JPH06216309A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06216309A JPH06216309A JP5005181A JP518193A JPH06216309A JP H06216309 A JPH06216309 A JP H06216309A JP 5005181 A JP5005181 A JP 5005181A JP 518193 A JP518193 A JP 518193A JP H06216309 A JPH06216309 A JP H06216309A
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- leads
- semiconductor device
- decoupling capacitor
- lead
- die pad
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/481—Disposition
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的ノイズ吸収のためのデカップリングコ
ンデンサをリードフレーム上に形成することにより半導
体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデンサの実
装を不要として、基板の実装面積を削減することのでき
る半導体装置を提供すること。 【構成】 半導体チップ3の表面に形成された内部端子
はボンディングワイヤを介してダイパット部1の周辺に
配設されたリード5のインナーリード部に接続される。
リード5は大別して信号用リード5a,電源用リード5
b,グランド用リード5cに分類されるが、電源用リー
ド5bとグランド用リード5cとを隣合わせて中央部に
設置し、各リードから突起10を交互に出してお互いに
組合せ、くし歯状の構造とする。このくし歯状の部分を
低融点ガラスやチタン酸バリウム等の高誘電率材料11
で印刷、ポッティングまたは焼成により封止しデカップ
リングコンデンサを作成する。
ンデンサをリードフレーム上に形成することにより半導
体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデンサの実
装を不要として、基板の実装面積を削減することのでき
る半導体装置を提供すること。 【構成】 半導体チップ3の表面に形成された内部端子
はボンディングワイヤを介してダイパット部1の周辺に
配設されたリード5のインナーリード部に接続される。
リード5は大別して信号用リード5a,電源用リード5
b,グランド用リード5cに分類されるが、電源用リー
ド5bとグランド用リード5cとを隣合わせて中央部に
設置し、各リードから突起10を交互に出してお互いに
組合せ、くし歯状の構造とする。このくし歯状の部分を
低融点ガラスやチタン酸バリウム等の高誘電率材料11
で印刷、ポッティングまたは焼成により封止しデカップ
リングコンデンサを作成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデカップリングコンデン
サを必要とする半導体装置に関する。
サを必要とする半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の半導体装置の構造を示す図
で、(A)が上面から見た透視図を、(B)がその断面
図を示している。又、図4は図3に示す半導体装置をモ
ジュール等の基板へ実装した際の平面図及び断面図を示
したものである。
で、(A)が上面から見た透視図を、(B)がその断面
図を示している。又、図4は図3に示す半導体装置をモ
ジュール等の基板へ実装した際の平面図及び断面図を示
したものである。
【0003】先ず最初に図3を用いて従来の半導体装置
の構造を説明する。ダイパット部1上には銀−エポキシ
系接着剤等のマウント剤2を介して半導体チップ3がマ
ウントされている。この半導体チップ3の表面に形成さ
れた図示しない内部端子はボンディングワイヤ4を介し
てダイパット部1の周辺に配設されたリード5に接続さ
れている。そしてダイパット部1,半導体チップ3,ボ
ンディングワイヤ4及びリード5の一部はエポキシ樹脂
等の樹脂モード層6で封止されている。またリード5は
樹脂モード層6の側壁から外部に延出され下方に折り曲
げられている。なお便宜上樹脂モード層6内にあるリー
ド5をインナーリード、樹脂モード層6の外に延出され
るリード5をアウターリードとそれぞれ呼ぶことにす
る。
の構造を説明する。ダイパット部1上には銀−エポキシ
系接着剤等のマウント剤2を介して半導体チップ3がマ
ウントされている。この半導体チップ3の表面に形成さ
れた図示しない内部端子はボンディングワイヤ4を介し
てダイパット部1の周辺に配設されたリード5に接続さ
れている。そしてダイパット部1,半導体チップ3,ボ
ンディングワイヤ4及びリード5の一部はエポキシ樹脂
等の樹脂モード層6で封止されている。またリード5は
樹脂モード層6の側壁から外部に延出され下方に折り曲
げられている。なお便宜上樹脂モード層6内にあるリー
ド5をインナーリード、樹脂モード層6の外に延出され
るリード5をアウターリードとそれぞれ呼ぶことにす
る。
【0004】次に図4を用いて図3に示した半導体装置
8の基板への実装例を説明する。ガラスエポキシ等の有
機材料又はアルミナ等のセラミック材料からなる多層基
板7の表面上には、有機系基板の場合には銅箔が、セラ
ミック系基板の場合にはタングステン等の印刷により配
線が形成されている。更に、半導体装置8及びチップ部
品9を搭載するための端子が設けられている。半導体装
置8及びチップ部品9を搭載する際には基板7上の端子
に半田ペースト等のペースト剤を印刷し、その上に半導
体装置8及びチップ部品9を搭載し、炉や恒温層を用い
て加熱硬化して接着する。
8の基板への実装例を説明する。ガラスエポキシ等の有
機材料又はアルミナ等のセラミック材料からなる多層基
板7の表面上には、有機系基板の場合には銅箔が、セラ
ミック系基板の場合にはタングステン等の印刷により配
線が形成されている。更に、半導体装置8及びチップ部
品9を搭載するための端子が設けられている。半導体装
置8及びチップ部品9を搭載する際には基板7上の端子
に半田ペースト等のペースト剤を印刷し、その上に半導
体装置8及びチップ部品9を搭載し、炉や恒温層を用い
て加熱硬化して接着する。
【0005】チップ部品9としては主に半導体装置8の
リンギングノイズを低減させるためのデカップリングコ
ンデンサが一般的で、1つの半導体装置8について1μ
F程度のチップコンデンサを搭載するのが一般的であ
る。このチップ部品9は通常半導体装置8の電源用リー
ドとグランド用リードとの間に基板7上の印刷配線によ
り接続される。
リンギングノイズを低減させるためのデカップリングコ
ンデンサが一般的で、1つの半導体装置8について1μ
F程度のチップコンデンサを搭載するのが一般的であ
る。このチップ部品9は通常半導体装置8の電源用リー
ドとグランド用リードとの間に基板7上の印刷配線によ
り接続される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した従来の
半導体装置では、基板搭載時に1つの半導体装置につき
電気的ノイズを吸収するために1個のチップコンデンサ
が必要となる。従って半導体装置の基板への実装点数が
増えた場合、基板の実装面積が増え必然的に基板が大き
くなってしまうという問題点があった。
半導体装置では、基板搭載時に1つの半導体装置につき
電気的ノイズを吸収するために1個のチップコンデンサ
が必要となる。従って半導体装置の基板への実装点数が
増えた場合、基板の実装面積が増え必然的に基板が大き
くなってしまうという問題点があった。
【0007】本発明は上述した問題点を解消するために
なされたもので、電気的ノイズ吸収のためのデカップリ
ングコンデンサをリードフレーム上に形成することによ
り半導体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデン
サの実装を不要として、基板の実装面積を削減すること
のできる半導体装置を提供することを目的とする。
なされたもので、電気的ノイズ吸収のためのデカップリ
ングコンデンサをリードフレーム上に形成することによ
り半導体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデン
サの実装を不要として、基板の実装面積を削減すること
のできる半導体装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は樹
脂モールド層内にある2本のインナーリード間に高誘電
率をもつ材料を充填して2本のリード間にデカップリン
グコンデンサを形成したものである。
脂モールド層内にある2本のインナーリード間に高誘電
率をもつ材料を充填して2本のリード間にデカップリン
グコンデンサを形成したものである。
【0009】
【作用】デカップリングコンデンサを必要とする2本の
インナーリード間に高誘電率をもつ材料を充填してデカ
ップリングコンデンサを形成したため、この半導体装置
を基板実装した際に基板上にあらためてデカップリング
コンデンサを実装する必要がなくなる。これにより基板
の実装密度を高めることができる。
インナーリード間に高誘電率をもつ材料を充填してデカ
ップリングコンデンサを形成したため、この半導体装置
を基板実装した際に基板上にあらためてデカップリング
コンデンサを実装する必要がなくなる。これにより基板
の実装密度を高めることができる。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る半導体装置の
構成を示す図で(A)は上面から見た透視図を、又
(B)はその断面図を示したものである。図1に示す実
施例ではインナーリード部にデカップリングコンデンサ
を設けている。
構成を示す図で(A)は上面から見た透視図を、又
(B)はその断面図を示したものである。図1に示す実
施例ではインナーリード部にデカップリングコンデンサ
を設けている。
【0011】ダイパット部1上に銀−エポキシ系接着剤
等のマウント剤2を介して半導体チップ3がマウントさ
れている。この半導体チップ3の表面に形成された内部
端子はボンディングワイヤを介してダイパット部1の周
辺に配設されたリード5のインナーリード部に接続され
る。リード5は大別して信号用リード5a,電源用リー
ド5b,グランド用リード5cに分類されるが、本実施
例では図1に示すように電源用リード5bとグランド用
リード5cとを隣合わせて中央部に設置し、各リードか
ら突起10を交互に出してお互いに組合せ、くし歯状の
構造とする。このくし歯状の部分を低融点ガラスやチタ
ン酸バリウム等の高誘電率材料11で印刷、ポッティン
グまたは焼成により封止しデカップリングコンデンサを
作成する。コンデンサの容量はくし歯構造の突起10の
巾や長さ、ピッチ、数、及び充填される高誘電率材料1
1の誘電率によって決まる。
等のマウント剤2を介して半導体チップ3がマウントさ
れている。この半導体チップ3の表面に形成された内部
端子はボンディングワイヤを介してダイパット部1の周
辺に配設されたリード5のインナーリード部に接続され
る。リード5は大別して信号用リード5a,電源用リー
ド5b,グランド用リード5cに分類されるが、本実施
例では図1に示すように電源用リード5bとグランド用
リード5cとを隣合わせて中央部に設置し、各リードか
ら突起10を交互に出してお互いに組合せ、くし歯状の
構造とする。このくし歯状の部分を低融点ガラスやチタ
ン酸バリウム等の高誘電率材料11で印刷、ポッティン
グまたは焼成により封止しデカップリングコンデンサを
作成する。コンデンサの容量はくし歯構造の突起10の
巾や長さ、ピッチ、数、及び充填される高誘電率材料1
1の誘電率によって決まる。
【0012】そして最後にダイパット部1、半導体チッ
プ3、ボンディングワイヤ4及びインナーリード5がエ
ポキシ樹脂等の樹脂モード層6で封止され、リード5は
樹脂モード層6の側壁から外部にアウターリードとして
延出され下方に折り曲げられる。
プ3、ボンディングワイヤ4及びインナーリード5がエ
ポキシ樹脂等の樹脂モード層6で封止され、リード5は
樹脂モード層6の側壁から外部にアウターリードとして
延出され下方に折り曲げられる。
【0013】図2は本発明の他の実施例を示した半導体
装置の構成を示す図で、図1に示すものと同一部分には
同一符号を付して示してある。本実施例ではダイパット
部1にデカップリングコンデンサを構成する場合の構造
を示している。この場合ダイパット部1を2分割し一方
を電源用リード5bに、他方をグランド用リード5cに
接続して図1に示す構造と同じように双方のリードより
突起10を交互に出してくし歯構造を形成する。そして
この部分に前述した高誘電率材料11を印刷又はポッテ
ィングにより充填する。このようにして形成されたデカ
ップリングコンデンサ上に半導体チップ3を銀−エポキ
シ系接着剤等のマウント剤2を介してマウントする。更
に半導体チップ3の表面に形成された内部端子はボンデ
ィングワイヤ4を介してダイパット部1の周辺に配設さ
れたリード5のインナーリード部に接続される。
装置の構成を示す図で、図1に示すものと同一部分には
同一符号を付して示してある。本実施例ではダイパット
部1にデカップリングコンデンサを構成する場合の構造
を示している。この場合ダイパット部1を2分割し一方
を電源用リード5bに、他方をグランド用リード5cに
接続して図1に示す構造と同じように双方のリードより
突起10を交互に出してくし歯構造を形成する。そして
この部分に前述した高誘電率材料11を印刷又はポッテ
ィングにより充填する。このようにして形成されたデカ
ップリングコンデンサ上に半導体チップ3を銀−エポキ
シ系接着剤等のマウント剤2を介してマウントする。更
に半導体チップ3の表面に形成された内部端子はボンデ
ィングワイヤ4を介してダイパット部1の周辺に配設さ
れたリード5のインナーリード部に接続される。
【0014】図1に示す実施例と比較した場合、ダイパ
ット部1をデカップリングコンデンサの構成部位として
用いる図2の実施例の方がくし歯構造を広い面積で形成
することができるため、コンデンサ容量としては大きな
値が得られる。なお図1及び図2に示す実施例ではデカ
ップリングコンデンサが接続される2つのリードは電源
用リードとグランド用リードとであったが本発明はこの
2つのリード間にデカップリングコンデンサを形成する
場合に限定されることはない。即ち任意の2つのリード
間にデカップリングコンデンサを形成する場合について
も同様の構造が採用できることは言うまでもない。
ット部1をデカップリングコンデンサの構成部位として
用いる図2の実施例の方がくし歯構造を広い面積で形成
することができるため、コンデンサ容量としては大きな
値が得られる。なお図1及び図2に示す実施例ではデカ
ップリングコンデンサが接続される2つのリードは電源
用リードとグランド用リードとであったが本発明はこの
2つのリード間にデカップリングコンデンサを形成する
場合に限定されることはない。即ち任意の2つのリード
間にデカップリングコンデンサを形成する場合について
も同様の構造が採用できることは言うまでもない。
【0015】
【発明の効果】以上実施例に基づいて詳細に説明したよ
うに、本発明では半導体装置内部の2つのリードを隣接
させて、好ましくはくし歯状構造としその間に高誘電率
材料を充填してデカップリングコンデンサを2つのリー
ド間に形成したため、半導体装置内にデカップリングコ
ンデンサを内蔵することが可能となる。従って外付けの
チップコンデンサが不要となり基板全体としての実装面
積を縮小することが可能となる。
うに、本発明では半導体装置内部の2つのリードを隣接
させて、好ましくはくし歯状構造としその間に高誘電率
材料を充填してデカップリングコンデンサを2つのリー
ド間に形成したため、半導体装置内にデカップリングコ
ンデンサを内蔵することが可能となる。従って外付けの
チップコンデンサが不要となり基板全体としての実装面
積を縮小することが可能となる。
【図1】本発明の一実施例に係わる半導体装置の構造を
示す透視図及び断面図。
示す透視図及び断面図。
【図2】本発明の他の実施例を示す半導体装置の構造を
示す透視図及び断面図。
示す透視図及び断面図。
【図3】従来の半導体装置の構造を示す透視図及び断面
図。
図。
【図4】図3に示す従来の半導体装置を基板に搭載した
場合の状態を示す平面図及び断面図。
場合の状態を示す平面図及び断面図。
1 ダイパット部 2 マウント剤 3 半導体チップ 4 ボンディングワイヤ 5 リード 5a 信号用リード 5b 電源用リード 5c グランド用リード 6 樹脂モード層 10 突起 11 高誘電率材料
Claims (6)
- 【請求項1】 ダイパット部に固定載置された半導体チ
ップと、前記ダイパット部に一端が隣接し他端が前記ダ
イパッド部から外方に延びる複数のリードを有するリー
ド部と、前記ダイパット部、前記半導体チップ及び前記
リード部の一部を封止する樹脂モールド層とを有する半
導体装置において、 前記樹脂モールド層内にある少なくとも2本の前記リー
ド間に接続されたデカップリングコンデンサを有する事
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 2本の前記リードがそれぞれ電源用リー
ド及びグランド用リードである事を特徴とする請求項1
記載の半導体装置。 - 【請求項3】 2本の前記リードをくし歯状に組合せた
事を特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記デカップリングコンデンサの形成部
所が前記樹脂モード層内にある前記リード部上である事
を特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項5】 前記デカップリングコンデンサの形成部
所が前記ダイパット部上である事を特徴とする請求項1
記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記デカップリングコンデンサは、前記
リード間に充填された高誘電率をもつ材料から成ること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5005181A JPH06216309A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5005181A JPH06216309A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216309A true JPH06216309A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11604067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5005181A Pending JPH06216309A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06216309A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1168444A3 (de) * | 2000-06-30 | 2002-05-15 | Alcatel | Elektronisches oder opto-elektronisches Baulement mit einer Verpackung aus Kunstoff und Verfahren zur Variation der Impedanz einer Anschlussleitung eines solchen Baulements |
US6608375B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
WO2003107445A1 (ja) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、半導体回路及び半導体装置の製造方法 |
ITUB20161121A1 (it) * | 2016-02-26 | 2017-08-26 | St Microelectronics Srl | Procedimento per integrare condensatori in dispositivi a seminconduttore e corrispondente dispositivo |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5005181A patent/JPH06216309A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1168444A3 (de) * | 2000-06-30 | 2002-05-15 | Alcatel | Elektronisches oder opto-elektronisches Baulement mit einer Verpackung aus Kunstoff und Verfahren zur Variation der Impedanz einer Anschlussleitung eines solchen Baulements |
US6608375B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
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US7173335B2 (en) | 2001-04-06 | 2007-02-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
US7459765B2 (en) | 2001-04-06 | 2008-12-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
US7714434B2 (en) | 2001-04-06 | 2010-05-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
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