JP2775678B2 - 高周波半導体集積回路装置 - Google Patents
高周波半導体集積回路装置Info
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- JP2775678B2 JP2775678B2 JP12389496A JP12389496A JP2775678B2 JP 2775678 B2 JP2775678 B2 JP 2775678B2 JP 12389496 A JP12389496 A JP 12389496A JP 12389496 A JP12389496 A JP 12389496A JP 2775678 B2 JP2775678 B2 JP 2775678B2
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- Japan
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- semiconductor integrated
- frequency semiconductor
- transmission line
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ミリ波帯の様なこ
れまであまり利用されることの無かった非常に高い周波
数領域で使用する高周波半導体集積回路装置に関するも
のである。
れまであまり利用されることの無かった非常に高い周波
数領域で使用する高周波半導体集積回路装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ミリ波帯の様な周波数の高い信号を扱う
場合、伝送線路の特性インピーダンスに不均一な部分が
あると、信号の反射が起こるため信号の伝送効率が低下
する。また、集積回路と外部の回路を接続する場合にお
いて、集積回路側の入力（出力）インピーダンスと、外
部の回路側のインピーダンス及びそれらを接続する伝送
線路の特性インピーダンス間に整合がとれていないと、
やはり信号の反射により伝送効率が低下する。この様な
理由から、集積回路を実際の装置に実装する場合、外部
の回路との間でインピーダンスの整合を図ることが重要
である。
場合、伝送線路の特性インピーダンスに不均一な部分が
あると、信号の反射が起こるため信号の伝送効率が低下
する。また、集積回路と外部の回路を接続する場合にお
いて、集積回路側の入力（出力）インピーダンスと、外
部の回路側のインピーダンス及びそれらを接続する伝送
線路の特性インピーダンス間に整合がとれていないと、
やはり信号の反射により伝送効率が低下する。この様な
理由から、集積回路を実際の装置に実装する場合、外部
の回路との間でインピーダンスの整合を図ることが重要
である。
【０００３】従来のミリ波用半導体集積回路において、
外部の回路とのインピーダンスの整合を図りながら集積
回路を実際の装置に実装する方法としては、図３（ａ）
に示す如く集積回路チップ２０自体を直接金属製のチッ
プキャリア２１に貼り付け、高周波信号の接続部分に
は、特性インピーダンスの整合したマイクロストリップ
ライン２２を使用するものがある。
外部の回路とのインピーダンスの整合を図りながら集積
回路を実際の装置に実装する方法としては、図３（ａ）
に示す如く集積回路チップ２０自体を直接金属製のチッ
プキャリア２１に貼り付け、高周波信号の接続部分に
は、特性インピーダンスの整合したマイクロストリップ
ライン２２を使用するものがある。
【０００４】また、図２（ｂ）の様に集積回路チップ２
３を樹脂モールド２４でパッケージした後、集積回路の
内部は特性インピーダンスの整合したストリップライン
２５を使用し、集積回路の外部には特性インピーダンス
の整合するマイクロストリップライン２６を接続すると
いった方法がある。
３を樹脂モールド２４でパッケージした後、集積回路の
内部は特性インピーダンスの整合したストリップライン
２５を使用し、集積回路の外部には特性インピーダンス
の整合するマイクロストリップライン２６を接続すると
いった方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図２
（ａ）の方法では、集積回路をパッケージされていない
ため、大気中の酸素や水分による劣化の恐れがあり、金
属製のチップキャリア及び回路基板とは別にストリップ
ラインによる伝送線路を必要とするため、製造コストの
増大をまねくもといった欠点を生じていた。
（ａ）の方法では、集積回路をパッケージされていない
ため、大気中の酸素や水分による劣化の恐れがあり、金
属製のチップキャリア及び回路基板とは別にストリップ
ラインによる伝送線路を必要とするため、製造コストの
増大をまねくもといった欠点を生じていた。
【０００６】図２（ｂ）の方法では、図２（ａ）の方法
と同様ストリップラインによる伝送線路を必要とするば
かりでなく、集積回路内部にもマイクロストリップライ
ンを使用するため、集積回路自体の製造コストも増大
し、パッケージの製造工程も複雑になってしまうといっ
た欠点を生じていた。
と同様ストリップラインによる伝送線路を必要とするば
かりでなく、集積回路内部にもマイクロストリップライ
ンを使用するため、集積回路自体の製造コストも増大
し、パッケージの製造工程も複雑になってしまうといっ
た欠点を生じていた。
【０００７】本発明は、集積回路を実装する回路基板側
に特別な付加物を必要とせず、集積回路チップと外部回
路との接続を、低損失、低コストで行うことを可能とす
る集積回路装置の構造に係わるものである。
に特別な付加物を必要とせず、集積回路チップと外部回
路との接続を、低損失、低コストで行うことを可能とす
る集積回路装置の構造に係わるものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記に鑑みてな
されたもので、金属導体の上方に位置するＩＣチップを
内蔵したＩＣパッケージの底縁部から入出力端子の接続
部が上記ＩＣパッケージの底面に沿って突出するように
構成された高周波半導体集積回路装置であって、上記接
続部からＩＣチップまでの伝送線路における垂直及び水
平の部分が、上記金属導体によって、ＩＣパッケージの
外部の伝送線路と特性インピーダンスを整合した高周波
半導体集積回路装置を提供する。
されたもので、金属導体の上方に位置するＩＣチップを
内蔵したＩＣパッケージの底縁部から入出力端子の接続
部が上記ＩＣパッケージの底面に沿って突出するように
構成された高周波半導体集積回路装置であって、上記接
続部からＩＣチップまでの伝送線路における垂直及び水
平の部分が、上記金属導体によって、ＩＣパッケージの
外部の伝送線路と特性インピーダンスを整合した高周波
半導体集積回路装置を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の原理を説明する概
念図であり、高周波半導体集積回路装置の要部断面図で
ある。図において８は高周波半導体集積回路の外部の伝
送線路であり、誘電体基板１０の上に形成されており、
その幅、誘電体基板１０の厚さ、誘電体基板１０の誘電
率によって決まる一定の特性インピーダンスを持ってい
る。
念図であり、高周波半導体集積回路装置の要部断面図で
ある。図において８は高周波半導体集積回路の外部の伝
送線路であり、誘電体基板１０の上に形成されており、
その幅、誘電体基板１０の厚さ、誘電体基板１０の誘電
率によって決まる一定の特性インピーダンスを持ってい
る。
【００１０】この伝送線路は高周波半導体集積回路との
接続部２で高周波半導体集積回路と接続している。この
接続部２は高周波半導体集積回路の底部６と同一平面上
に位置する様に設計している。また、高周波半導体集積
回路内部の伝送線路の垂直な部分３及び水平な部分４
は、その幅、樹脂モールド５の誘電率および底部の金属
導体７との間隔を所望の値に設計することにより外部の
伝送線路８と同じ特性インピーダンスを実現するもので
ある。
接続部２で高周波半導体集積回路と接続している。この
接続部２は高周波半導体集積回路の底部６と同一平面上
に位置する様に設計している。また、高周波半導体集積
回路内部の伝送線路の垂直な部分３及び水平な部分４
は、その幅、樹脂モールド５の誘電率および底部の金属
導体７との間隔を所望の値に設計することにより外部の
伝送線路８と同じ特性インピーダンスを実現するもので
ある。
【００１１】本発明では、高周波半導体集積回路内部の
伝送線路３，４の特性インピーダンスが、外部の伝送線
路８の特性インピーダンス及び半導体チップ１の入力
（出力）インピーダンスと整合をとることが可能である
ため、高周波信号を低損失で半導体チップ１まで送るこ
とが可能である。
伝送線路３，４の特性インピーダンスが、外部の伝送線
路８の特性インピーダンス及び半導体チップ１の入力
（出力）インピーダンスと整合をとることが可能である
ため、高周波信号を低損失で半導体チップ１まで送るこ
とが可能である。
【００１２】その上、外部との接続部分２が集積回路パ
ッケージの底面６と同一平面上にあるため、本高周波半
導体集積回路を実装する際には、回路基板１０側には本
高周波半導体集積回路と接続するための電極が形成され
ていれば良く、個別部品としてのマイクロストリップ線
路の様な特別な部品を必要としない。
ッケージの底面６と同一平面上にあるため、本高周波半
導体集積回路を実装する際には、回路基板１０側には本
高周波半導体集積回路と接続するための電極が形成され
ていれば良く、個別部品としてのマイクロストリップ線
路の様な特別な部品を必要としない。
【００１３】図２は本発明の一実施形態を示しており、
図２（ａ）は本集積回路装置の組み立てに使用するリー
ドフレーム１２の概念図である。該リードフレーム１２
は基本的には従来の高周波半導体集積回路に使用するも
のと同一である。尚、足の数は使用する集積回路チップ
の（外部の回路と接続する）電極の数により適時増減す
るものとする。
図２（ａ）は本集積回路装置の組み立てに使用するリー
ドフレーム１２の概念図である。該リードフレーム１２
は基本的には従来の高周波半導体集積回路に使用するも
のと同一である。尚、足の数は使用する集積回路チップ
の（外部の回路と接続する）電極の数により適時増減す
るものとする。
【００１４】図２（ｂ）では、リードフレーム１２を加
工して、高周波信号が通過する伝送線路部の垂直部分３
及び水平部分４を形成する。更に集積回路チップ１を載
せる部分をリードフレーム１２の枠よりも高い位置に来
る様に加工し、集積回路チップ１を搭載した時、集積回
路チップ１の上面と伝送線路の水平部分３が同じ高さと
なるようにする。これは、伝送線路３と集積回路チップ
１との接続部分である金リボン９で、特性インピーダン
スの不均一をできる限り抑制するためのものである。
工して、高周波信号が通過する伝送線路部の垂直部分３
及び水平部分４を形成する。更に集積回路チップ１を載
せる部分をリードフレーム１２の枠よりも高い位置に来
る様に加工し、集積回路チップ１を搭載した時、集積回
路チップ１の上面と伝送線路の水平部分３が同じ高さと
なるようにする。これは、伝送線路３と集積回路チップ
１との接続部分である金リボン９で、特性インピーダン
スの不均一をできる限り抑制するためのものである。
【００１５】次に図２（ｃ）に示すように、リードフレ
ーム１２に集積回路チップ１を金リボン９等で貼り付け
る。また、リードフレーム１２の下側からは、伝送線路
の特性インピーダンスを所望の値にするための接地用金
属導体７を貼り付ける。
ーム１２に集積回路チップ１を金リボン９等で貼り付け
る。また、リードフレーム１２の下側からは、伝送線路
の特性インピーダンスを所望の値にするための接地用金
属導体７を貼り付ける。
【００１６】最後に、図２（ｄ）に示すように、集積回
路チップ１の部分を樹脂モールド５で封止し、不要なリ
ードフレームの部分を除去して、本実施形態における高
周波半導体集積回路装置は完成する。
路チップ１の部分を樹脂モールド５で封止し、不要なリ
ードフレームの部分を除去して、本実施形態における高
周波半導体集積回路装置は完成する。
【００１７】以上、本発明を実施形態に基づいて説明し
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した様に本発明による高周波半
導体集積回路装置は、ミリ波帯の様な非常に高い周波数
で使用する場合においても特別な部品を必要とすること
なく回路基板に実装しても、低損失な伝送線路を得るこ
とが可能である。また本高周波半導体集積回路装置の製
造方法には、従来の集積回路の製造技術、製造設備を利
用することが可能であり、ミリ波帯の様な高周波をを利
用する装置の小型化、低コスト化に寄与する所が大きい
等、多大な効果を奏する。
導体集積回路装置は、ミリ波帯の様な非常に高い周波数
で使用する場合においても特別な部品を必要とすること
なく回路基板に実装しても、低損失な伝送線路を得るこ
とが可能である。また本高周波半導体集積回路装置の製
造方法には、従来の集積回路の製造技術、製造設備を利
用することが可能であり、ミリ波帯の様な高周波をを利
用する装置の小型化、低コスト化に寄与する所が大きい
等、多大な効果を奏する。
【図１】本発明の原理を説明する要部断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は何れも本発
明の一実施形態を示す概念図である。
明の一実施形態を示す概念図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は何れも従来例を示す要部断面
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 集積回路チップ ２ 入出力端子の接続部 ３ パッケージ内の伝送線路の垂直部分 ４ パッケージ内の伝送線路の水平部分 ５ 樹脂モールド ６ 集積回路装置の底部 ７ 金属導体 ８ 外部の伝送線路 ９ 金リボン １０ 誘電体基板 １１ 接地導体 １２ リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】 金属導体の上方に位置するＩＣチップを
内蔵したＩＣパッケージの底縁部から入出力端子の接続
部が上記ＩＣパッケージの底面に沿って突出するように
構成された高周波半導体集積回路装置であって、 上記接続部からＩＣチップまでの伝送線路における垂直
及び水平の部分が、上記金属導体によって、ＩＣパッケ
ージの外部の伝送線路と特性インピーダンスを整合した
ことを特徴とする高周波半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12389496A JP2775678B2 (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 高周波半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12389496A JP2775678B2 (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 高周波半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289265A JPH09289265A (ja) | 1997-11-04 |
| JP2775678B2 true JP2775678B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=14871980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12389496A Expired - Fee Related JP2775678B2 (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 高周波半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775678B2 (ja) |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP12389496A patent/JP2775678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09289265A (ja) | 1997-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |