JPH01213018A - 弾性表面波ディバイスの構造 - Google Patents
弾性表面波ディバイスの構造Info
- Publication number
- JPH01213018A JPH01213018A JP3747688A JP3747688A JPH01213018A JP H01213018 A JPH01213018 A JP H01213018A JP 3747688 A JP3747688 A JP 3747688A JP 3747688 A JP3747688 A JP 3747688A JP H01213018 A JPH01213018 A JP H01213018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- lid
- acoustic wave
- surface acoustic
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
圧電体基板の表面に櫛形電極部を有する導体パターンを
形成した弾性表面波ディバイスに関し、圧電体基板を気
密に収容するための金属パッケージを必要とすることな
く櫛形電極部の酸化等による特性変化を防止することが
でき、しかも、リード線等を必要とすることなく、圧電
体基板上の導体パターンと外部回路とを電気的に接続す
ることができるベアチップ形の弾性表面波ディバイスを
提供することを目的とし、 圧電体基板と同じ熱膨脹係数を有する蓋部材を櫛形電極
部の周りを取り囲む溶着用ガラスのパターンを介して圧
電体基板上に固着することにより、櫛形電極部を不活性
ガスとともに気密封止し、蓋部材に外部回路との接続用
端子として形成したスルーホールを導電性接着剤で圧電
体基板上の導体パターンに接続するように構成する。
形成した弾性表面波ディバイスに関し、圧電体基板を気
密に収容するための金属パッケージを必要とすることな
く櫛形電極部の酸化等による特性変化を防止することが
でき、しかも、リード線等を必要とすることなく、圧電
体基板上の導体パターンと外部回路とを電気的に接続す
ることができるベアチップ形の弾性表面波ディバイスを
提供することを目的とし、 圧電体基板と同じ熱膨脹係数を有する蓋部材を櫛形電極
部の周りを取り囲む溶着用ガラスのパターンを介して圧
電体基板上に固着することにより、櫛形電極部を不活性
ガスとともに気密封止し、蓋部材に外部回路との接続用
端子として形成したスルーホールを導電性接着剤で圧電
体基板上の導体パターンに接続するように構成する。
本発明は通信回路の信号フィルタなどに用いられる弾性
表面波ディバイスの構造の改良に関し、特に、ペアチッ
プ形弾性表面波ディバイスの構造に関する。
表面波ディバイスの構造の改良に関し、特に、ペアチッ
プ形弾性表面波ディバイスの構造に関する。
圧電体基板の表面に櫛形電極部を有する導体パターンを
形成した弾性表面波ディバイスにおいては、櫛形電極部
の酸化等による特性の変化を防止するために、不活性ガ
スを封入した気密パッケージ構造により、櫛形電極部を
保護する必要がある。
形成した弾性表面波ディバイスにおいては、櫛形電極部
の酸化等による特性の変化を防止するために、不活性ガ
スを封入した気密パッケージ構造により、櫛形電極部を
保護する必要がある。
一方、弾性表面波ディバイスを用いる通信装置やモジュ
ール等の小型化及び高密度実装化の要請に伴い、チップ
化した弾性表面波ディバイスをセラミック回路基板等に
直接実装して圧電体基板上の導体パターンとセラミック
回路基板上の回路パターンとの電気的接続構造を簡素化
する必要性が高まっている。
ール等の小型化及び高密度実装化の要請に伴い、チップ
化した弾性表面波ディバイスをセラミック回路基板等に
直接実装して圧電体基板上の導体パターンとセラミック
回路基板上の回路パターンとの電気的接続構造を簡素化
する必要性が高まっている。
第５図は従来の弾性表面波ディバイスの構造を概略的に
示したものである。同図を参照すると、圧電体基板１の
上面にはアルミニウムの薄膜パターンからなる一対の櫛
形電極部２と、金の薄膜パターンからなる信号入力用、
信号出力用、アース用等のランド部３，４．５とが部分
的に重なり合うように形成されている。従来の弾性表面
波ディバイスはリード端子７を備えた矩形成いは丸形の
金属ベース６と金属キャップ８とからなる金属パッケー
ジを備えており、圧電体基板１は金属ベース６上に固着
され、各リード端子７はリード線９を介して圧電体基板
１上のランド部３，４．５に接続されている。金属キャ
ップ８は窒素等の不活性ガス雰囲気内で金属ベース６の
フランジ部６ａに抵抗溶接、シーム溶接等によって固着
され、これにより、金属キャップ８内に不活性ガスが封
入されるようになっている。
示したものである。同図を参照すると、圧電体基板１の
上面にはアルミニウムの薄膜パターンからなる一対の櫛
形電極部２と、金の薄膜パターンからなる信号入力用、
信号出力用、アース用等のランド部３，４．５とが部分
的に重なり合うように形成されている。従来の弾性表面
波ディバイスはリード端子７を備えた矩形成いは丸形の
金属ベース６と金属キャップ８とからなる金属パッケー
ジを備えており、圧電体基板１は金属ベース６上に固着
され、各リード端子７はリード線９を介して圧電体基板
１上のランド部３，４．５に接続されている。金属キャ
ップ８は窒素等の不活性ガス雰囲気内で金属ベース６の
フランジ部６ａに抵抗溶接、シーム溶接等によって固着
され、これにより、金属キャップ８内に不活性ガスが封
入されるようになっている。
上述した従来の弾性表面波ディバイスは圧電体基板ｌを
気密に収容するための金属ベース６と金属キャンプ８と
による金属パッケージ構造を必要としているため、セラ
ミック回路基板等に対する弾性表面波ディバイスの実装
スペースが増大し、回路基板の小型化、高密度集積化が
困難になるという問題が生じていた。また、圧電体基板
１上のランド部３，４．５とセラミック回路基板との間
の電気的接続のためにリード線９及びリード端子７が必
要であるため、弾性表面波ディバイスの製造及び実装工
数が増加することとなっていた。
気密に収容するための金属ベース６と金属キャンプ８と
による金属パッケージ構造を必要としているため、セラ
ミック回路基板等に対する弾性表面波ディバイスの実装
スペースが増大し、回路基板の小型化、高密度集積化が
困難になるという問題が生じていた。また、圧電体基板
１上のランド部３，４．５とセラミック回路基板との間
の電気的接続のためにリード線９及びリード端子７が必
要であるため、弾性表面波ディバイスの製造及び実装工
数が増加することとなっていた。
したがって、本発明の課題は、圧電体基板を気密に収容
するための金属パッケージを必要とすることなく櫛形電
極部の酸化等による特性変°化を防止することができ、
しかも、リード線等を必要とすることなく、圧電体基板
上の導体パターンと外部回路とを電気的に接続すること
ができるペアチップ形の弾性表面波ディバイスを提供す
ることにある。
するための金属パッケージを必要とすることなく櫛形電
極部の酸化等による特性変°化を防止することができ、
しかも、リード線等を必要とすることなく、圧電体基板
上の導体パターンと外部回路とを電気的に接続すること
ができるペアチップ形の弾性表面波ディバイスを提供す
ることにある。
上記課題を解決するために、本発明に従う弾性表面波デ
ィバイスは、圧電体基板の表面に櫛形電極部を有する導
体パターンを形成し、圧電体基板と同じ熱膨張係数を有
する蓋部材を櫛形電極部の周りを取り囲む溶着用ガラス
のパターンを介して圧電体基板上に固着することにより
、櫛形電極部を不活性ガスとともに気密封止し、蓋部材
に外部回路との接続用端子として形成したスルーホール
を導電性接着剤で圧電体基板上の導体パターンに接続す
るように構成される。
ィバイスは、圧電体基板の表面に櫛形電極部を有する導
体パターンを形成し、圧電体基板と同じ熱膨張係数を有
する蓋部材を櫛形電極部の周りを取り囲む溶着用ガラス
のパターンを介して圧電体基板上に固着することにより
、櫛形電極部を不活性ガスとともに気密封止し、蓋部材
に外部回路との接続用端子として形成したスルーホール
を導電性接着剤で圧電体基板上の導体パターンに接続す
るように構成される。
本発明による弾性表面波ディバイスの構造においては、
圧電体基板と蓋部材との間に気密封入される不活性ガス
によって圧電体基板上の櫛形電極部の酸化等が防止され
る。したがって、圧電体基板を気密に収容する金属パッ
ケージ構造が不要となり、弾性表面波ディバイスの小型
化が可能となる。また、スルーホールが表出している蓋
部材の表面を下にしてセラミック回路基板上に搭載し、
スルーホールをセラミック回路基板上の回路バタ−ンに
直接接続することにより、リード線等を必要とすること
なく、蓋部材に設けられているスルーホールを介して圧
電体基板上の回路パターンとセラミック回路基板等との
電気的接続を行なうことができる。したがって、セラミ
ック回路基板上の回路パターン等外部回路に対する圧電
体基板上の導体パターンの電気的接続構造を簡素化する
ことができ、弾性表面波ディバイスの製造及び実装工数
を削減できることとなる。
圧電体基板と蓋部材との間に気密封入される不活性ガス
によって圧電体基板上の櫛形電極部の酸化等が防止され
る。したがって、圧電体基板を気密に収容する金属パッ
ケージ構造が不要となり、弾性表面波ディバイスの小型
化が可能となる。また、スルーホールが表出している蓋
部材の表面を下にしてセラミック回路基板上に搭載し、
スルーホールをセラミック回路基板上の回路バタ−ンに
直接接続することにより、リード線等を必要とすること
なく、蓋部材に設けられているスルーホールを介して圧
電体基板上の回路パターンとセラミック回路基板等との
電気的接続を行なうことができる。したがって、セラミ
ック回路基板上の回路パターン等外部回路に対する圧電
体基板上の導体パターンの電気的接続構造を簡素化する
ことができ、弾性表面波ディバイスの製造及び実装工数
を削減できることとなる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示したもので
ある。はしめに第１図を参照すると、弾性表面波ディバ
イス１０ば例えば矩形の平板状に形成された水晶からな
る圧電体基板１１を備えており、圧電体基板１１の上面
には例えばアルミニウムの薄膜からなる一対の櫛形電極
部１２．１３と、例えば金の薄膜からなる信号入力用ラ
ンド部１４、信号出力用ランド部１５及びアース用ラン
ド部１６．１７が部分的に重なり合うようにパターン形
成されて導体パターンを形成している。なお、第１図に
おいては櫛形電極部１２．１３のパターンが簡略的に図
示されている。
ある。はしめに第１図を参照すると、弾性表面波ディバ
イス１０ば例えば矩形の平板状に形成された水晶からな
る圧電体基板１１を備えており、圧電体基板１１の上面
には例えばアルミニウムの薄膜からなる一対の櫛形電極
部１２．１３と、例えば金の薄膜からなる信号入力用ラ
ンド部１４、信号出力用ランド部１５及びアース用ラン
ド部１６．１７が部分的に重なり合うようにパターン形
成されて導体パターンを形成している。なお、第１図に
おいては櫛形電極部１２．１３のパターンが簡略的に図
示されている。
弾性表面波ディバイス１０は圧電体基板１１と同一サイ
ズ及び同じ熱膨張係数を有する例えば水晶、石英、セラ
ミック等からなる蓋部材１８を備えている。第１図ない
し第３図から判るように、蓋部材１８には金等の導体膜
からなるスルーホール１９が形成されている。この実施
例では、４つのランド部１４〜１７に対応する４つのス
ルーホール１９が形成されており、各スルーホール１９
は蓋部材１８の下面を圧電体基板１１の上面に重ね合わ
せたときに対応するランド部１４〜１７と重なるように
配置されている。
ズ及び同じ熱膨張係数を有する例えば水晶、石英、セラ
ミック等からなる蓋部材１８を備えている。第１図ない
し第３図から判るように、蓋部材１８には金等の導体膜
からなるスルーホール１９が形成されている。この実施
例では、４つのランド部１４〜１７に対応する４つのス
ルーホール１９が形成されており、各スルーホール１９
は蓋部材１８の下面を圧電体基板１１の上面に重ね合わ
せたときに対応するランド部１４〜１７と重なるように
配置されている。
蓋部材１８の下面には、第１図に示すように、櫛形電極
部１２．１３の周りを取り囲み且つ各スルーホール１９
の周りを取り囲むように所定の厚みを有する溶着用ガラ
ス２０のパターンが設けられている。
部１２．１３の周りを取り囲み且つ各スルーホール１９
の周りを取り囲むように所定の厚みを有する溶着用ガラ
ス２０のパターンが設けられている。
第２図及び第３図は溶着用ガラス２０で蓋部材１８と圧
電体基板１１とを溶着した状態を示しており、第３図に
示すように、圧電体基板１１上の櫛形電極部１２．１３
の箇所には溶着用ガラス２０の厚みに相当する幅の気密
空間２１が形成されている。蓋部材１８と圧電体基板１
１との溶着を例えば窒素等の不活性ガス雰囲気中で行な
うことにより、蓋部材１８と圧電体基板１１との間の気
密空間２１内に不活性ガスが封入される。したがって、
圧電体基板１１上の櫛形電極部１２゜１３は不活性ガス
雰囲気内に保たれ、酸化等による周波数特性の変化が防
止される。
電体基板１１とを溶着した状態を示しており、第３図に
示すように、圧電体基板１１上の櫛形電極部１２．１３
の箇所には溶着用ガラス２０の厚みに相当する幅の気密
空間２１が形成されている。蓋部材１８と圧電体基板１
１との溶着を例えば窒素等の不活性ガス雰囲気中で行な
うことにより、蓋部材１８と圧電体基板１１との間の気
密空間２１内に不活性ガスが封入される。したがって、
圧電体基板１１上の櫛形電極部１２゜１３は不活性ガス
雰囲気内に保たれ、酸化等による周波数特性の変化が防
止される。
蓋部材１８に外部回路との接続用端子として形成された
各スルーホール１９は、第３図に示すように、導電性接
着剤２２で圧電体基板１１上の対応するランド部１４〜
１７に接続される。導電性接着剤２２は硬化時にガスを
発生するが、この実施例では、各スルーホール１９が溶
着用ガラス２０のパターンによって櫛形電極部１２．１
３の箇所の気密空間２１に対し隔絶されているので、導
電性接着剤２２の硬化時に発生するガスが気密空間２１
内に侵入することを防止できる。
各スルーホール１９は、第３図に示すように、導電性接
着剤２２で圧電体基板１１上の対応するランド部１４〜
１７に接続される。導電性接着剤２２は硬化時にガスを
発生するが、この実施例では、各スルーホール１９が溶
着用ガラス２０のパターンによって櫛形電極部１２．１
３の箇所の気密空間２１に対し隔絶されているので、導
電性接着剤２２の硬化時に発生するガスが気密空間２１
内に侵入することを防止できる。
上記構成を有する弾性表面波ディバイス１０は、第４図
に示すように、蓋部材１８の上面を下にして例えばセラ
ミック回路基板２３上に搭載し、蓋部材１８の表面に表
出しているスルーホール１９の端面をボンディング等に
よってセラミック回路基板２３上の回路パターン２４〜
２７上に直接接続することができる。したがって、圧電
体基板１１上の導体パターンとセラミック回路基板２３
上の回路パターン２４〜２７との間の接続構造が簡素に
なり、リード線等による接続作業が不要になる。
に示すように、蓋部材１８の上面を下にして例えばセラ
ミック回路基板２３上に搭載し、蓋部材１８の表面に表
出しているスルーホール１９の端面をボンディング等に
よってセラミック回路基板２３上の回路パターン２４〜
２７上に直接接続することができる。したがって、圧電
体基板１１上の導体パターンとセラミック回路基板２３
上の回路パターン２４〜２７との間の接続構造が簡素に
なり、リード線等による接続作業が不要になる。
以上、図示実施例につき説明したが、本発明は上記実施
例の態様のみに限定されるものではない。
例の態様のみに限定されるものではない。
例えば、圧電体基板１１の上面にはアルミニウムの薄膜
パターンのみによって櫛形電極部１２゜１３と蓋部材１
８のスルーホール１９に接続するための端子パターンと
を形成してもよい。また、圧電体基板１１の上面に形成
される導体パターンの形状や蓋部材１８に形成されるス
ルーホール１９の配置場所等は必要に応じて変更するこ
とができる。
パターンのみによって櫛形電極部１２゜１３と蓋部材１
８のスルーホール１９に接続するための端子パターンと
を形成してもよい。また、圧電体基板１１の上面に形成
される導体パターンの形状や蓋部材１８に形成されるス
ルーホール１９の配置場所等は必要に応じて変更するこ
とができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、圧電
体基板と蓋部材との間に気密封入される不活性ガスによ
って圧電体基板上の櫛形電極部の酸化等が防止される。
体基板と蓋部材との間に気密封入される不活性ガスによ
って圧電体基板上の櫛形電極部の酸化等が防止される。
したがって、圧電体基板を気密に収容するための金属パ
ッケージが不要となる。また、蓋部材に形成されている
スルーホールの端面を外部回路に直接接続することがで
きるので、リード線等による接続作業が不要になる。し
たがって、圧電体基板を気密に収容するための金属パッ
ケージを必要とすることなく櫛形電極部の酸化等による
特性変化を防止することができ、しかも、リード線等を
必要とすることなく、圧電体基板上の導体パターンと外
部回路とを電気的に接続することができるベアチップ形
の弾性表面波ディバイスを提供することができる。
ッケージが不要となる。また、蓋部材に形成されている
スルーホールの端面を外部回路に直接接続することがで
きるので、リード線等による接続作業が不要になる。し
たがって、圧電体基板を気密に収容するための金属パッ
ケージを必要とすることなく櫛形電極部の酸化等による
特性変化を防止することができ、しかも、リード線等を
必要とすることなく、圧電体基板上の導体パターンと外
部回路とを電気的に接続することができるベアチップ形
の弾性表面波ディバイスを提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す弾性表面波ディバイス
の分解斜視図、 第２図は第１図に示す弾性表面波ディバイスの完成状態
を示す斜視図、 第３図は第２図に示す弾性表面波ディバイスの断面図、 第４図は第２図に示す弾性表面波ディバイスを回路基板
上に実装した状態を示す斜視図、第５図は従来の弾性表
面波ディバイスのパッケージ構造を示す分解斜視図であ
る。 図において、１０は弾性表面波ディバイス、１１は圧電
体基板、１２．１３は櫛形電極部、１４〜１７はランド
部、１８は蓋部材、１９はスルーホール、２０は溶着用
ガラスをそれぞれ示す。 第１図に示すディバイスの完成状態を示す斜視図第４図
の分解斜視図、 第２図は第１図に示す弾性表面波ディバイスの完成状態
を示す斜視図、 第３図は第２図に示す弾性表面波ディバイスの断面図、 第４図は第２図に示す弾性表面波ディバイスを回路基板
上に実装した状態を示す斜視図、第５図は従来の弾性表
面波ディバイスのパッケージ構造を示す分解斜視図であ
る。 図において、１０は弾性表面波ディバイス、１１は圧電
体基板、１２．１３は櫛形電極部、１４〜１７はランド
部、１８は蓋部材、１９はスルーホール、２０は溶着用
ガラスをそれぞれ示す。 第１図に示すディバイスの完成状態を示す斜視図第４図
Claims (1)
- １．圧電体基板（１１）の表面に櫛形電極部（１２，１
３）を有する導体パターンを形成した弾性表面波ディバ
イスにおいて、 圧電体基板（１１）と同じ熱膨脹係数を有する蓋部材（
１８）を櫛形電極部（１２，１３）の周りを取り囲む溶
着用ガラス（２０）のパターンを介して圧電体基板（１
１）上に固着することにより、櫛形電極部（１２，１３
）を不活性ガスとともに気密封止し、 蓋部材（１８）に外部回路との接続用端子として形成し
たスルーホール（１９）を導電性接着剤（２２）で圧電
体基板（１１）上の導体パターンに接続したことを特徴
とする弾性表面波ディバイスの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3747688A JPH01213018A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 弾性表面波ディバイスの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3747688A JPH01213018A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 弾性表面波ディバイスの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01213018A true JPH01213018A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12498574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3747688A Pending JPH01213018A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 弾性表面波ディバイスの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01213018A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187756A (en) * | 1990-09-12 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic waveguide device and manufacturing method |
| US5818145A (en) * | 1995-04-10 | 1998-10-06 | Nec Corporation | Surface acoustic wave device |
| US6310420B1 (en) * | 1995-12-21 | 2001-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Electronic component in particular an saw component operating with surface acoustic waves and a method for its production |
| JP2002217673A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスとその製造方法及びこのｓａｗデバイスを用いた電子部品 |
| EP1540736A2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-06-15 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
| JP2007516602A (ja) * | 2003-09-26 | 2007-06-21 | テッセラ，インコーポレイテッド | 流動可能な伝導媒体を含むキャップ付きチップの製造構造および方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544300A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-28 | United Technologies Corp | Vacuum sealed saw device structure and method of manufacturing same |
| JPS5733818A (en) * | 1980-08-08 | 1982-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic surface wave element |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3747688A patent/JPH01213018A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544300A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-28 | United Technologies Corp | Vacuum sealed saw device structure and method of manufacturing same |
| JPS5733818A (en) * | 1980-08-08 | 1982-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic surface wave element |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187756A (en) * | 1990-09-12 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic waveguide device and manufacturing method |
| US5818145A (en) * | 1995-04-10 | 1998-10-06 | Nec Corporation | Surface acoustic wave device |
| US6310420B1 (en) * | 1995-12-21 | 2001-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Electronic component in particular an saw component operating with surface acoustic waves and a method for its production |
| JP2002217673A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスとその製造方法及びこのｓａｗデバイスを用いた電子部品 |
| JP4691787B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-06-01 | パナソニック株式会社 | Ｓａｗデバイス |
| EP1540736A2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-06-15 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
| EP1540736A4 (en) * | 2002-08-28 | 2006-03-08 | Silicon Light Machines Corp | SEAL AT PLATE LEVEL FOR SILICON-FREE DEVICES |
| JP2007516602A (ja) * | 2003-09-26 | 2007-06-21 | テッセラ，インコーポレイテッド | 流動可能な伝導媒体を含むキャップ付きチップの製造構造および方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4795602B2 (ja) | 発振器 | |
| JP2001196488A (ja) | 電子部品装置及びその製造方法 | |
| JP2000114918A (ja) | 表面弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP3418373B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP3201681B2 (ja) | 表面実装型混成集積回路装置 | |
| JPH01213018A (ja) | 弾性表面波ディバイスの構造 | |
| JPH0730059A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPS5931217B2 (ja) | マイクロ波集積回路用パッケ−ジ | |
| JPH0818390A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4724518B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP5024317B2 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JP3911426B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ用パッケージおよび弾性表面波フィルタ装置 | |
| JPH06196577A (ja) | 電子素子収納用パッケージ | |
| JPH0319406A (ja) | 表面実装型水晶発振器 | |
| JP3620451B2 (ja) | 圧電デバイスのパッケージ構造 | |
| JPH10163798A (ja) | 弾性表面波素子とこれを用いた電子部品 | |
| JPH02179017A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH0851333A (ja) | Ｓａｗ装置 | |
| JPH04216653A (ja) | 半導体集積回路用パッケージおよびその実装方法 | |
| JPH01273390A (ja) | 電気回路部品 | |
| JPH0735451Y2 (ja) | 圧電装置 | |
| JPH02141109A (ja) | 圧電発振器の構造 | |
| JPH09232899A (ja) | 電子素子のパッケージ実装方法 | |
| JPH0457357A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS62241415A (ja) | 圧電振動子 |