
【0022】金属層7が、端末リード線4と反対側の誘
電体プレート6の表面に取り付けられている場合、キャ
パシタンスCをもう一度著しく増大することができる。
この場合、端末リード線4と金属層7は、ある程度プレ
ートコンデンサとして作用する。プレートコンデンサの
キャパシタンスC’を、破線によって図4に示す。
【0023】当然、構成部品1のすべての端末リード線
4は、すべての端末リード線4のインピーダンスZを低
減するために、誘電体プレート6を備えることができ
る。しかし、誘電体プレート6を、信号が高いデータ送
信レート(数Gb/s)または高周波数(数GHz)で
送信されている構成部品1の端末リード線4にのみ取り
付けることは、意味のあることである。信号を送信する
ためのこれらの端末リード線4の場合では、動作中にイ
ンピーダンスを制御することが特に重要である。すなわ
ち、端末リード線4のインピーダンスZを、回路3、構
成部品1が統合されている回路構成、および回路構成の
残りの構成部品のインピーダンスに調和させることが特
に重要である。
【0024】図5は、実施形態の第2の好ましい形態に
より、本発明による構成部品11を示す。構成部品11
では、端末リード線14が、構成部品11の下面上でパ
ッケージング12から出るように、プラスチックパッケ
ージング12が、端末リード線14を越えて横方向に引
き出されている。端末リード線14が、パッケージング
12のプラスチックによって、最初の実際の例(図2参
照)の場合より長い距離にわたって封入されているとい
うことにより、等価回路図の著しくより大きいキャパシ
タンスCと、したがって、端末リード線14の著しくよ
り小さいインピーダンスZがもたらされる。また、いく
つかの誘電体プレートは、この実際の例では16’と1
6”の2つであるが、端末リード線14に沿って構成
し、それに取り付けることができる。このため、端末リ
ード線14のインピーダンスZは、端末リード線14に
沿って、特に小さく均一な値まで低減することができ
る。
【0025】誘電体プレート6、16は、構成部品1、
11のパッケージング2、12の作成中に、単に端末リ
ード線4、14の上に配置され、次いで、プラスチック
に封じ込めることによってこの位置に固定される。本発
明による構成部品1、11の全体としての製造が、既存
の機械を使用して実施することができる。唯一追加され
るステップは、端末リード線4、14上に誘電体プレー
ト6、16を構成するために提供されなければならな
い。本発明による構成部品1、11の端末リード線4、
14の構成とサイズは、プラスチックのパッケージング
を有する従来の技術から知られている構成部品と同一で
ある。このため、本発明による構成部品1、11は、こ
れまで通例であった構成部品に対して考えられた回路構
成に簡単に統合することができる。しかし、本発明によ
る構成部品1、11で端末リード線4、14のインピー
ダンスが低減されているために、特に高速および高周波
数の応用例で、構成部品1、11が統合されている回路
板上の回路3、13または回路構成において、弱め合う
信号反射の発生が著しく低減されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】部分的セクションであり、上部から見た、実施
形態の第1の好ましい形態による、本発明による電気構
成部品または光電気構成部品の図である。
【図2】線II−IIに沿った断面における、図1から
の本発明による構成部品の図である。
【図3】図1からの構成部品の端末リード線のインピー
ダンスに関する等価回路図である。
【図4】線IV−IVに沿った断面における、図1から
の本発明による構成部品の2つの端末リード線の図であ
る。
【図5】断面における実施形態の第2の好ましい形態に
よる、本発明による電気構成部品または光電気構成部品
の図である。
【符号の説明】
11 構成部品 12 パッケージング 13 電気集積回路または光電気集積回路 14 端末リード線 5 結合ワイヤ 6、6’、16’、16” 誘電体プレート 7 金属層

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラスチックのパッケージング(2、1
    2)を有する電気構成部品または光電気構成部品(1、
    11)であって、少なくとも1つの電気集積回路または
    光電気集積回路(3、13)が、パッケージング(2、
    12)中に構成され、回路または各回路(3、13)を
    接続するために、端末リード線(4、14)がパッケー
    ジング(2、12)から突出しており、少なくとも1つ
    の誘電体プレート(6、16’、16”)が、端末リー
    ド線(4、14)の少なくとも1つに取り付けられてい
    ることを特徴とする、電気構成部品または光電気構成部
    品(1、11)。
  2. 【請求項2】 誘電体プレートまたは各誘電体プレート
    (6、16’、16”)が、パッケージング(2、1
    2)中に構成されていることを特徴とする、請求項1に
    記載の構成部品(1、11)。
  3. 【請求項3】 誘電体プレートまたは各誘電体プレート
    (6、16’、16”)が、パッケージング(2、1
    2)のプラスチックより大きい誘電率(ε)を有する
    ことを特徴とする、請求項1または2に記載の構成部品
    (1、11)。
  4. 【請求項4】 誘電体プレートまたは各誘電体プレート
    (6、16’、16”)が、セラミック、好ましくは酸
    化アルミニウム(Al)からなることを特徴とす
    る、請求項3に記載の構成部品(1、11)。
  5. 【請求項5】 パッケージング(2、12)が、端末リ
    ード線(4、14)を越えて横方向に引き出されている
    ことを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記
    載の構成部品(1、11)。
  6. 【請求項6】 端末リード線(4、14)とは反対の方
    向を向いている誘電体プレートまたは各誘電体プレート
    (6、16’、16”)の表面が、少なくとも部分的に
    金属層(7)で被覆されていることを特徴とする、請求
    項1から5のいずれか一項に記載の構成部品(1、1
    1)。
  7. 【請求項7】 2つの誘電体プレート(16’、1
    6”)が、端末リード線(14)に取り付けられている
    ことを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記
    載の構成部品(11)。
  8. 【請求項8】 プラスチックのパッケージング(2、1
    2)と、パッケージング中に構成されている少なくとも
    1つの電気集積回路または光電気集積回路(3、13)
    と、回路または各回路(3、13)を接続するために、
    パッケージング(2、12)から突出しているいくつか
    の端末リード線(4、14)とを有する、電気構成部品
    または光電気構成部品(1、11)の端末リード線
    (4、14)のインピーダンス(Z)を変更するため
    の、端末リード線(4、14)に取り付けられている誘
    電体プレート(6、16’、16”)の使用法。
  9. 【請求項9】 電気構成部品または光電気構成部品
    (1、11)の端末リード線(4、14)のインピーダ
    ンス(Z)を変更するための方法であって、電気構成部
    品または光電気構成部品(1、11)が、プラスチック
    のパッケージング(2、12)と、パッケージング
    (2、12)中に構成されている少なくとも1つの電気
    集積回路または光電気集積回路(3、13)と、回路ま
    たは各回路(3、13)を接続するために、パッケージ
    ング(2、12)から突出している端末リード線(4、
    14)とを有し、少なくとも1つの誘電体プレート
    (6、16’、16”)が、端末リード線(4、14)
    の少なくとも1つに取り付けられていることを特徴とす
    る、電気構成部品または光電気構成部品の端末リード線
    のインピーダンスを変更するための方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110042636A (ko) * 2009-10-19 2011-04-27 엘지전자 주식회사 휴대단말기

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10334384B4 (de) * 2003-07-28 2014-03-27 Infineon Technologies Ag Chipvorrichtung
US7489022B2 (en) * 2005-08-02 2009-02-10 Viasat, Inc. Radio frequency over-molded leadframe package

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751513A (en) * 1986-05-02 1988-06-14 Rca Corporation Light controlled antennas
EP0580855A1 (en) * 1992-02-18 1994-02-02 Intel Corporation Advance multilayer molded plastic package using mesic technology
JPH06216309A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US5482898A (en) * 1993-04-12 1996-01-09 Amkor Electronics, Inc. Method for forming a semiconductor device having a thermal dissipator and electromagnetic shielding
JP2541475B2 (ja) * 1993-09-16 1996-10-09 日本電気株式会社 樹脂モ―ルド型半導体装置
JPH0851179A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Sanyo Electric Co Ltd 集積回路装置およびリードフレーム
JPH10209365A (ja) * 1997-01-06 1998-08-07 Texas Instr Inc <Ti> 電子装置
US6054754A (en) * 1997-06-06 2000-04-25 Micron Technology, Inc. Multi-capacitance lead frame decoupling device
WO1999034444A1 (fr) * 1997-12-25 1999-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif a semiconducteur et son procede de fabrication
JP2000091491A (ja) * 1998-09-07 2000-03-31 Kankyo Denji Gijutsu Kenkyusho:Kk デカップリング回路内蔵半導体デバイス
EP1113497A3 (en) * 1999-12-29 2006-01-25 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with conductor impedance selected during assembly

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110042636A (ko) * 2009-10-19 2011-04-27 엘지전자 주식회사 휴대단말기
KR101655805B1 (ko) * 2009-10-19 2016-09-08 엘지전자 주식회사 휴대단말기

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