JPH0522001A - 伝送線路構造 - Google Patents
伝送線路構造Info
- Publication number
- JPH0522001A JPH0522001A JP3173524A JP17352491A JPH0522001A JP H0522001 A JPH0522001 A JP H0522001A JP 3173524 A JP3173524 A JP 3173524A JP 17352491 A JP17352491 A JP 17352491A JP H0522001 A JPH0522001 A JP H0522001A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal line
- line
- sides
- ground conductor
- lines
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波，ミリ波帯の高周波伝送線路の交
差部の構造に関し，コプレーナ型線路系の伝送損失およ
び線路間の相互干渉の少ない交差構造の提供を目的とす
る。 【構成】 １）基板面に設けられた信号線と，該信号線
の両側に間隔を開けて該信号線と同一基板面側に設けら
れた接地導体とからなるコプレナ型伝送線路の交差部に
おいて，接地導体が少なくとも一方の信号線の両側に間
隔を開けて且つ交差する両方の信号線に接しないように
設けられているように構成する。 ２）前記交差部の接地導体の幅が前記信号線の幅以上で
あるに構成する。
差部の構造に関し，コプレーナ型線路系の伝送損失およ
び線路間の相互干渉の少ない交差構造の提供を目的とす
る。 【構成】 １）基板面に設けられた信号線と，該信号線
の両側に間隔を開けて該信号線と同一基板面側に設けら
れた接地導体とからなるコプレナ型伝送線路の交差部に
おいて，接地導体が少なくとも一方の信号線の両側に間
隔を開けて且つ交差する両方の信号線に接しないように
設けられているように構成する。 ２）前記交差部の接地導体の幅が前記信号線の幅以上で
あるに構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は伝送線路構造に係り，特
にマイクロ波，ミリ波帯の高周波伝送線路の交差部の構
造に関する。
にマイクロ波，ミリ波帯の高周波伝送線路の交差部の構
造に関する。
【０００２】近年，半導体素子の高性能化に伴い，通信
用として用いられる周波数帯が高周波側へ移行しつつあ
る。これにしたがって，高周波でも良好な伝送特性を有
する線路系の構造が必要となり，これに対して従来から
いくつかの提案がなされ，実用化されている。
用として用いられる周波数帯が高周波側へ移行しつつあ
る。これにしたがって，高周波でも良好な伝送特性を有
する線路系の構造が必要となり，これに対して従来から
いくつかの提案がなされ，実用化されている。
【０００３】一方，半導体素子や集積回路も高周波化に
対して小型化され，１つの半導体チップ上に多数の素子
要素を設け，これらを伝送線路によって接続するタイプ
のMMIC(Microwave Monolithic IC) が開発されている。
このようなMMICにおいては伝送線路の交差が必要とされ
る場合がある。
対して小型化され，１つの半導体チップ上に多数の素子
要素を設け，これらを伝送線路によって接続するタイプ
のMMIC(Microwave Monolithic IC) が開発されている。
このようなMMICにおいては伝送線路の交差が必要とされ
る場合がある。
【０００４】本発明はマイクロ波，ミリ波帯で良好な伝
送特性を持つコプレーナ型伝送線路の交差部の構造とし
て利用できる。
送特性を持つコプレーナ型伝送線路の交差部の構造とし
て利用できる。
【０００５】
【従来の技術】従来から，半導体基板または誘電体基板
上に形成される伝送線路系としては,マイクロストリッ
プ線路が広く用いられている。
上に形成される伝送線路系としては,マイクロストリッ
プ線路が広く用いられている。
【０００６】図４(A),(B) はマイクロストリップ線路の
構造図である。図において，１は金属膜からなる信号
線，２は接地導体，３は誘電体または半導体からなる基
板である。
構造図である。図において，１は金属膜からなる信号
線，２は接地導体，３は誘電体または半導体からなる基
板である。
【０００７】この線路は信号線の下に置かれた接地導体
との間に電気力線（図示の矢印）のやり取りを行うた
め，これを交差させることは通常行われない。敢えて線
路を交差させる場合は図６(A) に示されるエアブリッジ
・クロスオーバまたは絶縁体を介してのクロスオーバに
よる単純な交差を行うのみであった。
との間に電気力線（図示の矢印）のやり取りを行うた
め，これを交差させることは通常行われない。敢えて線
路を交差させる場合は図６(A) に示されるエアブリッジ
・クロスオーバまたは絶縁体を介してのクロスオーバに
よる単純な交差を行うのみであった。
【０００８】この場合, 交差部分の信号線間の電磁界の
干渉は厳密には複雑な計算を必要とし, 簡単には見積り
にくい。また，混成集積回路の場合は, 単に金属ワイヤ
や金属リボン等によって交差させる場合もあった。
干渉は厳密には複雑な計算を必要とし, 簡単には見積り
にくい。また，混成集積回路の場合は, 単に金属ワイヤ
や金属リボン等によって交差させる場合もあった。
【０００９】図５(A),(B) はコプレナ型線路の構造図で
ある。この線路は，基板の同一面上に信号線とその両側
に接地導体を設けた構造で，この信号線と接地導体との
間に電気力線のやり取りが行われるため，線路系が１つ
の平面上に形成されるという利点がある。
ある。この線路は，基板の同一面上に信号線とその両側
に接地導体を設けた構造で，この信号線と接地導体との
間に電気力線のやり取りが行われるため，線路系が１つ
の平面上に形成されるという利点がある。
【００１０】この線路においても，交差は通常行わな
い。敢えて行う場合は図６(B) に示されるエアブリッジ
・クロスオーバを行う。図６(A),(B) は従来例による単
純な交差の説明図である。
い。敢えて行う場合は図６(B) に示されるエアブリッジ
・クロスオーバを行う。図６(A),(B) は従来例による単
純な交差の説明図である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ波，ミリ波帯
の高周波を扱う集積回路の高周波化，多機能化，高集積
化によって，コプレーナ型線路の交差が不可避となって
きた。
の高周波を扱う集積回路の高周波化，多機能化，高集積
化によって，コプレーナ型線路の交差が不可避となって
きた。
【００１２】本発明はコプレーナ型線路系の伝送損失お
よび線路間の相互干渉の少ない交差構造の提供を目的と
する。
よび線路間の相互干渉の少ない交差構造の提供を目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，
１）基板面に設けられた信号線と，該信号線の両側に間
隔を開けて該信号線と同一基板面側に設けられた接地導
体とからなるコプレナ型伝送線路の交差部において，接
地導体が少なくとも一方の信号線の両側に間隔を開けて
且つ交差する両方の信号線に接しないように設けられて
いる伝送線路構造，あるいは ２）前記交差部の接地導体の幅が前記信号線の幅以上で
あることを特徴とする前記１）記載の伝送線路構造によ
り達成される。
隔を開けて該信号線と同一基板面側に設けられた接地導
体とからなるコプレナ型伝送線路の交差部において，接
地導体が少なくとも一方の信号線の両側に間隔を開けて
且つ交差する両方の信号線に接しないように設けられて
いる伝送線路構造，あるいは ２）前記交差部の接地導体の幅が前記信号線の幅以上で
あることを特徴とする前記１）記載の伝送線路構造によ
り達成される。
【００１４】
【作用】図１(A),(B) は本発明の原理説明図である。図
１(A)は交差部の斜視図，図１(B) は平面図である。
１(A)は交差部の斜視図，図１(B) は平面図である。
【００１５】図において，1Aは第１の信号線, 1Bは第２
の信号線，2Aは第１の接地導体, 2Bは第２の接地導体で
ある。本発明では, 例えば上部配線となる第１の信号線
1Aは, その両側に第１の接地導体2Aおよび第２の接地導
体2Bが存在してコプレーナ型線路の構造を保つため,伝
送損失が従来の交差構造に比して低く抑えられる。
の信号線，2Aは第１の接地導体, 2Bは第２の接地導体で
ある。本発明では, 例えば上部配線となる第１の信号線
1Aは, その両側に第１の接地導体2Aおよび第２の接地導
体2Bが存在してコプレーナ型線路の構造を保つため,伝
送損失が従来の交差構造に比して低く抑えられる。
【００１６】後記実施例２の下部配線となる第２の信号
線についても同様である。いま, 図１(B) において，信
号線の幅をＷ1 ，信号線と接地導体との間隔をＷ2 ，交
差部の接地導体の幅をＷ3 とすると，交差部における伝
送線路の特性インピーダンスの変化による反射を抑える
ために, コプレーナ型線路で通常使用される条件である Ｗ1 ≧Ｗ2 の関係を交差部においても保つようにする。
線についても同様である。いま, 図１(B) において，信
号線の幅をＷ1 ，信号線と接地導体との間隔をＷ2 ，交
差部の接地導体の幅をＷ3 とすると，交差部における伝
送線路の特性インピーダンスの変化による反射を抑える
ために, コプレーナ型線路で通常使用される条件である Ｗ1 ≧Ｗ2 の関係を交差部においても保つようにする。
【００１７】また，コプレーナ型線路では伝送損失を抑
えるために線路の両側の接地導体を半無限にすればよい
が, 交差部ではそれが出来ないので少なくとも, Ｗ1 ≦Ｗ3 の条件を充たすようにする。
えるために線路の両側の接地導体を半無限にすればよい
が, 交差部ではそれが出来ないので少なくとも, Ｗ1 ≦Ｗ3 の条件を充たすようにする。
【００１８】
【実施例】原理図として用いた図１は，交差部において
上部配線となる第１の信号線1Aの両側に，第１の接地導
体2Aおよび第２の接地導体2Bが存在するように構成した
例で, 実施例１とする。
上部配線となる第１の信号線1Aの両側に，第１の接地導
体2Aおよび第２の接地導体2Bが存在するように構成した
例で, 実施例１とする。
【００１９】図２は実施例２の斜視図である。図におい
て，交差部において下部配線となる第２の信号線1Bの両
側に，第１の接地導体2Aおよび第２の接地導体2Bが存在
するように構成した例である。
て，交差部において下部配線となる第２の信号線1Bの両
側に，第１の接地導体2Aおよび第２の接地導体2Bが存在
するように構成した例である。
【００２０】図３は実施例３の斜視図である。図におい
て，交差部において上部配線となる第１の信号線1Aの両
側および下部配線となる第２の信号線1Bの両側に，第１
の接地導体2Aおよび第２の接地導体2Bが存在するように
構成した例である。
て，交差部において上部配線となる第１の信号線1Aの両
側および下部配線となる第２の信号線1Bの両側に，第１
の接地導体2Aおよび第２の接地導体2Bが存在するように
構成した例である。
【００２１】以上の実施例の構造を半導体基板上への構
成は，従来のウエハプロセス技術により容易に実現でき
る。通常，信号線，接地導体を構成する金属は金(Au)膜
またはAu膜を含む多層構造である。
成は，従来のウエハプロセス技術により容易に実現でき
る。通常，信号線，接地導体を構成する金属は金(Au)膜
またはAu膜を含む多層構造である。
【００２２】また，一般の誘電体基板上にもこのような
構造を上記のプロセスを用いることにより容易に形成で
きる。したがって，モノリシック（単石）またはハイブ
リッド（混成）いずれの集積回路においても本発明を適
用できる。
構造を上記のプロセスを用いることにより容易に形成で
きる。したがって，モノリシック（単石）またはハイブ
リッド（混成）いずれの集積回路においても本発明を適
用できる。
【００２３】図７は本発明の交差構造を適用した一例を
示す回路図である。図は差動増幅器の回路例である。図
において，Q1〜Q6はトランジスタ, １は定電流源，Port
１は入力，Port２は出力，Port３は電源端子である。
示す回路図である。図は差動増幅器の回路例である。図
において，Q1〜Q6はトランジスタ, １は定電流源，Port
１は入力，Port２は出力，Port３は電源端子である。
【００２４】図中，点線で示される丸印の交差部に実施
例を適用した。
例を適用した。
【００２５】
【発明の効果】コプレーナ型線路系の伝送損失および線
路間の相互干渉の少ない交差構造が得られた。
路間の相互干渉の少ない交差構造が得られた。
【００２６】この結果，モノリシックあるいはハイブリ
ッド集積回路の設計の自由度が増加し，特性向上に寄与
することができた。
ッド集積回路の設計の自由度が増加し，特性向上に寄与
することができた。
【図１】 本発明の原理説明図（実施例１）
【図２】 実施例２の斜視図
【図３】 実施例３の斜視図
【図４】 マイクロストリップ線路の構造図
【図５】 コプレナ型線路の構造図
【図６】 従来例による単純な交差の説明図
【図７】 実施例を適用した回路図
１ 信号線
1A 第１の信号線
1B 第２の信号線
２ 接地導体
2A 第１の接地導体
2B 第２の接地導体
３ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 基板面に設けられた信号線と，該信号線
の両側に間隔を開けて該信号線と同一基板面側に設けら
れた接地導体とからなるコプレナ型伝送線路の交差部に
おいて，接地導体が少なくとも一方の信号線の両側に間
隔を開けて且つ交差する両方の信号線に接しないように
設けられていることを特徴とする伝送線路構造。 - 【請求項２】 前記交差部の接地導体の幅が前記信号線
の幅以上であることを特徴とする請求項１記載の伝送線
路構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173524A JPH0522001A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 伝送線路構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173524A JPH0522001A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 伝送線路構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0522001A true JPH0522001A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15962123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173524A Pending JPH0522001A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 伝送線路構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0522001A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1133230C (zh) * | 1996-09-13 | 2003-12-31 | 松下电器产业株式会社 | 高频电路装置及其使用的电子元件 |
| US6985055B2 (en) | 2002-11-07 | 2006-01-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transmission line comprised of interconnected parallel line segments |
| JP2008244604A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | コプレーナ線路分岐構造及び共振回路 |
| US7566971B2 (en) | 2005-05-27 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2012114697A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 交差回路及びそれを用いた１８０度ハイブリッド回路 |
| JP2013074075A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP5542231B1 (ja) * | 2013-04-09 | 2014-07-09 | 太陽誘電株式会社 | 多層回路基板 |
| JP2017163054A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 三菱電機株式会社 | 信号伝送基板 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3173524A patent/JPH0522001A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1133230C (zh) * | 1996-09-13 | 2003-12-31 | 松下电器产业株式会社 | 高频电路装置及其使用的电子元件 |
| US6985055B2 (en) | 2002-11-07 | 2006-01-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transmission line comprised of interconnected parallel line segments |
| US7566971B2 (en) | 2005-05-27 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7919861B2 (en) | 2005-05-27 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2008244604A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | コプレーナ線路分岐構造及び共振回路 |
| JP2012114697A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 交差回路及びそれを用いた１８０度ハイブリッド回路 |
| JP2013074075A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP5542231B1 (ja) * | 2013-04-09 | 2014-07-09 | 太陽誘電株式会社 | 多層回路基板 |
| JP2017163054A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 三菱電機株式会社 | 信号伝送基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000418 |