JPH06216309A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06216309A JPH06216309A JP5005181A JP518193A JPH06216309A JP H06216309 A JPH06216309 A JP H06216309A JP 5005181 A JP5005181 A JP 5005181A JP 518193 A JP518193 A JP 518193A JP H06216309 A JPH06216309 A JP H06216309A
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- semiconductor device
- decoupling capacitor
- lead
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的ノイズ吸収のためのデカップリングコ
ンデンサをリードフレーム上に形成することにより半導
体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデンサの実
装を不要として、基板の実装面積を削減することのでき
る半導体装置を提供すること。 【構成】 半導体チップ３の表面に形成された内部端子
はボンディングワイヤを介してダイパット部１の周辺に
配設されたリード５のインナーリード部に接続される。
リード５は大別して信号用リード５ａ，電源用リード５
ｂ，グランド用リード５ｃに分類されるが、電源用リー
ド５ｂとグランド用リード５ｃとを隣合わせて中央部に
設置し、各リードから突起１０を交互に出してお互いに
組合せ、くし歯状の構造とする。このくし歯状の部分を
低融点ガラスやチタン酸バリウム等の高誘電率材料１１
で印刷、ポッティングまたは焼成により封止しデカップ
リングコンデンサを作成する。
ンデンサをリードフレーム上に形成することにより半導
体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデンサの実
装を不要として、基板の実装面積を削減することのでき
る半導体装置を提供すること。 【構成】 半導体チップ３の表面に形成された内部端子
はボンディングワイヤを介してダイパット部１の周辺に
配設されたリード５のインナーリード部に接続される。
リード５は大別して信号用リード５ａ，電源用リード５
ｂ，グランド用リード５ｃに分類されるが、電源用リー
ド５ｂとグランド用リード５ｃとを隣合わせて中央部に
設置し、各リードから突起１０を交互に出してお互いに
組合せ、くし歯状の構造とする。このくし歯状の部分を
低融点ガラスやチタン酸バリウム等の高誘電率材料１１
で印刷、ポッティングまたは焼成により封止しデカップ
リングコンデンサを作成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデカップリングコンデン
サを必要とする半導体装置に関する。
サを必要とする半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体装置の構造を示す図
で、（Ａ）が上面から見た透視図を、（Ｂ）がその断面
図を示している。又、図４は図３に示す半導体装置をモ
ジュール等の基板へ実装した際の平面図及び断面図を示
したものである。
で、（Ａ）が上面から見た透視図を、（Ｂ）がその断面
図を示している。又、図４は図３に示す半導体装置をモ
ジュール等の基板へ実装した際の平面図及び断面図を示
したものである。
【０００３】先ず最初に図３を用いて従来の半導体装置
の構造を説明する。ダイパット部１上には銀−エポキシ
系接着剤等のマウント剤２を介して半導体チップ３がマ
ウントされている。この半導体チップ３の表面に形成さ
れた図示しない内部端子はボンディングワイヤ４を介し
てダイパット部１の周辺に配設されたリード５に接続さ
れている。そしてダイパット部１，半導体チップ３，ボ
ンディングワイヤ４及びリード５の一部はエポキシ樹脂
等の樹脂モード層６で封止されている。またリード５は
樹脂モード層６の側壁から外部に延出され下方に折り曲
げられている。なお便宜上樹脂モード層６内にあるリー
ド５をインナーリード、樹脂モード層６の外に延出され
るリード５をアウターリードとそれぞれ呼ぶことにす
る。
の構造を説明する。ダイパット部１上には銀−エポキシ
系接着剤等のマウント剤２を介して半導体チップ３がマ
ウントされている。この半導体チップ３の表面に形成さ
れた図示しない内部端子はボンディングワイヤ４を介し
てダイパット部１の周辺に配設されたリード５に接続さ
れている。そしてダイパット部１，半導体チップ３，ボ
ンディングワイヤ４及びリード５の一部はエポキシ樹脂
等の樹脂モード層６で封止されている。またリード５は
樹脂モード層６の側壁から外部に延出され下方に折り曲
げられている。なお便宜上樹脂モード層６内にあるリー
ド５をインナーリード、樹脂モード層６の外に延出され
るリード５をアウターリードとそれぞれ呼ぶことにす
る。
【０００４】次に図４を用いて図３に示した半導体装置
８の基板への実装例を説明する。ガラスエポキシ等の有
機材料又はアルミナ等のセラミック材料からなる多層基
板７の表面上には、有機系基板の場合には銅箔が、セラ
ミック系基板の場合にはタングステン等の印刷により配
線が形成されている。更に、半導体装置８及びチップ部
品９を搭載するための端子が設けられている。半導体装
置８及びチップ部品９を搭載する際には基板７上の端子
に半田ペースト等のペースト剤を印刷し、その上に半導
体装置８及びチップ部品９を搭載し、炉や恒温層を用い
て加熱硬化して接着する。
８の基板への実装例を説明する。ガラスエポキシ等の有
機材料又はアルミナ等のセラミック材料からなる多層基
板７の表面上には、有機系基板の場合には銅箔が、セラ
ミック系基板の場合にはタングステン等の印刷により配
線が形成されている。更に、半導体装置８及びチップ部
品９を搭載するための端子が設けられている。半導体装
置８及びチップ部品９を搭載する際には基板７上の端子
に半田ペースト等のペースト剤を印刷し、その上に半導
体装置８及びチップ部品９を搭載し、炉や恒温層を用い
て加熱硬化して接着する。
【０００５】チップ部品９としては主に半導体装置８の
リンギングノイズを低減させるためのデカップリングコ
ンデンサが一般的で、１つの半導体装置８について１μ
Ｆ程度のチップコンデンサを搭載するのが一般的であ
る。このチップ部品９は通常半導体装置８の電源用リー
ドとグランド用リードとの間に基板７上の印刷配線によ
り接続される。
リンギングノイズを低減させるためのデカップリングコ
ンデンサが一般的で、１つの半導体装置８について１μ
Ｆ程度のチップコンデンサを搭載するのが一般的であ
る。このチップ部品９は通常半導体装置８の電源用リー
ドとグランド用リードとの間に基板７上の印刷配線によ
り接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した従来の
半導体装置では、基板搭載時に１つの半導体装置につき
電気的ノイズを吸収するために１個のチップコンデンサ
が必要となる。従って半導体装置の基板への実装点数が
増えた場合、基板の実装面積が増え必然的に基板が大き
くなってしまうという問題点があった。
半導体装置では、基板搭載時に１つの半導体装置につき
電気的ノイズを吸収するために１個のチップコンデンサ
が必要となる。従って半導体装置の基板への実装点数が
増えた場合、基板の実装面積が増え必然的に基板が大き
くなってしまうという問題点があった。
【０００７】本発明は上述した問題点を解消するために
なされたもので、電気的ノイズ吸収のためのデカップリ
ングコンデンサをリードフレーム上に形成することによ
り半導体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデン
サの実装を不要として、基板の実装面積を削減すること
のできる半導体装置を提供することを目的とする。
なされたもので、電気的ノイズ吸収のためのデカップリ
ングコンデンサをリードフレーム上に形成することによ
り半導体装置内部に作り込んで基板へのチップコンデン
サの実装を不要として、基板の実装面積を削減すること
のできる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は樹
脂モールド層内にある２本のインナーリード間に高誘電
率をもつ材料を充填して２本のリード間にデカップリン
グコンデンサを形成したものである。
脂モールド層内にある２本のインナーリード間に高誘電
率をもつ材料を充填して２本のリード間にデカップリン
グコンデンサを形成したものである。
【０００９】
【作用】デカップリングコンデンサを必要とする２本の
インナーリード間に高誘電率をもつ材料を充填してデカ
ップリングコンデンサを形成したため、この半導体装置
を基板実装した際に基板上にあらためてデカップリング
コンデンサを実装する必要がなくなる。これにより基板
の実装密度を高めることができる。
インナーリード間に高誘電率をもつ材料を充填してデカ
ップリングコンデンサを形成したため、この半導体装置
を基板実装した際に基板上にあらためてデカップリング
コンデンサを実装する必要がなくなる。これにより基板
の実装密度を高めることができる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の
構成を示す図で（Ａ）は上面から見た透視図を、又
（Ｂ）はその断面図を示したものである。図１に示す実
施例ではインナーリード部にデカップリングコンデンサ
を設けている。
構成を示す図で（Ａ）は上面から見た透視図を、又
（Ｂ）はその断面図を示したものである。図１に示す実
施例ではインナーリード部にデカップリングコンデンサ
を設けている。
【００１１】ダイパット部１上に銀−エポキシ系接着剤
等のマウント剤２を介して半導体チップ３がマウントさ
れている。この半導体チップ３の表面に形成された内部
端子はボンディングワイヤを介してダイパット部１の周
辺に配設されたリード５のインナーリード部に接続され
る。リード５は大別して信号用リード５ａ，電源用リー
ド５ｂ，グランド用リード５ｃに分類されるが、本実施
例では図１に示すように電源用リード５ｂとグランド用
リード５ｃとを隣合わせて中央部に設置し、各リードか
ら突起１０を交互に出してお互いに組合せ、くし歯状の
構造とする。このくし歯状の部分を低融点ガラスやチタ
ン酸バリウム等の高誘電率材料１１で印刷、ポッティン
グまたは焼成により封止しデカップリングコンデンサを
作成する。コンデンサの容量はくし歯構造の突起１０の
巾や長さ、ピッチ、数、及び充填される高誘電率材料１
１の誘電率によって決まる。
等のマウント剤２を介して半導体チップ３がマウントさ
れている。この半導体チップ３の表面に形成された内部
端子はボンディングワイヤを介してダイパット部１の周
辺に配設されたリード５のインナーリード部に接続され
る。リード５は大別して信号用リード５ａ，電源用リー
ド５ｂ，グランド用リード５ｃに分類されるが、本実施
例では図１に示すように電源用リード５ｂとグランド用
リード５ｃとを隣合わせて中央部に設置し、各リードか
ら突起１０を交互に出してお互いに組合せ、くし歯状の
構造とする。このくし歯状の部分を低融点ガラスやチタ
ン酸バリウム等の高誘電率材料１１で印刷、ポッティン
グまたは焼成により封止しデカップリングコンデンサを
作成する。コンデンサの容量はくし歯構造の突起１０の
巾や長さ、ピッチ、数、及び充填される高誘電率材料１
１の誘電率によって決まる。
【００１２】そして最後にダイパット部１、半導体チッ
プ３、ボンディングワイヤ４及びインナーリード５がエ
ポキシ樹脂等の樹脂モード層６で封止され、リード５は
樹脂モード層６の側壁から外部にアウターリードとして
延出され下方に折り曲げられる。
プ３、ボンディングワイヤ４及びインナーリード５がエ
ポキシ樹脂等の樹脂モード層６で封止され、リード５は
樹脂モード層６の側壁から外部にアウターリードとして
延出され下方に折り曲げられる。
【００１３】図２は本発明の他の実施例を示した半導体
装置の構成を示す図で、図１に示すものと同一部分には
同一符号を付して示してある。本実施例ではダイパット
部１にデカップリングコンデンサを構成する場合の構造
を示している。この場合ダイパット部１を２分割し一方
を電源用リード５ｂに、他方をグランド用リード５ｃに
接続して図１に示す構造と同じように双方のリードより
突起１０を交互に出してくし歯構造を形成する。そして
この部分に前述した高誘電率材料１１を印刷又はポッテ
ィングにより充填する。このようにして形成されたデカ
ップリングコンデンサ上に半導体チップ３を銀−エポキ
シ系接着剤等のマウント剤２を介してマウントする。更
に半導体チップ３の表面に形成された内部端子はボンデ
ィングワイヤ４を介してダイパット部１の周辺に配設さ
れたリード５のインナーリード部に接続される。
装置の構成を示す図で、図１に示すものと同一部分には
同一符号を付して示してある。本実施例ではダイパット
部１にデカップリングコンデンサを構成する場合の構造
を示している。この場合ダイパット部１を２分割し一方
を電源用リード５ｂに、他方をグランド用リード５ｃに
接続して図１に示す構造と同じように双方のリードより
突起１０を交互に出してくし歯構造を形成する。そして
この部分に前述した高誘電率材料１１を印刷又はポッテ
ィングにより充填する。このようにして形成されたデカ
ップリングコンデンサ上に半導体チップ３を銀−エポキ
シ系接着剤等のマウント剤２を介してマウントする。更
に半導体チップ３の表面に形成された内部端子はボンデ
ィングワイヤ４を介してダイパット部１の周辺に配設さ
れたリード５のインナーリード部に接続される。
【００１４】図１に示す実施例と比較した場合、ダイパ
ット部１をデカップリングコンデンサの構成部位として
用いる図２の実施例の方がくし歯構造を広い面積で形成
することができるため、コンデンサ容量としては大きな
値が得られる。なお図１及び図２に示す実施例ではデカ
ップリングコンデンサが接続される２つのリードは電源
用リードとグランド用リードとであったが本発明はこの
２つのリード間にデカップリングコンデンサを形成する
場合に限定されることはない。即ち任意の２つのリード
間にデカップリングコンデンサを形成する場合について
も同様の構造が採用できることは言うまでもない。
ット部１をデカップリングコンデンサの構成部位として
用いる図２の実施例の方がくし歯構造を広い面積で形成
することができるため、コンデンサ容量としては大きな
値が得られる。なお図１及び図２に示す実施例ではデカ
ップリングコンデンサが接続される２つのリードは電源
用リードとグランド用リードとであったが本発明はこの
２つのリード間にデカップリングコンデンサを形成する
場合に限定されることはない。即ち任意の２つのリード
間にデカップリングコンデンサを形成する場合について
も同様の構造が採用できることは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上実施例に基づいて詳細に説明したよ
うに、本発明では半導体装置内部の２つのリードを隣接
させて、好ましくはくし歯状構造としその間に高誘電率
材料を充填してデカップリングコンデンサを２つのリー
ド間に形成したため、半導体装置内にデカップリングコ
ンデンサを内蔵することが可能となる。従って外付けの
チップコンデンサが不要となり基板全体としての実装面
積を縮小することが可能となる。
うに、本発明では半導体装置内部の２つのリードを隣接
させて、好ましくはくし歯状構造としその間に高誘電率
材料を充填してデカップリングコンデンサを２つのリー
ド間に形成したため、半導体装置内にデカップリングコ
ンデンサを内蔵することが可能となる。従って外付けの
チップコンデンサが不要となり基板全体としての実装面
積を縮小することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体装置の構造を
示す透視図及び断面図。
示す透視図及び断面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す半導体装置の構造を
示す透視図及び断面図。
示す透視図及び断面図。
【図３】従来の半導体装置の構造を示す透視図及び断面
図。
図。
【図４】図３に示す従来の半導体装置を基板に搭載した
場合の状態を示す平面図及び断面図。
場合の状態を示す平面図及び断面図。
１ ダイパット部 ２ マウント剤 ３ 半導体チップ ４ ボンディングワイヤ ５ リード ５ａ 信号用リード ５ｂ 電源用リード ５ｃ グランド用リード ６ 樹脂モード層 １０ 突起 １１ 高誘電率材料
Claims (6)
- 【請求項１】 ダイパット部に固定載置された半導体チ
ップと、前記ダイパット部に一端が隣接し他端が前記ダ
イパッド部から外方に延びる複数のリードを有するリー
ド部と、前記ダイパット部、前記半導体チップ及び前記
リード部の一部を封止する樹脂モールド層とを有する半
導体装置において、 前記樹脂モールド層内にある少なくとも２本の前記リー
ド間に接続されたデカップリングコンデンサを有する事
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ２本の前記リードがそれぞれ電源用リー
ド及びグランド用リードである事を特徴とする請求項１
記載の半導体装置。 - 【請求項３】 ２本の前記リードをくし歯状に組合せた
事を特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記デカップリングコンデンサの形成部
所が前記樹脂モード層内にある前記リード部上である事
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記デカップリングコンデンサの形成部
所が前記ダイパット部上である事を特徴とする請求項１
記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記デカップリングコンデンサは、前記
リード間に充填された高誘電率をもつ材料から成ること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005181A JPH06216309A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005181A JPH06216309A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216309A true JPH06216309A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11604067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5005181A Pending JPH06216309A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216309A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168444A3 (de) * | 2000-06-30 | 2002-05-15 | Alcatel | Elektronisches oder opto-elektronisches Baulement mit einer Verpackung aus Kunstoff und Verfahren zur Variation der Impedanz einer Anschlussleitung eines solchen Baulements |
| US6608375B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| WO2003107445A1 (ja) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、半導体回路及び半導体装置の製造方法 |
| ITUB20161121A1 (it) * | 2016-02-26 | 2017-08-26 | St Microelectronics Srl | Procedimento per integrare condensatori in dispositivi a seminconduttore e corrispondente dispositivo |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5005181A patent/JPH06216309A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168444A3 (de) * | 2000-06-30 | 2002-05-15 | Alcatel | Elektronisches oder opto-elektronisches Baulement mit einer Verpackung aus Kunstoff und Verfahren zur Variation der Impedanz einer Anschlussleitung eines solchen Baulements |
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| US7173335B2 (en) | 2001-04-06 | 2007-02-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7459765B2 (en) | 2001-04-06 | 2008-12-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
| US7714434B2 (en) | 2001-04-06 | 2010-05-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
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