JP3231829B2 - マイクロ波帯ダウンコンバータ - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯ダウンコン
バータ、特に衛星通信、衛星放送等の際に用いられるダ
ウンコンバータの構成及びこのダウンコンバータにも用
いられる集積回路チップの実装構造に関する。
バータ、特に衛星通信、衛星放送等の際に用いられるダ
ウンコンバータの構成及びこのダウンコンバータにも用
いられる集積回路チップの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、衛星放送の際に用いられるL
NB(Low Noise Block Converter )等として、マイク
ロ波帯ダウンコンバータ(ヘテロダイン周波数変換装
置)が用いられており、このマイクロ波帯ダウンコンバ
ータによって、マイクロ波帯周波数を局部発振周波数と
して用い、マイクロ波受信信号を所定の中間周波数の信
号に変換することができる。
NB(Low Noise Block Converter )等として、マイク
ロ波帯ダウンコンバータ(ヘテロダイン周波数変換装
置)が用いられており、このマイクロ波帯ダウンコンバ
ータによって、マイクロ波帯周波数を局部発振周波数と
して用い、マイクロ波受信信号を所定の中間周波数の信
号に変換することができる。
【0003】図7には、従来のダウンコンバータ部分の
構成が示されており、図(a)は上部の金属キャップを
外した状態の平面図、図(b)は要部断面図である。図
において、マイクロストリップ基板1は筐体2に取り付
けられており、このマイクロストリップ基板1には誘電
体共振器3、マイクロストリップ線路4、終端用抵抗
5、前段増幅用FET6、帯域通過フィルタ7等が実装
される。また、このマイクロストリップ基板1の上面は
遮蔽用でかつ共振空胴となる大きさの金属製キャップ
(カバー)8で覆われており、この金属キャップ8に
は、上記誘電体共振器3の共振周波数を調整するための
ネジ部9が配置される。
構成が示されており、図(a)は上部の金属キャップを
外した状態の平面図、図(b)は要部断面図である。図
において、マイクロストリップ基板1は筐体2に取り付
けられており、このマイクロストリップ基板1には誘電
体共振器3、マイクロストリップ線路4、終端用抵抗
5、前段増幅用FET6、帯域通過フィルタ7等が実装
される。また、このマイクロストリップ基板1の上面は
遮蔽用でかつ共振空胴となる大きさの金属製キャップ
(カバー)8で覆われており、この金属キャップ8に
は、上記誘電体共振器3の共振周波数を調整するための
ネジ部9が配置される。
【0004】そして、このマイクロストリップ基板1の
裏面において、上記マイクロストリップ線路4の一端
と、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)10
のピンとが接続されることになり、このMMIC10に
は保護用の金属キャップ11が取り付けられる。このM
MIC10は、低雑音増幅器、周波数変換器、局部発振
器、中間周波数増幅器等で構成されている。なお、図示
の12はプローブ、13は出力用コネクタである。
裏面において、上記マイクロストリップ線路4の一端
と、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)10
のピンとが接続されることになり、このMMIC10に
は保護用の金属キャップ11が取り付けられる。このM
MIC10は、低雑音増幅器、周波数変換器、局部発振
器、中間周波数増幅器等で構成されている。なお、図示
の12はプローブ、13は出力用コネクタである。
【0005】このような構成によれば、MMIC10内
の局部発振器の発振周波数を誘電体共振器3及びマイク
ロストリップ線路4により安定化させることができ、例
えば受信機に入力されたマイクロ波帯電波の12GHz の
周波数に対して、11GHz の局部周波数を用いて、1GH
z 程度の中間周波数の信号に変換することができる。
の局部発振器の発振周波数を誘電体共振器3及びマイク
ロストリップ線路4により安定化させることができ、例
えば受信機に入力されたマイクロ波帯電波の12GHz の
周波数に対して、11GHz の局部周波数を用いて、1GH
z 程度の中間周波数の信号に変換することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のマイクロ波帯ダウンコンバータでは、上記MMIC
10は金属製キャップ11を有する別体の取付け部材に
取り付けられ、この取付け部材のピンが例えば発振器の
一部であるマイクロストリップ基板1の裏側(外側)か
ら挿入されて、半田等によりマイクロストリップ線路4
と接続されるため、この接続部のインピーダンスにばら
付きが生じるという問題があった。このことは、MMI
C10とマイクロストリップ基板1の特性が個別に検査
したときに良好であったとしても、両者を組み合わせた
ときには特性が変化し、個別検査の再現性がないことを
意味しており、生産性も悪くなることになる。
来のマイクロ波帯ダウンコンバータでは、上記MMIC
10は金属製キャップ11を有する別体の取付け部材に
取り付けられ、この取付け部材のピンが例えば発振器の
一部であるマイクロストリップ基板1の裏側(外側)か
ら挿入されて、半田等によりマイクロストリップ線路4
と接続されるため、この接続部のインピーダンスにばら
付きが生じるという問題があった。このことは、MMI
C10とマイクロストリップ基板1の特性が個別に検査
したときに良好であったとしても、両者を組み合わせた
ときには特性が変化し、個別検査の再現性がないことを
意味しており、生産性も悪くなることになる。
【0007】また、マイクロストリップ基板1には遮蔽
用でかつ共振空胴を形成する金属製キャップ8、MMI
C10には保護用の金属製キャップ11が取り付けられ
ており、装置全体の寸法が大きくなるという問題があっ
た。
用でかつ共振空胴を形成する金属製キャップ8、MMI
C10には保護用の金属製キャップ11が取り付けられ
ており、装置全体の寸法が大きくなるという問題があっ
た。
【0008】そこで、本出願ではMMIC10をマイク
ロストリップ基板1に直接的に実装することを提案して
いるが、この場合には次のような問題がある。即ち、図
8には上記MMIC10を含んだ一般的な半導体装置の
接続状態が示されており、MMIC10は接地筐体16
上に配置された回路基板17に実装されている。このM
MIC10には、グランドパターン18、入力(或いは
出力)パターン19、また回路基板17には出力(或い
は入力)パターン20が形成され、更に接地筐体16に
は金メッキ層21が形成されている。そして、上記入力
パターン19と出力パターン20がボンディングワイヤ
22で接続され、グランドパターン18と接地筐体16
の金メッキ層21はボンディングワイヤ23で接続され
ている。また、上記MMIC10と回路基板17は、接
地筐体16上に銀ペースト等の接着剤で接着されてお
り、その際には、図示のようにブリーズ(滲み出し)2
4が生じることになる。
ロストリップ基板1に直接的に実装することを提案して
いるが、この場合には次のような問題がある。即ち、図
8には上記MMIC10を含んだ一般的な半導体装置の
接続状態が示されており、MMIC10は接地筐体16
上に配置された回路基板17に実装されている。このM
MIC10には、グランドパターン18、入力(或いは
出力)パターン19、また回路基板17には出力(或い
は入力)パターン20が形成され、更に接地筐体16に
は金メッキ層21が形成されている。そして、上記入力
パターン19と出力パターン20がボンディングワイヤ
22で接続され、グランドパターン18と接地筐体16
の金メッキ層21はボンディングワイヤ23で接続され
ている。また、上記MMIC10と回路基板17は、接
地筐体16上に銀ペースト等の接着剤で接着されてお
り、その際には、図示のようにブリーズ(滲み出し)2
4が生じることになる。
【0009】従って、上記の場合には、接地筐体16上
に広い範囲の金メッキ層21を形成する必要があり、こ
の金メッキ層21が無駄であるという問題があった。ま
た、上記グランドパターン18と接地筐体16をボンデ
ィングワイヤ23で接続するために、MMIC10と回
路基板17との間に接続のためのスペースが必要とな
り、MMIC10と回路基板17との間隔が大きくな
る。しかも、MMIC10及び回路基板17の下部には
銀ペースト等のブリーズ24が生じるが、これを避ける
必要があるため、更に両者間の間隔が大きくなる。
に広い範囲の金メッキ層21を形成する必要があり、こ
の金メッキ層21が無駄であるという問題があった。ま
た、上記グランドパターン18と接地筐体16をボンデ
ィングワイヤ23で接続するために、MMIC10と回
路基板17との間に接続のためのスペースが必要とな
り、MMIC10と回路基板17との間隔が大きくな
る。しかも、MMIC10及び回路基板17の下部には
銀ペースト等のブリーズ24が生じるが、これを避ける
必要があるため、更に両者間の間隔が大きくなる。
【0010】この結果、MMIC10から接地筐体16
又は回路基板17へ設けられるボンディングワイヤ2
2,23が長くなるが、一方のボンディングワイヤ22
が長くなると、MMIC10の入出力ポートのインダク
タンス成分が大きくなり、MMIC10の高周波特性が
悪くなる。また、他方のボンディングワイヤ23が長く
なると、MMIC10と接地筐体16との間のインダク
タンス成分が大きくなり、MMIC10のグランドに電
位差が生じるという問題があった。
又は回路基板17へ設けられるボンディングワイヤ2
2,23が長くなるが、一方のボンディングワイヤ22
が長くなると、MMIC10の入出力ポートのインダク
タンス成分が大きくなり、MMIC10の高周波特性が
悪くなる。また、他方のボンディングワイヤ23が長く
なると、MMIC10と接地筐体16との間のインダク
タンス成分が大きくなり、MMIC10のグランドに電
位差が生じるという問題があった。
【0011】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、その第1の目的は、半田付けする際の
インピーダンスのばらつきを防止すると共に、装置をコ
ンパクトに形成することができるようにし、また第2の
目的は、長いボンディングワイヤによってインダクタン
ス成分が大きくなることを防止すると共に、金メッキ層
を不要とすることができるマイクロ波帯ダウンコンバー
タを提供することにある。
れたものであり、その第1の目的は、半田付けする際の
インピーダンスのばらつきを防止すると共に、装置をコ
ンパクトに形成することができるようにし、また第2の
目的は、長いボンディングワイヤによってインダクタン
ス成分が大きくなることを防止すると共に、金メッキ層
を不要とすることができるマイクロ波帯ダウンコンバー
タを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記第1及び第2の目的
を達成するために、本発明に係るマイクロ波帯ダウンコ
ンバータは、少なくとも誘電体共振器及びこの誘電体共
振器と結合するストリップ線路が実装されたマイクロス
トリップ基板と、このマイクロストリップ基板を接地板
上に配置して金属製キャップにより気密状態で封止する
封止体と、この封止体内で上記マイクロストリップ基板
の回路パターンにボンディングワイヤで接続され、ヘテ
ロダイン周波数変換をする集積回路チップとを設け、上
記マイクロストリップ基板に形成したスルーホールに上
記集積回路チップを収納すると共に、このスルーホール
には当該マイクロストリップ基板上のグランドパターン
と上記接地板とを接続する導電体を形成し、上記マイク
ロストリップ基板上のグランドパターンと上記集積回路
チップのグランドパターンをボンディングワイヤにて接
続するようにしたことを特徴とする。
を達成するために、本発明に係るマイクロ波帯ダウンコ
ンバータは、少なくとも誘電体共振器及びこの誘電体共
振器と結合するストリップ線路が実装されたマイクロス
トリップ基板と、このマイクロストリップ基板を接地板
上に配置して金属製キャップにより気密状態で封止する
封止体と、この封止体内で上記マイクロストリップ基板
の回路パターンにボンディングワイヤで接続され、ヘテ
ロダイン周波数変換をする集積回路チップとを設け、上
記マイクロストリップ基板に形成したスルーホールに上
記集積回路チップを収納すると共に、このスルーホール
には当該マイクロストリップ基板上のグランドパターン
と上記接地板とを接続する導電体を形成し、上記マイク
ロストリップ基板上のグランドパターンと上記集積回路
チップのグランドパターンをボンディングワイヤにて接
続するようにしたことを特徴とする。
【0013】
【作用】上記の構成によれば、MMICが発振器の一部
であるマイクロストリップ基板にワイヤボンディングに
より直接実装され、接続が一箇所で済むと共にピン接続
部の半田付けが不要となるので、接続部のインピーダン
スのばらつきがなくなり、高周波特性及びグランド電位
が安定になる。また、MMICの保護キャップが不要と
なるので、小型化、軽量化が実現できる。
であるマイクロストリップ基板にワイヤボンディングに
より直接実装され、接続が一箇所で済むと共にピン接続
部の半田付けが不要となるので、接続部のインピーダン
スのばらつきがなくなり、高周波特性及びグランド電位
が安定になる。また、MMICの保護キャップが不要と
なるので、小型化、軽量化が実現できる。
【0014】更に、MMIC等の集積回路が回路基板の
スルーホール内に収納配置され、従来、接地板上に形成
されていた金メッキ等が不要となるので、MMICと回
路基板との距離が短くなると共に、ボンディングワイヤ
が短くなる。従って、接続部のインダクタンス成分が小
さくなり、安定した動作を実現することができる。
スルーホール内に収納配置され、従来、接地板上に形成
されていた金メッキ等が不要となるので、MMICと回
路基板との距離が短くなると共に、ボンディングワイヤ
が短くなる。従って、接続部のインダクタンス成分が小
さくなり、安定した動作を実現することができる。
【0015】
【実施例】図1には、実施例に係るマイクロ波帯ダウン
コンバータの構成が示されており、図示されるように、
金属製筐体の台板(ヘッダ)26の上面に、マイクロス
トリップ基板27が配置され、四隅には気密同軸型入出
力端子28が設けられている。また、マイクロストリッ
プ基板27には共振器結合用のマイクロストリップ線路
29が形成されると共に、誘電体共振器30が設けら
れ、その他にもチョーク回路等が配設される。そして、
このマイクロストリップ基板27の所定の位置にマイク
ロ波モノリシック集積回路(MMIC)32をワイヤボ
ンディングにて実装しており、このMMIC32はガリ
ウム砒素(GaAs)チップ上に所定の回路を形成した
もので、コプレーナー構造とされる。上記台板26に
は、最終的に金属製キャップ33が抵抗溶接により気密
性を維持する状態となるように取り付けられる。
コンバータの構成が示されており、図示されるように、
金属製筐体の台板(ヘッダ)26の上面に、マイクロス
トリップ基板27が配置され、四隅には気密同軸型入出
力端子28が設けられている。また、マイクロストリッ
プ基板27には共振器結合用のマイクロストリップ線路
29が形成されると共に、誘電体共振器30が設けら
れ、その他にもチョーク回路等が配設される。そして、
このマイクロストリップ基板27の所定の位置にマイク
ロ波モノリシック集積回路(MMIC)32をワイヤボ
ンディングにて実装しており、このMMIC32はガリ
ウム砒素(GaAs)チップ上に所定の回路を形成した
もので、コプレーナー構造とされる。上記台板26に
は、最終的に金属製キャップ33が抵抗溶接により気密
性を維持する状態となるように取り付けられる。
【0016】上記金属製キャップ33の上面には、上記
誘電体共振器30に対向する位置に、円環状のベローズ
部34が形成され、このベローズ部34を外側から内部
へ押込めるようになっている。従って、ベローズ部34
と誘電体共振器30との間隔を変化させることにより、
共振周波数が所望の値に調整可能となっている。
誘電体共振器30に対向する位置に、円環状のベローズ
部34が形成され、このベローズ部34を外側から内部
へ押込めるようになっている。従って、ベローズ部34
と誘電体共振器30との間隔を変化させることにより、
共振周波数が所望の値に調整可能となっている。
【0017】図2には、上記マイクロストリップ基板2
7の平面図が示されており、図示されるように、同軸端
子28AがRF(マイクロ波)入力端子となり、同軸端
子28BがIF(中間周波数)出力端子(又はバイアス
端子)となる。そして、このRF入力端子28Aにはイ
ンピーダンス整合回路35を介してMMIC32が接続
されているが、このMMIC32はマイクロストリップ
基板27上に形成されたグランド(接地)パターン36
にワイヤ(金線)をボンディングすることになる。一
方、IF出力端子28BとMMIC32との間にはコン
デンサ37、マイクロ波を遮断しバイアスを供給するチ
ョーク回路38、コンデンサ39が接続されている。ま
た、マイクロストリップ線路29の同軸端子28側には
終端抵抗40が設けられる。
7の平面図が示されており、図示されるように、同軸端
子28AがRF(マイクロ波)入力端子となり、同軸端
子28BがIF(中間周波数)出力端子(又はバイアス
端子)となる。そして、このRF入力端子28Aにはイ
ンピーダンス整合回路35を介してMMIC32が接続
されているが、このMMIC32はマイクロストリップ
基板27上に形成されたグランド(接地)パターン36
にワイヤ(金線)をボンディングすることになる。一
方、IF出力端子28BとMMIC32との間にはコン
デンサ37、マイクロ波を遮断しバイアスを供給するチ
ョーク回路38、コンデンサ39が接続されている。ま
た、マイクロストリップ線路29の同軸端子28側には
終端抵抗40が設けられる。
【0018】図3には、上記MMIC32内の詳細な回
路及びその周辺回路が示されており、MMIC32内に
は高周波増幅部43、ミキサ44、中間周波増幅部4
5、局部発振器46、電源回路47が設けられている。
従って、上記電源回路47により電源電圧が印加され、
局部発振器46から所定周波数の発振信号が出力された
場合は、上記台板26と金属製キャップ33で構成され
る金属筐体が誘電体共振器30の共振空胴となることに
より、安定した発振状態を得ることができる。この際に
は、RF入力端子28Aから入力された高周波信号は、
局部発振器46から の局部周波数(マイクロ波)信号
が混合されることによって、中間周波数の信号に変換さ
れることになり、例えば12GHz の周波数を11GHzの
局部周波数によって1GHz の周波数に変換するダウンコ
ンバータとして機能する。
路及びその周辺回路が示されており、MMIC32内に
は高周波増幅部43、ミキサ44、中間周波増幅部4
5、局部発振器46、電源回路47が設けられている。
従って、上記電源回路47により電源電圧が印加され、
局部発振器46から所定周波数の発振信号が出力された
場合は、上記台板26と金属製キャップ33で構成され
る金属筐体が誘電体共振器30の共振空胴となることに
より、安定した発振状態を得ることができる。この際に
は、RF入力端子28Aから入力された高周波信号は、
局部発振器46から の局部周波数(マイクロ波)信号
が混合されることによって、中間周波数の信号に変換さ
れることになり、例えば12GHz の周波数を11GHzの
局部周波数によって1GHz の周波数に変換するダウンコ
ンバータとして機能する。
【0019】以上が上記第1の目的に対応する構成であ
り、このようなダウンコンバータは、上述のようにマイ
クロストリップ基板27にMMIC32を実装した後
に、図1の金属製キャップ33を被せて気密状態で封止
することによって、製作されることになり、このダウン
コンバータの全体の外観は、図4に示されるようにな
る。従って、マイクロストリップ基板27の裏側の接続
部に別部材構成のMMICをピン等を介して半田接続す
る従来の取付け構造と比較すると、接続部のインピーダ
ンスのばらつきが著しく改善される。従って、高周波特
性及びグランド電位が安定した装置を得ることが可能と
なり、また部品点数が少なくなり、かつ組立て工数も簡
略化されるという利点がある。
り、このようなダウンコンバータは、上述のようにマイ
クロストリップ基板27にMMIC32を実装した後
に、図1の金属製キャップ33を被せて気密状態で封止
することによって、製作されることになり、このダウン
コンバータの全体の外観は、図4に示されるようにな
る。従って、マイクロストリップ基板27の裏側の接続
部に別部材構成のMMICをピン等を介して半田接続す
る従来の取付け構造と比較すると、接続部のインピーダ
ンスのばらつきが著しく改善される。従って、高周波特
性及びグランド電位が安定した装置を得ることが可能と
なり、また部品点数が少なくなり、かつ組立て工数も簡
略化されるという利点がある。
【0020】上記実施例においては、本発明の第2の目
的に対応した構成も有しており、次にこの構成について
説明する。図5には、MMIC32の取付け部分の詳細
図が示されており、図示のように、マイクロストリップ
基板27には、MMICチップ32が収納できる大きさ
で、導電体メッキが形成されたスルーホール50を形成
しており、このスルーホール50の上面部に接続してグ
ランドパターン36が形成されることになる。従って、
このMMIC32側の所定端子はまず入力側(インピー
ダンス整合回路35)への端子51A、出力側のチョー
ク回路38側への端子51B、コンデンサ37側への端
子51Cにボンディングワイヤ52によって接続され
る。そして、MMIC32のグランドパターン(端子)
53はボンディングワイヤ52にてグランドパターン3
6に接続される。
的に対応した構成も有しており、次にこの構成について
説明する。図5には、MMIC32の取付け部分の詳細
図が示されており、図示のように、マイクロストリップ
基板27には、MMICチップ32が収納できる大きさ
で、導電体メッキが形成されたスルーホール50を形成
しており、このスルーホール50の上面部に接続してグ
ランドパターン36が形成されることになる。従って、
このMMIC32側の所定端子はまず入力側(インピー
ダンス整合回路35)への端子51A、出力側のチョー
ク回路38側への端子51B、コンデンサ37側への端
子51Cにボンディングワイヤ52によって接続され
る。そして、MMIC32のグランドパターン(端子)
53はボンディングワイヤ52にてグランドパターン3
6に接続される。
【0021】図6には、上記図5のVI−VI断面図が示さ
れており、上記MMIC32の端子とマイクロストリッ
プ基板27側の端子51Bとの間、或いはグランドパタ
ーン53とグランドパターン36との接続は、スルーホ
ール50の溝上にボンディングワイヤ52を渡すように
して行われることになる。従って、従来の図8のよう
に、台板(筐体)26へワイヤを接続する必要がなく、
MMIC32とマイクロストリップ基板27との間隔、
即ちボンディングワイヤ52の長さを従来よりも短くか
つ一定にすることができる。なお、上記のように、MM
IC32とグランドパターン36が同一平面状に並ぶの
で、中心導体と接地板とが同一平面状にあるコプレナー
構造となる。
れており、上記MMIC32の端子とマイクロストリッ
プ基板27側の端子51Bとの間、或いはグランドパタ
ーン53とグランドパターン36との接続は、スルーホ
ール50の溝上にボンディングワイヤ52を渡すように
して行われることになる。従って、従来の図8のよう
に、台板(筐体)26へワイヤを接続する必要がなく、
MMIC32とマイクロストリップ基板27との間隔、
即ちボンディングワイヤ52の長さを従来よりも短くか
つ一定にすることができる。なお、上記のように、MM
IC32とグランドパターン36が同一平面状に並ぶの
で、中心導体と接地板とが同一平面状にあるコプレナー
構造となる。
【0022】しかも、上記MMIC32及びマイクロス
トリップ基板27は、台板26上に銀ペースト等によっ
て接着されることになり、その際にはブリーズ24が発
生することになるが、このブリーズ24の接触が問題と
なることがないので、更にMMIC32とマイクロスト
リップ基板27との間隔を短くすることができる。この
ようにして、ボンディングワイヤ52の長さを短く、か
つ一定とすることによって、ボンディングワイヤ52の
インダクタンス成分が小さくなり、特性を安定化させる
ことが可能となる。もちろん、従来のように、台板26
上に金メッキ等を設ける必要がなく、コストの低減を図
ることができる。
トリップ基板27は、台板26上に銀ペースト等によっ
て接着されることになり、その際にはブリーズ24が発
生することになるが、このブリーズ24の接触が問題と
なることがないので、更にMMIC32とマイクロスト
リップ基板27との間隔を短くすることができる。この
ようにして、ボンディングワイヤ52の長さを短く、か
つ一定とすることによって、ボンディングワイヤ52の
インダクタンス成分が小さくなり、特性を安定化させる
ことが可能となる。もちろん、従来のように、台板26
上に金メッキ等を設ける必要がなく、コストの低減を図
ることができる。
【0023】また、広い面積のスルーホール50によっ
て、MMIC32のグランドと台板26のグランドとの
間のインダクタンス成分を小さくすることができ、これ
によっても特性の安定化が図れることになる。
て、MMIC32のグランドと台板26のグランドとの
間のインダクタンス成分を小さくすることができ、これ
によっても特性の安定化が図れることになる。
【0024】上記実施例では、MMIC32をマイクロ
ストリップ基板27に接続する場合について説明した
が、本発明の集積回路チップの実装構造は他の半導体装
置にも適用することができ、スルーホールに半導体チッ
プを収納して同一平面上で接地する構造を採用すること
により、上記と同様の効果を得ることが可能である。
ストリップ基板27に接続する場合について説明した
が、本発明の集積回路チップの実装構造は他の半導体装
置にも適用することができ、スルーホールに半導体チッ
プを収納して同一平面上で接地する構造を採用すること
により、上記と同様の効果を得ることが可能である。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電体共振器、この誘電体共振器と結合するマイクロス
トリップ線路が実装されたマイクロストリップ基板を金
属製キャップにより気密状態で封止すると共に、この封
止体内にマイクロモノリシック集積回路を配設して上記
マイクロストリップ基板の回路パターンにボンディング
ワイヤで接続するので、従来のように半田付けする際の
インピーダンスのばらつきを防止することができ、接続
が一箇所となるので個別検査等も不要となるし、特性を
安定化させることができる。しかも、金属製キャップを
共用することになるので、装置自体をコンパクトに製作
することが可能となり、小型化、軽量化を図ることがで
きる。
誘電体共振器、この誘電体共振器と結合するマイクロス
トリップ線路が実装されたマイクロストリップ基板を金
属製キャップにより気密状態で封止すると共に、この封
止体内にマイクロモノリシック集積回路を配設して上記
マイクロストリップ基板の回路パターンにボンディング
ワイヤで接続するので、従来のように半田付けする際の
インピーダンスのばらつきを防止することができ、接続
が一箇所となるので個別検査等も不要となるし、特性を
安定化させることができる。しかも、金属製キャップを
共用することになるので、装置自体をコンパクトに製作
することが可能となり、小型化、軽量化を図ることがで
きる。
【0026】また、上記マイクロストリップ基板に形成
したスルーホールに集積回路チップを収納すると共に、
このスルーホールにはマイクロストリップ基板上のグラ
ンドパターンと接地板とを接続する導電体を形成し、こ
のマイクロストリップ基板上のグランドパターンと集積
回路チップのグランドパターンをボンディングワイヤで
接続したので、集積回路と回路基板との距離が短く、か
つ一定となる。従って、ボンディングワイヤの長さも短
く、かつ一定とすることができ、ボンディングワイヤの
インダクタンス成分を小さくして、特性の安定化を図る
ことが可能となる。
したスルーホールに集積回路チップを収納すると共に、
このスルーホールにはマイクロストリップ基板上のグラ
ンドパターンと接地板とを接続する導電体を形成し、こ
のマイクロストリップ基板上のグランドパターンと集積
回路チップのグランドパターンをボンディングワイヤで
接続したので、集積回路と回路基板との距離が短く、か
つ一定となる。従って、ボンディングワイヤの長さも短
く、かつ一定とすることができ、ボンディングワイヤの
インダクタンス成分を小さくして、特性の安定化を図る
ことが可能となる。
【0027】更に、ワイヤボンディングが同一平面上で
行えるので、ワイヤボンダー、ダイヤタッチャー等の自
動機で組立てを容易に実行することができるという利点
がある。しかも、従来、接地板上に形成されていた金メ
ッキ層をなくすことができ、コストの低減を図ることが
可能となる。
行えるので、ワイヤボンダー、ダイヤタッチャー等の自
動機で組立てを容易に実行することができるという利点
がある。しかも、従来、接地板上に形成されていた金メ
ッキ層をなくすことができ、コストの低減を図ることが
可能となる。
【図1】本発明の実施例に係るマイクロ波帯ダウンコン
バータの構成を示す斜視図である。
バータの構成を示す斜視図である。
【図2】図1のダウンコンバータを、上側の金属製キャ
ップを外して見た平面図である。
ップを外して見た平面図である。
【図3】実施例装置の回路構成を示す図である。
【図4】実施例のダウンコンバータの全体の外観を示す
図であり、図(a)は正面図、図(b)は側面図、図
(c)は平面図、図(d)は底面図である。
図であり、図(a)は正面図、図(b)は側面図、図
(c)は平面図、図(d)は底面図である。
【図5】マイクロモノリシック集積回路(MMIC)チ
ップのマイクロストリップ基板への取付け状態を示す詳
細図である。
ップのマイクロストリップ基板への取付け状態を示す詳
細図である。
【図6】図5のVI−VI断面図である。
【図7】従来のダウンコンバータの構成を示す図であ
り、図(a)は平面図、図(b)は図(a)の要部断面
図である。
り、図(a)は平面図、図(b)は図(a)の要部断面
図である。
【図8】従来の装置での集積回路チップの実装状態を示
す断面図である。
す断面図である。
1,27 … マイクロストリップ基板、 3,30 … 誘電体共振器、 4,29 … マイクロストリップ線路、 8,11,33 … 金属キャップ、 10,32 … MMIC(マイクロモノリシック集積
回路)、 22,23,52 … ボンディグワイヤ、 24 … ブリーズ、 26 … 台板、 36,53 … グランドパターン、 50 … スルーホール。
回路)、 22,23,52 … ボンディグワイヤ、 24 … ブリーズ、 26 … 台板、 36,53 … グランドパターン、 50 … スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01P 3/08 H01P 3/08 7/10 7/10 (56)参考文献 特開 平3−165102(JP,A) 実開 平3−66215(JP,U) 実開 昭63−121930(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03D 9/06 H01P 3/08 H01P 5/08 H04B 1/08 H04B 1/26
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも誘電体共振器及びこの誘電体
共振器と結合するストリップ線路が実装されたマイクロ
ストリップ基板と、このマイクロストリップ基板を接地
板上に配置して金属製キャップにより気密状態で封止す
る封止体と、この封止体内で上記マイクロストリップ基
板の回路パターンにボンディングワイヤで接続され、ヘ
テロダイン周波数変換をする集積回路チップとを設け、 上記マイクロストリップ基板に形成したスルーホールに
上記集積回路チップを収納すると共に、このスルーホー
ルには当該マイクロストリップ基板上のグランドパター
ンと上記接地板とを接続する導電体を形成し、上記マイ
クロストリップ基板上のグランドパターンと上記集積回
路チップのグランドパターンをボンディングワイヤにて
接続 するようにしたマイクロ波帯ダウンコンバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09215992A JP3231829B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | マイクロ波帯ダウンコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09215992A JP3231829B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | マイクロ波帯ダウンコンバータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267940A JPH05267940A (ja) | 1993-10-15 |
JP3231829B2 true JP3231829B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=14046651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09215992A Expired - Fee Related JP3231829B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | マイクロ波帯ダウンコンバータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3231829B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026655A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 発振装置および送受信装置ならびにその製造方法 |
US6603375B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-08-05 | Tyco Electronics Corp | High Q couplings of dielectric resonators to microstrip line |
US7057480B2 (en) | 2002-09-17 | 2006-06-06 | M/A-Com, Inc. | Cross-coupled dielectric resonator circuit |
US7310031B2 (en) | 2002-09-17 | 2007-12-18 | M/A-Com, Inc. | Dielectric resonators and circuits made therefrom |
US20050200437A1 (en) | 2004-03-12 | 2005-09-15 | M/A-Com, Inc. | Method and mechanism for tuning dielectric resonator circuits |
US7088203B2 (en) | 2004-04-27 | 2006-08-08 | M/A-Com, Inc. | Slotted dielectric resonators and circuits with slotted dielectric resonators |
US7388457B2 (en) | 2005-01-20 | 2008-06-17 | M/A-Com, Inc. | Dielectric resonator with variable diameter through hole and filter with such dielectric resonators |
US7583164B2 (en) | 2005-09-27 | 2009-09-01 | Kristi Dhimiter Pance | Dielectric resonators with axial gaps and circuits with such dielectric resonators |
US7352264B2 (en) | 2005-10-24 | 2008-04-01 | M/A-Com, Inc. | Electronically tunable dielectric resonator circuits |
US7705694B2 (en) | 2006-01-12 | 2010-04-27 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Rotatable elliptical dielectric resonators and circuits with such dielectric resonators |
US7719391B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-05-18 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Dielectric resonator circuits |
US7456712B1 (en) | 2007-05-02 | 2008-11-25 | Cobham Defense Electronics Corporation | Cross coupling tuning apparatus for dielectric resonator circuit |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP09215992A patent/JP3231829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05267940A (ja) | 1993-10-15 |
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---|---|---|---|
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