JPH02156702A - マイクロ波デバイス用パッケージ - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波デバイス用パッケージにかかわり、
特に、マイクロ波ＩＣ等に好適な構造を有するパッケー
ジに関する。
特に、マイクロ波ＩＣ等に好適な構造を有するパッケー
ジに関する。
分布定数回路や集中定数回路等からなるマイクロ波ＩＣ
のパッケージには、セラミック基板上にマイクロ波ＩＣ
を搭載し、金属製カバーによって封止されたものが一般
に使用される。基板上に形成されたマイクロストリップ
ラインに接続されるマイクロ波デバイス用パッケージと
しては、従来特開昭６３−２４０６号公報に記載された
第５図において示される構造が知られている。ここで、
同図を引用して第８図に示す、第８図において、１はマ
イクロ波ＩＣを搭載したマイクロ波回路基板であり、こ
れは箱形の金属基台４Ｂの底板部材の上面に固着され、
カバー９によって封止されている。
のパッケージには、セラミック基板上にマイクロ波ＩＣ
を搭載し、金属製カバーによって封止されたものが一般
に使用される。基板上に形成されたマイクロストリップ
ラインに接続されるマイクロ波デバイス用パッケージと
しては、従来特開昭６３−２４０６号公報に記載された
第５図において示される構造が知られている。ここで、
同図を引用して第８図に示す、第８図において、１はマ
イクロ波ＩＣを搭載したマイクロ波回路基板であり、こ
れは箱形の金属基台４Ｂの底板部材の上面に固着され、
カバー９によって封止されている。
金属基台４Ｂの側壁には、回路基板ＩＡと平行に配され
た同軸水平端子８が設けられている。この同軸水平端子
８は、外周面を金属膜で二破覆したガラス８人の中心を
導体ピンが貫通して構成されており、該導体ピンの端子
先端が接続ａ（例えば金リボン）７を介してマイクロ波
回路基板１のマイクロ波線路に接続されている。
た同軸水平端子８が設けられている。この同軸水平端子
８は、外周面を金属膜で二破覆したガラス８人の中心を
導体ピンが貫通して構成されており、該導体ピンの端子
先端が接続ａ（例えば金リボン）７を介してマイクロ波
回路基板１のマイクロ波線路に接続されている。
第９図に、別の従来例を示す、第９図において、２はセ
ラミック等の誘電体基板からなるキャリアテアリ、マイ
クロ波ＩＣ５はこのキャリア２上に形成されたアース導
体３の上面に固着され、これらはカバー９によって封止
されている。キャリア２の側面からは、金属リード端子
６（６Ａ、６Ｂ等）が設けられている。金属リード端子
６は、キャリア２上に形成されたアース導体３と線路１
０（ＩＯＡ、ＩＯＢ等）に接続されている。そして、マ
イクロ波ＩＣ５とアース導体３および線路１０とは、接
続線（例えば金ワイヤ）により接続されている。
ラミック等の誘電体基板からなるキャリアテアリ、マイ
クロ波ＩＣ５はこのキャリア２上に形成されたアース導
体３の上面に固着され、これらはカバー９によって封止
されている。キャリア２の側面からは、金属リード端子
６（６Ａ、６Ｂ等）が設けられている。金属リード端子
６は、キャリア２上に形成されたアース導体３と線路１
０（ＩＯＡ、ＩＯＢ等）に接続されている。そして、マ
イクロ波ＩＣ５とアース導体３および線路１０とは、接
続線（例えば金ワイヤ）により接続されている。
上記従来技術は、両者とも端子をあまり多く必要としな
い小形のマイクロ波ＩＣに適用されるが、以下述べるよ
うな問題点がある。
い小形のマイクロ波ＩＣに適用されるが、以下述べるよ
うな問題点がある。
すなわち、前者は、所定のインピーダンスを有する同軸
水平端子８を具備しており、また外部の基板に形成され
たマイクロストリップ線路とも同一平面内で接続できる
ので、伝送路が電磁波的に不連続となることがなく、広
帯域な接続ができる。
水平端子８を具備しており、また外部の基板に形成され
たマイクロストリップ線路とも同一平面内で接続できる
ので、伝送路が電磁波的に不連続となることがなく、広
帯域な接続ができる。
しかしながら、同軸水平端子８は１組み立てにおいて構
造が複雑であり、また同パッケージを実装するに際して
も基板および基板を支えるシャーシに金属基台４Ｂを落
とし込む構造が必要であり、民生機器の量産において、
組み立てや金属基台４Ｂのアース接続が困難であるとい
う問題があった。
造が複雑であり、また同パッケージを実装するに際して
も基板および基板を支えるシャーシに金属基台４Ｂを落
とし込む構造が必要であり、民生機器の量産において、
組み立てや金属基台４Ｂのアース接続が困難であるとい
う問題があった。
また、後者は、キャリア２上」こアース導体３や線路１
０を形成しただけの構造であるため、組み立ては容易で
あり、また基板への実装に際しても、各金属リード端子
を基板上の所望の線路へ接続することで、簡単に行うこ
とができる。しかしながら、線路１０に関して、伝送線
路としてのインピーダンスについては配慮がされておら
ず、線路１０の長さが長くなるとインダクタンス成分が
大きくなり、電磁波的に不連続となり、挿入損失が大き
くなるという問題があった。
０を形成しただけの構造であるため、組み立ては容易で
あり、また基板への実装に際しても、各金属リード端子
を基板上の所望の線路へ接続することで、簡単に行うこ
とができる。しかしながら、線路１０に関して、伝送線
路としてのインピーダンスについては配慮がされておら
ず、線路１０の長さが長くなるとインダクタンス成分が
大きくなり、電磁波的に不連続となり、挿入損失が大き
くなるという問題があった。
本発明の目的は、上記問題点を解決し、構造が簡単で、
挿入損失の小さいマイクロ波デバイス用パッケージを提
供することにある。
挿入損失の小さいマイクロ波デバイス用パッケージを提
供することにある。
上記目的は、第９図に示す構造のマイクロ波デバイス用
パッケージにおいて、マイクロ波信号の伝送用等のイン
ピーダンス整合を必要とする線路を、キャリア上面にア
ース導体、キャリア裏面にストリップ線路をそれぞれ形
成したマイクロストリップ線路の構成とし、このマイク
ロストリップ線路とマイクロ波ＩＣとの接続はスルーホ
ールを介して行うとともに、電源、ベースバンド信号、
中間周波数信号等用の線路のインダクタンスの影響を受
は難い端子については従来の線路１０を用いることによ
り、達成される。
パッケージにおいて、マイクロ波信号の伝送用等のイン
ピーダンス整合を必要とする線路を、キャリア上面にア
ース導体、キャリア裏面にストリップ線路をそれぞれ形
成したマイクロストリップ線路の構成とし、このマイク
ロストリップ線路とマイクロ波ＩＣとの接続はスルーホ
ールを介して行うとともに、電源、ベースバンド信号、
中間周波数信号等用の線路のインダクタンスの影響を受
は難い端子については従来の線路１０を用いることによ
り、達成される。
上記構成により、マイクロ波信号のパッケージ内への伝
送はマイクロストリップ線路を介して行われるため、同
漏子のインピーダンスを所定の値に設計することが可能
になり、外部回路との不整合が生じないようにできるの
で、挿入損失を小さくできる。また、マイクロ波信号線
とその他の線路とがキャリアの裏表に分離されるため、
互いの干渉を小さくすることができる。
送はマイクロストリップ線路を介して行われるため、同
漏子のインピーダンスを所定の値に設計することが可能
になり、外部回路との不整合が生じないようにできるの
で、挿入損失を小さくできる。また、マイクロ波信号線
とその他の線路とがキャリアの裏表に分離されるため、
互いの干渉を小さくすることができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説、明する。
なお、全図を通して同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の一実施例の構成を示したもので、同図
（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はそのＡ −Ａ’断面図で
ある。第１図において、１１ （１１Ａ 、 １１ Ｂ
）はスルーホール、１２ （１２Ａ ’）はストリッ
プ導体、１３は接続＃ｉ！（例えば金ワイヤ）である、
キャリア２の上面には、線路１０およびスルーホール１
１の部分を除いてアース導体３が形成されており、キャ
リア２はカバー９により封止されている。ストリップ導
体１２は、アース導体３に対向して形成され、マイクロ
ストリップ線路として動作する。ストリップ導体１２と
マイクロ波ＩＣ５とは、スルーホール１１および接続線
１３により接続されている。インピーダンスの整合を必
要とするマイクロ波信号用の入・出力端子には、ストリ
ップ導体１２に接続された金属リード端子６Ａと６Ｂと
を用い、その他の電源、ベースバンド信号、中間周波数
信号等の入・出力端子には、金属リード端子６Ｂ、６Ｄ
、６Ｆ。
（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はそのＡ −Ａ’断面図で
ある。第１図において、１１ （１１Ａ 、 １１ Ｂ
）はスルーホール、１２ （１２Ａ ’）はストリッ
プ導体、１３は接続＃ｉ！（例えば金ワイヤ）である、
キャリア２の上面には、線路１０およびスルーホール１
１の部分を除いてアース導体３が形成されており、キャ
リア２はカバー９により封止されている。ストリップ導
体１２は、アース導体３に対向して形成され、マイクロ
ストリップ線路として動作する。ストリップ導体１２と
マイクロ波ＩＣ５とは、スルーホール１１および接続線
１３により接続されている。インピーダンスの整合を必
要とするマイクロ波信号用の入・出力端子には、ストリ
ップ導体１２に接続された金属リード端子６Ａと６Ｂと
を用い、その他の電源、ベースバンド信号、中間周波数
信号等の入・出力端子には、金属リード端子６Ｂ、６Ｄ
、６Ｆ。
６Ｇを用いる。金属リード端子６Ｃはアース端子である
。また、ス） ＩＪツブ導体１２と他の線路１０Ｂ１１
０Ｄ、ＩＯＦ、ＩＯＧとはキャリア２の裏表に分離され
ており、各端子の配置を適切に選ぶことにより、これら
の間にアース導体３が入ることから、相互の干渉を小さ
くすることができる。
。また、ス） ＩＪツブ導体１２と他の線路１０Ｂ１１
０Ｄ、ＩＯＦ、ＩＯＧとはキャリア２の裏表に分離され
ており、各端子の配置を適切に選ぶことにより、これら
の間にアース導体３が入ることから、相互の干渉を小さ
くすることができる。
第２図は本発明の他の実施例の構成を示した斜視図であ
る。第２図において、９は導電性のカバーであり、１４
（１４Ｂ等）は絶縁体である。この導電性のカバー９を
キャリア２の上面に固着し、カバー９と線路１０の間は
絶縁体１４で封止する。このように導電性のカバー９を
用いることにより、マイクロ波ＩＣ５は外部に対して電
磁波的に遮蔽され、雑音電波の影響を受けにくくなる。
る。第２図において、９は導電性のカバーであり、１４
（１４Ｂ等）は絶縁体である。この導電性のカバー９を
キャリア２の上面に固着し、カバー９と線路１０の間は
絶縁体１４で封止する。このように導電性のカバー９を
用いることにより、マイクロ波ＩＣ５は外部に対して電
磁波的に遮蔽され、雑音電波の影響を受けにくくなる。
なお、第２図は外部回路との接続端子がキャリア２の端
面に形成された′電極１５ （１５Ｂ等）である例を示
したものである。
面に形成された′電極１５ （１５Ｂ等）である例を示
したものである。
第３図ないし第６図は本発明によるパッケージを４重々
のマイクロ波ＩＣに適用した実施例を示したもので１図
は裏面から見た各端子の配置、各マイクロ波ＩＣの機能
ブロックおよび入力・出力１子の接続を示している。
のマイクロ波ＩＣに適用した実施例を示したもので１図
は裏面から見た各端子の配置、各マイクロ波ＩＣの機能
ブロックおよび入力・出力１子の接続を示している。
第３図は増幅器であるマイクロ波ＩＣの例であり％１６
は増幅器の機舵ブロックを示す、金属リード端子６Ａは
信号入力端子、金属リード端子６Ｅは信号入力端子、金
属リード端子６Ｃはアース端子であり、残りの金属リー
ド端子は電源用の端子である。
は増幅器の機舵ブロックを示す、金属リード端子６Ａは
信号入力端子、金属リード端子６Ｅは信号入力端子、金
属リード端子６Ｃはアース端子であり、残りの金属リー
ド端子は電源用の端子である。
第４図は周波数変換器であるマイクロ波ＩＣの例であり
、１７は周波数変換器の機能ブロックを示す。金属リー
ド端子６Ａは第１の周波数入力端子、金属リード端子６
Ｅは第２の周波数入力端子、金属リード端子６Ｆは第３
の周波数出力端子であり、金属リード端子６Ｃはアース
端子である。残りの金属リード端子は、周波数変換器が
ＦＥＴ等の能動素子で構成される場合は電源用の端子で
あるが、ダイオードで構成され、バイアス印加が不要な
場合は無接続端子となる。本構成は、第１および第２の
周波数がマイクロ波帯であり、ダウンコンバートにより
周波数変換出力が低い中間周波数となる場合であり％接
続インピーダンスの不整合が大きな問題となる第１およ
び第２の周波数に対してマイクロストリップ線路を割り
当てている。なお、第３の周波数出力端子は、金属リー
ド端子６Ｆに限る必要はなく、他の６Ｂ、６Ｄ、６Ｇの
いずれでもよいことは明らかである。
、１７は周波数変換器の機能ブロックを示す。金属リー
ド端子６Ａは第１の周波数入力端子、金属リード端子６
Ｅは第２の周波数入力端子、金属リード端子６Ｆは第３
の周波数出力端子であり、金属リード端子６Ｃはアース
端子である。残りの金属リード端子は、周波数変換器が
ＦＥＴ等の能動素子で構成される場合は電源用の端子で
あるが、ダイオードで構成され、バイアス印加が不要な
場合は無接続端子となる。本構成は、第１および第２の
周波数がマイクロ波帯であり、ダウンコンバートにより
周波数変換出力が低い中間周波数となる場合であり％接
続インピーダンスの不整合が大きな問題となる第１およ
び第２の周波数に対してマイクロストリップ線路を割り
当てている。なお、第３の周波数出力端子は、金属リー
ド端子６Ｆに限る必要はなく、他の６Ｂ、６Ｄ、６Ｇの
いずれでもよいことは明らかである。
第５図は周波数変換器であるマイクロ波ＩＣの他の例で
ある０本例では、第１および第２の周波数入力信号と第
３の周波数出力信号の端子は、金属リード端子６人、６
Ｅ、６Ｈのいずれかにそれぞれ割り当てられる０本構成
は、第１および第２の周波数がマイクロ波帯であり、ア
ップコンバートにより周波数変換出力もマイクロ波帯と
なる場合であり、第１、第２および第３の周波数とも接
続インピーダンスの不整合が問題となるため、それぞれ
にマイクロストリップ線路を割り当てている。また、金
属リード端子６Ｃはアース端子であり、残りの金属リー
ド端子は、第４図の場合と同様、電源用の端子あるいは
無接続端子である。
ある０本例では、第１および第２の周波数入力信号と第
３の周波数出力信号の端子は、金属リード端子６人、６
Ｅ、６Ｈのいずれかにそれぞれ割り当てられる０本構成
は、第１および第２の周波数がマイクロ波帯であり、ア
ップコンバートにより周波数変換出力もマイクロ波帯と
なる場合であり、第１、第２および第３の周波数とも接
続インピーダンスの不整合が問題となるため、それぞれ
にマイクロストリップ線路を割り当てている。また、金
属リード端子６Ｃはアース端子であり、残りの金属リー
ド端子は、第４図の場合と同様、電源用の端子あるいは
無接続端子である。
第６図は増幅器と周波数変換器とを組み合わせたモノシ
リツクあるいはマルチチップのマイクロ波ＩＣの例であ
り、１６はマイクロ波帯の増幅器、１７は周波数変換器
、１８は低い中間周波数帯の増幅器それぞれの機能ブロ
ックを示す０例えば衛星放送用のコンバータを例に考え
ると、金属リード端子６人は１２ ＧＨｚ帯の信号入力
端子、同６Ｂは１０〜１１ ＧＨｚ帯の局部発撮入力端
子、同６Ｆは１ＧＨｚ帯の中間周波数出力端子、同６Ｃ
はアース端子であり、その他の金属リード端子は電源用
の端子である。なお、イメージ帯域除去フィルタが必要
な場合は、マイクロ波帯の増幅器１６の前あるいは後に
配置される。
リツクあるいはマルチチップのマイクロ波ＩＣの例であ
り、１６はマイクロ波帯の増幅器、１７は周波数変換器
、１８は低い中間周波数帯の増幅器それぞれの機能ブロ
ックを示す０例えば衛星放送用のコンバータを例に考え
ると、金属リード端子６人は１２ ＧＨｚ帯の信号入力
端子、同６Ｂは１０〜１１ ＧＨｚ帯の局部発撮入力端
子、同６Ｆは１ＧＨｚ帯の中間周波数出力端子、同６Ｃ
はアース端子であり、その他の金属リード端子は電源用
の端子である。なお、イメージ帯域除去フィルタが必要
な場合は、マイクロ波帯の増幅器１６の前あるいは後に
配置される。
第７図は本発明のまた別の実施例の構成を示したもので
、同図（ａ）は裏面図、同図（ｂ）はそのＢ −Ｂ’断
面図である。第７図（ｂ）において、１９は基板の誘電
体、２０は基板のストリップ導体、２１は基板裏面のア
ース導体である。基板の誘電体１９がキャリア２と同じ
セラミックからなり、かつ基板の厚みもキャリア２とほ
ぼ同等とすると、マイクロ波デバイス用パッケージのＦ
の部分（図中Ｃで示す）では、マイクロ波デバイス用パ
ッケージのストリップ導体１２は、キャリア２上のアー
ス導体３と基板裏面のアース導体２１で挟まれるため、
マイクロストリップ線路とならずトリプレート線路とな
り、このトリプレート線路部分の容量が増加することに
なる。そこで、接続の不整合を小さくするため、本実施
例では、第７図（ａ）に示すように、前記Ｃの部分のス
トリップ導体１２Ａ、１２Ｂの幅を狭くしている。
、同図（ａ）は裏面図、同図（ｂ）はそのＢ −Ｂ’断
面図である。第７図（ｂ）において、１９は基板の誘電
体、２０は基板のストリップ導体、２１は基板裏面のア
ース導体である。基板の誘電体１９がキャリア２と同じ
セラミックからなり、かつ基板の厚みもキャリア２とほ
ぼ同等とすると、マイクロ波デバイス用パッケージのＦ
の部分（図中Ｃで示す）では、マイクロ波デバイス用パ
ッケージのストリップ導体１２は、キャリア２上のアー
ス導体３と基板裏面のアース導体２１で挟まれるため、
マイクロストリップ線路とならずトリプレート線路とな
り、このトリプレート線路部分の容量が増加することに
なる。そこで、接続の不整合を小さくするため、本実施
例では、第７図（ａ）に示すように、前記Ｃの部分のス
トリップ導体１２Ａ、１２Ｂの幅を狭くしている。
以上に本発明の種々の実施例を説明したが、本発明は上
記実施例に限られるものではなく、例えばキャリアの縦
横比、金属リード端子の位置や本数、マイクロストリッ
プ線路の位置や本数など種々の変形が可能であるが、こ
れらも本発明に含まれるものである。
記実施例に限られるものではなく、例えばキャリアの縦
横比、金属リード端子の位置や本数、マイクロストリッ
プ線路の位置や本数など種々の変形が可能であるが、こ
れらも本発明に含まれるものである。
本発明によれば、マイクロ波信号の入・出力に対して所
定のインピーダンスを有する端子を設けることが可能と
なるので、簡単な構成で、不整合が生じず挿入損失を小
さくでき、広帯域な特性が得られ、また、マイクロ波端
子と他の端子とに起因する干渉を小さくすることができ
る。
定のインピーダンスを有する端子を設けることが可能と
なるので、簡単な構成で、不整合が生じず挿入損失を小
さくでき、広帯域な特性が得られ、また、マイクロ波端
子と他の端子とに起因する干渉を小さくすることができ
る。
第１図（ａｔは本発明の一実施例の構成を示す斜視図、
同図（ｂ）はその人−に断面図、第２図は本発明の他の
実施例の構成を示す斜視図、第３図ないし第６図は本発
明によるパッケージを種々のマイクロｌｍＩＣに適用し
た実施例を示す図、第７図（ａ）は本発明のまた別の実
施例の構成を示す裏面図、同図（ｂ）はそのＢ −Ｂ’
断面図、第８図は従来例を示す断面図、第９図は別の従
来例を示す斜視図である。 符号の説明 ２・・・キャリア ５・・・マイクロ波ＩＣ ９・・・カバー １１・・・スルーホール ３・・・アース導体 ６・・・金属リード端子 １０・・・線路 １２・・・ストリップ導体 粥１図 粥２図 、５ （ｂ） 粥５図 韮″７図 Ｃｂ） ？１ 萎ネ反裏面のアース 算倦 閉５図 〒ａ図
同図（ｂ）はその人−に断面図、第２図は本発明の他の
実施例の構成を示す斜視図、第３図ないし第６図は本発
明によるパッケージを種々のマイクロｌｍＩＣに適用し
た実施例を示す図、第７図（ａ）は本発明のまた別の実
施例の構成を示す裏面図、同図（ｂ）はそのＢ −Ｂ’
断面図、第８図は従来例を示す断面図、第９図は別の従
来例を示す斜視図である。 符号の説明 ２・・・キャリア ５・・・マイクロ波ＩＣ ９・・・カバー １１・・・スルーホール ３・・・アース導体 ６・・・金属リード端子 １０・・・線路 １２・・・ストリップ導体 粥１図 粥２図 、５ （ｂ） 粥５図 韮″７図 Ｃｂ） ？１ 萎ネ反裏面のアース 算倦 閉５図 〒ａ図
Claims (10)
- １．誘電体質のキャリアとこのキャリアを覆うカバーと
を有し、該キャリアと該カバーとで形成されるハウジン
グ内のキャリア表面にマイクロ波デバイスが収められ、
該キャリアの端面にマイクロ波デバイスに接続された電
極あるいは金属リード端子が設けられてなるマイクロ波
デバイス用パッケージであって、キャリア表面に設けら
れる接地導体面と対向するキャリア裏面にマイクロスト
リップ線路を形成し、該マイクロストリップ線路と前記
マイクロ波デバイスとをスルーホールを介して接続した
ことを特徴とするマイクロ波デバイス用パッケージ。 - ２．請求項１記載のマイクロ波デバイス用パッケージに
おいて、キャリア裏面に形成されるマイクロストリップ
線路が、キャリア端面に設けられた電極または金属リー
ド端子と接続されたことを特徴とするマイクロ波デバイ
ス用パッケージ。 - ３．請求項１または２記載のマイクロ波デバイス用パッ
ケージにおいて、キャリア裏面に形成されるマイクロス
トリップ線路の少なくとも一部分の幅を、マイクロ波デ
バイス用パッケージが実装される基板のマイクロストリ
ップ線路の幅より狭くしたことを特徴とするマイクロ波
デバイス用パッケージ。 - ４．請求項１ないし３のいずれか１項に記載のマイクロ
波デバイス用パッケージにおいて、カバーの少なくとも
一部分を導電性材料で形成するとともに、該部分を接地
したことを特徴とするマイクロ波デバイス用パッケージ
。 - ５．請求項１ないし４のいずれか１項に記載のマイクロ
波デバイス用パッケージにおいて、マイクロ波デバイス
が増幅器であるマイクロ波ＩＣデバイスであり、キャリ
ア裏面に少なくとも２本のマイクロストリップ線路を形
成し、前記増幅器であるマイクロ波ＩＣデバイスの信号
入・出力端子をそれぞれスルーホールを介して対応する
前記マイクロストリップ線路と接続したことを特徴とす
るマイクロ波デバイス用パッケージ。 - ６．請求項１ないし４のいずれか１項に記載のマイクロ
波デバイス用パッケージにおいて、マイクロ波デバイス
が、第１の周波数の信号と第２の周波数の信号とを入力
し、第３の周波数の信号を出力する周波数変換器である
マイクロ波ＩＣデバイスであり、キャリア裏面に少なく
とも２本のマイクロストリップ線路を形成し、前記周波
数変換器であるマイクロ波ＩＣデバイスの第１および第
２の周波数の信号入力端子をそれぞれスルーホールを介
して対応する前記マイクロストリップ線路と接続したこ
とを特徴とするマイクロ波デバイス用パッケージ。 - ７．請求項１ないし４のいずれか１項に記載のマイクロ
波デバイス用パッケージにおいて、マイクロ波デバイス
が、第１の周波数の信号と第２の周波数の信号とを入力
し、第３の周波数の信号を出力する周波数変換器である
マイクロ波ＩＣデバイスであり、キャリア裏面に少なく
とも３本のマイクロストリップ線路を形成し、前記周波
数変換器であるマイクロ波ＩＣデバイスの第１および第
２の周波数の信号入力端子と、第３の周波数の信号出力
端子とをそれぞれスルーホールを介して対応する前記マ
イクロストリップ線路と接続したことを特徴とするマイ
クロ波デバイス用パッケージ。 - ８．請求項６または７記載のマイクロ波デバイス用パッ
ケージにおいて、周波数変換器であるマイクロ波ＩＣデ
バイスは、第１の周波数がＲＦ、第２の周波数が局部発
振周波数であり、かつ第１の周波数の信号の増幅回路と
第３の周波数の信号の増幅回路の少なくとも一方を具備
したものであることを特徴とするマイクロ波デバイス用
パッケージ。 - ９．請求項５記載のマイクロ波デバイス用パッケージに
搭載する増幅器であるマイクロ波ＩＣデバイス。 - １０．請求項６ないし８のいずれか１項に記載のマイク
ロ波デバイス用パッケージに搭載する周波数変換器であ
るマイクロ波ＩＣデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309962A JPH02156702A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | マイクロ波デバイス用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309962A JPH02156702A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | マイクロ波デバイス用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156702A true JPH02156702A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=17999457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309962A Pending JPH02156702A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | マイクロ波デバイス用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156702A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270673A (en) * | 1992-07-24 | 1993-12-14 | Hewlett-Packard Company | Surface mount microcircuit hybrid |
| US5294897A (en) * | 1992-07-20 | 1994-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave IC package |
| JPH06204276A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-07-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路実装システム |
| US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
| US5557144A (en) * | 1993-01-29 | 1996-09-17 | Anadigics, Inc. | Plastic packages for microwave frequency applications |
| EP0747997A2 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-11 | HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS | Microstrip flexible printed wiring board interconnect line |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63309962A patent/JPH02156702A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
| US5294897A (en) * | 1992-07-20 | 1994-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave IC package |
| US5270673A (en) * | 1992-07-24 | 1993-12-14 | Hewlett-Packard Company | Surface mount microcircuit hybrid |
| JPH06204276A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-07-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路実装システム |
| US5557144A (en) * | 1993-01-29 | 1996-09-17 | Anadigics, Inc. | Plastic packages for microwave frequency applications |
| EP0747997A2 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-11 | HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS | Microstrip flexible printed wiring board interconnect line |
| EP0747997A3 (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-09 | Hughes Aircraft Co | Flexible printed microstrip circuit board as an electrical connection line |
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