JPH02215201A - Ｌｃ形ろ波器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は主としてマイクロ波帯に使用されるＬＣ形ろ波
器（ＬＣＦｉｌｔｅｒ以下ＬＣフィルタと称す）に関す
るものである。

（従来の技術） 電気通信サービスの発展に伴って、その−環である移動
体通信の普及は近来口ざましいものがある。特に現在、
自動車電話を主体としたセルラ移動体通信は大きな成長
が期待されている。

この移動体通信の、特に端末装置にあってはその使用条
件から言って高性能化、小形化、低コスト化が常に望ま
れている。周知のように移動体通信にあってはマイクロ
波帯が用いられておシ、例えば、現在（１９８９年）米
国におけるセルラ移動体通信では８００　ＭＨｚ帯で運
用されている。

本発明は前述のような帯域で使用されるＬＣフィルタを
提供するものであるが、移動体通信装置にあっては、こ
のフィルタがそのハードウェア技術を左右すると言って
も過言ではない。

先ずはこの種の移動体通信に用いられるフィルタの従来
技術として最も多く使われている例を挙げて説明する。

第４図は第一の例として最も代表的な誘電体フィルタの
外観図を示す。（文献例：沖電気研究開発、第１４１号
Ｖｏ１．５６　ＡＩ　、　１９８９年１月１日発行、沖
電気工業■、沖時報編集委員会、「マイクロ波帯有極形
誘電体フィルタ」Ｐ８７〜Ｐ９２）この図は導体結合形
誘電体フィルタと呼ばれるもので４素子誘電体フィルタ
の例である。図に示すように長方体の誘電体セラミック
スＤに等間隔で４個の円筒状の孔をうがち、その内壁を
メタライズ（金属被膜を固着させること。以後メタライ
ズと記載する〕しておシ、この４個のコア部分は、終端
短絡の１／４波長半同軸共振器を構成している。

また図のＭ１〜ＭＩＯで示す部分もメタライズされた導
体であシ、Ｍ３　＊　Ｍｓ　ｅ　ＭＷは結合電極となっ
ている。従ってこの誘導体フィルタの等価回路は第３図
と同様の構成となっている。（４素子と５素子の違いは
あるが） このような誘電体フィルタは高性能でしかもかなり小形
化できるので従来量も多く用いられている。

第５図は第２の例の構成図で特開昭６２−２６５８０８
号公報に間隙されているものであり、誘電体基板状に°
コンデンサ電極と渦巻状のコイル導体を固着形成したも
のである。第５図（ａ）は表面、（ｂ）は裏面を示す。

図に示すように誘電体基板りの両面にコンデンサ電極Ｃ
。乃至Ｃ４を形成しキヤ・９シタを構成するとともに、
同基板りの両面に渦巻形状のコイル導体Ｌｔ＆乃至Ｌｓ
ｂを固着させてプリントコイル（インダクタ）を構成し
たものである。勿論それらの間の接続はスルーホール（
図の０印の個所）やメタライズした導体で行い、ＬＣフ
ィルタとしての回路を構成している。この例の特徴は一
方の面のプリントコイルＬ１１Ｌ−Ｌｌ、ともう一方の
面の対向するプリントコイルＬＢ）％Ｌ３ｂとがそれぞ
れ大きさを異にしていることである。（Ｌｌ、とｔ、１
ｂ　Ｉ　ｔ、　＠とり、　ｂ　＊　Ｌｌ　１とＬ３ｂは
その中心部にあるスルーホールで電気的に接続されてい
る）この大きさを異にしているのは、コイル間の浮遊容
量を減少させる為であり、周波数特性の改善が図れる。

従って前述のように誘電体基板上にメタライズするのみ
でＬＣフィルタを実現でき、製造が容易で小形化が図れ
る。

（発明が解決しようとする課題） 以上述べたフィルタは現在実用に供されているとは言え
、以下に述べるような問題点をもっている。

まず第一の例であるが、この誘電体フィルタは高特性が
図られしかも小形であるが、その形状は立体形であシ、
かつそれに孔をうがちその内壁にメタライズするのであ
るから製造は簡単ではない。

また一般にこのようなフィルタの微調整はメタライズさ
れた導体を削ったり誘電体を削ったりするのであるが、
これもその形状からかなりの熟練を要する。更に、近年
移動体通信の普及に伴って一層の小形化、高性能化が要
求され、この種のフィルタでは対応できなくなった。

第二の例は製法としてはプリント基板の製法と同様の方
法で作れるから容易であるが、何としても前述したコイ
ル導体間の浮遊容量を皆無にすることはできない。つま
り寄生インピーダンスはあくまで存在し、このためこの
フィルタのインダクタのＱｕ（無負荷Ｑ　：　ｕｎ　１
ｏａｄｅｄＱ　　Ｑ　：　Ｑｕａｌｉｔｙｆａｅｔｏｒ
　）は最高でも１００程度までしかとれない。

この種のフィルタは前述の寄生インピーダンスが存在す
ることにより、適用周波数の上限が５００Ｗｒｉｔ程度
であシ、これ以上の周波数で用いると寄生インピーダン
スが指数関数的に増加してフィルタの性能が劣化し所要
の特性が得られない。

（課題を解決するための手段） 本発明は前記課題を解決するものであシ、ＬＣフィルタ
のＬＣ並列共振回路（以下単に共振回路と称す）をス）
　ＩＪツブ線路で形成し、ＬＣフィルタの他の回路即ち
結合容量（結合インダクタの場合もある）、配線、入出
力端子等とともに誘電体基板上に一体として形成したも
のである。

勿論、共振回路のインダクタのみ、或いはキヤ・ンシタ
のみをストリップ線路で形成しても同じようにできる。

なおこの種の並列共振回路は周知のように共振点は１／
４波長（１／４λ）又は１／２波長（１／２λ）である
ので、前記のス）　ＩＪノブ線路も１／４λ長又は１／
２λ長で構成する。

（作用） 前述のように形成した本発明のＬＣフィルタは、共振回
路にストリップ線路を用いたため寄生インピーダンスは
極めて少いのでＱｕは高＜（Ｑｕ≧４００）とれ、高性
能化が図れる。また、製法はプリント基板の製法と同様
の方法で作れるので容易であり、それは低廉化に結びつ
く上、前述の従来技術の第一の例に比べ容積で約１／２
〜１／８位に小形化できる。

（実施例） 第１図は本発明の第一の実施例の構成図であって、（、
）は上面、（ｂ）は前面、（Ｃ）は底面を示す。また、
第２図は第１図における共振回路部の一つの構成を示す
斜視図であシ、第３図は第１図の等価回路図である。

以下第１図乃至第３図を見ながら本実施例の説明をする
。

図中、１は誘電体基板、ｌ　１　、１１’はメタライズ
されていない部分、１２　、　ｆ　２’はメタライズさ
れた部分、１３　、　Ｉ　Ｊ’はスルーホール状の端子
、１４゜１４′は方形状のコンデンサ（キャパシタ）電
極、１５゜１６はコンデンサ記号状のコンデンサ（キャ
パシタ）電極、２７　、１７’は配線、２０は誘電体片
〔これも誘電体基板と称してよいが、全体の誘電体基板
１と区別するためここでは誘電体片と称す〕、２１は前
記誘電体片上にメタライズされたストリップ状導体、ｃ
ｏｌ　Ｃ１２ｒ　Ｃ２３ｒ　Ｃ４はキャノやシタ（結合
容量）、ＬＩＣｌ　、　Ｌ’！”ｅ、ＬｓＣｓは共振回
路部、ＩＮ　、　ＩＮ’は入力端子、ＯＵＴ　、　ＯＵ
Ｔ’は出力端子である。また４０は後述のトリプレート
形の説明のための誘電体片である。

本実施例では誘電体基板１は比誘電率の比較的低いガラ
スエポキシ基板（比誘電率！ｒ−４，５、厚さｔ＝１．
ｏｎ）を使用した。この基板上面には入力端子ＩＮ、出
力端子ＯＵＴ　、コンデンサ電極１５．１６、端子１３
、配線１７等（１４〜１７等の数字記号は一部にしか付
してないが、他の同様の部分にも適用する）と、後述す
る誘電体片（共振回路部）２０の下面に相当する部分を
含めて図の凡そ下半分１２および前面をメタライズする
ことにより形成する（１１の部分はメタライズしない）
。また図示してないが両側面もメタライズする。これは
損失を低減し特性をより良くするためである。裏面は（
ｃ）図に示すように、コンデンサ電極１４′、端子１３
′、配線１２′等、入力端子ＩＮ’　、出力端子ＯＵＴ
’、それに前記上面のメタライズされた１２の部分に対
向する部分１２′をメタライズすることにより形成する
。この部分はアース側（第３図等価回路図のＧ）となる
。なお入力端子ＩＮ、ＩＮ’、出力端子ＯＵＴ　。

ＯＵＴ’、端子１３　、　Ｊ　３’はスルーホールとし
ており、表裏電気的に接続しである。（例えばスルーホ
ールの中をメタライズすることによ＃））以下各部の形
状を説明する。

キヤ・ぐシタＣｏ、Ｃ４の電極１４は方形状としており
、基板１０表裏に対向してメタライズする。

これは他のキャパシタＣＨＴ　Ｃ２３より容量を大きく
する必要があるため本実施例ではこのような、構成とし
基板１の誘電体を電極１４　、　Ｊ　４’ではさんだキ
ヤ・母シタとした。この電極１４．１４’には入力端子
ＩＮ側のもので説明すると上面の電極１４には入力端子
ＩＮが接続されており（メタライズした配線で）、底面
の電極１４′は端子１３′が接続されている。従って入
力端子ＩＮからの入力は電極１４゜１４′によるキャノ
クシタＣｏを経て端子１３以降の回路に接続される形と
なる。他のキヤ／やシタＣｏ、Ｃ４も同様の構成である
。次にキヤ・ぐシタＣ１２１ｃｐｓを説明すると、これ
は比較的小さい容量でよいので基板１の上面に（ａ）図
に示すようにコンデンサ記号状゛にメタライズすること
で充分である。以上のように形成された端子やコンデン
サ電極間を第３図の等価回路となるように配線をメタラ
イズする。

次に共振回路部ＬｎＣｎを説明する。これはいわゆるス
トリップ線路と呼ばれている類である。即ち、第２図の
斜視図に示すように誘電体片２０にストリップ状導体２
１をメタライズしたものである。

本実施例ではそのストリップ状導体２ノは誘電体片２０
の前面及び後面まで延ばしてメタライズされている。こ
れは誘電体片２０（つまシ共振回路部ＬｎＣｎ）を前述
の誘電体基板１の所定の位置に載置固着した際、前面は
誘電体基板１上のメタライズ部１２に接続し、後面は前
述の誘電体基板１上の回路部分１７に接続するためであ
る。なお側面および底面も特性向上のためメタライズし
である。

この誘電体片２０は前述のように共振回路部（ＬＣ並列
共振回路となる理論は後述）を構成するものであシ、そ
のためには比誘電率の極めて高い誘電体を必要とする。

本実施例では比誘電率εｒ＃７５、厚さｔ＝１．０Ｍの
セラミック系誘電体を使用した。

この比誘電率の高い誘電体は前述の誘電体基板１のガラ
スエポキシ基板等に比べると小形、高性能となるが高価
である。この種のフィルタの性能、形状はこの共振回路
部で決定されると言ってよい。

従ってその部分にガラスエポキシ基板等の比誘電率の低
い材料を用いては形状が大きくなシ、また温度特性、高
Ｑ特性が得られない。本実施例ではその高価な誘電体を
必要な部分即ち共振回路部のみに使用して価格低減を図
っている。

先に述べたようにこの共振回路部ＬｎＣｎを誘電体基板
１の上面に固着するのであるが、その前面までメタライ
ズされたス）　ＩＪッグ線状導体２ノが誘電体基板１の
メタライズ部分１２に接続されるように（つまりアース
側に短絡）、また後面は前記メタライズ部分１２には接
触しないようＫ（つまりアース側とは開放）、かつ回路
部分１７に接続できるように載置し固着する。逆の言い
方をすれば誘電体基板１のメタライズ部分１２はそのよ
うな載置に合うようにメタライズする。前記ストリップ
線状導体２１の前述の接続は例えばはんだ付で行う。な
おこのストリップ、線路は（課題を解決するための手段
）の項で述べたように１７４λ長としである。

本実施例は以上のような構成でＬＣフィルタを実現する
ものであるが、その解析を第３図の等価回路図とともに
行っておく。

まず共振回路部ＬｎＣｎについてみると、このようなス
トリップ線路は、ある帯域の周波数ではインダクタ（以
下りとも記す）とキヤ・９シタ（以下Ｃとも記す）の機
能を果しており、第３図等価回路図のＣＩＬｌ、Ｃ鵞り
、、Ｃ，ｔ、で示されるＬＣ並列共振回路を構成する。

一般・に一端が短絡されたストリップ線路の入力インピ
ーダンスｚｉ１１は次式で与えられる。

２い−ｊＺｏ−βｔ　　　　　　　　　・・・　（１）
ここでβは位相定数、ｔは線路長、Ｚ、は線路の特性イ
ンピーダンスである。

式（１）は を満足する角周波数ω０においてｚｉｎ＝ωとなり共振
する。、部内周波数ω０の近傍で並列共振回路と等価と
なり の関係がある。従って並列共振回路であるためω。

より低い周波数においてはインダクタになる。ここでＬ
６　＋　Ｃ６とＺ６＋βｔの関係は次のようになる。

ここでω＝ω、＝２πｆｏ　（ｆｏは周波数）の場合は
π／２ 式（４）、（５）においてβｔ＝（２ｎ−１）　　　と
おけばよい。

即ち ここでＺ、＝ＳＯ（Ω）、１０　＝１．５　（ＧＨｚ）
とするとＬｏ＝６．７６（ｒｎＨ）　　　Ｃｏ＝１．６
７（ＰＦ）　　・＝（７）となり、少くとも１０　＝　
１．５　（ＧＨｚ）以下の周波数ではＬとなることが解
る。

例えば、１０−０．８　（ＧＨｚＸ　８００ＭＨｚ）に
おいては−′となり、８００　ＭＨｚにおいてはインダ
クタンス値９．４（ｎＨ）のＬとなる。

次にＬＣ共振回路としてのＣをみてみよう。

先端解放のストリップ線路のＣは次のように実現される
。まずその入力インピーダンスｚｉｎは次式で表される
。

ｚｔｎ　＝　　ｊＺｏｃｏｔβｔ　　　　　　　　　　
　・（９）式（９）は を満足する角周波数ω０において２１＝Ｏとなり共振す
る。即ち角周波数ω０の近傍で直列共振回路と等価にな
る。従って直列共振回路であるためω０より低い周波数
においてはキャパシタになる。

この場合、ＬｏＩｃｏとｚｏ、βｔとの間には次式の関
係がある。

ここでω＝ω、＝２πｆｏの場合はβｔ＝（２ｎ−１）
π／２とおけばよい。即ち となる。ここでＺｏ＝５０（Ω）、ｆ　ｏ＝　１．５　
（ＧＨｚ）とすると Ｌｏ　−４，１６（ｍＨ）　　　Ｃｏ　＝　２．７０　
（ｐＦ）　　　−α→となシ、少くとも１．５　（ＧＨ
ｚ）以下の周波数においてはＣとなることが解る。例え
ばｆ　＝　０．８　（ＧＨｚ　）（８００！ｖ！Ｈｚ　
）においてはＣ１０はとなり、８００　ＭＨｚにおいて
はキャノ？シタ／ス値３．８（ｐＦ）のＣとなる。

以上のことがらＬＣ並列共振回路をス）’Ｊ７７’線路
により実現する場合は前述したように先端短絡として、
（第２図参照）線路長をλ／４とすればよい。ｆｏを共
振周波数とすれば、この場合のし。。

ｃｏは（６）式より となる。

本実施例ではｚｏ＝ｉｏ、ｏ（Ω）、ｆ　ｏ　＝　８８
１．０　（ＭＨｚ　）とした場合で算出しており、α４
式に代入するとそれぞれＬ＝２．３　（ｎＨ）　、　Ｃ
＝１４．１　（ｐＦ）となる。第３図等価回路図中の値
（ｃ、　Ｃ２，Ｃ３，Ｌ１＋　Ｌ２＋　Ｌ３　）はこれ
を基本にした値である。（Ｃｘｚ　Ｃ２、Ｃ３の値が多
少計算値と異なるのは微調整を含んでいるため）この値
を前述したε、＝７．５、ｊ＝＝ｌ＋ｏ＋の誘電体片２
０でのストリップ線状導体の幅を算出すると２．５　ｍ
ｍとなる。

次に結合容量Ｃ６＋　Ｃ１２＋　Ｃ２３等を算出してみ
る。

このようなＣは次式で与えられる。

Ｃ＝０．０８５５　　ε、　７　（ｐＦ）　　　　　　
・・・　　αηＡ：面積（ｃＩｎ”）、ｔ　：　厚ミ（
ｍ）、ｇ　　：比誘を率例えばｃｏを算出してみると Ｃｏ＝０．０８５５Ｘ４．５Ｘ　”６７ｘＯ”７＝１．
７２（ｐＦ）０．１ となり、１．７２　（ｐＦ）の容量をほしい場合Ｑ、５
７ｃＲ角の形状でよいことが解る。同様にして本実施例
の場合自２は１．２５（りＸ０．０２（，１ｍ）、Ｃ２
３は０．９６２（ｃＲ）ｘｏ、０２（”）、Ｃ４はｃｏ
とほぼ同様の形とした。

以上のような大きさを基本に本実施例の全体を構成する
と容積として従来の誘電体フィルタ特に第一の例（−例
として３　Ｑ、Ｑ＋ｏ＋ｘ　ｌ　２．Ｑｓｍｘ　５，５
＋ｕ　）の約１／２（−例として３　Ｑ、ＱｍＸ　ｌ　
５．Ｑｍｘ　３．Ｑｍ）となる。

更に後述の第２の実施例で構成すると１／８近くになる
。

なお、本実施例でのＱｕは筆者等の実験では約５００と
なり、実用化に十二分な値となっている。

また付は加えておくが、前述してきたこのＬＣフィルタ
回路において、結合容量部分（Ｃｏ、Ｃｘｚ　。

Ｃ２３＋　Ｃ４を含む回路）を集中定数回路と言い、共
振回路部分（ＣＩＬ１＋　Ｃ２Ｌｚ　ｒ　Ｃ３Ｌ３　）
を分布定数回路と一般に称している。つまり本実施例は
ＬＣフィルタの集中定数回路部も分布定数回路部も同じ
誘電体基板上にメタライズすることのみで一体化したも
のと言える。

ここでトリプレート形について説明しておく。

ストリップ線路にあっては、第２図に示すように前述の
ストリップ線状導体２ノをメタライズした誘電体片２０
の上に、その誘電体片２０と同形の誘電体片４０を蓋を
かぶせるように固着させれば、より低損失となりＱｕも
高くなる。このことはよく知られていることである。本
実施例でも上面、側面をメタライズした誘電体片４０を
かぶせ良好な特性を得ている。

第６図は本発明の第２の実施例の構成図である。

４０は誘電体基板であシ、その他の記号は第一の実施例
の第１図と同等である。第一の実施例では必要な部分（
共振回路部ＬｎＣｎ）のみ比誘電率の高い誘電体を用い
て低廉化を図ったが、第二の実施例のように全体を同一
誘電体基板で構成しても第一の実施例と同一の機能のＬ
Ｃフィルタができることは論を待たないであろう。ただ
全体が比誘電率の高い誘電体となるためやや高価となる
ことは免れない。但し第一の実施例より小形にできる。

この第二の実施例以降は総て単一誘電体基板で構成した
ものであり、この点予め表示しておく。

（以後単に基板と称する場合もある） 第６図（、）は上面、（ｂ）は前面、（Ｃ）は底面を示
しているが、図を見て解るように一つの誘電体基板上に
ＬＣフィルタ総ての回路素子、配線、端子等をメタライ
ズしている。比誘電率が高い基板であるので、キャノ９
シタＣ，の電極は第一の実施例のように誘電体基板（第
１図の１）を間にはさむ構成とせず、コンデンサ記号の
形状を基板４０の上面にメタライズするのみで充分な値
を取シ得る。共振回路部Ｌ＋Ｃ＋　＋　Ｌ２Ｃ２＋　Ｌ
３Ｃ３は図に示すように基板４０上にストリップ線状導
体をメタライズして、丁度第一２の実施例の共振回路部
を基板４０に埋込んだ構成とみてよい。（破線で囲まれ
た部分が一つのＬＣ共振回路部となる） この実施例の場合もトリプレート形にすることは容易で
第７図に示すように基板４０と同形の基板４ノ一本実施
例の場合全面をメタライズ−を蓋をかぶせるように固着
すればよい。このことは第三の実施以降についつも同様
である。

第８図は第三の実施例の構成図である。記号は５０以外
第二の実施例と同等である。この実施例は基板４０上に
共振回路のＬのみス）　ＩＪツブ線路としたものである
。それがＬｌ、　Ｌ２．　Ｌ３で示される部分であり、
共振回路のＣは別に図の自、Ｃ２＋Ｃｉのように基板４
０をはさんだ形の電極で構成する。

（第１図の１４．１４’の構成と同様）従って底面では
そのＣ，Ｉ　Ｃ，Ｉ　Ｃ，の電極の部分は周囲をメタラ
イズせず一個所の配線だけで図のように底面のアースの
役割のメタライズ部分５０に接続する構成としている。

熱論等価回路は第３図のようになる。

このように共振回路部のＣを別にしたのは、微調整をよ
りし易くするためである。前にも述べたが微調整はメタ
ライズされた部分を削って行うが、このようにＣを別に
しておくと、よりし易くなる。

第四の実施例は第三の実施例の考えを更に発展させたも
ので第９図に示すように、共振回路のＣを更に二つに分
けた形をとっている。

第三の実施例のＣＩの部分と対比して説明すると、この
Ｃ１の部分を図に示すようＫＣｌ、とＣｔｂの二つの部
分に分けて構成している。即ちｃｌ、の部分は方形状の
電極とし、基板４ｏをはさんでその基板の底面のメタラ
イズ（アース側）との間でキャノＲシタを構成するよう
にし、一方のＣ１ｂの部分は上面のみにコンデンサ記号
状のメタライズでキイ／４’シタを構成している。熱論
片側（図の上部）はＣ１，Ｌ電極とともにストリップ線
状導体（Ｌｌ）の上部に接続し、Ｃ１ｂのもう片方（下
部）は基板４０の前面を経て底面のメタライズへ接続す
る。これも等価回路は無論第３図と同様になる。前述し
た微調整は更にし易くなる。このようにＬのみストリッ
プ線路にすることは（Ｃのみのことも考え得る）第一の
実施例にも熱論適用できる。

以上様々の実施例を挙げたが、この他にも（課題を解決
するための手段）の項で少しふれたように、結合容量の
代りに結合インダクタで構成するフィルタも従来からあ
シ、それも今迄述べてきた構成を多少変更することで実
現できることは説明を要しないであろう。また、並列共
振回路部に先端短絡１／４λ長のストリップ線路を用い
て説明したが熱論先端開放１／２λ長のス）　ＩＪッゾ
線路を用いても同様に実現できる。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、ＬＣフィ
ルタの共振回路部としてストリノゾ線路を用いたため従
来技術の第二の例のような寄生インピーダンスは極めて
少く高いＱｕを実現できるし、総て誘電体基板上にメタ
ライズするのみで構成しているため製造もし易く、小形
化できる。因みに従来技術の第一の例と本発明の第一、
第二の実施例の製品としての全体の大きさを比較してみ
ると次のようになる。

また前述したように微調整もし易く、従来技術第一の例
のように特別のマウントも必要としない。

総合する小形にできて性能のよい製造し易いＬｃフィル
タを提供できる。これは価格低減にもつながる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例の構成図、第２図は第１
図の一共振回路部の斜視図、第３図は本発明実施例の等
価回路図、第４図は従来技術第一の例の外観図、第５図
は従来技術第二の例の構成図、第６図は本発明の第二の
実施例の構成図、第７図は第二の実施例のトリプレート
形説明図、第８図は本発明の第三の実施例の構成図、第
９図は本発明の第四の実施例の構成図である。 １．４０・・・誘電体基板、Ｉ　Ｊ　、　１３’・・・
端子、１４．１４’、１５．１６・・・コンデンサ（ギ
ヤ／センタ）電極、１７　、１７’・・・配線、２ｏ・
・・誘電体片、２ノ・・・ストリッジ線状導体、４ｏ・
・・トリプレート形用誘電体片、ｃｏＩ　ＣＩ２　＋　
Ｃ２３＋　ｃ４・・・キヤ・ぞシタ、ＬＩＣＩ　＋　Ｌ
２Ｃ２＋　ＬｓＣ３・・・共振回路部。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 （ｂ）ｌＮ？′ｉ 面 第１Ｉ！ｌの一共４反回路部金斗を聞 第２図 第１図 Ｃ１１ＩＩ２．２（ＰＦ）　　ＬｌｌＩＬ、ｗＬ３”２
．３（ｎＨＩＣ２−１３，３（ＰＦＩ Ｃ３−１２，２（ＰＦ） Ｃ４１Ｉ１．＋２　（ＰＦ） 不発ａ片實屓シ炉］の尊イ０匠は各図 第３図 Ｃｏ　ｌＩＩ　、７２　（ＰＦ　Ｉ ＣＩ２−０．４９　（ＰＦ） Ｃ２３ｌＩＯ，３７（ＰＦ） 第４ 図 表 面 従来枝谷↑第二〇〇１１の構成図 第 図 第 図 （ａ） 上 面 （ｂ）前 面 ホ唸日月の第二の実施９℃構成図 第 図 上 面 （ｂ） 書す 面 （Ｃ）底　　面 本発明の第三の実売例ｎオ糞底図 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体基板上に結合容量又は結合インダクタ、入
   出力端子、配線等から成る集中定数回路部を金属被膜の
   被着により形成するとともに、分布定数回路部であるＬ
   Ｃ並列形共振回路或いはその一部を前記誘電体基板より
   比誘電率の高い誘電体片にストリップ線状導体を被着し
   たストリップ線路で形成し、該ストリップ線路を前記誘
   電体基板上に固着して、前記集中定数回路部と金属被膜
   の被着により接続して構成したことを特徴とするＬＣ形
   ろ波器。
2. （２）前記ストリップ線路をトリプレート形としたこと
   を特徴とする請求項（１）記載のＬＣ形ろ波器。
3. （３）単一誘電体基板上に結合容量又は結合インダクタ
   、入出力端子、配線等から成る集中定数回路部と、ＬＣ
   形並列共振回路或いはその一部をストリップ線路形とし
   た分布定数回路部とをともに金属被膜の被着により形成
   したことを特徴とするＬＣ形ろ波器。
4. （４）前記ＬＣ形帯域通過ろ波器をトリプレート形とし
   たことを特徴とする請求項（３）記載のＬＣ形ろ波器。