JPH0685501A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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- JPH0685501A JPH0685501A JP4236978A JP23697892A JPH0685501A JP H0685501 A JPH0685501 A JP H0685501A JP 4236978 A JP4236978 A JP 4236978A JP 23697892 A JP23697892 A JP 23697892A JP H0685501 A JPH0685501 A JP H0685501A
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- Japan
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- conductor
- input
- microstrip line
- dielectric substrate
- output microstrip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイスを導体シャーシに収納する際に、そ
の収納される空間の寸法に起因した共振の防止、及び各
デバイス間の空間のアイソレーションの確保が十分で、
かつ各デバイス間の接続部が小型・簡略化され、更に高
調波等の不要波が抑圧されたマイクロ波回路を得る。 【構成】 導体隔壁２を隔てて導体シャーシ１内に収納
された２つのデバイスの接続する際、接続部が使用する
周波数帯を通過帯域とするような低域通過フィルタとな
るよう導体リボン１０で接続した。
の収納される空間の寸法に起因した共振の防止、及び各
デバイス間の空間のアイソレーションの確保が十分で、
かつ各デバイス間の接続部が小型・簡略化され、更に高
調波等の不要波が抑圧されたマイクロ波回路を得る。 【構成】 導体隔壁２を隔てて導体シャーシ１内に収納
された２つのデバイスの接続する際、接続部が使用する
周波数帯を通過帯域とするような低域通過フィルタとな
るよう導体リボン１０で接続した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーダや通信機など
に用いられるマイクロ波回路に関するものである。
に用いられるマイクロ波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８（ａ）は従来のマイクロ波回路を示
す平面透視図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＸ８視図、図
８（ｃ）は図８（ａ）のＹ８−Ｚ８断面図である。図に
おいて１は導体シャーシ、２は導体隔壁、３はスリッ
ト、４は導体カバー、５は第一のキャリア、６は第一の
誘電体基板、７は第二のキャリア、８は第二の誘電体基
板、１７は第三のキャリア、１８は第三の誘電体基板、
９は第一の誘電体基板及び第二の誘電体基板の入出力マ
イクロストリップ線路、１９は第三の誘電体基板のマイ
クロストリップ伝送線路、１０は導体リボンである。
す平面透視図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＸ８視図、図
８（ｃ）は図８（ａ）のＹ８−Ｚ８断面図である。図に
おいて１は導体シャーシ、２は導体隔壁、３はスリッ
ト、４は導体カバー、５は第一のキャリア、６は第一の
誘電体基板、７は第二のキャリア、８は第二の誘電体基
板、１７は第三のキャリア、１８は第三の誘電体基板、
９は第一の誘電体基板及び第二の誘電体基板の入出力マ
イクロストリップ線路、１９は第三の誘電体基板のマイ
クロストリップ伝送線路、１０は導体リボンである。
【０００３】従来のマイクロ波回路では、第一のキャリ
ア５と第一の誘電体基板６で構成される第一のデバイ
ス、第二のキャリア７と第二の誘電体基板８で構成され
る第二のデバイスを導体シャーシ１に収納する際に導体
シャーシ１と導体カバー４による空間の寸法に起因する
共振の防止、及び各デバイス間の空間的なアイソレーシ
ョンの確保が必要な場合には、各デバイスを収納する空
間を出来るだけ小さくし、かつデバイス間の接続に必要
な隙間を出来るだけ小さくするために、導体シャーシ１
内に導体隔壁２及びスリット３を設け、第三のキャリア
１７と第三の誘電体基板１８からなる接続用マイクロス
トリップ線路をスリット３に通し、特性インピーダンス
の等しい第一の誘電体基板６の入出力マイクロストリッ
プ線路９と第二の誘電体基板８の入出力マイクロストリ
ップ線路９と第三の誘電体基板１８のマイクロストリッ
プ伝送線路１９を導体リボン１０により接続していた。
ア５と第一の誘電体基板６で構成される第一のデバイ
ス、第二のキャリア７と第二の誘電体基板８で構成され
る第二のデバイスを導体シャーシ１に収納する際に導体
シャーシ１と導体カバー４による空間の寸法に起因する
共振の防止、及び各デバイス間の空間的なアイソレーシ
ョンの確保が必要な場合には、各デバイスを収納する空
間を出来るだけ小さくし、かつデバイス間の接続に必要
な隙間を出来るだけ小さくするために、導体シャーシ１
内に導体隔壁２及びスリット３を設け、第三のキャリア
１７と第三の誘電体基板１８からなる接続用マイクロス
トリップ線路をスリット３に通し、特性インピーダンス
の等しい第一の誘電体基板６の入出力マイクロストリッ
プ線路９と第二の誘電体基板８の入出力マイクロストリ
ップ線路９と第三の誘電体基板１８のマイクロストリッ
プ伝送線路１９を導体リボン１０により接続していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８のようなマイクロ
波回路においては、各デバイス間の接続に誘電体基板と
キャリアからなる接続用マイクロストリップ線路が必要
で、導体リボンによる接続箇所も多くなり、部品点数が
多くなる、寸法が大きくなる、コストが高くなり、また
信号に重畳された高調波などの不要波も伝わってしまう
という課題があった。
波回路においては、各デバイス間の接続に誘電体基板と
キャリアからなる接続用マイクロストリップ線路が必要
で、導体リボンによる接続箇所も多くなり、部品点数が
多くなる、寸法が大きくなる、コストが高くなり、また
信号に重畳された高調波などの不要波も伝わってしまう
という課題があった。
【０００５】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたものであり、マイクロ波回路におけるデバ
イス間の接続部を小型・簡略化し、更に信号に重畳され
た高調波などの不要波を抑圧することを目的とする。
めになされたものであり、マイクロ波回路におけるデバ
イス間の接続部を小型・簡略化し、更に信号に重畳され
た高調波などの不要波を抑圧することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波回路は、シャーシ内隔壁のスリットを介し２つのデバ
イスをそのデバイスの入出力マイクロストリップ線路の
線路幅より広い導体リボンにより接続し、接続部におい
て入出力マイクロストリップ線路と導体リボンが重複す
る部分においては入出力マイクロストリップ線路と並列
なキャパシタンスとなり、スリットを通過する部分にお
いてはマイクロストリップラインモードで信号が伝搬
し、かつ入出力マイクロストリップ線路と直列なインダ
クタンスとして働くようにし低域通過フィルタを構成す
ることにより、接続するデバイスの入出力線路とのイン
ピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略化すると
共に、低域通過フィルタの通過帯域外の高調波等の不要
波を抑圧したものである。
波回路は、シャーシ内隔壁のスリットを介し２つのデバ
イスをそのデバイスの入出力マイクロストリップ線路の
線路幅より広い導体リボンにより接続し、接続部におい
て入出力マイクロストリップ線路と導体リボンが重複す
る部分においては入出力マイクロストリップ線路と並列
なキャパシタンスとなり、スリットを通過する部分にお
いてはマイクロストリップラインモードで信号が伝搬
し、かつ入出力マイクロストリップ線路と直列なインダ
クタンスとして働くようにし低域通過フィルタを構成す
ることにより、接続するデバイスの入出力線路とのイン
ピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略化すると
共に、低域通過フィルタの通過帯域外の高調波等の不要
波を抑圧したものである。
【０００７】また、この発明は導体リボンとスリットの
下面の間に誘電体シートを挿入することにより、接続す
るデバイスの入出力マイクロストリップ線路とのインピ
ーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略化し、更に
接続部の再現性を良くし、スリット部で導体リボンが短
絡しないよう改善したものである。
下面の間に誘電体シートを挿入することにより、接続す
るデバイスの入出力マイクロストリップ線路とのインピ
ーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略化し、更に
接続部の再現性を良くし、スリット部で導体リボンが短
絡しないよう改善したものである。
【０００８】さらにこの発明は導体リボンとスリットの
下面の間に誘電体ポッティング剤を充填することによ
り、接続するデバイスの入出力マイクロストリップ線路
とのインピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略
化し、更に誘電体ポッティング剤で導体リボンを固定す
ることにより、接続部の信頼性をいっそう高めたもので
ある。
下面の間に誘電体ポッティング剤を充填することによ
り、接続するデバイスの入出力マイクロストリップ線路
とのインピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略
化し、更に誘電体ポッティング剤で導体リボンを固定す
ることにより、接続部の信頼性をいっそう高めたもので
ある。
【０００９】また、この発明はスリットを矩形の穴とす
ることにより、導体リボンが矩形の穴を通過する部分に
おいてはトリプレートモードで信号が伝搬し、かつ入出
力マイクロストリップ線路と直列なインダクタンスとし
て働くようにすることにより、接続するデバイスの入出
力マイクロストリップ線路とのインピーダンス整合を保
ちつつ接続部を小型・簡略化し、更に接続するデバイス
間の空間のアイソレーションをいっそう大きくしたもの
である。
ることにより、導体リボンが矩形の穴を通過する部分に
おいてはトリプレートモードで信号が伝搬し、かつ入出
力マイクロストリップ線路と直列なインダクタンスとし
て働くようにすることにより、接続するデバイスの入出
力マイクロストリップ線路とのインピーダンス整合を保
ちつつ接続部を小型・簡略化し、更に接続するデバイス
間の空間のアイソレーションをいっそう大きくしたもの
である。
【００１０】また、この発明は、矩形の穴を通る導体リ
ボンの上下に誘電体シートを挿入することにより、接続
するデバイスの入出力マイクロストリップ線路とのイン
ピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略化し、加
えて接続するデバイス間の空間のアイソレーションをい
っそう大きくし、更には接続部の再現性を良くし、矩形
の穴部で導体リボンが短絡しないように改善したもので
ある。
ボンの上下に誘電体シートを挿入することにより、接続
するデバイスの入出力マイクロストリップ線路とのイン
ピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡略化し、加
えて接続するデバイス間の空間のアイソレーションをい
っそう大きくし、更には接続部の再現性を良くし、矩形
の穴部で導体リボンが短絡しないように改善したもので
ある。
【００１１】さらに、この発明は、矩形の穴を通る導体
リボンの上下に誘電体ポッティング剤を充填することに
より、接続するデバイスの入出力マイクロストリップ線
路とのインピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡
略化し、加えて接続するデバイス間の空間のアイソレー
ションをいっそう大きくし、更には誘電体ポッティング
剤で導体リボンを固定することにより、接続部の信頼性
をいっそう高めたものである。
リボンの上下に誘電体ポッティング剤を充填することに
より、接続するデバイスの入出力マイクロストリップ線
路とのインピーダンス整合を保ちつつ接続部を小型・簡
略化し、加えて接続するデバイス間の空間のアイソレー
ションをいっそう大きくし、更には誘電体ポッティング
剤で導体リボンを固定することにより、接続部の信頼性
をいっそう高めたものである。
【００１２】
【作用】この発明におけるマイクロ波回路は、シャーシ
内の隔壁を隔てて収納されている２つのデバイスの入出
力マイクロストリップ線路の接続を入出力マイクロスト
リップ線路の幅より広い導体リボンにより行い、接続部
を使用する周波数が通過帯域となるような低域通過フィ
ルタとすることにより、接続するデバイスの入出力マイ
クロストリップ線路とのインピーダンス整合を保ちつつ
接続部を小型・簡略化できる。
内の隔壁を隔てて収納されている２つのデバイスの入出
力マイクロストリップ線路の接続を入出力マイクロスト
リップ線路の幅より広い導体リボンにより行い、接続部
を使用する周波数が通過帯域となるような低域通過フィ
ルタとすることにより、接続するデバイスの入出力マイ
クロストリップ線路とのインピーダンス整合を保ちつつ
接続部を小型・簡略化できる。
【００１３】
【実施例】実施例１．図１（ａ）はこの発明の一実施例
を示す平面透視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ１視
図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＹ１−Ｚ１断面図であ
る。図において１は導体シャーシ、２は導体隔壁、３は
スリット、４は導体カバー、５は第一のキャリア、６は
第一の誘電体基板、７は第二のキャリア、８は第二の誘
電体基板、９は入出力マイクロストリップ線路、１０は
導体リボンである。
を示す平面透視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ１視
図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＹ１−Ｚ１断面図であ
る。図において１は導体シャーシ、２は導体隔壁、３は
スリット、４は導体カバー、５は第一のキャリア、６は
第一の誘電体基板、７は第二のキャリア、８は第二の誘
電体基板、９は入出力マイクロストリップ線路、１０は
導体リボンである。
【００１４】この発明におけるマイクロ波回路は、導体
シャーシ１内の導体隔壁２を隔てて第一のキャリア５と
第一の誘電体基板６からなる第一のデバイスと第二のキ
ャリア７と第二の誘電体基板８からなる第二のデバイス
を有し、第一の誘電体基板６の入出力マイクロストリッ
プ線路９と第二の誘電体基板８の入出力マイクロストリ
ップ線路９を導体隔壁２に設けられたスリット３を介し
て導体リボン１０で接続している。
シャーシ１内の導体隔壁２を隔てて第一のキャリア５と
第一の誘電体基板６からなる第一のデバイスと第二のキ
ャリア７と第二の誘電体基板８からなる第二のデバイス
を有し、第一の誘電体基板６の入出力マイクロストリッ
プ線路９と第二の誘電体基板８の入出力マイクロストリ
ップ線路９を導体隔壁２に設けられたスリット３を介し
て導体リボン１０で接続している。
【００１５】ここで、導体リボン１０は入出力マイクロ
ストリップ線路９の線路幅より広くなっており、導体リ
ボン１０と入出力マイクロストリップ線路９が重複する
部分においては、入出力マイクロストリップ線路９より
幅の広いマイクロストリップ線路となり、入出力マイク
ロストリップ線路９と並列なキャパシタンスＣとなる。
ストリップ線路９の線路幅より広くなっており、導体リ
ボン１０と入出力マイクロストリップ線路９が重複する
部分においては、入出力マイクロストリップ線路９より
幅の広いマイクロストリップ線路となり、入出力マイク
ロストリップ線路９と並列なキャパシタンスＣとなる。
【００１６】また、導体リボン１０がスリット３を通過
する部分においては、入出力マイクロストリップ線路９
よりインピーダンスの高いマイクロストリップ線路とな
り、入出力マイクロストリップ線路９と直列なインダク
タンスＬとなる。
する部分においては、入出力マイクロストリップ線路９
よりインピーダンスの高いマイクロストリップ線路とな
り、入出力マイクロストリップ線路９と直列なインダク
タンスＬとなる。
【００１７】従って、この発明におけるマイクロ波回路
においては、導体シャーシ１内の導体隔壁２を隔てて収
納された２つのデバイスの接続部の等価回路は図７のよ
うになり低域通過フィルタとなるので、使用する周波数
帯がこの低域通過フィルタの通過帯域となるようにＬ、
Ｃの値を設定することにより、接続するデバイスの入出
力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整合を
保ちつつ接続部を小型・簡略化でき、更には低域通過フ
ィルタの通過帯域外の高調波等の不要波を抑圧できる。
においては、導体シャーシ１内の導体隔壁２を隔てて収
納された２つのデバイスの接続部の等価回路は図７のよ
うになり低域通過フィルタとなるので、使用する周波数
帯がこの低域通過フィルタの通過帯域となるようにＬ、
Ｃの値を設定することにより、接続するデバイスの入出
力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整合を
保ちつつ接続部を小型・簡略化でき、更には低域通過フ
ィルタの通過帯域外の高調波等の不要波を抑圧できる。
【００１８】実施例２．図２（ａ）は上記実施例１にお
いてスリット３の下面と導体リボン１０の間に誘電体シ
ート１１を挿入した場合の実施例を示す平面透視図、図
２（ｂ）は図２（ａ）のＸ２視図、図２（ｃ）は図２
（ａ）のＹ２−Ｚ２断面図である。
いてスリット３の下面と導体リボン１０の間に誘電体シ
ート１１を挿入した場合の実施例を示す平面透視図、図
２（ｂ）は図２（ａ）のＸ２視図、図２（ｃ）は図２
（ａ）のＹ２−Ｚ２断面図である。
【００１９】この場合にも、上記実施例１と同様に２つ
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化できる。
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化できる。
【００２０】更に、誘電体シート１１により導体リボン
１０とスリット３の下面との距離が常に一定に保たれる
ため接続部の特性の再現性が良くなり、また導体リボン
１０がスリット３の下面に接触し短絡する危険性もなく
なる。
１０とスリット３の下面との距離が常に一定に保たれる
ため接続部の特性の再現性が良くなり、また導体リボン
１０がスリット３の下面に接触し短絡する危険性もなく
なる。
【００２１】実施例３．図３（ａ）は上記実施例１にお
いてスリット３の下面と導体リボン１０の間に誘電体ポ
ッティング剤１２を充填した場合の実施例を示す平面透
視図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ３視図、図３（ｃ）
は図３（ａ）のＹ３−Ｚ３断面図である。
いてスリット３の下面と導体リボン１０の間に誘電体ポ
ッティング剤１２を充填した場合の実施例を示す平面透
視図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ３視図、図３（ｃ）
は図３（ａ）のＹ３−Ｚ３断面図である。
【００２２】この場合にも、上記実施例１と同様に２つ
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化できる。
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化できる。
【００２３】更に、誘電体ポッティング剤１２により導
体リボン１０が固定されるので、接続部の耐環境性が良
くなり、信頼性が向上する。
体リボン１０が固定されるので、接続部の耐環境性が良
くなり、信頼性が向上する。
【００２４】実施例４．図４（ａ）は上記実施例１にお
いてスリット３を矩形の穴１３とした場合の実施例を示
す平面透視図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ４視図、図
４（ｃ）は図４（ａ）のＹ４−Ｚ４断面図である。
いてスリット３を矩形の穴１３とした場合の実施例を示
す平面透視図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ４視図、図
４（ｃ）は図４（ａ）のＹ４−Ｚ４断面図である。
【００２５】この場合は、導体リボン１０が矩形の穴１
３を通る部分はトリプレート線路となるが、入出力マイ
クロストリップ線路９より高いインピーダンスとなり入
出力マイクロストリップ線路９と直列のインダクタンス
Ｌとなる。
３を通る部分はトリプレート線路となるが、入出力マイ
クロストリップ線路９より高いインピーダンスとなり入
出力マイクロストリップ線路９と直列のインダクタンス
Ｌとなる。
【００２６】従って、２つのデバイスの入出力マイクロ
ストリップ線路９を導体リボン１０で接続した接続部の
等価回路は図７のようになり、低域通過フィルタとなる
ので、上記実施例１と同様に接続するデバイスの入出力
マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整合を保
ちつつ接続部を小型・簡略化できる。
ストリップ線路９を導体リボン１０で接続した接続部の
等価回路は図７のようになり、低域通過フィルタとなる
ので、上記実施例１と同様に接続するデバイスの入出力
マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整合を保
ちつつ接続部を小型・簡略化できる。
【００２７】更に、スリット３を矩形の穴１３としたこ
とにより、導体隔壁２にできる窓が小さくなるので、デ
バイス間の空間のアイソレーションをより大きくするこ
とができる。
とにより、導体隔壁２にできる窓が小さくなるので、デ
バイス間の空間のアイソレーションをより大きくするこ
とができる。
【００２８】実施例５．図５（ａ）は上記実施例４にお
いて導体リボン１０が矩形の穴１３を通過する部分で導
体リボン１０の上下に誘電体シート１１を挿入した場合
の実施例を示す平面透視図、図５（ｂ）は図５（ａ）の
Ｘ５視図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＹ５−Ｚ５断面図
である。
いて導体リボン１０が矩形の穴１３を通過する部分で導
体リボン１０の上下に誘電体シート１１を挿入した場合
の実施例を示す平面透視図、図５（ｂ）は図５（ａ）の
Ｘ５視図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＹ５−Ｚ５断面図
である。
【００２９】この場合にも、上記実施例４と同様に２つ
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化でき、かつ、デバイ
ス間の空間のアイソレーションをより大きくすることが
できる。
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化でき、かつ、デバイ
ス間の空間のアイソレーションをより大きくすることが
できる。
【００３０】更に、誘電体シート１１により導体リボン
１０との矩形の穴１３の上面及び下面との距離が常に一
定に保たれるため接続部の特性の再現性が良くなり、ま
た導体リボン１０が矩形の穴１３で接触し短絡する危険
性もなくなる。
１０との矩形の穴１３の上面及び下面との距離が常に一
定に保たれるため接続部の特性の再現性が良くなり、ま
た導体リボン１０が矩形の穴１３で接触し短絡する危険
性もなくなる。
【００３１】実施例６．図６（ａ）は上記実施例４にお
いて導体リボン１０が矩形の穴１３を通過する部分で導
体リボン１０の上下に誘電体ポッティング剤１２を充填
した場合の実施例を示す平面透視図、図６（ｂ）は図６
（ａ）のＸ６視図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＹ６−Ｚ
６断面図である。
いて導体リボン１０が矩形の穴１３を通過する部分で導
体リボン１０の上下に誘電体ポッティング剤１２を充填
した場合の実施例を示す平面透視図、図６（ｂ）は図６
（ａ）のＸ６視図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＹ６−Ｚ
６断面図である。
【００３２】この場合にも、上記実施例４と同様に２つ
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化でき、かつ、デバイ
ス間の空間のアイソレーションをより大きくすることが
できる。
のデバイスの入出力マイクロストリップ線路９を導体リ
ボン１０で接続した接続部の等価回路は図７のようにな
り、低域通過フィルタとなるので、接続するデバイスの
入出力マイクロストリップ線路９とのインピーダンス整
合を保ちつつ接続部を小型・簡略化でき、かつ、デバイ
ス間の空間のアイソレーションをより大きくすることが
できる。
【００３３】更に、誘電体ポッティング剤１２により導
体リボン１０が固定されるので、接続部の耐環境性が良
くなり、信頼性が向上する。
体リボン１０が固定されるので、接続部の耐環境性が良
くなり、信頼性が向上する。
【００３４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によるマイクロ波
回路は、導体隔壁を隔てて導体シャーシの中に収納され
ている２つのデバイスを導体リボンで接続し、その接続
部を使用する周波数帯を通過帯域とする低域通過フィル
タとすることにより、導体隔壁を隔てた２つのデバイス
の接続部を小型・簡略化するとともに、低域通過フィル
タの通過帯域外の高調波等の不要波を抑圧することがで
きる。
回路は、導体隔壁を隔てて導体シャーシの中に収納され
ている２つのデバイスを導体リボンで接続し、その接続
部を使用する周波数帯を通過帯域とする低域通過フィル
タとすることにより、導体隔壁を隔てた２つのデバイス
の接続部を小型・簡略化するとともに、低域通過フィル
タの通過帯域外の高調波等の不要波を抑圧することがで
きる。
【図１】この発明によるマイクロ波回路の実施例１を示
す図である。
す図である。
【図２】この発明によるマイクロ波回路の実施例２を示
す図である。
す図である。
【図３】この発明によるマイクロ波回路の実施例３を示
す図である。
す図である。
【図４】この発明によるマイクロ波回路の実施例４を示
す図である。
す図である。
【図５】この発明によるマイクロ波回路の実施例５を示
す図である。
す図である。
【図６】この発明によるマイクロ波回路の実施例６を示
す図である。
す図である。
【図７】この発明によるマイクロ波回路におけるデバイ
ス接続部の等価回路を示す図である。
ス接続部の等価回路を示す図である。
【図８】従来のマイクロ波回路を示す図である。
１ 導体シャーシ ２ 導体隔壁 ３ スリット ４ 導体カバー ５ 第一のキャリア ６ 第一の誘電体基板 ７ 第二のキャリア ８ 第二の誘電体基板 ９ 入出力マイクロストリップ線路 １０ 導体リボン １１ 誘電体シート １２ 誘電体ポッティング剤 １３ 矩形の穴 １４ 入出力マイクロストリップ線路の特性インピーダ
ンス １５ キャパシタンス １６ インダクタンス １７ 第三のキャリア １８ 第三の誘電体基板 １９ マイクロストリップ伝送線路
ンス １５ キャパシタンス １６ インダクタンス １７ 第三のキャリア １８ 第三の誘電体基板 １９ マイクロストリップ伝送線路
Claims (6)
- 【請求項１】 導体シャーシと、上記導体シャーシを仕
切るための導体隔壁と、上記導体隔壁に設けられたスリ
ットと、導体カバーと、第一のデバイスを構成し上記導
体シャーシ内に収められた第一のキャリア及び第一の誘
電体基板と、第二のデバイスを構成し上記第一のデバイ
スと上記隔壁を隔てて上記導体シャーシ内に収められた
第二のキャリア及び第二の誘電体基板と、上記第一の誘
電体基板の入出力マイクロストリップ線路と上記第二の
誘電体基板の入出力マイクロストリップ線路を上記スリ
ットを介して接続し上記第一の誘電体基板の入出力マイ
クロストリップ線路及び上記第二の誘電体基板の入出力
マイクロストリップ線路の線路幅より幅の広い導体リボ
ンとを具備し、上記導体リボンが上記第一の誘電体基板
の入出力マイクロストリップ線路及び上記第二の誘電体
基板の入出力マイクロストリップ線路と重複する部分に
おいては上記入出力マイクロストリップ線路と並列なキ
ャパシタンスとして作用し、上記導体リボンが上記スリ
ットを通過する部分においてはマイクロストリップライ
ンモードで信号が伝搬し、かつ上記入出力マイクロスト
リップ線路と直列なインダクタンスとして作用すること
により、上記導体リボンによる接続部が低域通過フィル
タを形成することを特徴とするマイクロ波回路。 - 【請求項２】 上記導体リボンと上記スリットの下面の
間に挿入された誘電体シートを設けたことを特徴とする
請求項第１項記載のマイクロ波回路。 - 【請求項３】 上記導体リボンと上記スリットの下面の
間に充填された誘電体ポッティング剤を設けたことを特
徴とする請求項第１項記載のマイクロ波回路。 - 【請求項４】 導体シャーシと、上記導体シャーシを仕
切るための導体隔壁と、上記導体隔壁に設けられた矩形
の穴と、導体カバーと、第一のデバイスを構成し上記導
体シャーシ内に収められた第一のキャリア及び第一の誘
電体基板と、第二のデバイスを構成し上記第一のデバイ
スと上記隔壁を隔てて上記導体シャーシ内に収められた
第二のキャリア及び第二の誘電体基板と、上記第一の誘
電体基板の入出力マイクロストリップ線路と上記第二の
誘電体基板の入出力マイクロストリップ線路を上記矩形
の穴を介して接続し上記第一の誘電体基板の入出力マイ
クロストリップ線路及び上記第二の誘電体基板の入出力
マイクロストリップ線路の線路幅より幅の広い導体リボ
ンとを具備し、上記導体リボンが上記第一の誘電体基板
の入出力マイクロストリップ線路及び上記第二の誘電体
基板の入出力マイクロストリップ線路と重複する部分に
おいては上記入出力マイクロストリップ線路と並列なキ
ャパシタンスとして作用し、上記導体リボンが上記矩形
の穴を通過する部分においてはトリプレートモードで信
号が伝搬し、かつ上記入出力マイクロストリップ線路と
直列なインダクタンスとして作用することにより、上記
導体リボンによる接続部が低域通過フィルタを形成する
ことを特徴とするマイクロ波回路。 - 【請求項５】 上記矩形の穴において、上記導体リボン
の上下に挿入された誘電体シートを設けたことを特徴と
する請求項第４項記載のマイクロ波回路。 - 【請求項６】 上記矩形の穴において、上記導体リボン
の上下に充填された誘電体ポッティング剤を設けたこと
を特徴とする請求項第４項記載のマイクロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4236978A JPH0685501A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4236978A JPH0685501A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685501A true JPH0685501A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17008584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4236978A Pending JPH0685501A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685501A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032703A1 (fr) * | 2001-10-03 | 2003-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif haute frequence |
| JP2008227720A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Anritsu Corp | 伝送線路接続構造 |
| JP2012089935A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Nec Engineering Ltd | 高周波モジュール接続構造 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP4236978A patent/JPH0685501A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032703A1 (fr) * | 2001-10-03 | 2003-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif haute frequence |
| JP2003115687A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波装置 |
| US7046982B2 (en) | 2001-10-03 | 2006-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency device having a frame with segmented compartments for prevented unwanted signal propagation |
| JP2008227720A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Anritsu Corp | 伝送線路接続構造 |
| JP2012089935A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Nec Engineering Ltd | 高周波モジュール接続構造 |
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