JPH05267940A - マイクロ波帯ダウンコンバータ及び集積回路の実装構造 - Google Patents
マイクロ波帯ダウンコンバータ及び集積回路の実装構造Info
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- JPH05267940A JPH05267940A JP4092159A JP9215992A JPH05267940A JP H05267940 A JPH05267940 A JP H05267940A JP 4092159 A JP4092159 A JP 4092159A JP 9215992 A JP9215992 A JP 9215992A JP H05267940 A JPH05267940 A JP H05267940A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田付けする際のインピーダンスのばらつき
を防止し、装置をコンパクトにし、また長いボンデイン
グワイヤによってインダクタンス成分が大きくなること
を防止し、低コスト化を図る。 【構成】 少なくとも誘電体共振器３０及びマイクロス
トリップ線路２９が実装され、かつ金属製キャップ３３
により気密状態で封止されるマイクロストリップ基板２
７内に、ヘテロダイン周波数変換をするマイクロモノリ
シック集積回路３２を配設して回路パターンに直接実装
し、接続を簡素化する。また、上記回路基板２７に形成
したスルーホール５０に上記集積回路３２のチップを収
納し、このスルーホール５０の上面に連結したグランド
パターンに、集積回路３２のグランドパターンをボンデ
イングワイヤで接続し、このボンデイングワイヤを短く
する。
を防止し、装置をコンパクトにし、また長いボンデイン
グワイヤによってインダクタンス成分が大きくなること
を防止し、低コスト化を図る。 【構成】 少なくとも誘電体共振器３０及びマイクロス
トリップ線路２９が実装され、かつ金属製キャップ３３
により気密状態で封止されるマイクロストリップ基板２
７内に、ヘテロダイン周波数変換をするマイクロモノリ
シック集積回路３２を配設して回路パターンに直接実装
し、接続を簡素化する。また、上記回路基板２７に形成
したスルーホール５０に上記集積回路３２のチップを収
納し、このスルーホール５０の上面に連結したグランド
パターンに、集積回路３２のグランドパターンをボンデ
イングワイヤで接続し、このボンデイングワイヤを短く
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯ダウンコン
バータ、特に衛星通信、衛星放送等の際に用いられるダ
ウンコンバータの構成及びこのダウンコンバータにも用
いられる集積回路チップの実装構造に関する。
バータ、特に衛星通信、衛星放送等の際に用いられるダ
ウンコンバータの構成及びこのダウンコンバータにも用
いられる集積回路チップの実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、衛星放送の際に用いられるＬ
ＮＢ（Low Noise Block Converter ）等として、マイク
ロ波帯ダウンコンバータ（ヘテロダイン周波数変換装
置）が用いられており、このマイクロ波帯ダウンコンバ
ータによって、マイクロ波帯周波数を局部発振周波数と
して用い、マイクロ波受信信号を所定の中間周波数の信
号に変換することができる。
ＮＢ（Low Noise Block Converter ）等として、マイク
ロ波帯ダウンコンバータ（ヘテロダイン周波数変換装
置）が用いられており、このマイクロ波帯ダウンコンバ
ータによって、マイクロ波帯周波数を局部発振周波数と
して用い、マイクロ波受信信号を所定の中間周波数の信
号に変換することができる。
【０００３】図７には、従来のダウンコンバータ部分の
構成が示されており、図（ａ）は上部の金属キャップを
外した状態の平面図、図（ｂ）は要部断面図である。図
において、マイクロストリップ基板１は筐体２に取り付
けられており、このマイクロストリップ基板１には誘電
体共振器３、マイクロストリップ線路４、終端用抵抗
５、前段増幅用ＦＥＴ６、帯域通過フィルタ７等が実装
される。また、このマイクロストリップ基板１の上面は
遮蔽用でかつ共振空胴となる大きさの金属製キャップ
（カバー）８で覆われており、この金属キャップ８に
は、上記誘電体共振器３の共振周波数を調整するための
ネジ部９が配置される。
構成が示されており、図（ａ）は上部の金属キャップを
外した状態の平面図、図（ｂ）は要部断面図である。図
において、マイクロストリップ基板１は筐体２に取り付
けられており、このマイクロストリップ基板１には誘電
体共振器３、マイクロストリップ線路４、終端用抵抗
５、前段増幅用ＦＥＴ６、帯域通過フィルタ７等が実装
される。また、このマイクロストリップ基板１の上面は
遮蔽用でかつ共振空胴となる大きさの金属製キャップ
（カバー）８で覆われており、この金属キャップ８に
は、上記誘電体共振器３の共振周波数を調整するための
ネジ部９が配置される。
【０００４】そして、このマイクロストリップ基板１の
裏面において、上記マイクロストリップ線路４の一端
と、マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）１０
のピンとが接続されることになり、このＭＭＩＣ１０に
は保護用の金属キャップ１１が取り付けられる。このＭ
ＭＩＣ１０は、低雑音増幅器、周波数変換器、局部発振
器、中間周波数増幅器等で構成されている。なお、図示
の１２はプローブ、１３は出力用コネクタである。
裏面において、上記マイクロストリップ線路４の一端
と、マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）１０
のピンとが接続されることになり、このＭＭＩＣ１０に
は保護用の金属キャップ１１が取り付けられる。このＭ
ＭＩＣ１０は、低雑音増幅器、周波数変換器、局部発振
器、中間周波数増幅器等で構成されている。なお、図示
の１２はプローブ、１３は出力用コネクタである。
【０００５】このような構成によれば、ＭＭＩＣ１０内
の局部発振器の発振周波数を誘電体共振器３及びマイク
ロストリップ線路４により安定化させることができ、例
えば受信機に入力されたマイクロ波帯電波の１２GHz の
周波数に対して、１１GHz の局部周波数を用いて、１GH
z 程度の中間周波数の信号に変換することができる。
の局部発振器の発振周波数を誘電体共振器３及びマイク
ロストリップ線路４により安定化させることができ、例
えば受信機に入力されたマイクロ波帯電波の１２GHz の
周波数に対して、１１GHz の局部周波数を用いて、１GH
z 程度の中間周波数の信号に変換することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のマイクロ波帯ダウンコンバータでは、上記ＭＭＩＣ
１０は金属製キャップ１１を有する別体の取付け部材に
取り付けられ、この取付け部材のピンが例えば発振器の
一部であるマイクロストリップ基板１の裏側（外側）か
ら挿入されて、半田等によりマイクロストリップ線路４
と接続されるため、この接続部のインピーダンスにばら
付きが生じるという問題があった。このことは、ＭＭＩ
Ｃ１０とマイクロストリップ基板１の特性が個別に検査
したときに良好であったとしても、両者を組み合わせた
ときには特性が変化し、個別検査の再現性がないことを
意味しており、生産性も悪くなることになる。
来のマイクロ波帯ダウンコンバータでは、上記ＭＭＩＣ
１０は金属製キャップ１１を有する別体の取付け部材に
取り付けられ、この取付け部材のピンが例えば発振器の
一部であるマイクロストリップ基板１の裏側（外側）か
ら挿入されて、半田等によりマイクロストリップ線路４
と接続されるため、この接続部のインピーダンスにばら
付きが生じるという問題があった。このことは、ＭＭＩ
Ｃ１０とマイクロストリップ基板１の特性が個別に検査
したときに良好であったとしても、両者を組み合わせた
ときには特性が変化し、個別検査の再現性がないことを
意味しており、生産性も悪くなることになる。
【０００７】また、マイクロストリップ基板１には遮蔽
用でかつ共振空胴を形成する金属製キャップ８、ＭＭＩ
Ｃ１０には保護用の金属製キャップ１１が取り付けられ
ており、装置全体の寸法が大きくなるという問題があっ
た。
用でかつ共振空胴を形成する金属製キャップ８、ＭＭＩ
Ｃ１０には保護用の金属製キャップ１１が取り付けられ
ており、装置全体の寸法が大きくなるという問題があっ
た。
【０００８】そこで、本出願ではＭＭＩＣ１０をマイク
ロストリップ基板１に直接的に実装することを提案して
いるが、この場合には次のような問題がある。即ち、図
８には上記ＭＭＩＣ１０を含んだ一般的な半導体装置の
接続状態が示されており、ＭＭＩＣ１０は接地筐体１６
上に配置された回路基板１７に実装されている。このＭ
ＭＩＣ１０には、グランドパターン１８、入力（或いは
出力）パターン１９、また回路基板１７には出力（或い
は入力）パターン２０が形成され、更に接地筐体１６に
は金メッキ層２１が形成されている。そして、上記入力
パターン１９と出力パターン２０がボンデイングワイヤ
２２で接続され、グランドパターン１８と接地筐体１６
の金メッキ層２１はボンデイングワイヤ２３で接続され
ている。また、上記ＭＭＩＣ１０と回路基板１７は、接
地筐体１６上に銀ペースト等の接着剤で接着されてお
り、その際には、図示のようにブリーズ（滲み出し）２
４が生じることになる。
ロストリップ基板１に直接的に実装することを提案して
いるが、この場合には次のような問題がある。即ち、図
８には上記ＭＭＩＣ１０を含んだ一般的な半導体装置の
接続状態が示されており、ＭＭＩＣ１０は接地筐体１６
上に配置された回路基板１７に実装されている。このＭ
ＭＩＣ１０には、グランドパターン１８、入力（或いは
出力）パターン１９、また回路基板１７には出力（或い
は入力）パターン２０が形成され、更に接地筐体１６に
は金メッキ層２１が形成されている。そして、上記入力
パターン１９と出力パターン２０がボンデイングワイヤ
２２で接続され、グランドパターン１８と接地筐体１６
の金メッキ層２１はボンデイングワイヤ２３で接続され
ている。また、上記ＭＭＩＣ１０と回路基板１７は、接
地筐体１６上に銀ペースト等の接着剤で接着されてお
り、その際には、図示のようにブリーズ（滲み出し）２
４が生じることになる。
【０００９】従って、上記の場合には、接地筐体１６上
に広い範囲の金メッキ層２１を形成する必要があり、こ
の金メッキ層２１が無駄であるという問題があった。ま
た、上記グランドパターン１８と接地筐体１６をボンデ
イングワイヤ２３で接続するために、ＭＭＩＣ１０と回
路基板１７との間に接続のためのスペースが必要とな
り、ＭＭＩＣ１０と回路基板１７との間隔が大きくな
る。しかも、ＭＭＩＣ１０及び回路基板１７の下部には
銀ペースト等のブリーズ２４が生じるが、これを避ける
必要があるため、更に両者間の間隔が大きくなる。
に広い範囲の金メッキ層２１を形成する必要があり、こ
の金メッキ層２１が無駄であるという問題があった。ま
た、上記グランドパターン１８と接地筐体１６をボンデ
イングワイヤ２３で接続するために、ＭＭＩＣ１０と回
路基板１７との間に接続のためのスペースが必要とな
り、ＭＭＩＣ１０と回路基板１７との間隔が大きくな
る。しかも、ＭＭＩＣ１０及び回路基板１７の下部には
銀ペースト等のブリーズ２４が生じるが、これを避ける
必要があるため、更に両者間の間隔が大きくなる。
【００１０】この結果、ＭＭＩＣ１０から接地筐体１６
又は回路基板１７へ設けられるボンデイングワイヤ２
２，２３が長くなるが、一方のボンデイングワイヤ２２
が長くなると、ＭＭＩＣ１０の入出力ポートのインダク
タンス成分が大きくなり、ＭＭＩＣ１０の高周波特性が
悪くなる。また、他方のボンデイングワイヤ２３が長く
なると、ＭＭＩＣ１０と接地筐体１６との間のインダク
タンス成分が大きくなり、ＭＭＩＣ１０のグランドに電
位差が生じるという問題があった。
又は回路基板１７へ設けられるボンデイングワイヤ２
２，２３が長くなるが、一方のボンデイングワイヤ２２
が長くなると、ＭＭＩＣ１０の入出力ポートのインダク
タンス成分が大きくなり、ＭＭＩＣ１０の高周波特性が
悪くなる。また、他方のボンデイングワイヤ２３が長く
なると、ＭＭＩＣ１０と接地筐体１６との間のインダク
タンス成分が大きくなり、ＭＭＩＣ１０のグランドに電
位差が生じるという問題があった。
【００１１】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、その第１の目的は、半田付けする際の
インピーダンスのばらつきを防止すると共に、装置をコ
ンパクトに形成することができるマイクロ波帯ダウンコ
ンバータを提供することにある。また、第２の目的は、
長いボンデイングワイヤによってインダクタンス成分が
大きくなることを防止すると共に、金メッキ層を不要と
することができる集積回路の実装構造を提供することに
ある。
れたものであり、その第１の目的は、半田付けする際の
インピーダンスのばらつきを防止すると共に、装置をコ
ンパクトに形成することができるマイクロ波帯ダウンコ
ンバータを提供することにある。また、第２の目的は、
長いボンデイングワイヤによってインダクタンス成分が
大きくなることを防止すると共に、金メッキ層を不要と
することができる集積回路の実装構造を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するために、第１請求項の発明に係るマイクロ波帯ダウ
ンコンバータは、少なくとも誘電体共振器及びこの誘電
体共振器と結合するストリップ線路が実装され、かつ金
属製キャップにより気密状態で封止されるマイクロスト
リップ基板内に、ヘテロダイン周波数変換をする集積回
路を配設し、この集積回路を上記マイクロストリップ基
板の回路パターンに直接実装するようにしたことを特徴
とする。また、第２の目的を達成するために、第２請求
項の発明は、接地板上に回路基板を配設し、この回路基
板に集積回路を実装する集積回路の実装構造において、
上記回路基板に集積回路チップよりも大きく、かつメッ
キが施されたスルーホールを形成し、このスルーホール
内に集積回路を配置すると共に、このスルーホールの上
面に連結してグランドパターンを形成し、この回路基板
上のグランドパターンと集積回路のグランドパターンを
ボンデイングワイヤで接続し、上記スルーホールの下面
を接地板上に接触させるようにしたことを特徴とする。
するために、第１請求項の発明に係るマイクロ波帯ダウ
ンコンバータは、少なくとも誘電体共振器及びこの誘電
体共振器と結合するストリップ線路が実装され、かつ金
属製キャップにより気密状態で封止されるマイクロスト
リップ基板内に、ヘテロダイン周波数変換をする集積回
路を配設し、この集積回路を上記マイクロストリップ基
板の回路パターンに直接実装するようにしたことを特徴
とする。また、第２の目的を達成するために、第２請求
項の発明は、接地板上に回路基板を配設し、この回路基
板に集積回路を実装する集積回路の実装構造において、
上記回路基板に集積回路チップよりも大きく、かつメッ
キが施されたスルーホールを形成し、このスルーホール
内に集積回路を配置すると共に、このスルーホールの上
面に連結してグランドパターンを形成し、この回路基板
上のグランドパターンと集積回路のグランドパターンを
ボンデイングワイヤで接続し、上記スルーホールの下面
を接地板上に接触させるようにしたことを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記の第１請求項の構成によれば、ＭＭＩＣが
発振器の一部であるマイクロストリップ基板にワイヤボ
ンデイングにより直接実装され、接続が一箇所で済むと
共にピン接続部の半田付けが不要となるので、接続部の
インピーダンスのばらつきがなくなり、高周波特性及び
グランド電位が安定になる。また、ＭＭＩＣの保護キャ
ップが不要となるので、小型化、軽量化が実現できる。
発振器の一部であるマイクロストリップ基板にワイヤボ
ンデイングにより直接実装され、接続が一箇所で済むと
共にピン接続部の半田付けが不要となるので、接続部の
インピーダンスのばらつきがなくなり、高周波特性及び
グランド電位が安定になる。また、ＭＭＩＣの保護キャ
ップが不要となるので、小型化、軽量化が実現できる。
【００１４】また、第２請求項の構成によれば、ＭＭＩ
Ｃ等の集積回路が回路基板のスルーホール内に収納配置
され、従来、接地板上に形成されていた金メッキ等が不
要となるので、ＭＭＩＣと回路基板との距離が短くなる
と共に、ボンデイングワイヤが短くなる。従って、接続
部のインダクタンス成分が小さくなり、安定した動作を
実現することができる。
Ｃ等の集積回路が回路基板のスルーホール内に収納配置
され、従来、接地板上に形成されていた金メッキ等が不
要となるので、ＭＭＩＣと回路基板との距離が短くなる
と共に、ボンデイングワイヤが短くなる。従って、接続
部のインダクタンス成分が小さくなり、安定した動作を
実現することができる。
【００１５】
【実施例】図１には、実施例に係るマイクロ波帯ダウン
コンバータの構成が示されており、図示されるように、
金属製筐体の台板（ヘッダ）２６の上面に、マイクロス
トリップ基板２７が配置され、四隅には気密同軸型入出
力端子２８が設けられている。また、マイクロストリッ
プ基板２７には共振器結合用のマイクロストリップ線路
２９が形成されると共に、誘電体共振器３０が設けら
れ、その他にもチョーク回路等が配設される。そして、
このマイクロストリップ基板２７の所定の位置にマイク
ロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）３２をワイヤボ
ンデイングにて実装しており、このＭＭＩＣ３２はガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）チップ上に所定の回路を形成した
もので、コプレーナー構造とされる。上記台板２６に
は、最終的に金属製キャップ３３が抵抗溶接により気密
性を維持する状態となるように取り付けられる。
コンバータの構成が示されており、図示されるように、
金属製筐体の台板（ヘッダ）２６の上面に、マイクロス
トリップ基板２７が配置され、四隅には気密同軸型入出
力端子２８が設けられている。また、マイクロストリッ
プ基板２７には共振器結合用のマイクロストリップ線路
２９が形成されると共に、誘電体共振器３０が設けら
れ、その他にもチョーク回路等が配設される。そして、
このマイクロストリップ基板２７の所定の位置にマイク
ロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）３２をワイヤボ
ンデイングにて実装しており、このＭＭＩＣ３２はガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）チップ上に所定の回路を形成した
もので、コプレーナー構造とされる。上記台板２６に
は、最終的に金属製キャップ３３が抵抗溶接により気密
性を維持する状態となるように取り付けられる。
【００１６】上記金属製キャップ３３の上面には、上記
誘電体共振器３０に対向する位置に、円環状のベローズ
部３４が形成され、このベローズ部３４を外側から内部
へ押込めるようになっている。従って、ベローズ部３４
と誘電体共振器３０との間隔を変化させることにより、
共振周波数が所望の値に調整可能となっている。
誘電体共振器３０に対向する位置に、円環状のベローズ
部３４が形成され、このベローズ部３４を外側から内部
へ押込めるようになっている。従って、ベローズ部３４
と誘電体共振器３０との間隔を変化させることにより、
共振周波数が所望の値に調整可能となっている。
【００１７】図２には、上記マイクロストリップ基板２
７の平面図が示されており、図示されるように、同軸端
子２８ＡがＲＦ（マイクロ波）入力端子となり、同軸端
子２８ＢがＩＦ（中間周波数）出力端子（又はバイアス
端子）となる。そして、このＲＦ入力端子２８Ａにはイ
ンピーダンス整合回路３５を介してＭＭＩＣ３２が接続
されているが、このＭＭＩＣ３２はマイクロストリップ
基板２７上に形成されたグランド（接地）パターン３６
にワイヤ（金線）をボンデイングすることになる。一
方、ＩＦ出力端子２８ＢとＭＭＩＣ３２との間にはコン
デンサ３７、マイクロ波を遮断しバイアスを供給するチ
ョーク回路３８、コンデンサ３９が接続されている。ま
た、マイクロストリップ線路２９の同軸端子２８側には
終端抵抗４０が設けられる。
７の平面図が示されており、図示されるように、同軸端
子２８ＡがＲＦ（マイクロ波）入力端子となり、同軸端
子２８ＢがＩＦ（中間周波数）出力端子（又はバイアス
端子）となる。そして、このＲＦ入力端子２８Ａにはイ
ンピーダンス整合回路３５を介してＭＭＩＣ３２が接続
されているが、このＭＭＩＣ３２はマイクロストリップ
基板２７上に形成されたグランド（接地）パターン３６
にワイヤ（金線）をボンデイングすることになる。一
方、ＩＦ出力端子２８ＢとＭＭＩＣ３２との間にはコン
デンサ３７、マイクロ波を遮断しバイアスを供給するチ
ョーク回路３８、コンデンサ３９が接続されている。ま
た、マイクロストリップ線路２９の同軸端子２８側には
終端抵抗４０が設けられる。
【００１８】図３には、上記ＭＭＩＣ３２内の詳細な回
路及びその周辺回路が示されており、ＭＭＩＣ３２内に
は高周波増幅部４３、ミキサ４４、中間周波増幅部４
５、局部発振器４６、電源回路４７が設けられている。
従って、上記電源回路４７により電源電圧が印加され、
局部発振器４６から所定周波数の発振信号が出力された
場合は、上記台板２６と金属製キャップ３３で構成され
る金属筐体が誘電体共振器３０の共振空胴となることに
より、安定した発振状態を得ることができる。この際に
は、ＲＦ入力端子２８Ａから入力された高周波信号は、
局部発振器４６から の局部周波数（マイクロ波）信号
が混合されることによって、中間周波数の信号に変換さ
れることになり、例えば１２GHz の周波数を１１GHzの
局部周波数によって１GHz の周波数に変換するダウンコ
ンバータとして機能する。
路及びその周辺回路が示されており、ＭＭＩＣ３２内に
は高周波増幅部４３、ミキサ４４、中間周波増幅部４
５、局部発振器４６、電源回路４７が設けられている。
従って、上記電源回路４７により電源電圧が印加され、
局部発振器４６から所定周波数の発振信号が出力された
場合は、上記台板２６と金属製キャップ３３で構成され
る金属筐体が誘電体共振器３０の共振空胴となることに
より、安定した発振状態を得ることができる。この際に
は、ＲＦ入力端子２８Ａから入力された高周波信号は、
局部発振器４６から の局部周波数（マイクロ波）信号
が混合されることによって、中間周波数の信号に変換さ
れることになり、例えば１２GHz の周波数を１１GHzの
局部周波数によって１GHz の周波数に変換するダウンコ
ンバータとして機能する。
【００１９】以上が上記第１の目的に対応する構成であ
り、このようなダウンコンバータは、上述のようにマイ
クロストリップ基板２７にＭＭＩＣ３２を実装した後
に、図１の金属製キャップ３３を被せて気密状態で封止
することによって、製作されることになり、このダウン
コンバータの全体の外観は、図４に示されるようにな
る。従って、マイクロストリップ基板２７の裏側の接続
部に別部材構成のＭＭＩＣをピン等を介して半田接続す
る従来の取付け構造と比較すると、接続部のインピーダ
ンスのばらつきが著しく改善される。従って、高周波特
性及びグランド電位が安定した装置を得ることが可能と
なり、また部品点数が少なくなり、かつ組立て工数も簡
略化されるという利点がある。
り、このようなダウンコンバータは、上述のようにマイ
クロストリップ基板２７にＭＭＩＣ３２を実装した後
に、図１の金属製キャップ３３を被せて気密状態で封止
することによって、製作されることになり、このダウン
コンバータの全体の外観は、図４に示されるようにな
る。従って、マイクロストリップ基板２７の裏側の接続
部に別部材構成のＭＭＩＣをピン等を介して半田接続す
る従来の取付け構造と比較すると、接続部のインピーダ
ンスのばらつきが著しく改善される。従って、高周波特
性及びグランド電位が安定した装置を得ることが可能と
なり、また部品点数が少なくなり、かつ組立て工数も簡
略化されるという利点がある。
【００２０】上記実施例においては、本発明の第２の目
的に対応した構成も有しており、次にこの構成について
説明する。図５には、ＭＭＩＣ３２の取付け部分の詳細
図が示されており、図示のように、マイクロストリップ
基板２７には、ＭＭＩＣチップ３２が収納できる大きさ
で、導電体メッキが形成されたスルーホール５０を形成
しており、このスルーホール５０の上面部に接続してグ
ランドパターン３６が形成されることになる。従って、
このＭＭＩＣ３２側の所定端子はまず入力側（インピー
ダンス整合回路３５）への端子５１Ａ、出力側のチョー
ク回路３８側への端子５１Ｂ、コンデンサ３７側への端
子５１Ｃにボンデイングワイヤ５２によって接続され
る。そして、ＭＭＩＣ３２のグランドパターン（端子）
５３はボンデイングワイヤ５２にてグランドパターン３
６に接続される。
的に対応した構成も有しており、次にこの構成について
説明する。図５には、ＭＭＩＣ３２の取付け部分の詳細
図が示されており、図示のように、マイクロストリップ
基板２７には、ＭＭＩＣチップ３２が収納できる大きさ
で、導電体メッキが形成されたスルーホール５０を形成
しており、このスルーホール５０の上面部に接続してグ
ランドパターン３６が形成されることになる。従って、
このＭＭＩＣ３２側の所定端子はまず入力側（インピー
ダンス整合回路３５）への端子５１Ａ、出力側のチョー
ク回路３８側への端子５１Ｂ、コンデンサ３７側への端
子５１Ｃにボンデイングワイヤ５２によって接続され
る。そして、ＭＭＩＣ３２のグランドパターン（端子）
５３はボンデイングワイヤ５２にてグランドパターン３
６に接続される。
【００２１】図６には、上記図５のVI−VI断面図が示さ
れており、上記ＭＭＩＣ３２の端子とマイクロストリッ
プ基板２７側の端子５１Ｂとの間、或いはグランドパタ
ーン５３とグランドパターン３６との接続は、スルーホ
ール５０の溝上にボンデイングワイヤ５２を渡すように
して行われることになる。従って、従来の図８のよう
に、台板（筐体）２６へワイヤを接続する必要がなく、
ＭＭＩＣ３２とマイクロストリップ基板２７との間隔、
即ちボンデイングワイヤ５２の長さを従来よりも短くか
つ一定にすることができる。なお、上記のように、ＭＭ
ＩＣ３２とグランドパターン３６が同一平面状に並ぶの
で、中心導体と接地板とが同一平面状にあるコプレナー
構造となる。
れており、上記ＭＭＩＣ３２の端子とマイクロストリッ
プ基板２７側の端子５１Ｂとの間、或いはグランドパタ
ーン５３とグランドパターン３６との接続は、スルーホ
ール５０の溝上にボンデイングワイヤ５２を渡すように
して行われることになる。従って、従来の図８のよう
に、台板（筐体）２６へワイヤを接続する必要がなく、
ＭＭＩＣ３２とマイクロストリップ基板２７との間隔、
即ちボンデイングワイヤ５２の長さを従来よりも短くか
つ一定にすることができる。なお、上記のように、ＭＭ
ＩＣ３２とグランドパターン３６が同一平面状に並ぶの
で、中心導体と接地板とが同一平面状にあるコプレナー
構造となる。
【００２２】しかも、上記ＭＭＩＣ３２及びマイクロス
トリップ基板２７は、台板２６上に銀ペースト等によっ
て接着されることになり、その際にはブリーズ２４が発
生することになるが、このブリーズ２４の接触が問題と
なることがないので、更にＭＭＩＣ３２とマイクロスト
リップ基板２７との間隔を短くすることができる。この
ようにして、ボンデイングワイヤ５２の長さを短く、か
つ一定とすることによって、ボンデイングワイヤ５２の
インダクタンス成分が小さくなり、特性を安定化させる
ことが可能となる。もちろん、従来のように、台板２６
上に金メッキ等を設ける必要がなく、コストの低減を図
ることができる。
トリップ基板２７は、台板２６上に銀ペースト等によっ
て接着されることになり、その際にはブリーズ２４が発
生することになるが、このブリーズ２４の接触が問題と
なることがないので、更にＭＭＩＣ３２とマイクロスト
リップ基板２７との間隔を短くすることができる。この
ようにして、ボンデイングワイヤ５２の長さを短く、か
つ一定とすることによって、ボンデイングワイヤ５２の
インダクタンス成分が小さくなり、特性を安定化させる
ことが可能となる。もちろん、従来のように、台板２６
上に金メッキ等を設ける必要がなく、コストの低減を図
ることができる。
【００２３】また、広い面積のスルーホール５０によっ
て、ＭＭＩＣ３２のグランドと台板２６のグランドとの
間のインダクタンス成分を小さくすることができ、これ
によっても特性の安定化が図れることになる。
て、ＭＭＩＣ３２のグランドと台板２６のグランドとの
間のインダクタンス成分を小さくすることができ、これ
によっても特性の安定化が図れることになる。
【００２４】上記実施例では、ＭＭＩＣ３２をマイクロ
ストリップ基板２７に接続する場合について説明した
が、本発明の集積回路チップの実装構造は他の半導体装
置にも適用することができ、スルーホールに半導体チッ
プを収納して同一平面上で接地する構造を採用すること
により、上記と同様の効果を得ることが可能である。
ストリップ基板２７に接続する場合について説明した
が、本発明の集積回路チップの実装構造は他の半導体装
置にも適用することができ、スルーホールに半導体チッ
プを収納して同一平面上で接地する構造を採用すること
により、上記と同様の効果を得ることが可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、第１請求項の発明
によれば、誘電体共振器、この誘電体共振器と結合する
マイクロストリップ線路が実装され、かつ金属製キャッ
プにより気密状態で封止されるマイクロストリップ基板
内に、マイクロモノリシック集積回路を配設して上記マ
イクロストリップ基板の回路パターンに直接実装するよ
うにしたので、従来のように半田付けする際のインピー
ダンスのばらつきを防止することができ、接続が一箇所
となるので個別検査等も不要となるし、特性を安定化さ
せることができる。しかも、金属製キャップを共用する
ことになるので、装置自体をコンパクトに製作すること
が可能となり、小型化、軽量化を図ることができる。
によれば、誘電体共振器、この誘電体共振器と結合する
マイクロストリップ線路が実装され、かつ金属製キャッ
プにより気密状態で封止されるマイクロストリップ基板
内に、マイクロモノリシック集積回路を配設して上記マ
イクロストリップ基板の回路パターンに直接実装するよ
うにしたので、従来のように半田付けする際のインピー
ダンスのばらつきを防止することができ、接続が一箇所
となるので個別検査等も不要となるし、特性を安定化さ
せることができる。しかも、金属製キャップを共用する
ことになるので、装置自体をコンパクトに製作すること
が可能となり、小型化、軽量化を図ることができる。
【００２６】また、第２請求項の発明によれば、回路基
板に集積回路チップよりも大きく、かつメッキが施され
たスルーホールを形成して、このスルーホール内に集積
回路を配置すると共に、このスルーホールの上面に連結
してグランドパターンを形成し、この回路基板上のグラ
ンドパターンと集積回路のグランドパターンをボンデイ
ングワイヤで接続するようにしたので、集積回路と回路
基板との距離が短く、かつ一定となる。従って、ボンデ
イングワイヤの長さも短く、かつ一定とすることがで
き、ボンデイングワイヤのインダクタンス成分を小さく
して、特性の安定化を図ることが可能となる。
板に集積回路チップよりも大きく、かつメッキが施され
たスルーホールを形成して、このスルーホール内に集積
回路を配置すると共に、このスルーホールの上面に連結
してグランドパターンを形成し、この回路基板上のグラ
ンドパターンと集積回路のグランドパターンをボンデイ
ングワイヤで接続するようにしたので、集積回路と回路
基板との距離が短く、かつ一定となる。従って、ボンデ
イングワイヤの長さも短く、かつ一定とすることがで
き、ボンデイングワイヤのインダクタンス成分を小さく
して、特性の安定化を図ることが可能となる。
【００２７】また、ワイヤボンデイングが同一平面上で
行えるので、ワイヤボンダー、ダイヤタッチャー等の自
動機で組立てを容易に実行することができるという利点
がある。しかも、従来、接地板上に形成されていた金メ
ッキ層をなくすことができ、コストの低減を図ることが
可能となる。
行えるので、ワイヤボンダー、ダイヤタッチャー等の自
動機で組立てを容易に実行することができるという利点
がある。しかも、従来、接地板上に形成されていた金メ
ッキ層をなくすことができ、コストの低減を図ることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るマイクロ波帯ダウンコン
バータの構成を示す斜視図である。
バータの構成を示す斜視図である。
【図２】図１のダウンコンバータを、上側の金属製キャ
ップを外して見た平面図である。
ップを外して見た平面図である。
【図３】実施例装置の回路構成を示す図である。
【図４】実施例のダウンコンバータの全体の外観を示す
図であり、図（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図、図
（ｃ）は平面図、図（ｄ）は底面図である。
図であり、図（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図、図
（ｃ）は平面図、図（ｄ）は底面図である。
【図５】マイクロモノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）チ
ップのマイクロストリップ基板への取付け状態を示す詳
細図である。
ップのマイクロストリップ基板への取付け状態を示す詳
細図である。
【図６】図５のVI−VI断面図である。
【図７】従来のダウンコンバータの構成を示す図であ
り、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は図（ａ）の要部断面
図である。
り、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は図（ａ）の要部断面
図である。
【図８】従来の装置での集積回路チップの実装状態を示
す断面図である。
す断面図である。
１，２７ … マイクロストリップ基板、 ３，３０ … 誘電体共振器、 ４，２９ … マイクロストリップ線路、 ８，１１，３３ … 金属キャップ、 １０，３２ … ＭＭＩＣ（マイクロモノリシック集積
回路）、 ２２，２３，５２ … ボンデイングワイヤ、 ２４ … ブリーズ、 ２６ … 台板、 ３６，５３ … グランドパターン、 ５０ … スルーホール。
回路）、 ２２，２３，５２ … ボンデイングワイヤ、 ２４ … ブリーズ、 ２６ … 台板、 ３６，５３ … グランドパターン、 ５０ … スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 3/08 7/10
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも誘電体共振器及びこの誘電体
共振器と結合するストリップ線路が実装され、かつ金属
製キャップにより気密状態で封止されるマイクロストリ
ップ基板内に、ヘテロダイン周波数変換をする集積回路
を配設し、この集積回路を上記マイクロストリップ基板
の回路パターンに直接実装するようにしたマイクロ波帯
ダウンコンバータ。 - 【請求項２】 接地板上に回路基板を配設し、この回路
基板に集積回路を実装する集積回路の実装構造におい
て、上記回路基板に集積回路チップよりも大きく、かつ
メッキが施されたスルーホールを形成し、このスルーホ
ール内に集積回路を配置すると共に、このスルーホール
の上面に連結してグランドパターンを形成し、この回路
基板上のグランドパターンと集積回路のグランドパター
ンをボンデイングワイヤで接続し、上記スルーホールの
下面を接地板上に接触させるようにしたことを特徴とす
る集積回路の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09215992A JP3231829B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | マイクロ波帯ダウンコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09215992A JP3231829B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | マイクロ波帯ダウンコンバータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267940A true JPH05267940A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3231829B2 JP3231829B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=14046651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09215992A Expired - Fee Related JP3231829B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | マイクロ波帯ダウンコンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231829B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1184967A3 (en) * | 2000-07-11 | 2002-08-14 | Hitachi, Ltd. | RF oscillator apparatus and transceiver apparatus |
| WO2003007417A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Tyco Electronics Corporation | Coupling of dielectric resonators to microstrip line |
| US7088203B2 (en) | 2004-04-27 | 2006-08-08 | M/A-Com, Inc. | Slotted dielectric resonators and circuits with slotted dielectric resonators |
| US7183881B2 (en) | 2002-09-17 | 2007-02-27 | M/A-Com, Inc. | Cross-coupled dielectric resonator circuit |
| US7310031B2 (en) | 2002-09-17 | 2007-12-18 | M/A-Com, Inc. | Dielectric resonators and circuits made therefrom |
| US7352263B2 (en) | 2004-03-12 | 2008-04-01 | M/A-Com, Inc. | Method and mechanism for tuning dielectric resonator circuits |
| US7352264B2 (en) | 2005-10-24 | 2008-04-01 | M/A-Com, Inc. | Electronically tunable dielectric resonator circuits |
| US7388457B2 (en) | 2005-01-20 | 2008-06-17 | M/A-Com, Inc. | Dielectric resonator with variable diameter through hole and filter with such dielectric resonators |
| US7456712B1 (en) | 2007-05-02 | 2008-11-25 | Cobham Defense Electronics Corporation | Cross coupling tuning apparatus for dielectric resonator circuit |
| US7583164B2 (en) | 2005-09-27 | 2009-09-01 | Kristi Dhimiter Pance | Dielectric resonators with axial gaps and circuits with such dielectric resonators |
| US7705694B2 (en) | 2006-01-12 | 2010-04-27 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Rotatable elliptical dielectric resonators and circuits with such dielectric resonators |
| US7719391B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-05-18 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Dielectric resonator circuits |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP09215992A patent/JP3231829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1184967A3 (en) * | 2000-07-11 | 2002-08-14 | Hitachi, Ltd. | RF oscillator apparatus and transceiver apparatus |
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| US7183881B2 (en) | 2002-09-17 | 2007-02-27 | M/A-Com, Inc. | Cross-coupled dielectric resonator circuit |
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| US7388457B2 (en) | 2005-01-20 | 2008-06-17 | M/A-Com, Inc. | Dielectric resonator with variable diameter through hole and filter with such dielectric resonators |
| US7583164B2 (en) | 2005-09-27 | 2009-09-01 | Kristi Dhimiter Pance | Dielectric resonators with axial gaps and circuits with such dielectric resonators |
| US7352264B2 (en) | 2005-10-24 | 2008-04-01 | M/A-Com, Inc. | Electronically tunable dielectric resonator circuits |
| US7705694B2 (en) | 2006-01-12 | 2010-04-27 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Rotatable elliptical dielectric resonators and circuits with such dielectric resonators |
| US7719391B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-05-18 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Dielectric resonator circuits |
| US7456712B1 (en) | 2007-05-02 | 2008-11-25 | Cobham Defense Electronics Corporation | Cross coupling tuning apparatus for dielectric resonator circuit |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3231829B2 (ja) | 2001-11-26 |
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