JPH03173201A - ハイブリッドフィルタ - Google Patents
ハイブリッドフィルタInfo
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- JPH03173201A JPH03173201A JP31237089A JP31237089A JPH03173201A JP H03173201 A JPH03173201 A JP H03173201A JP 31237089 A JP31237089 A JP 31237089A JP 31237089 A JP31237089 A JP 31237089A JP H03173201 A JPH03173201 A JP H03173201A
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- Japan
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- dielectric
- filter
- semi
- coaxial resonator
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Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マイクロ波帯に使用される集中定数素子、ス
トリップライン共振器及び半同軸共振器により構成され
るハイブリッドフィルタに関するものである。
トリップライン共振器及び半同軸共振器により構成され
るハイブリッドフィルタに関するものである。
(従来の技術)
近年、電気通信サービスの発展に伴って、その−環であ
る移動体通信の普及は目ざましいものがある。特に現在
、自動車電話を主体としたセルラ移動体通信は大きな成
長が見込まれている。
る移動体通信の普及は目ざましいものがある。特に現在
、自動車電話を主体としたセルラ移動体通信は大きな成
長が見込まれている。
二のような従来の移動体通信の、特に端末装置にあって
は、その使月条件から言って、常に高性能化、小形化、
低コスト化が望まれている0周知のように、従来の移動
体通信にあっては、マイクロ波帯が用いられており、例
えば現在(1989年)米国におけるセルラ移動体通信
は800MHz帯で運用されている。
は、その使月条件から言って、常に高性能化、小形化、
低コスト化が望まれている0周知のように、従来の移動
体通信にあっては、マイクロ波帯が用いられており、例
えば現在(1989年)米国におけるセルラ移動体通信
は800MHz帯で運用されている。
本発明は、前述のような帯域で使用されるLCフィルタ
を提供するものであるが、移動体通信装置にあっては、
このフィルタがそのハードウェア技術を左右すると言っ
ても過言ではない。
を提供するものであるが、移動体通信装置にあっては、
このフィルタがそのハードウェア技術を左右すると言っ
ても過言ではない。
先ず、この種の移動体通信装置に用いられるフィルタの
従来技術として、最も多く使われてきたものを例に挙げ
て説明する。
従来技術として、最も多く使われてきたものを例に挙げ
て説明する。
第3図は従来の第1の例として最も代表的な誘電体フィ
ルタの外観図である。(文献例:沖電気研究開発、第1
41号Vo1.56 Na 1 、1989年1月1日
発行、沖電気工業■、沖時報編集委員会「マイクロ波帯
有極形成電体フィルタJ P、87〜92)この図は導
体結合形誘電体フィルタと呼ばれるもので、4素子誘電
体フィルタの例である。
ルタの外観図である。(文献例:沖電気研究開発、第1
41号Vo1.56 Na 1 、1989年1月1日
発行、沖電気工業■、沖時報編集委員会「マイクロ波帯
有極形成電体フィルタJ P、87〜92)この図は導
体結合形誘電体フィルタと呼ばれるもので、4素子誘電
体フィルタの例である。
図に示すように、長方体の誘電体基板りに等間隔で4個
の円筒状の孔を穿ち、その内壁をメタライズ(金属被膜
を被着)しており、この4個のコア部分は終端短絡の1
/4波長半同軸共振器を構成している。また、M1〜M
16もメタライズされた導体であり、そのうちMi、
M5.Mqは結合電橋となっている。このような誘電体
フィルタは高性能で、しかも小形化できるので、従来で
は最も多く用いられてきた。
の円筒状の孔を穿ち、その内壁をメタライズ(金属被膜
を被着)しており、この4個のコア部分は終端短絡の1
/4波長半同軸共振器を構成している。また、M1〜M
16もメタライズされた導体であり、そのうちMi、
M5.Mqは結合電橋となっている。このような誘電体
フィルタは高性能で、しかも小形化できるので、従来で
は最も多く用いられてきた。
第4図は従来の第2の例として最も代表的な誘電体フィ
ルタの構成図であり、第4図(a)はその表面、第4図
(b)はその裏面を示している。
ルタの構成図であり、第4図(a)はその表面、第4図
(b)はその裏面を示している。
これらの図に示すように、誘電体基板りの両面にコンデ
ンサ電極01〜C4を形成し、キャパシタを構成すると
共に、同W+Fj、Dの両面に渦巻形状のコイル導体L
1m〜Lsbを固着させてプリントコイル(インダク
タ)を構成したものである。勿論、それらの間の接続は
スルーホール(図中の○印の箇所)やメタライズした導
体で行い、LCフィルタとしての回路を構成している。
ンサ電極01〜C4を形成し、キャパシタを構成すると
共に、同W+Fj、Dの両面に渦巻形状のコイル導体L
1m〜Lsbを固着させてプリントコイル(インダク
タ)を構成したものである。勿論、それらの間の接続は
スルーホール(図中の○印の箇所)やメタライズした導
体で行い、LCフィルタとしての回路を構成している。
この例の特徴は、一方の面のプリントコイルI−+m〜
Loと、もう−方の面の対向するプリントコイルL 1
m〜L3にとはそれぞれ大きさを異にしていることであ
る。そして、Llaとl−1b+ Llaとり。、L
3.とり。はその中心部にあるスルーホールで電気的に
接続されている。プリントコイルの大きさを変えるのは
、コイル間の浮遊容量を減少させるためであり、これに
より、周波数特性の改善が図れる。従って、前述のよう
に誘電体基板上にメタライズするのみで、LC形フィル
タを実現でき、製造が容易で小形化が図れる。
Loと、もう−方の面の対向するプリントコイルL 1
m〜L3にとはそれぞれ大きさを異にしていることであ
る。そして、Llaとl−1b+ Llaとり。、L
3.とり。はその中心部にあるスルーホールで電気的に
接続されている。プリントコイルの大きさを変えるのは
、コイル間の浮遊容量を減少させるためであり、これに
より、周波数特性の改善が図れる。従って、前述のよう
に誘電体基板上にメタライズするのみで、LC形フィル
タを実現でき、製造が容易で小形化が図れる。
なお、このような先行技術として、特開昭62−265
808号を挙げることができる。
808号を挙げることができる。
次に、第3の例としてLC形フィルタの構成について説
明する。
明する。
第5図はかかるLC形フィルタの構成図であり、第5図
(a)はその上面、第5図(b)はその前面、第5図(
c)はその底面を示している。第6図は第51E]の一
共振回路部の斜視図、第7図はそのLC形フィルタの等
価回路図である。
(a)はその上面、第5図(b)はその前面、第5図(
c)はその底面を示している。第6図は第51E]の一
共振回路部の斜視図、第7図はそのLC形フィルタの等
価回路図である。
図中、1は誘電体基板、2.2′はメタライズされてい
ない部分、3.3′はメタライズされている部分、4.
4′はスルーホール状の端子、55′は方形状のコンデ
ンサ(キャパシタ)電ト)、6.7はコンデンサ記号状
のコンデンサ(キャパシタ)電極、8.8′は配線、9
は誘電体片、lOは誘電体片9上にメタライズされたス
トリップ線状導体、c、、c、、、t、、、c、はキャ
パシタ(結合容量)、L+ CI、Lx Ct、L3
C3は共振回路部、IN、IN’は入力端子、01JT
。
ない部分、3.3′はメタライズされている部分、4.
4′はスルーホール状の端子、55′は方形状のコンデ
ンサ(キャパシタ)電ト)、6.7はコンデンサ記号状
のコンデンサ(キャパシタ)電極、8.8′は配線、9
は誘電体片、lOは誘電体片9上にメタライズされたス
トリップ線状導体、c、、c、、、t、、、c、はキャ
パシタ(結合容量)、L+ CI、Lx Ct、L3
C3は共振回路部、IN、IN’は入力端子、01JT
。
OUT’は出力端子である。そして、第6図に示すよう
に、上記誘電体片9の裏面及び側面は全てメタライズさ
れている。
に、上記誘電体片9の裏面及び側面は全てメタライズさ
れている。
なお、このLC形フィルタは、本願の出M人により、特
願平1−35129号として既に出顎されている。
願平1−35129号として既に出顎されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、以上述べたフィルタは、以下に述べるよ
うな問題点をもっている。
うな問題点をもっている。
まず、第3図に示した第1の例において、この誘電体フ
ィルタは高性能特性が得られ、しかも小形であるが、そ
の形状は立方形であり、かつそれに孔を穿ち、その内壁
にメタライズするのであるから製造は簡単ではない。ま
た、一般にこのようなフィルタを微調整する場合、メタ
ライズされた導体を削ったり、誘電体を削ったりするの
であるが、これもその形状から考えるとかなりの熟練を
要する。更に、近年では誘電体通信の普及に伴って、−
層の小形化、高性能化が要求され、この種のフィルタで
は対応できなくなってきているのが現状である。
ィルタは高性能特性が得られ、しかも小形であるが、そ
の形状は立方形であり、かつそれに孔を穿ち、その内壁
にメタライズするのであるから製造は簡単ではない。ま
た、一般にこのようなフィルタを微調整する場合、メタ
ライズされた導体を削ったり、誘電体を削ったりするの
であるが、これもその形状から考えるとかなりの熟練を
要する。更に、近年では誘電体通信の普及に伴って、−
層の小形化、高性能化が要求され、この種のフィルタで
は対応できなくなってきているのが現状である。
第4図に示した第2の例では、フィルタはプリント)i
i仮の製造方法と同様の方法で作れるのでその製造は容
易であるが、どのようにしても前述したコイル導体間の
27遊容量を皆無にすることはできない、つまり、寄生
インピーダンスはあくまで存在するので、このフィルタ
のインダクタのQu(無負荷Q : unloade
d Q、 Q :Qualityfactor)は最
高でも100程度までしかとれない。この種のフィルタ
においては、前述のインピーダンスが存在することによ
って、適用周波数の上限が500MHzとなり、これ以
上の周波数で用いると寄生インピーダンスが指数関数的
に増加し、フィルタの性能が劣化し、所望の特性が得ら
れない。
i仮の製造方法と同様の方法で作れるのでその製造は容
易であるが、どのようにしても前述したコイル導体間の
27遊容量を皆無にすることはできない、つまり、寄生
インピーダンスはあくまで存在するので、このフィルタ
のインダクタのQu(無負荷Q : unloade
d Q、 Q :Qualityfactor)は最
高でも100程度までしかとれない。この種のフィルタ
においては、前述のインピーダンスが存在することによ
って、適用周波数の上限が500MHzとなり、これ以
上の周波数で用いると寄生インピーダンスが指数関数的
に増加し、フィルタの性能が劣化し、所望の特性が得ら
れない。
第5図に示した第3の例は、ストリップ線路による共振
器のみで構成されたストリップラインフィルタであり、
製造が容易で、低コストであるが、Quが低く、高性能
な特性を得るには難があった。
器のみで構成されたストリップラインフィルタであり、
製造が容易で、低コストであるが、Quが低く、高性能
な特性を得るには難があった。
本発明は、上記問題点を除去し、フィルタの微調整が容
易であり、浮遊容量が低減され、しかもQuが高く、高
性能なハイブリッドフィルタを提供することを目的とす
る。
易であり、浮遊容量が低減され、しかもQuが高く、高
性能なハイブリッドフィルタを提供することを目的とす
る。
(課題を解決するための手段)
本発明は、前記目的を達成するために、LCフィルタに
おいて、誘電体基板(11)上に、結合容量又は結合イ
ンダクタ、入出力端子、配線等から成る集中定数回路部
を金属被膜の被着により形成すると共に、分布定数回路
部であるLC並列形共振回路或いはその一部を、前記誘
電体基板(11)より比誘電率の高い誘電体片にストリ
ップ線状導体(16,18)を被着したストリップ線路
及び誘電体で充填された半同軸共振器(14)で形成し
、該ストリップ線路及び半同軸共振器(14)を前記誘
電体基板(11)上に固着し、前記集中定数回路部と金
属被膜の被着により接続するようにしたものである。
おいて、誘電体基板(11)上に、結合容量又は結合イ
ンダクタ、入出力端子、配線等から成る集中定数回路部
を金属被膜の被着により形成すると共に、分布定数回路
部であるLC並列形共振回路或いはその一部を、前記誘
電体基板(11)より比誘電率の高い誘電体片にストリ
ップ線状導体(16,18)を被着したストリップ線路
及び誘電体で充填された半同軸共振器(14)で形成し
、該ストリップ線路及び半同軸共振器(14)を前記誘
電体基板(11)上に固着し、前記集中定数回路部と金
属被膜の被着により接続するようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、上記のように、LCフィルタにおいて
、LC並列形共振回路をストリップ線路又は誘電体で充
填された半同軸共振器(14)で形成し、LCフィルタ
の他の回路、即ち結合容量(結合インダクタの場合もあ
る)、配線、入出力端子等と共に誘電体基Fi(11)
上に一体的に形成する。
、LC並列形共振回路をストリップ線路又は誘電体で充
填された半同軸共振器(14)で形成し、LCフィルタ
の他の回路、即ち結合容量(結合インダクタの場合もあ
る)、配線、入出力端子等と共に誘電体基Fi(11)
上に一体的に形成する。
更に、LC並列形共振回路として用いられるストリップ
線路及び誘電体で充填された半同軸共振器(I4)を高
圧誘電率材料を用いて小形化し、結合容量(結合インダ
クタの場合もある)を別基板とすることにより、フィル
タの設計値の精度を向上させることができる。
線路及び誘電体で充填された半同軸共振器(I4)を高
圧誘電率材料を用いて小形化し、結合容量(結合インダ
クタの場合もある)を別基板とすることにより、フィル
タの設計値の精度を向上させることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示すハイブリッドフィルタの
斜視図、第2図は本発明の実施例を示すハイブリッドフ
ィルタの集中定数等価回路図である。
斜視図、第2図は本発明の実施例を示すハイブリッドフ
ィルタの集中定数等価回路図である。
これらの図に示すように、本発明のハイブリッドフィル
タは、誘電体基板11、メタライズされていない部分1
2、メタライズされている部分(前記部分12以外はメ
タライズされる)13、半同軸共振器14、誘電体片1
5.17、その誘電体片15.17上にメタライズされ
たストリップ線状導体16.18、コンデンサ(キャパ
シタ)電極19.20、配線21、キャパシタ(結合容
量) Co 、 C12,C13、共振回路部L+
C+ 、Lx C2,I3 Ci、入力端子IN、出力
端子OUTにより構成されている。
タは、誘電体基板11、メタライズされていない部分1
2、メタライズされている部分(前記部分12以外はメ
タライズされる)13、半同軸共振器14、誘電体片1
5.17、その誘電体片15.17上にメタライズされ
たストリップ線状導体16.18、コンデンサ(キャパ
シタ)電極19.20、配線21、キャパシタ(結合容
量) Co 、 C12,C13、共振回路部L+
C+ 、Lx C2,I3 Ci、入力端子IN、出力
端子OUTにより構成されている。
ここで、誘電体基板11としては、比誘電率の比較的低
いガラスエポキシ基板、例えば比誘電率ε。
いガラスエポキシ基板、例えば比誘電率ε。
ζ4.5を用いている。また、共振回路部り、 CLz
Ct 、L3 Csは、小形化、高性能化の見地から
比誘電率の比較的高い誘電体材料(例えば、εr−75
)を用いている。
Ct 、L3 Csは、小形化、高性能化の見地から
比誘電率の比較的高い誘電体材料(例えば、εr−75
)を用いている。
そして、誘電体基板11は、メタライズされていない部
分12を除いて全面(裏面及び側面を含む)がメタライ
ズされている。また、半同軸共振器14はその中心には
孔14aが設けられ、その前面14bを除いて全面(裏
面、背面及び側面を含む)がメタライズされている。
分12を除いて全面(裏面及び側面を含む)がメタライ
ズされている。また、半同軸共振器14はその中心には
孔14aが設けられ、その前面14bを除いて全面(裏
面、背面及び側面を含む)がメタライズされている。
このように、本発明の場合は、誘電体で充填された半同
軸共振器14とストリップ線路による共振器15.17
とを巧みに組み合わせ、それらの両方の利点を引出すよ
うにしたので、Quを高くし、フィルタの高性能化を図
ることができる。つまり、従来では、誘電体で充填され
た半同軸共振器14のみで構成された誘電体フィルタ、
或いはストリップ線路による共振器15.17のみで構
成されたストリップラインフィルタが用いられてきた。
軸共振器14とストリップ線路による共振器15.17
とを巧みに組み合わせ、それらの両方の利点を引出すよ
うにしたので、Quを高くし、フィルタの高性能化を図
ることができる。つまり、従来では、誘電体で充填され
た半同軸共振器14のみで構成された誘電体フィルタ、
或いはストリップ線路による共振器15.17のみで構
成されたストリップラインフィルタが用いられてきた。
そして、前者はQuが高くとれ、高性能なフィルタが得
られるが、調整が難しく、コストが高いという欠点があ
り、後者は製造が容易で、低コストであるが、Quが低
く、高性能なフィルタは得られないという欠点があった
。
られるが、調整が難しく、コストが高いという欠点があ
り、後者は製造が容易で、低コストであるが、Quが低
く、高性能なフィルタは得られないという欠点があった
。
しかし、本発明によれば、上記した欠点は解決され、Q
u、性能面の向上のみでなく、製造の簡素化、低コスト
をも実現することができる。
u、性能面の向上のみでなく、製造の簡素化、低コスト
をも実現することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、誘電体
で充填された半同軸共振器とストリップ線路による共振
器とを巧みに組み合わせ、それらの両方の利点を引出す
ようにしたので、Quは高く、高性能化を図り得るハイ
ブリツドフィルタを得ることができる。
で充填された半同軸共振器とストリップ線路による共振
器とを巧みに組み合わせ、それらの両方の利点を引出す
ようにしたので、Quは高く、高性能化を図り得るハイ
ブリツドフィルタを得ることができる。
また、製造の簡素化、低コストをも実現することができ
る。
る。
第1図は本発明の実施例を示すハイブリッドフィルタの
斜視図、第2図はそのハイブリッドフィルタの集中定数
等価回路図、第3図は従来の第1の例として最も代表的
な誘電体フィルタの外観図、第4図は従来の第2の例と
して最も代表的な誘電体フィルタの構成図、第5図は第
3の例としてのLC形フィルタの構成図、第6図は第5
図の一共振回路部の斜視図、第7図はそのLC形フィル
タの等価回路図である。 11・・・誘電体基板、12・・・メタライズされてい
ない部分、13・・・メタライズされている部分、14
・・・半同軸共振器、15.17・・・誘電体片、16
.18・・・ストリ・ノブ線状導体、19.20・・・
コンデンサ(キャパシタ)電極、21・・・配線。 (α)L 面 (b) 翁 酌
斜視図、第2図はそのハイブリッドフィルタの集中定数
等価回路図、第3図は従来の第1の例として最も代表的
な誘電体フィルタの外観図、第4図は従来の第2の例と
して最も代表的な誘電体フィルタの構成図、第5図は第
3の例としてのLC形フィルタの構成図、第6図は第5
図の一共振回路部の斜視図、第7図はそのLC形フィル
タの等価回路図である。 11・・・誘電体基板、12・・・メタライズされてい
ない部分、13・・・メタライズされている部分、14
・・・半同軸共振器、15.17・・・誘電体片、16
.18・・・ストリ・ノブ線状導体、19.20・・・
コンデンサ(キャパシタ)電極、21・・・配線。 (α)L 面 (b) 翁 酌
Claims (4)
- (1)誘電体基板上に結合容量又は結合インダクタ、入
出力端子、配線等から成る集中定数回路部を金属被膜の
被着により形成すると共に、分布定数回路部であるLC
並列形共振回路或いはその一部を前記誘電体基板より比
誘電率の高い誘電体片にストリップ線状導体を被着した
ストリップ線路及び誘電体で充填された半同軸共振器で
形成し、該ストリップ線路及び半同軸共振器を前記誘電
体基板上に固着して、前記集中定数回路部と金属被膜の
被着により接続してなるハイブリッドフィルタ。 - (2)前記ストリップ線路をトリプレート形としたこと
を特徴とする請求項1記載のハイブリツドフィルタ。 - (3)単一誘電体基板上に結合容量又は結合インダクタ
、入出力端子、配線等から成る集中定数回路部とLC形
並列共振回路、誘電体で充填された半同軸共振器及びそ
の一部をストリップ線路形とした分布定数回路部とを、
共に金属被膜の被着により形成したことを特徴とするハ
イブリッドフィルタ。 - (4)前記LC形並列共振回路をトリプレート形とした
ことを特徴とする請求項3記載のハイブリッドフィルタ
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31237089A JPH03173201A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | ハイブリッドフィルタ |
DE69014674T DE69014674T2 (de) | 1989-02-16 | 1990-02-14 | Dielektrisches Filter des LC-Typs. |
EP90102896A EP0383300B1 (en) | 1989-02-16 | 1990-02-14 | LC-type dielectric filter |
NO900707A NO176298C (no) | 1989-02-16 | 1990-02-14 | Filter av LC- eller hybridtypen |
US07/584,176 US5124675A (en) | 1989-02-16 | 1990-09-18 | LC-type dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31237089A JPH03173201A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | ハイブリッドフィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03173201A true JPH03173201A (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=18028441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31237089A Pending JPH03173201A (ja) | 1989-02-16 | 1989-12-01 | ハイブリッドフィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03173201A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5525942A (en) * | 1993-08-09 | 1996-06-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | LC-type dielectric filter and duplexer |
WO2002082577A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Microwave circuit |
EP1376743A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
EP1376739A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency single port resonant line |
GB2515743B (en) * | 2013-07-01 | 2016-12-28 | Leec Ltd | A cadaver carrier transfer apparatus |
WO2018209066A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Eagantu Ltd | Band pass filter based on coupled transmission lines |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP31237089A patent/JPH03173201A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5525942A (en) * | 1993-08-09 | 1996-06-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | LC-type dielectric filter and duplexer |
WO2002082577A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Microwave circuit |
EP1376743A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
EP1376739A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency single port resonant line |
US6727785B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-04-27 | Harris Corporation | High efficiency single port resonant line |
US6794952B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-09-21 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
GB2515743B (en) * | 2013-07-01 | 2016-12-28 | Leec Ltd | A cadaver carrier transfer apparatus |
WO2018209066A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Eagantu Ltd | Band pass filter based on coupled transmission lines |
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