CN109150218B - 一种小型化odu接收通道模块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种小型化ODU接收通道模块，包括盒体和盒盖，盒体内部包括彼此隔离的上部腔体和下部腔体，在上部腔体中设置有对输入的射频信号进行滤波的腔体滤波器，腔体滤波器的射频信号输出端连接射频通道电路，容纳接收中频通道电路的中频腔，以及容纳电源电路的电源腔，在下部腔体中设置有本振电路，射频通道电路输出的射频信号与本振电路产生的本振信号混频后产生的中频信号接入到中频通道电路。该接收通道模块具有体积小、功耗低、稳定可靠且适用频带范围宽的优势。

Description

一种小型化ODU接收通道模块
技术领域
本发明属于通信技术领域，特别是涉及一种小型化ODU接收通道模块。
背景技术
在卫星通信设备中，ODU(Out-door Unit)是指室外单元，主要包括频率变换和功率放大，具体又可以分为发射通道和接收通道，发射通道通常是指BUC(Block Up-Converter)，即上变频射频功率放大器，接收通道主要是指LNB(Low Noise Block down-converter)，即低噪声放大、变频器。
接收通道模块通常是指对接收的射频信号进行下变频的通道模块，主要涉及低噪声功率放大、变频、滤波等处理，并且工作频段高、频段跨度大，通常是在微波或毫米波段，对信号处理的工艺要求高。现有技术中，对于接收通道模块而言，不仅体积大、重量重，并且对外接口多，工作性能不可靠，实现的通道频率变换也比较单一，比如接收通道的本振频率是固定不可调的，因此难以满足小型化多用途的应用需求。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种小型化ODU接收通道模块，解决现有技术中接收通道模块占用空间体积大，以及在有限空间内电路复杂、电磁兼容性不好等问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是提供一种小型化ODU接收通道模块，包括盒体以及盖合所述盒体的盒盖，所述盒体内部包括彼此隔离的上部腔体和下部腔体，所述盒盖对应包括盖合所述上部腔体的上盒盖和盖合所述下部腔体的下盒盖；在所述上部腔体中设置有对输入的射频信号进行滤波的腔体滤波器，所述腔体滤波器的射频信号输出端连接射频通道电路，容纳接收中频通道电路的中频腔，以及容纳电源电路的电源腔，在所述下部腔体中设置有本振电路；所述射频通道电路输出的射频信号与所述本振电路产生的本振信号混频后产生的中频信号接入到所述中频通道电路。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述中频腔包括竖直且连通的三个分腔，其中右侧为中频第一分腔，中间为中频第二分腔，左侧为中频第三分腔，所述中频第一分腔和中频第二分腔高度相同，所述中频第三分腔的高度高于所述中频第一分腔和中频第二分腔。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述腔体滤波器位于所述上部腔体的左侧，所述中频腔位于所述腔体滤波器的右侧，所述电源腔位于所述中频腔的第一中频分腔和第二中频分腔的上侧，且与所述中频第二分腔连通，所述电源腔的上边缘与所述中频第一分腔的上边缘等高平齐，所述腔体滤波器对外在盒体外部上开设有射频信号输入口，所述射频信号输出端设置在所述腔体滤波器在所述上部腔体内的下部右侧。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述射频通道电路包括与所述射频信号输出端电连接的第一微带，所述第一微带的另一端电连接两级串联的第一级NC1001C-812S低噪声放大芯片和第二级NC1001C-812S低噪放大芯片，所述第二级NC1001C-812S低噪放大芯片向后电连接镜像抑制滤波器，所述镜像抑制滤波器的输出端通过第二微带电连接第三级NC1001C-812S低噪放大芯片，所述第三级NC1001C-812S低噪放大芯片向后通过第三微带电连接混频芯片NC17111C-725M的射频端。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述第二微带为弯弧型微带，将所述射频通道电路由前级的横向设置转为竖向设置。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，位于所述下部腔体中的所述本振电路的本振信号输出端接入到所述上部腔体中，通过第四微带电连接放大芯片CHA3666，所述放大芯片CHA3666的输出端连接本振滤波器，所述本振滤波器连接所述混频芯片NC17111C-725M的本振端，所述混频芯片NC17111C-725M的中频端通过第五微带接入到所述中频腔的中频信号输入端。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述本振电路的本振信号输出端通过绝缘子连接所述第四微带，所述第四微带为带孔微带。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述镜像抑制滤波器和所述本振滤波器均为微带滤波器。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述中频第三分腔的上部向外在所述盒体外部设置有中频信号输出口，所述电源腔的上部向外在所述盒体外部设置有直流电源接入口，所述下部腔体的上部向外在所述盒体外部设置有参考信号输入口和控制信号输入口。
在本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中，所述本振电路包括依次串接的频率合成器、本振放大器、本振倍频器和所述本振滤波器，所述频率合成器与单片机电连接，所述单片机控制所述频率合成器的产生的信号频率，所述本振放大器对所述信号进行功率放大，再由所述本振倍频器对所述信号的频率进行倍频，所述本振滤波器则对倍频后的本振信号进行滤波输出。
本发明的有益效果是：本发明公开了一种小型化ODU接收通道模块，包括盒体和盒盖，盒体内部包括彼此隔离的上部腔体和下部腔体，在上部腔体中设置有对输入的射频信号进行滤波的腔体滤波器，腔体滤波器的射频信号输出端连接射频通道电路，容纳接收中频通道电路的中频腔，以及容纳电源电路的电源腔，在下部腔体中设置有本振电路，射频通道电路输出的射频信号与本振电路产生的本振信号混频后产生的中频信号接入到中频通道电路。该接收通道模块具有体积小、功耗低、稳定可靠且适用频带范围宽的优势。
附图说明
图1是本发明小型化ODU接收通道模块一实施例的结构示意图；
图2是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的上部腔体组成示意图；
图3是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的下部腔体组成示意图；
图4是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的射频通道电路部分组成图；
图5是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的射频通道电路部分组成图；
图6是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的镜像抑制滤波器组成图；
图7是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的射频通道电路部分组成图；
图8是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的射频通道电路部分组成图；
图9是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的射频通道电路部分组成图；
图10是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的本振电路部分组成图；
图11是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的绝缘子结构组成示意图；
图12是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的本振滤波器组成图；
图13是本发明小型化ODU接收通道模块另一实施例中的本振电路组成框图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面结合附图和具体实施例，对本发明进行更详细的说明。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本发明。
下面结合附图，对本发明的各实施例进行详细说明。
图1显示了一种小型化ODU接收通道模块优选实施例，包括盒体10以及盖合所述盒体的盒盖，所述盒体10内部包括彼此隔离的上部腔体和下部腔体，所述盒盖对应包括盖合所述上部腔体的上盒盖111和盖合所述下部腔体的下盒盖112。优选的，整个模块的体积是60mm×50mm×14mm。
进一步结合图2，在所述上部腔体101中设置有对射频进行滤波的腔体滤波器1011，所述腔体滤波器1011的射频信号输出端10111连接射频通道电路1012，容纳接收中频通道电路的中频腔1013，以及容纳电源电路的电源腔1014。图3所示的所述下部腔体102中设置有本振电路，该腔体中还设置有穿越下部腔体而进入下部腔体的过孔1021，通过该过孔1021设置绝缘子连接本振电路的输出端到上部腔体中。所述射频通道电路1012输出的射频信号与下部腔体102中的所述本振电路产生的本振信号进行混频后产生的中频信号接入到所述中频通道电路。
进一步的，如图2所示，所述中频腔1013包括竖直且连通的三个分腔，其中右侧为中频第一分腔10131，中间为中频第二分腔10132，左侧为中频第三分腔10133，所述中频第一分腔10131和中频第二分腔10132高度相同，所述中频第三分腔10133的高度高于所述中频第一分腔10131和中频第二分腔10132。
进一步的，所述腔体滤波器1011位于所述上部腔体101的左侧，所述中频腔1013位于所述腔体滤波器1011的右侧，所述电源腔1014位于所述中频腔1013的第一中频分腔10131和第二中频分腔10132的上侧，且与所述中频第二分腔10132连通，所述电源腔1014的上边缘与所述中频第三分腔10133的上边缘等高平齐，所述腔体滤波器1011对外在盒体外部上开设有射频信号输入口(对应在图1中的RF端口121)，所述射频信号输出端10111设置在所述腔体滤波器1011在所述上部腔体101内的下部右侧。
所述中频第三分腔10133的上部向外在所述盒体外部设置有中频信号输出口(对应图1中的IF端口122)，所述电源腔的上部向外在所述盒体外部设置有直流电源接入口(对应图1中的+5V端口124)，所述下部腔体的上部向外在所述盒体外部设置有参考信号输入口(对应图1中的REF端口123)和控制信号输入口(对应图1中的CTRL端口125)，这里的控制信号输入口可以向本振电路设置频率控制字，控制本振电路可以产生不同的本振信号频率。另外，还设置有接地端口，对应图1中的GND端口126。
对于图2中所示的射频通道电路1012，图4进一步进行了细化显示。从图4可以看出，该包括射频通道电路与所述射频信号输出端10111电连接的第一微带WD1，所述第一微带WD1的另一端电连第一级NC1001C-812S低噪声放大芯片213，并且该电路中两个NC1001C-812S低噪声放大芯片213、214之间还串接有3dB的匹配衰减器215，以及在第二级的NC1001C-812S低噪声放大芯片214的输出端与镜像抑制滤波器的输入端口之间也串接有3dB的匹配衰减器216。NC1001C-812S低噪声放大芯片213、214的电源端分别接两个独立的5V直流供电端217、218。通过向NC1001C-812S低噪声放大芯片213、214提供独立的5V直流供电，可以避免二者之间出现供电干扰而影响射频功率放大特性。5V直流供电端217连接1000pF的电容219，5V直流供电端218也连接1000pF的电容2110，并且电容219又进一步与电容2110连接，电容2110再连接接地。优选的，上述NC1001C-812S低噪声放大芯片213与第一微带WD1之间、NC1001C-812S低噪声放大芯片213与匹配衰减器215之间、匹配衰减器215与NC1001C-812S低噪声放大芯片214之间、NC1001C-812S低噪声放大芯片214与匹配衰减器216之间、NC1001C-812S低噪声放大芯片213与5V直流供电端217之间、NC1001C-812S低噪声放大芯片214与5V直流供电端218之间、5V直流供电端217与电容219之间、5V直流供电端218与电容2110之间、电容219与电容2110以及电容2110与地之间均是通过至少两根金丝进行的电连接。优选的，这里的金丝的直径为25um，在射频电路中通过金丝进行电连接，能够提高射频信号的传导性，减少传输损耗，尽管会增加成本，但是有利于保证射频电路的射频特性。
进一步的，如图5所示，所述第二级NC1001C-812S低噪放大芯片214向后电连接镜像抑制滤波器10125。该镜像抑制滤波器为微带滤波器。
如图6所示，该微带滤波器包括设置在陶瓷基板上的7个U型的微波金属带，所述微波金属带依次间隔排列且呈中心对称分布，其中第一微波金属带231开口向下且位于对称中心，所述第二微波金属带232和第三微波金属带233均开口向上，分别位于所述第一微波金属带231的左侧和右侧，第四微波金属带234开口向下且位于所述第二微波金属带232的左侧，第五微波金属带235开口向下且位于所述第三微波金属带233的右侧，第六微波金属带236开口向上且位于所述第四微波金属带234的左侧，所述第六微波金属带236的左分支上横向延伸为第一端口238，第七微波金属带237开口向上且位于所述第五微波金属带235的右侧，所述第七微波金属带237的右分支上横向延伸为第二端口239。
优选的，所述第一微波金属带231的宽度是0.1mm，左侧分支和右侧分支的长度和相同，均为2.1mm，上部连接分支长度为1.13mm，并且所述上部连接分支的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的左切边和右切边的长度是0.14mm，所述第一微波金属带231分别与所述第二微波金属带232、第三微波金属带233的间隔均为0.16mm。
进一步优选的，所述第二微波金属带232和第三微波金属带233具有相同的结构，其中所述第二微波金属带232的左侧分支和所述第三微波金属带233的左侧分支长度相同，均为2.1mm，所述第二微波金属带232的右侧分支和所述第三微波金属带233的右侧分支长度相同，均为2.1mm，所述第二微波金属带232下部连接分支与第三微波金属带233下部连接分支33长度相同，均为1.13mm，并且所述下部连接分支23与下部连接分支33的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的切边的长度相同，均为0.14mm。
所述第二微波金属带232的右侧分支与所述第一微波金属带231的左侧分支等高平齐，即第二微波金属带232的右侧分支的上边缘与所述第一微波金属带231的左侧分支上端所对应的连接分支的下边缘平齐，同时所述第一微波金属带231的左侧分支的下边缘与所述第二微波金属带232的右侧分支下端所对应的连接分支的上边缘平齐。同样，所述第三微波金属带233的左侧分支与所述第一微波金属带231的右侧分支等高平齐。
另外，第二微波金属带232与所述第四微波金属带234的间隔为0.14mm，所述第三微波金属带233与所述第五微波金属带235的间隔为0.14mm。
进一步优选的，所述第四微波金属带234和第五微波金属带235具有相同的结构，并且与第一微波金属带231的结构相同。其中，所述第四微波金属带234左侧分支和第五微波金属带235左侧分支的长度相同，均为2.1mm，所述第四微波金属带234右侧分支和第五微波金属带235右侧分支的长度相同，均为2.1mm，所述第四微波金属带234上部连接分支和第五微波金属带235上部连接分支长度相同，均为1.13mm，并且这两个上部连接分支的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的两个切边的长度相同，均为0.14mm。所述第四微波金属带234的右侧分支与所述第二微波金属带232的左侧分支等高平齐，所述第五微波金属带235的左侧分支与所述第三微波金属带233的右侧分支等高平齐。
所述第四微波金属带234与所述第六微波金属带236的间隔为0.1mm，所述第五微波金属带235与所述第七微波金属带237的间隔为0.1mm。
进一步优选的，所述第六微波金属带236的右侧分支的长度是2.1mm，宽度是0.1mm，左侧分支的长度是1.3mm，宽度是0.24mm，底部连接分支分为两段，其中，位于左侧的第一连接段的长度是0.94mm，宽度是0.24mm，并且所述第一连接段的左侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.34mm，位于右侧的第二连接段的长度是0.53mm，宽度是0.1mm，并且所述第二连接段的右侧拐角被等腰切除，得到的切边6321的长度是0.14mm。所述第一端口238的长度是1.55mm，宽度是0.25mm，所述第一端口238的下边到所述底部连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.1mm。
第七微波金属带237与前述的第六微波金属带236具有相同的结构，在该微带天线中呈左右对称分布。其中，所述第七微波金属带237的左侧分支的长度是2.1mm，宽度是0.1mm，右侧分支的长度是1.3mm，宽度是0.24mm，底部连接分支分为两段，其中，位于右侧的第一连接段的长度是0.94mm，宽度是0.24mm，并且所述第一连接段的右侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.34mm，位于左侧的第二连接段的长度是0.53mm，宽度是0.1mm，并且所述第二连接段的左侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.14mm。所述第二端口239的长度是1.55mm，宽度是0.25mm，所述第二端口239的下边到第七微波金属带237的所述底部连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.1mm。第一端口238与第二端口239之间的距离为12.49mm，即该滤波器的长度为12.49mm。
进一步优选的，该镜像抑制滤波器的频率范围是10.7GHz-12.95GHz，通带插入损耗≤3dB，带外抑制：在7.25GHz-9.8GHz，抑制比≥60dB，在10GHz，抑制比≥40dB，在13.75GHz-14.5GHz，抑制比≥40dB，VSWR≤1.3。
如图7和图8所示，所述镜像抑制滤波器10125的输出端通过第二微带10126电连接第三级NC1001C-812S低噪放大芯片10127。优选的，在所述镜像抑制滤波器10125与第二微带10126之间还串接有3dB衰减器，并且第二微带10126是转弯微带，通过该转弯微带可以将所述射频通道电路由前级的横向设置转为竖向设置，由此可以在有限的空间内也可以容纳整个射频通道电路。
图8中，所述第三级NC1001C-812S低噪放大芯片10127通过第三微带10128电连接混频芯片NC17111C-725M的射频端。并且第三级NC1001C-812S低噪放大芯片10127电源引脚也是连接5V电压接线端10124，该电压接线端还连接1000pF电容，该电容又电连接微带10129后接地。
在图9中，混频芯片(NC17111C-725M)101210的射频端通过3dB衰减器与第三微带10128电连接连接，该混频芯片101210的本振端连接本振滤波器的输出端，而混频芯片101210的中频端通过第五微带10134接入到所述中频腔的中频信号输入端。
进一步的，如图10所示，位于所述下部腔体中的所述本振电路的本振信号输出端通过绝缘子10151接入到所述上部腔体中，通过第四微带10152(为带孔微带)电连接放大芯片CHA3666，即图10中所示放大芯片10153。优选的，二者之间还串联有3dB衰减器。所述放大芯片10153的输出端连接本振滤波器10155。优选的，该本振滤波器10155为微带滤波器。从图10中还可以看出，放大芯片CHA3666的两个电源端D1、D2分别接连接5V电压接线端10150，而这两个接线端又共同连接一个1000pF电容，该电容又连接微带10154后而接地。
这里，采用的绝缘子的结构如图11所示，包括圆柱形金属外壁J2、绝缘层J3和金丝J1。该金属外壁J2的表层为镀金，在两个腔体之间的金属壁上打孔，然后将该绝缘子插入过孔并将金属外壁与过孔焊牢，通过绝缘层又使得金丝J1与金属外壁J2相互隔离绝缘，而金丝J1则用于电路连接。这里的绝缘子连接的是带孔微带线。通过绝缘子连接可以避免传统方法中在盒体外部通过馈线进行连接，有利于减小整体模块的体积。
进一步的，如图12所示，所述本振滤波器为微带滤波器。该微带滤波器的结构包括设置在陶瓷基板上的5个U型的微波金属带，所述微波金属带依次间隔排列且呈中心对称分布，其中第一微波金属带P41开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带P42和第三微波金属带P43均开口向下，分别位于所述第一微波金属带P41的左侧和右侧，第四微波金属带P44开口向上且位于所述第二微波金属带P42的左侧，所述第四微波金属带P44的左分支上横向延伸为第一端口P46，第五微波金属带P45开口向上且位于所述第三微波金属带P43的右侧，所述第五微波金属带P45的右分支上横向延伸为第二端口P47。
优选的，所述第一微波金属带P41的宽度是0.13mm，左侧分支和右侧分支的长度和相同，均为2.5mm，下部连接分支长度为1.21mm，并且所述下部连接分支的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的左切边和右切边的长度是0.18mm，所述第一微波金属带P41与所述第二微波金属带P42、第三微波金属带P43的间隔均为0.14mm。
进一步优选的，所述第二微波金属带P42和第三微波金属带P43具有相同的结构，其中所述第二微波金属带P42的左侧分支和所述第三微波金属带P43的左侧分支长度相同，均为2.5mm，所述第二微波金属带P42的右侧分支和所述第三微波金属带P43的右侧分支长度相同，均为2.5mm，所述第二微波金属带P42上部连接分支与第三微波金属带P43上部连接分支长度相同均为1.21mm，并且所述上部连接分支与上部连接分支的左右端部的两个拐角被等腰切除，得到的切边的长度相同，均为0.18mm。
所述第二微波金属带P42的右侧分支与所述第一微波金属带P41的左侧分支等高平齐，即第二微波金属带P42的右侧分支的下边缘与所述第一微波金属带P41的左侧分支下端所对应的连接分支的上边缘平齐，同时所述第一微波金属带P41的左侧分支的上边缘与所述第二微波金属带P42的右侧分支上端所对应的连接分支的下边缘平齐。同样，所述第三微波金属带P43的左侧分支与所述第一微波金属带P41的右侧分支等高平齐。
所述第二微波金属带P42与所述第四微波金属带P44的间隔为0.1mm，并且所述第三微波金属带P43与所述第五微波金属带P45的间隔与相同且为0.1mm。
优选的，所述第四微波金属带P44的右侧分支的长度是2.5mm，宽度是0.13mm，左侧分支的长度是1.65mm，宽度是0.24mm，底部连接分支分为两段，其中，位于左侧的第一连接段的长度是1.05mm，宽度是0.24mm，并且所述第一连接段的左侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.34mm，位于右侧的第二连接段的长度是0.56mm，宽度是0.13mm，并且所述第二连接段的右侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.18mm.
进一步优选的，所述第一端口P46的长度是0.76mm，宽度是0.25mm，所述第一端口P46的下边到所述底部连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.1mm。
优选的，所述第四微波金属带P44与第五微波金属带P45具有相同的结构，二者关于该微带天线中心呈左右对称分布，所述第五微波金属带P45的左侧分支长度是2.5mm，宽度是0.13mm，右侧分支的长度是1.65mm，宽度是0.24mm，底部连接分支分为两段，其中，位于右侧的第一连接段的长度是1.05mm，宽度是0.24mm，并且所述第一连接段的右侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.34mm，位于左侧的第二连接段的长度是0.56mm，宽度是0.13mm，并且所述第二连接段的左侧拐角被等腰切除，得到的切边的长度是0.18mm。
进一步优选的，所述第一端口P46与第二端口P47具有相同的结构，二者关于微带中心呈左右对称分布，所述第二端口P47的长度是0.76mm，宽度是0.25mm，所述第二端口P47的下边到所述底部连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.1mm，这里距离为0.1mm，在不同实施例中，该距离可为多种数值，如0.2mm，0.3mm，并不仅限于本实施例。所述第一端口P46与第二端口P47之间的距离，也即是该本振微带滤波器的长度是8.85mm。
进一步优选的，所述第一微波金属带P41至第五微波金属带P45的厚度均为0.13mm，所述陶瓷基板的厚度是0.254mm。
进一步优选的，所述本振微带滤波器的带通滤波范围是9.75GHz-10.6GHz，通带插入损耗≤3dB，VSWR≤1.3，带外抑制是：在5GHz-6.56GHz范围内，抑制比≥55dBc，在15GHz-16.95GHz范围内，抑制比≥55dBc。
优选的，如图13所示，该本振电路包括依次串接的频率合成器P1、本振放大器P2、本振倍频器P3和本振滤波器P4，所述频率合成器还与单片机P0电连接，所述单片机P0控制所述频率合成器的产生的信号频率，所述本振放大器P2对所述信号进行功率放大，再由所述本振倍频器P3对所述信号的频率进行倍频，所述本振滤波器P4则对倍频后的本振信号进行滤波输出。
该本振电路通过单片机可以对频率合成器合成的信号的频率进行设置或更改，使得该本振电路产生的频率值可更改，适应多种应用需求。另外，该本振电路中采用集成电路元器件，减少了外围电路中的分离元器件，能够有更小的体积。
上述射频通道电路输入的射频信号频率范围是10.7GHz-12.75GHz，本振频率范围9.75GHz-10.6GHz，中频信号的频率范围在950MHz-2150MHz。
基于以上实施例，本发明公开了一种小型化ODU接收通道模块，包括盒体和盒盖，盒体内部包括彼此隔离的上部腔体和下部腔体，在上部腔体中设置有对输入的射频信号进行滤波的腔体滤波器，腔体滤波器的射频信号输出端连接射频通道电路，容纳接收中频通道电路的中频腔，以及容纳电源电路的电源腔，在下部腔体中设置有本振电路，射频通道电路输出的射频信号与本振电路产生的本振信号混频后产生的中频信号接入到中频通道电路。该接收通道模块具有体积小、功耗低、稳定可靠且适用频带范围宽的优势。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种小型化ODU接收通道模块，包括盒体以及盖合所述盒体的盒盖，其特征在于，
所述盒体内部包括彼此隔离的上部腔体和下部腔体，所述盒盖对应包括盖合所述上部腔体的上盒盖和盖合所述下部腔体的下盒盖；
在所述上部腔体中设置有对输入的射频信号进行滤波的腔体滤波器，所述腔体滤波器的射频信号输出端连接射频通道电路，容纳接收中频通道电路的中频腔，以及容纳电源电路的电源腔，在所述下部腔体中设置有本振电路；
所述射频通道电路输出的射频信号与所述本振电路产生的本振信号混频后产生的中频信号接入到所述中频通道电路；
在所述盒体外部设置有中频信号输出口，所述电源腔的上部向外在所述盒体外部设置有直流电源接入口，所述下部腔体的上部向外在所述盒体外部设置有参考信号输入口和控制信号输入口，所述控制信号输入口用于向所述本振电路设置频率控制字，产生不同的本振信号频率，所述腔体滤波器对外在盒体外部上开设有射频信号输入口；
所述中频腔包括竖直且连通的三个分腔，其中右侧为中频第一分腔，中间为中频第二分腔，左侧为中频第三分腔，所述中频第一分腔和中频第二分腔高度相同，所述中频第三分腔的高度高于所述中频第一分腔和中频第二分腔。
2.根据权利要求1所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，所述腔体滤波器位于所述上部腔体的左侧，所述中频腔位于所述腔体滤波器的右侧，所述电源腔位于所述中频腔的第一中频分腔和第二中频分腔的上侧，且与所述中频第二分腔连通，所述电源腔的上边缘与所述中频第一分腔的上边缘等高平齐，所述射频信号输出端设置在所述腔体滤波器在所述上部腔体内的下部右侧。
3.根据权利要求2所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，所述射频通道电路包括与所述射频信号输出端电连接的第一微带，所述第一微带的另一端电连接两级串联的第一级NC1001 C-812S低噪声放大芯片和第二级NC1001 C-812S低噪放大芯片，所述第二级NC1001 C-812S低噪放大芯片向后电连接镜像抑制滤波器，所述镜像抑制滤波器的输出端通过第二微带电连接第三级NC1001 C-812S低噪放大芯片，所述第三级NC1001 C-812S低噪放大芯片向后通过第三微带电连接混频芯片NC17111 C-725M的射频端。
4.根据权利要求3所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，所述第二微带为弯弧型微带，将所述射频通道电路由前级的横向设置转为竖向设置。
5.根据权利要求4所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，位于所述下部腔体中的所述本振电路的本振信号输出端接入到所述上部腔体中，通过第四微带电连接放大芯片CHA3666，所述放大芯片CHA3666的输出端连接本振滤波器，所述本振滤波器连接所述混频芯片NC17111 C-725M的本振端，所述混频芯片NC17111 C-725M的中频端通过第五微带接入到所述中频腔的中频信号输入端。
6.根据权利要求5所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，所述本振电路的本振信号输出端通过绝缘子连接所述第四微带，所述第四微带为带孔微带。
7.根据权利要求6所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，所述镜像抑制滤波器和所述本振滤波器均为微带滤波器。
8.根据权利要求7所述的小型化ODU接收通道模块，其特征在于，所述本振电路包括依次串接的频率合成器、本振放大器、本振倍频器和所述本振滤波器，所述频率合成器与单片机电连接，所述单片机控制所述频率合成器的产生的信号频率，所述本振放大器对所述信号进行功率放大，再由所述本振倍频器对所述信号的频率进行倍频，所述本振滤波器则对倍频后的本振信号进行滤波输出。
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