JP2004186606A - 高周波用パッケージの実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】外部接続用回路基板への実装が容易にでき、回路基板に特別の加工がなく、従来と同じプロセスで実装可能で、高周波数でも配線の微細化に対応した状態で実装時の伝送損失が小さい高周波用パッケージの実装構造を提供する。
【解決手段】誘電体基材15の第1、第2の主面13、14に設けられる信号線路がグランド電極17、17a付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体16、18の両側に高周波信号の誘電体基材15内波長の1/2以内の間隔でグランドビア19列が形成された高周波用パッケージ10の第1の主面13に半導体素子11を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面14を外部接続用回路基板12にBGA法で実装する高周波用パッケージ10の実装構造であって、第2の主面14の信号線路を形成する第2のストリップ導体18の一部に狭幅部24を設ける。
【選択図】 図2
【解決手段】誘電体基材15の第1、第2の主面13、14に設けられる信号線路がグランド電極17、17a付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体16、18の両側に高周波信号の誘電体基材15内波長の1/2以内の間隔でグランドビア19列が形成された高周波用パッケージ10の第1の主面13に半導体素子11を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面14を外部接続用回路基板12にBGA法で実装する高周波用パッケージ10の実装構造であって、第2の主面14の信号線路を形成する第2のストリップ導体18の一部に狭幅部24を設ける。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体素子が実装された高周波用パッケージと外部接続用回路基板との実装構造に関し、より詳細には、BGAタイプの高周波用パッケージの外部接続用回路基板への実装時に生じる15GHz以上の高周波信号の伝送特性の劣化を抑制できる高周波用パッケージの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、高周波用パッケージは、マイクロ波やミリ波の高周波の信号を取り扱うためのパッケージとして広く用いられている。この高周波用パッケージには、半導体素子が実装されて蓋体等で封止される。そして、高周波用パッケージには、外部接続用回路基板に他の表面実装部品と同時に半田リフロー実装ができるように、表面実装タイプのものがある。高周波用パッケージを表面実装するためには、例えば、高周波用パッケージの入出力端子を、KV(Fe−Ni−Co系合金、商品名「Kovar(コバール)」)、42アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属からなるリードにしたリードタイプや、半田や、銅をボールにしたBGA(Ball Grid Array)タイプ、あるいは、接合部に半田用の領域を設けたLGA(Land Grid Array)タイプ等がある。これらのタイプによる実装では、他の表面実装対応部品と同時に半田リフロー等によって極めて容易に高周波用パッケージを外部接続用回路基板に実装することができる。
【0003】
しかしながら、高周波の信号を取り扱うような高周波用パッケージは、外部接続用回路基板に表面実装するときに、高周波領域での伝送特性が劣化しやすく、特に、15GHz以上の周波数領域になると、劣化の度合いが著しくなる問題がある。
【0004】
そこで、前述の問題を解決することを目的に、外部接続用回路基板には、高周波用パッケージが実装されたときに、多層構造の高周波用パッケージの上、下層の信号線路が接続する領域に相当する外部接続用回路基板の領域に、高周波用パッケージや、外部接続用回路基板よりも誘電率の小さい材料を使って、実装部分の高周波伝送損失を抑制する構造が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、高周波用パッケージには、半導体素子と高周波用パッケージを電気的に接続するためのボンディングワイヤのインダクタンスを補償するために、信号線路のストリップ導体の幅を大きくして、容量成分をボンディングワイヤ接続箇所の近傍に設けることが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−312856号公報(第1−6頁、第1図)
【特許文献2】
実開平2−123102号公報(第1−8頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の高周波用パッケージの実装構造は、次のような問題がある。
(1)実装部分の高周波伝送損失を抑制するために、外部接続用回路基板の一部に高周波用パッケージや、外部接続用回路基板よりも誘電率の小さい材料を使う方法では、外部接続用回路基板を作製するのに特殊で且つ複雑な加工が必要となり、高価となる。
【0007】
(2)また、この高周波用パッケージを外部接続用回路基板に接続する方法では、両者の信号線路を構成するストリップ導体と、グランド導体とを厳しく制御して接続しなければ低損失な接続はできない。仮に、半田リフロー前に高周波用パッケージを外部接続用回路基板に精度よく配置したとしても、半田リフロー炉内で半田が溶融したときに、高周波用パッケージと外部接続用回路基板との位置がずれることがある。この場合、接続部での特性インピーダンスが大きくずれ、接続部での高周波信号の反射が大きくなり、低損失伝送ができなくなる。
【0008】
(3)通常、半導体素子と高周波用パッケージとの接続は、直径25μm程度のボンディングワイヤで行われる場合が多い。しかしながら、半導体素子と高周波用パッケージとの接続箇所は、ボンディングワイヤのインダクタンスの影響で、特性インピーダンスが高くなり、15GHz以上の高周波数になると反射の影響が大きくなる。また、反射の影響は、周波数が高くなればなるほど大きくなる。しかしながら、このボンディングワイヤのインダクタンスを補償するのに、信号線路のストリップ導体のボンディングワイヤ実装付近の幅を大きくして容量部を形成する方法では、隣の線路の影響を受けて、高周波信号の劣化の一因になっている。特に、近年のパッケージの小型化のために微細配線の要求が強く複数の信号線路が形成されている高周波用パッケージであって、信号線路が近接している場合は、大きくした信号線路の容量形成部分どうしが悪影響するばかりでなく、近接した信号線路を形成することが困難となる。また、半導体素子付近の配線は、微細化が要求される場合が多く、容量部形成は不可能になる。
【0009】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、高周波用パッケージの外部接続用回路基板への実装が極めて容易にでき、外部接続用回路基板に特別の加工を施すことなく、従来からの一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能で、しかも、15GHz以上の高周波数においても、半導体素子と高周波用パッケージのボンディングワイヤの影響を、配線の微細化に対応した状態で補償し、実装時の伝送損失が極めて小さい高周波用パッケージの実装構造を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設ける。
【0011】
これにより、第2のストリップ導体のBGA用ボール取り付け用ボールパッドをボールの接合強度を上げるために広くしなければならないことによって発生する容量形成による特性インピーダンスの低下を、第2のストリップ導体の一部に設ける狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償することで、特性インピーダンスの整合を図ることができ、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、外部接続用回路基板にBGA法で容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、しかも、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。
【0012】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くする。
【0013】
これにより、ボンディングワイヤによるインダクタンスを補償するために、第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低減したので、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、第1のストリップ導体の導体幅を一定、すなわち、第1のストリップ導体とグランド導体間のギャップも一定になるようにすることで、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。しかも、外部接続用回路基板にBGA法で実装して容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。特性インピーダンスの低減方法は、第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないことで微細配線を阻害しない。また、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにすると、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響が大きくなってきて、特性インピーダンスの不整合が生じ、反射が大きくなる。
【0014】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設け、しかも、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くする。
【0015】
これにより、第2のストリップ導体のBGA用ボール取り付け用ボールパッドをボールの接合強度を上げるために広くしなければならないことによって発生する容量形成による特性インピーダンスの低下を、第2のストリップ導体の一部に設ける狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償することで、特性インピーダンスの整合を図ることができ、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、ボンディングワイヤによるインダクタンスを補償するために、第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低減したので、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、第1のストリップ導体の導体幅を一定、すなわち、第1のストリップ導体とグランド導体間のギャップも一定になるようにすることで、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。しかも、外部接続用回路基板にBGA法で実装して容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。特性インピーダンスの低減方法は、第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないことで微細配線を阻害しない。また、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにすると、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響が大きくなってきて、特性インピーダンスの不整合が生じ、反射が大きくなる。
【0016】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1は本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの実装構造の部分拡大断面図、図2(A)、(B)はそれぞれ同高周波用パッケージの実装構造の説明図である。
【0017】
図1、図2(A)、(B)を参照しながら、高周波用パッケージ10に半導体素子11を搭載した後、外部接続用回路基板12に実装する高周波用パッケージ10の実装構造を説明する。ここで、図1は、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の実装構造の部分拡大断面図を示し、図2(A)は、同高周波用パッケージ10の表面の第1の主面13の部分拡大平面図、図2(B)は、同高周波用パッケージ10の裏面の第2の主面14の部分拡大平面図を示す。本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の実装構造に使用される高周波用パッケージ10は、セラミックや樹脂等からなる誘電体基材15の表面の第1の主面13に、第1のストリップ導体16がグランド電極17、17aを両側と裏側に配置するグランド電極付コプレナーウェーブガイドの信号線路が形成されている。また、高周波用パッケージ10は、誘電体基材15の裏面の第2の主面14に、第2のストリップ導体18がグランド電極17a、17を両側と裏側に配置するグランド電極付コプレナーウェーブガイドの信号線路が形成されている。そして、高周波用パッケージ10は、表、裏面のグランド電極17、17aを接続するために、第1及び第2のストリップ導体16、18の両側に、誘電体基材11の比誘電率をεpとしたときに高周波信号の真空中の波長の2×εp1/2分の1以下の間隔Wpで整列するブランドビア19を有している。また、高周波用パッケージ10は、第1のストリップ導体16と第2のストリップ導体18を接続するための信号線路ビア20を有している。
【0018】
本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の実装構造は、前記の高周波用パッケージ10の第1の主面13に半導体素子11を搭載し、半導体素子11と第1のストリップ導体16や、半導体素子11とグランド電極17の間をボンディングワイヤ21を用いて接続している。高周波用パッケージ10に半導体素子11を実装した後は、セラミック、樹脂、あるいは金属等からなる蓋体22で半導体素子11を封止している。半導体素子11が封止された高周波用パッケージ10は、高周波用パッケージ10の第2の主面14に設けられた第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23や、グランド電極17aに予めAg−Cuろう等で接着した銅からなるボール24や、高温半田からなるボール24を介して、樹脂やセラミック等からなる外部接続用回路基板12に低温半田等で接続するBGA法で実装している。この第2のストリップ導体18の幅は、指定された特性インピーダンスを、例えば、50Ωになるように、両側のグランド電極17aとのギャップや、誘電体基材15の厚みを考慮して設定している。この時、ボール接続用パッド23や、信号線路ビア20のためのエリアを形成しなければならない場合には、その部分で容量が形成され、特性インピーダンスにずれが発生するので、それぞれの大きさは、最小限にすることが必要である。
【0019】
この高周波用パッケージ10の第2のストリップ導体18には、ボール接続用パッド23と信号線路ビア20のエリアとの間に狭幅部25を設けている。これにより、ボール24の接続強度を高めるためにボール接続用パッド23を広くしたことによる第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23部分の特性インピーダンスの低下を、狭幅部25を設けることで狭幅部25にインダクタンス成分を設けて狭幅部25部分の特性インピーダンスを高くすることによって補償している。
【0020】
次いで、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の他の実装構造は、前記の高周波用パッケージ10に半導体素子11を搭載し、半導体素子11と第1のストリップ導体16や、半導体素子11とグランド電極17の間をボンディングワイヤ21で接続している。高周波用パッケージ10に半導体素子11を実装した後は、蓋体22で半導体素子11を封止している。半導体素子11が封止された高周波用パッケージ10は、第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23に半田や銅からなるボール24を介して、樹脂やセラミック等からなる外部接続用回路基板12に半田等で接続するBGA法で実装している。そして、第1の主面13の信号線路の特性インピーダンスは、低くなるようにしてある。これにより、ボンディングワイヤ21によるインダクタンスを補償し、接続部での高周波信号の反射を小さくする。また、第1のストリップ導体16の導体幅W1と、第1のストリップ導体16とグランド導体とのギャップG1は、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所がないように、一定になるようにしている。この場合の、特性インピーダンスの低減方法は、第1のストリップ導体16の導体幅W1を太くする、及び/又は、ギャップG1を小さくしている。しかしながら、第1のストリップ導体16の導体幅W1と2×ギャップG1を加えた幅は、微細配線化を阻害するのを防止するために大きくしないことが必要である。更に、この高周波用パッケージ10の第1の主面13の信号線路を形成する第1のストリップ導体16の導体長さL1は、誘電体基材11の比誘電率をεpとしたときに高周波信号の真空中の波長の2×εp1/2分の1以下にしている。こうすることによって、特性インピーダンス低下による特性インピーダンスの不整合の影響を抑えることができる。
【0021】
なお、半導体素子11の下面は、通常、グランド面を形成しているので、半導体素子11が搭載される高周波用パッケージ10のダイアタッチ部は、グランド電極17を延長させて形成するのがよい。この場合には、半導体素子11からグランド電極17へのボンディングワイヤ21の接続を省略することができる。また、高周波用パッケージ10には、半導体素子11が搭載させる部位にキャビティ部を設けて、半導体素子11を搭載した時に半導体素子11のワイヤボンド用パッド26の高さが高周波用パッケージ10の表面の高さに近づくようにしてボンディングワイヤ21を水平に、できるだけボンディングワイヤ21の長さを短くなるように接続することで、ボンディングワイヤ21のインダクタンスを減少させることができ、高周波伝送特性を向上させることができる。
【0022】
次いで、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の更に他の実装構造は、前記の高周波用パッケージ10に半導体素子11を搭載し、半導体素子11と第1のストリップ導体16や、半導体素子11とグランド電極17の間をボンディングワイヤ21で接続している。高周波用パッケージ10に半導体素子11を実装した後は、蓋体22で半導体素子11を封止している。半導体素子11が封止された高周波用パッケージ10は、第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23や、グランド電極17aに銅や半田からなるボール24を介して、樹脂やセラミック等からなる外部接続用回路基板12に半田等で接続するBGA法で実装している。この高周波用パッケージ10の第2のストリップ導体18には、ボール接続用パッド23と信号線路ビア20のエリアとの間に狭幅部24を設けている。しかも、この高周波用パッケージ10の第1の主面13の信号線路を形成する第1のストリップ導体16の導体長さL1は、誘電体基材11の比誘電率をεpとしたときに高周波信号の真空中の波長の2×εp1/2分の1以下にしている。そして、第1のストリップ導体16の導体幅W1と、第1のストリップ導体16とグランド導体とのギャップG1は、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所がないように、一定になるようにしている。
【0023】
【実施例】
本発明者は、TLM(Transmission Line Modeling)法を用いた3次元電磁界シミュレーションによって本発明、及び比較例に係る高周波用パッケージの実装構造における伝送特性を計算した。
実施例1のシミュレーションモデルには、高周波用パッケージに、誘電体基材の比誘電率εr=9.5、誘電体基材の厚さT1=0.3mm、グランドビア列の間隔Wp=1.27mm、第1の主面の信号線路の第1のストリップ導体長さL1=0.45mm、第1のストリップ導体幅W1=0.25mm、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップG1=0.21mm、第2の主面の信号線路の第2のストリップ導体長さL2=0.28mm、L3=0.2mm、L4=0.4mm、第2のストリップ導体幅W2=0.28mm、W3=0.1mm、W4=0.4mm、第2のストリップ導体とグランド導体とのギャップG2=0.3mmからなるものを用いた。また、外部接続用回路基板には、信号線路の両側にグランドビア列を形成したグランド付コプレナウェーブガイド構造で、誘電体材料の比誘電率εr=3.38、基板厚さT2=0.2mm、長さL5=2.8mm、グランドビア列の間隔1mm、ストリップ導体幅0.4mm、ストリップ導体とグランド導体とのギャップ0.12mmからなるものを用いた。
【0024】
上記の高周波用パッケージを上記の外部接続用回路基板に実装したシミュレーションモデルは、半導体素子の搭載位置に比誘電率9.5、厚さ0.2mm、長さ2mmの誘電体材料を用いたマイクロストリップライン構造体を実装し、このマイクロストリップライン構造体の信号線路と、高周波用パッケージの第1のストリップ導体とを断面視して25μm角のボンディングワイヤ2本で接続した。この時、マイクロストリップライン構造体の下面側のグランド電極と、高周波用パッケージのグランド電極は接続された状態となっている。
【0025】
一方、外部接続用回路基板も上記のマイクロストリップライン構造体と同じマイクロストリップ線路で、このマイクロストリップ線路の信号線路と、外部接続用回路基板のグランド付コプレナウェーブガイドのストリップ導体のみに、断面視して25μm角のボンディングワイヤ2本で接続した。そして、このマイクロストリップ線路及び外部接続用回路基板の下面側グランド電極は、共通とした。これらそれぞれのマイクロストリップライン構造体には、100μmの隙間をあけてワイヤーボンドを行った。シミュレーション実施のための電界は、それぞれのマイクロストリップライン構造体に印加した。
【0026】
実施例2のシミュレーションモデルは、実施例1とW1と、W3のパラメータのみが異なっており、W1=0.35mm、W3=0.28mmとしている。
実施例3のシミュレーションモデルは、実施例1とW1のパラメータのみが異なっており、W1=0.35mmとしている。
比較例のシミュレーションモデルは、実施例1とW3のパラメータのみが異なっており、W3=0.28mmとしている。
【0027】
図3(A)、(B)を参照して、本発明の実施例1、2、3、及び、比較例の高周波用パッケージの実装構造の伝送特性のシミュレーション結果を説明する。ここに、図3(A)は伝送特性のうちの反射特性S11を示し、図3(B)は伝送特性のうちの通過特性S21を示す。実施例1、2では、比較例に比べて、周波数15GHzから40GHzの高周波数の範囲で反射特性S11が−1dBから−3dB程度改善し、通過特性S21も0.1dBから0.5dB程度改善している。更に、実施例1と実施例2の両方を施した実施例3では、単に両者の効果が単純に相加的に現れるのではなく、特に25GHzから38GHzの高周波数の範囲で相乗的に現れ、比較例に比べて−7dB程度と著しく反射特性S11が改善されている。
【0028】
【発明の効果】
請求項1記載の高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設けるので、第2のストリップ導体のボールパッドを広くすることで発生する特性インピーダンスの低下を、狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償して特性インピーダンスの整合を図り、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、外部接続用回路基板にBGA法で容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、しかも、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。
【0029】
請求項2記載の高周波用パッケージの実装構造は、請求項1記載の高周波用パッケージの実装構造と同様であって、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くするので、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。しかも、外部接続用回路基板に容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であり、外部接続用回路基板を安価に実装できる。第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないで特性インピーダンスの低減を図り、微細配線を阻害しない。また、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにして、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響を小さくして特性インピーダンスの不整合を抑え、反射を小さくすることができる。
【0030】
請求項3記載の高周波用パッケージの実装構造は、請求項1又は2記載の高周波用パッケージの実装構造と同様であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設け、しかも、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くするので、第2のストリップ導体のボールパッドを広くすることで発生する特性インピーダンスの低下を、狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償して特性インピーダンスの整合を図り、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、外部接続用回路基板にBGA法で容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、しかも、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。しかも、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。また、第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないで特性インピーダンスの低減を図り、微細配線を阻害しない。更に、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにして、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響を小さくして特性インピーダンスの不整合を抑え、反射を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの実装構造の部分拡大断面図である。
【図2】(A)、(B)はそれぞれ同高周波用パッケージの実装構造の説明図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ本発明の実施例1、2、3、及び、比較例の高周波用パッケージの実装構造の伝送特性のシミュレーション結果の説明図である。
【符号の説明】
10:高周波用パッケージ、11:半導体素子、12:外部接続用回路基板、13:第1の主面、14:第2の主面、15:誘電体基材、16:第1のストリップ導体、17、17a:グランド電極、18:第2のストリップ導体、19:グランドビア、20:信号線路ビア、21:ボンディングワイヤ、22:蓋体、23:ボール接続用パッド、24:ボール、25:狭幅部、26:ワイヤボンド用パッド
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体素子が実装された高周波用パッケージと外部接続用回路基板との実装構造に関し、より詳細には、BGAタイプの高周波用パッケージの外部接続用回路基板への実装時に生じる15GHz以上の高周波信号の伝送特性の劣化を抑制できる高周波用パッケージの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、高周波用パッケージは、マイクロ波やミリ波の高周波の信号を取り扱うためのパッケージとして広く用いられている。この高周波用パッケージには、半導体素子が実装されて蓋体等で封止される。そして、高周波用パッケージには、外部接続用回路基板に他の表面実装部品と同時に半田リフロー実装ができるように、表面実装タイプのものがある。高周波用パッケージを表面実装するためには、例えば、高周波用パッケージの入出力端子を、KV(Fe−Ni−Co系合金、商品名「Kovar(コバール)」)、42アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属からなるリードにしたリードタイプや、半田や、銅をボールにしたBGA(Ball Grid Array)タイプ、あるいは、接合部に半田用の領域を設けたLGA(Land Grid Array)タイプ等がある。これらのタイプによる実装では、他の表面実装対応部品と同時に半田リフロー等によって極めて容易に高周波用パッケージを外部接続用回路基板に実装することができる。
【0003】
しかしながら、高周波の信号を取り扱うような高周波用パッケージは、外部接続用回路基板に表面実装するときに、高周波領域での伝送特性が劣化しやすく、特に、15GHz以上の周波数領域になると、劣化の度合いが著しくなる問題がある。
【0004】
そこで、前述の問題を解決することを目的に、外部接続用回路基板には、高周波用パッケージが実装されたときに、多層構造の高周波用パッケージの上、下層の信号線路が接続する領域に相当する外部接続用回路基板の領域に、高周波用パッケージや、外部接続用回路基板よりも誘電率の小さい材料を使って、実装部分の高周波伝送損失を抑制する構造が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、高周波用パッケージには、半導体素子と高周波用パッケージを電気的に接続するためのボンディングワイヤのインダクタンスを補償するために、信号線路のストリップ導体の幅を大きくして、容量成分をボンディングワイヤ接続箇所の近傍に設けることが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−312856号公報(第1−6頁、第1図)
【特許文献2】
実開平2−123102号公報(第1−8頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の高周波用パッケージの実装構造は、次のような問題がある。
(1)実装部分の高周波伝送損失を抑制するために、外部接続用回路基板の一部に高周波用パッケージや、外部接続用回路基板よりも誘電率の小さい材料を使う方法では、外部接続用回路基板を作製するのに特殊で且つ複雑な加工が必要となり、高価となる。
【0007】
(2)また、この高周波用パッケージを外部接続用回路基板に接続する方法では、両者の信号線路を構成するストリップ導体と、グランド導体とを厳しく制御して接続しなければ低損失な接続はできない。仮に、半田リフロー前に高周波用パッケージを外部接続用回路基板に精度よく配置したとしても、半田リフロー炉内で半田が溶融したときに、高周波用パッケージと外部接続用回路基板との位置がずれることがある。この場合、接続部での特性インピーダンスが大きくずれ、接続部での高周波信号の反射が大きくなり、低損失伝送ができなくなる。
【0008】
(3)通常、半導体素子と高周波用パッケージとの接続は、直径25μm程度のボンディングワイヤで行われる場合が多い。しかしながら、半導体素子と高周波用パッケージとの接続箇所は、ボンディングワイヤのインダクタンスの影響で、特性インピーダンスが高くなり、15GHz以上の高周波数になると反射の影響が大きくなる。また、反射の影響は、周波数が高くなればなるほど大きくなる。しかしながら、このボンディングワイヤのインダクタンスを補償するのに、信号線路のストリップ導体のボンディングワイヤ実装付近の幅を大きくして容量部を形成する方法では、隣の線路の影響を受けて、高周波信号の劣化の一因になっている。特に、近年のパッケージの小型化のために微細配線の要求が強く複数の信号線路が形成されている高周波用パッケージであって、信号線路が近接している場合は、大きくした信号線路の容量形成部分どうしが悪影響するばかりでなく、近接した信号線路を形成することが困難となる。また、半導体素子付近の配線は、微細化が要求される場合が多く、容量部形成は不可能になる。
【0009】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、高周波用パッケージの外部接続用回路基板への実装が極めて容易にでき、外部接続用回路基板に特別の加工を施すことなく、従来からの一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能で、しかも、15GHz以上の高周波数においても、半導体素子と高周波用パッケージのボンディングワイヤの影響を、配線の微細化に対応した状態で補償し、実装時の伝送損失が極めて小さい高周波用パッケージの実装構造を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設ける。
【0011】
これにより、第2のストリップ導体のBGA用ボール取り付け用ボールパッドをボールの接合強度を上げるために広くしなければならないことによって発生する容量形成による特性インピーダンスの低下を、第2のストリップ導体の一部に設ける狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償することで、特性インピーダンスの整合を図ることができ、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、外部接続用回路基板にBGA法で容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、しかも、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。
【0012】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くする。
【0013】
これにより、ボンディングワイヤによるインダクタンスを補償するために、第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低減したので、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、第1のストリップ導体の導体幅を一定、すなわち、第1のストリップ導体とグランド導体間のギャップも一定になるようにすることで、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。しかも、外部接続用回路基板にBGA法で実装して容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。特性インピーダンスの低減方法は、第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないことで微細配線を阻害しない。また、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにすると、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響が大きくなってきて、特性インピーダンスの不整合が生じ、反射が大きくなる。
【0014】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設け、しかも、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くする。
【0015】
これにより、第2のストリップ導体のBGA用ボール取り付け用ボールパッドをボールの接合強度を上げるために広くしなければならないことによって発生する容量形成による特性インピーダンスの低下を、第2のストリップ導体の一部に設ける狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償することで、特性インピーダンスの整合を図ることができ、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、ボンディングワイヤによるインダクタンスを補償するために、第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低減したので、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、第1のストリップ導体の導体幅を一定、すなわち、第1のストリップ導体とグランド導体間のギャップも一定になるようにすることで、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。しかも、外部接続用回路基板にBGA法で実装して容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。特性インピーダンスの低減方法は、第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないことで微細配線を阻害しない。また、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにすると、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響が大きくなってきて、特性インピーダンスの不整合が生じ、反射が大きくなる。
【0016】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1は本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの実装構造の部分拡大断面図、図2(A)、(B)はそれぞれ同高周波用パッケージの実装構造の説明図である。
【0017】
図1、図2(A)、(B)を参照しながら、高周波用パッケージ10に半導体素子11を搭載した後、外部接続用回路基板12に実装する高周波用パッケージ10の実装構造を説明する。ここで、図1は、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の実装構造の部分拡大断面図を示し、図2(A)は、同高周波用パッケージ10の表面の第1の主面13の部分拡大平面図、図2(B)は、同高周波用パッケージ10の裏面の第2の主面14の部分拡大平面図を示す。本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の実装構造に使用される高周波用パッケージ10は、セラミックや樹脂等からなる誘電体基材15の表面の第1の主面13に、第1のストリップ導体16がグランド電極17、17aを両側と裏側に配置するグランド電極付コプレナーウェーブガイドの信号線路が形成されている。また、高周波用パッケージ10は、誘電体基材15の裏面の第2の主面14に、第2のストリップ導体18がグランド電極17a、17を両側と裏側に配置するグランド電極付コプレナーウェーブガイドの信号線路が形成されている。そして、高周波用パッケージ10は、表、裏面のグランド電極17、17aを接続するために、第1及び第2のストリップ導体16、18の両側に、誘電体基材11の比誘電率をεpとしたときに高周波信号の真空中の波長の2×εp1/2分の1以下の間隔Wpで整列するブランドビア19を有している。また、高周波用パッケージ10は、第1のストリップ導体16と第2のストリップ導体18を接続するための信号線路ビア20を有している。
【0018】
本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の実装構造は、前記の高周波用パッケージ10の第1の主面13に半導体素子11を搭載し、半導体素子11と第1のストリップ導体16や、半導体素子11とグランド電極17の間をボンディングワイヤ21を用いて接続している。高周波用パッケージ10に半導体素子11を実装した後は、セラミック、樹脂、あるいは金属等からなる蓋体22で半導体素子11を封止している。半導体素子11が封止された高周波用パッケージ10は、高周波用パッケージ10の第2の主面14に設けられた第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23や、グランド電極17aに予めAg−Cuろう等で接着した銅からなるボール24や、高温半田からなるボール24を介して、樹脂やセラミック等からなる外部接続用回路基板12に低温半田等で接続するBGA法で実装している。この第2のストリップ導体18の幅は、指定された特性インピーダンスを、例えば、50Ωになるように、両側のグランド電極17aとのギャップや、誘電体基材15の厚みを考慮して設定している。この時、ボール接続用パッド23や、信号線路ビア20のためのエリアを形成しなければならない場合には、その部分で容量が形成され、特性インピーダンスにずれが発生するので、それぞれの大きさは、最小限にすることが必要である。
【0019】
この高周波用パッケージ10の第2のストリップ導体18には、ボール接続用パッド23と信号線路ビア20のエリアとの間に狭幅部25を設けている。これにより、ボール24の接続強度を高めるためにボール接続用パッド23を広くしたことによる第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23部分の特性インピーダンスの低下を、狭幅部25を設けることで狭幅部25にインダクタンス成分を設けて狭幅部25部分の特性インピーダンスを高くすることによって補償している。
【0020】
次いで、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の他の実装構造は、前記の高周波用パッケージ10に半導体素子11を搭載し、半導体素子11と第1のストリップ導体16や、半導体素子11とグランド電極17の間をボンディングワイヤ21で接続している。高周波用パッケージ10に半導体素子11を実装した後は、蓋体22で半導体素子11を封止している。半導体素子11が封止された高周波用パッケージ10は、第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23に半田や銅からなるボール24を介して、樹脂やセラミック等からなる外部接続用回路基板12に半田等で接続するBGA法で実装している。そして、第1の主面13の信号線路の特性インピーダンスは、低くなるようにしてある。これにより、ボンディングワイヤ21によるインダクタンスを補償し、接続部での高周波信号の反射を小さくする。また、第1のストリップ導体16の導体幅W1と、第1のストリップ導体16とグランド導体とのギャップG1は、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所がないように、一定になるようにしている。この場合の、特性インピーダンスの低減方法は、第1のストリップ導体16の導体幅W1を太くする、及び/又は、ギャップG1を小さくしている。しかしながら、第1のストリップ導体16の導体幅W1と2×ギャップG1を加えた幅は、微細配線化を阻害するのを防止するために大きくしないことが必要である。更に、この高周波用パッケージ10の第1の主面13の信号線路を形成する第1のストリップ導体16の導体長さL1は、誘電体基材11の比誘電率をεpとしたときに高周波信号の真空中の波長の2×εp1/2分の1以下にしている。こうすることによって、特性インピーダンス低下による特性インピーダンスの不整合の影響を抑えることができる。
【0021】
なお、半導体素子11の下面は、通常、グランド面を形成しているので、半導体素子11が搭載される高周波用パッケージ10のダイアタッチ部は、グランド電極17を延長させて形成するのがよい。この場合には、半導体素子11からグランド電極17へのボンディングワイヤ21の接続を省略することができる。また、高周波用パッケージ10には、半導体素子11が搭載させる部位にキャビティ部を設けて、半導体素子11を搭載した時に半導体素子11のワイヤボンド用パッド26の高さが高周波用パッケージ10の表面の高さに近づくようにしてボンディングワイヤ21を水平に、できるだけボンディングワイヤ21の長さを短くなるように接続することで、ボンディングワイヤ21のインダクタンスを減少させることができ、高周波伝送特性を向上させることができる。
【0022】
次いで、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の更に他の実装構造は、前記の高周波用パッケージ10に半導体素子11を搭載し、半導体素子11と第1のストリップ導体16や、半導体素子11とグランド電極17の間をボンディングワイヤ21で接続している。高周波用パッケージ10に半導体素子11を実装した後は、蓋体22で半導体素子11を封止している。半導体素子11が封止された高周波用パッケージ10は、第2のストリップ導体18のボール接続用パッド23や、グランド電極17aに銅や半田からなるボール24を介して、樹脂やセラミック等からなる外部接続用回路基板12に半田等で接続するBGA法で実装している。この高周波用パッケージ10の第2のストリップ導体18には、ボール接続用パッド23と信号線路ビア20のエリアとの間に狭幅部24を設けている。しかも、この高周波用パッケージ10の第1の主面13の信号線路を形成する第1のストリップ導体16の導体長さL1は、誘電体基材11の比誘電率をεpとしたときに高周波信号の真空中の波長の2×εp1/2分の1以下にしている。そして、第1のストリップ導体16の導体幅W1と、第1のストリップ導体16とグランド導体とのギャップG1は、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所がないように、一定になるようにしている。
【0023】
【実施例】
本発明者は、TLM(Transmission Line Modeling)法を用いた3次元電磁界シミュレーションによって本発明、及び比較例に係る高周波用パッケージの実装構造における伝送特性を計算した。
実施例1のシミュレーションモデルには、高周波用パッケージに、誘電体基材の比誘電率εr=9.5、誘電体基材の厚さT1=0.3mm、グランドビア列の間隔Wp=1.27mm、第1の主面の信号線路の第1のストリップ導体長さL1=0.45mm、第1のストリップ導体幅W1=0.25mm、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップG1=0.21mm、第2の主面の信号線路の第2のストリップ導体長さL2=0.28mm、L3=0.2mm、L4=0.4mm、第2のストリップ導体幅W2=0.28mm、W3=0.1mm、W4=0.4mm、第2のストリップ導体とグランド導体とのギャップG2=0.3mmからなるものを用いた。また、外部接続用回路基板には、信号線路の両側にグランドビア列を形成したグランド付コプレナウェーブガイド構造で、誘電体材料の比誘電率εr=3.38、基板厚さT2=0.2mm、長さL5=2.8mm、グランドビア列の間隔1mm、ストリップ導体幅0.4mm、ストリップ導体とグランド導体とのギャップ0.12mmからなるものを用いた。
【0024】
上記の高周波用パッケージを上記の外部接続用回路基板に実装したシミュレーションモデルは、半導体素子の搭載位置に比誘電率9.5、厚さ0.2mm、長さ2mmの誘電体材料を用いたマイクロストリップライン構造体を実装し、このマイクロストリップライン構造体の信号線路と、高周波用パッケージの第1のストリップ導体とを断面視して25μm角のボンディングワイヤ2本で接続した。この時、マイクロストリップライン構造体の下面側のグランド電極と、高周波用パッケージのグランド電極は接続された状態となっている。
【0025】
一方、外部接続用回路基板も上記のマイクロストリップライン構造体と同じマイクロストリップ線路で、このマイクロストリップ線路の信号線路と、外部接続用回路基板のグランド付コプレナウェーブガイドのストリップ導体のみに、断面視して25μm角のボンディングワイヤ2本で接続した。そして、このマイクロストリップ線路及び外部接続用回路基板の下面側グランド電極は、共通とした。これらそれぞれのマイクロストリップライン構造体には、100μmの隙間をあけてワイヤーボンドを行った。シミュレーション実施のための電界は、それぞれのマイクロストリップライン構造体に印加した。
【0026】
実施例2のシミュレーションモデルは、実施例1とW1と、W3のパラメータのみが異なっており、W1=0.35mm、W3=0.28mmとしている。
実施例3のシミュレーションモデルは、実施例1とW1のパラメータのみが異なっており、W1=0.35mmとしている。
比較例のシミュレーションモデルは、実施例1とW3のパラメータのみが異なっており、W3=0.28mmとしている。
【0027】
図3(A)、(B)を参照して、本発明の実施例1、2、3、及び、比較例の高周波用パッケージの実装構造の伝送特性のシミュレーション結果を説明する。ここに、図3(A)は伝送特性のうちの反射特性S11を示し、図3(B)は伝送特性のうちの通過特性S21を示す。実施例1、2では、比較例に比べて、周波数15GHzから40GHzの高周波数の範囲で反射特性S11が−1dBから−3dB程度改善し、通過特性S21も0.1dBから0.5dB程度改善している。更に、実施例1と実施例2の両方を施した実施例3では、単に両者の効果が単純に相加的に現れるのではなく、特に25GHzから38GHzの高周波数の範囲で相乗的に現れ、比較例に比べて−7dB程度と著しく反射特性S11が改善されている。
【0028】
【発明の効果】
請求項1記載の高周波用パッケージの実装構造は、誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以内の間隔でグランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設けるので、第2のストリップ導体のボールパッドを広くすることで発生する特性インピーダンスの低下を、狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償して特性インピーダンスの整合を図り、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、外部接続用回路基板にBGA法で容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、しかも、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。
【0029】
請求項2記載の高周波用パッケージの実装構造は、請求項1記載の高周波用パッケージの実装構造と同様であって、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くするので、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。しかも、外部接続用回路基板に容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であり、外部接続用回路基板を安価に実装できる。第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないで特性インピーダンスの低減を図り、微細配線を阻害しない。また、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにして、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響を小さくして特性インピーダンスの不整合を抑え、反射を小さくすることができる。
【0030】
請求項3記載の高周波用パッケージの実装構造は、請求項1又は2記載の高周波用パッケージの実装構造と同様であって、第2の主面の信号線路を形成する第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設け、しかも、第1の主面の信号線路を形成する第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2以下にし、第1のストリップ導体の導体幅と、第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くするので、第2のストリップ導体のボールパッドを広くすることで発生する特性インピーダンスの低下を、狭幅部によってインダクタンス成分を形成して容量を補償して特性インピーダンスの整合を図り、パッケージと外部接続用回路基板との接続部での高周波信号の反射の少ない低損失伝送が可能となる。また、外部接続用回路基板にBGA法で容易に接続でき、外部接続用回路基板に特別の加工を施こすことなく、しかも、従来の一般的な表面実装部品と同じプロセスで実装可能であるので、外部接続用回路基板を安価なものにすることができる。しかも、接続部での高周波信号の反射を小さくでき、更に、高周波信号の反射の要因となる不連続箇所をなくすことができる。また、第1のストリップ導体の導体幅を大きくするか、ギャップを小さくするかし、しかしながら導体幅+2×ギャップは広げないで特性インピーダンスの低減を図り、微細配線を阻害しない。更に、第1のストリップ導体の長さを高周波信号の誘電体基材内波長の1/2を超えるようにして、信号線路の特性インピーダンスの低下による影響を小さくして特性インピーダンスの不整合を抑え、反射を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの実装構造の部分拡大断面図である。
【図2】(A)、(B)はそれぞれ同高周波用パッケージの実装構造の説明図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ本発明の実施例1、2、3、及び、比較例の高周波用パッケージの実装構造の伝送特性のシミュレーション結果の説明図である。
【符号の説明】
10:高周波用パッケージ、11:半導体素子、12:外部接続用回路基板、13:第1の主面、14:第2の主面、15:誘電体基材、16:第1のストリップ導体、17、17a:グランド電極、18:第2のストリップ導体、19:グランドビア、20:信号線路ビア、21:ボンディングワイヤ、22:蓋体、23:ボール接続用パッド、24:ボール、25:狭幅部、26:ワイヤボンド用パッド
Claims (3)
- 誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの前記信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の前記誘電体基材内波長の1/2以内の間隔で前記グランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの前記第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、前記第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、
前記第2の主面の信号線路を形成する前記第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設けることを特徴とする高周波用パッケージの実装構造。 - 誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの前記信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の前記誘電体基材内波長の1/2以内の間隔で前記グランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの前記第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、前記第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、
前記第1の主面の信号線路を形成する前記第1のストリップ導体の長さを前記高周波信号の前記誘電体基材内波長の1/2以下にし、前記第1のストリップ導体の導体幅と、該第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで前記第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くすることを特徴とする高周波用パッケージの実装構造。 - 誘電体基材の表面の第1の主面と裏面の第2の主面に設けられる信号線路がグランド電極付きコプレナーウェーブガイドからなり、それぞれの前記信号線路を形成する第1と第2のストリップ導体の両側に高周波信号の前記誘電体基材内波長の1/2以内の間隔で前記グランド電極内にグランドビア列が形成された高周波用パッケージの前記第1の主面に半導体素子を搭載してボンディングワイヤで接続し、前記第2の主面を外部接続用回路基板にBGA法で実装する高周波用パッケージの実装構造であって、
前記第2の主面の信号線路を形成する前記第2のストリップ導体の一部に狭幅部を設け、しかも、前記第1の主面の信号線路を形成する前記第1のストリップ導体の長さを前記高周波信号の前記誘電体基材内波長の1/2以下にし、前記第1のストリップ導体の導体幅と、該第1のストリップ導体とグランド導体とのギャップを一様にしたままで前記第1の主面の信号線路の特性インピーダンスを低くすることを特徴とする高周波用パッケージの実装構造。
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JP2002354503A JP2004186606A (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 高周波用パッケージの実装構造 |
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JP2013069730A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板 |
WO2022070856A1 (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 京セラ株式会社 | 配線基体および電子装置 |
-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002354503A patent/JP2004186606A/ja active Pending
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