JP4795602B2 - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JP4795602B2 JP4795602B2 JP2001557158A JP2001557158A JP4795602B2 JP 4795602 B2 JP4795602 B2 JP 4795602B2 JP 2001557158 A JP2001557158 A JP 2001557158A JP 2001557158 A JP2001557158 A JP 2001557158A JP 4795602 B2 JP4795602 B2 JP 4795602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- piezoelectric vibrator
- oscillator
- electrode
- semiconductor component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 132
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 56
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 17
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
Description
【0001】
本発明は、特に無線通信機器や携帯電話などの移動体通信分野に使用される温度補償発振器を小型にする圧電振動子を使った発振器に関する。
【0002】
例えば水晶を圧電振動子(圧電部品)として用いた水晶発振器は、情報通信や情報処理などの分野で広く利用されている。特に、携帯電話などの携帯端末では、広い温度範囲での周波数の安定性や得られる周波数温度特性以上の安定性が要求される。
【0003】
これに対し、水晶などの圧電振動子は、環境温度により周波数が変化する温度特性を有している。この一例として、ATカットの水晶振動子では、中心周波数偏差が最も少ない25℃近辺の温度に対し、高温側と低温側では周波数変動が大きくなるという特有の温度特性を持っていることが広く知られている。したがって、前述した要求特性が得られるように、水晶発振器は、温度補償回路を付加して安定した動作が得られるようにしているのが一般的である。
【0004】
このような温度補償回路を付加した温度補償発振器には、特開平8−20452号公報,特開平9−167918号公報などに示されているように、まず、発振回路を収容した容器と、水晶振動子などの圧電振動子を収容した容器とを、基板の表裏に一体に構成した容器構造を持つものがある。図13aに示すように、この温度補償機能を備える発振器1301は、圧電振動子1302の収容部1305aと発振回路などを構成する電子部品1303の収容部1305bとが表裏一体に形成された容器1305を備えている。
【0005】
容器1305の収容部1305aの底面には、図示していないが所定の回路配線が形成され、この回路配線の所定箇所に、導電性接着剤などにより圧電振動子1302が固定されている。加えて、蓋1306aにより、収容部1305a内が気密封止されている。
【0006】
一方、容器1305の収容部1305bの底面にも、所定の回路配線(図示せず)が形成され、この回路配線の所定箇所に電子部品1303が実装されている。電子部品1303の収容部1305bにも、この領域を封止する蓋を設けるようにしてもよい。なお、収容部1305b内には合成樹脂からなる充填材1303aを充填し、電子部品1303を覆って保護する構成もある。また、特願平9−167918号公報に示されている温度補償型水晶発振器では、電子部品側の容器に蓋に電子部品の調整用穴を設け、水晶発振器を組み立てて完成した後でも、電子部品の調整ができるようにしている。
【0007】
また、発振回路が形成された基板を搭載した容器と、圧電振動子を収容した容器とを重ね合わせた容器構造の温度補償発振器もある。図14に示すように、この温度補償機能を備える発振器1321は、圧電振動子を収容した容器1322と、発振回路などを構成する電子部品1323が実装された容器1324とを重ね合わせている。容器1324は凹部を備え、この凹部底部に所定の回路配線が形成され、この回路配線の所定箇所に電子部品1323が実装される。回路配線は、容器1324の凹部を囲む土手上に端子を引き出し、容器1322内の圧電振動子との電気的な接続をとるようにしている。
【0008】
ところが、前述したような携帯電話などの携帯端末では、広い温度範囲での周波数の安定性に加え、小型化や低価格化が要求される。これらの要求に対し、図13の構成とした温度補償発振器では、圧電振動子を収容する容器と電子部品を収容する容器とを必要とするため、小型化がしにくいという問題があった。
【0009】
また、温度補償発振器を一体構造としているため、圧電振動子もしくは電子部品のいずれか一方でも故障していると、温度補償発振器全体が不良となってしまう。このため、例えば電子部品に故障が無くても、圧電振動子が不良のため、正常な電子部品も不良として処理することになる。
【0010】
また、図13bに示すように、従来では電子部品1303を固定するために充填する充填材1303aが、収容部1305bの内壁に引き寄せられ、電子部品1303を完全に覆えない場合も発生していた。以上説明したように、従来の構成では、製造歩留りの低下を招き、製品コストの上昇を招いていた。
【0011】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、発振器を、従来より小型化し、また、従来より低いコストで製造できるようにすることを目的とする。
発明の開示
【0012】
本発明の圧電振動子を使った発振器は、基板の主表面上に外気と遮断された状態で配置された圧電振動子と、基板の裏面にフリップチップ実装された半導体部品と、基板の裏面に配置され、かつ半導体部品の高さより高くかつ各々離間した複数の電極構造体とを備え、基板の主表面には、圧電振動子とこれを支持する部品のみが外気と遮断された状態で配置され、電極構造体は、基板の隅に接して配置され、電極構造体の一部の側面と基板の一部の側面とが、実質的に1つの平面を構成している状態とされ、電極構造体は、導電性材料から構成され、圧電振動子と半導体部品と電極構造体とにより発振回路が構成され、基板の裏面に、3つの電極構造体が配置され、電極構造体は、基板裏面のいずれかの4隅に接して配置され、半導体部品は、電極構造体が配置されていない基板裏面の隅に接して配置されているものである。
【0016】
以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。
【0017】
<実施例1>
図1aは、本発明の第1の実施例における発振器の構成を示す部分断面図、図1b,図1cはこの平面図である。この発振器は、例えばATカットされた水晶振動子などの圧電部品である圧電振動子101を備えている。圧電振動子101は、基板104の上(基板104の表面)に、導電性を有する材料からなる固定部材104aにより固定されている。
【0018】
固定部材104aは、例えばAuなどからなる複数の金属微粒子が分散された樹脂からなるものである。樹脂としては、エポキシ系の樹脂やシリコーン系の樹脂が用いられる。固定部材104aは、硬化した樹脂により圧電振動子101を支持すると共に、分散している金属微粒子の存在により、圧電振動子101表面に形成されている電極101a,101bと電気的な接続が得られるようにしている。
【0019】
また、圧電振動子101は、基板104上で、蓋105と枠体103と、例えば多層配線構造の基板104とからなる密閉された容器内に配置されている。基板104は、多層配線構造とすることで、回路配線部分を表面や裏面に露出せずに形成できるので、信号伝達経路における高い信頼性を備えている。なお、基板104は、例えば複雑な回路配線が必要ない場合などは多層配線構造とする必要はない。
【0020】
枠体103,蓋105は、例えば、一般的に半導体部品のパッケージに用いられるセラミックや、また、鉄・ニッケル合金やコバールなどの金属材料など、加熱によりガスを発生しない材料より構成すればよい。一方、基板104は、例えば、セラミックなどの加熱によりガスを発生しない材料を基本として用いればよく、これに金属配線パターンを形成すればよい。
【0021】
また、枠体103と基板104および枠体103と蓋105とは、気密が保たれる状態で封着されている。この封着には、例えば合成ゴム系の接着剤,ガラスフリット,ハンダ(ロウ付け),シームなどを用いればよい。ハンダ(ロウ付け)材としては、一般的に用いられる共晶ハンダや、Au−Snなどを用いればよい。また、固定部材104aは、例えばハンダや導電性接着剤などで形成すればよい。
【0022】
基板104の表面には、図示していない回路配線が形成され、この回路配線の所定箇所に固定部材104aが形成され、圧電振動子101は、固定部材104aを介して上記回路配線に接続されている。
【0023】
一方、基板104の裏面にも、図示していない回路配線が形成され、この回路配線の所定箇所と半導体部品(電子部品)102の所定箇所とを接続して半導体部品102,電子部品102aがフリップチップ実装されている。
【0024】
フリップチップ実装は、ワイヤーボンディングを用いずにベア・チップLSIの状態で、半導体部品102を基板104裏面に接続する技術であり、このことにより、パッケージを省いた分だけ実装面積を小さくするようにしている。
【0025】
このように、パッケージに包まず裸の状態で半導体部品102は実装されているので、半導体部品102を構成しているシリコンなどの半導体基板裏面は、露出していることになる。したがって、この半導体基板の露出面を保護するために、例えば半導体部品102の露出面に、ポリイミドなどの絶縁性樹脂を塗布することで、保護膜を形成するようにしてもよい。
【0026】
以上説明したように基板104の裏面にフリップチップ実装される半導体部品102は、温度補償回路や温度検知回路などが集積されている。また、電子部品102aは、例えば、チップキャパシタやチップレジスタなどである。なお、基板104の裏面に他の集積回路チップが搭載されていてもよい。
【0027】
加えて、基板104の裏面には、導通用台座部となる電極(電極構造体)106が、基板104の裏面に形成された回路配線に接続して形成(配置)されている。本実施例では、発振器を搭載する回路基板に対し、電極106をハンダなどにより接続する。なお、基板104の表面の回路配線と裏面の回路配線とは、基板104を貫通するビアホール内に形成されたプラグにより、所定箇所が互いに接続されている。
【0028】
ところで、図1bでは、4つの電極106を設けるようにしたが、これに限るものではない。図1cに示すように、発振器を駆動する電源端子と、2つの出力信号端子の合計3つの電極106があればよい。ただし、電圧可変周波数発振器の形態とするためには、制御電圧を加えるための電極も必要となり、合計4つの電極が必要となる。
【0029】
電極106が3つの場合、これらを基板104裏面の3隅に接して配置し、残りの隅に接するように半導体部品102を配置すれば、発振器全体をより小さくすることが可能となる(図1d)。
【0030】
半導体部品102に集積されている温度検知回路は、環境温度を検知してこの温度情報を半導体部品102に集積されている温度補償回路に提供している。この温度情報により、上記温度補償回路は、環境温度の変化に応じて回路パラメータを適宜修正し、基板104に形成された回路配線を介して圧電振動子101から得られる発振出力の周波数変動を抑制し、これを電極106より出力する。
【0031】
電極106は、基板104の裏面からの突出高さが、フリップチップ実装された半導体部品102の基板104の裏面からの突出高さより高くなるように形成されている。このように、電極106を突き出させて形成しておくことで、発振器を回路基板に搭載するとき、半導体部品102が回路基板に接触しないように防止している。
【0032】
図2a,図2bは、図1の発振器のより詳細な構成を示す斜視図であり、図2c,図2dは、これらの平面図である。なお、図2cは、圧電振動子101が配置された基板104および枠体103を上方から見た平面図である。枠体103の内側の圧電振動子101の収容領域の2隅には、圧電振動子に接続される電極パッド201が設けられている。圧電振動子101の2つの角が、2つの電極パッド201に固定部材104aにより固定されている。また、例えば圧電振動子101の表面に形成された電極101aの端子部が、固定部材104aを介して電極パッド201に接続されている。
【0033】
また、図2dは、半導体部品102を実装していない基板104を裏面より見た平面図である。基板104の裏面には、4つの電極106が形成され、また、10個の端子202a〜202jを備えた回路配線202が形成された状態を示している。回路配線202の端子202a〜202jに、半導体部品102の各端子が接続固定される。また、基板104の側部には、最終調整用に用いられる調整端子203a〜203dが設けられ、各々端子202g〜202jに接続している。
【0034】
また、基板104には、圧電振動子が固定される側の電極パッド201から、回路配線202の所定端子に接続するプラグが貫通して形成され、回路配線202の端子202g,202hに接続されている。
【0035】
この回路配線202に半導体部品102がフリップチップ実装されて発振回路が形成された場合の等価回路は、図2eのようになる。この場合、基板104は、多層配線構造である必要はない。
【0036】
図2eに示すように、半導体部品102は、端子202e,202fを介して圧電振動子101に接続している。半導体部品102においては、3次関数発生回路121が、圧電振動子101の基本温度特性を反転した補正関数を内部で発生している。3次関数発生回路121では、温度センサ122で計測された環境温度に対応した信号を入力し、この信号の値に対応する補正関数値を基準補正値として出力する。
【0037】
この基準補正値と基準電圧発生回路123から出力される基準電圧とを加算器124で加算し、加算して得られた電圧を可変ダイオード125bから構成される発振回路125に入力することで、圧電振動子101の環境温度による変動を抑制し、温度による変動が抑制された発振信号が、端子202dに接続される出力端子に出力される。この発振信号は、端子202d,電子部品102aを介し、電子部品102aに接続する電極106から出力される。
【0038】
ところが、圧電振動子101は、製造バラツキのために、微小ながら個体差を有している。この個体差による発振信号の変動は、書き換え可能な読み出し専用メモリである記憶部(EEPROM)126に記憶されている調整データを元に抑制するようにしている。
【0039】
図2eに示すように、基準電圧発生回路123より出力される基準電圧は、0次調整部127aにより調整され、3次関数発生回路121より出力される基準補正値は、3次ゲイン調整部127bにより調整(振幅増減補正)される。これら調整された基準電圧および基準補正値と、温度センサ122から出力されて1次ゲイン調整部127cで調整(傾き回転の補正)された調整信号とを、加算器124により加算し、加算して得られた電圧を発振回路125に入力することで、個体差による変動も抑制された発振信号が、端子202cに接続される出力端子に出力される。
【0040】
記憶部126に記憶されている調整データは、調整端子203a〜203dを用いて入力かつ調整するようにしている。
【0041】
調整端子203bには、端子202hを介して記憶部126のチップセレクタ(CS)端子が接続され、調整端子203cには、端子202iを介して記憶部126のシステムクロック(SK)端子が接続され、調整端子203dには、端子202jを介して記憶部126の入出力(I/O)端子が接続されている。
【0042】
これら調整端子203b〜203dより、記憶部126に前述した調整データを入力する。また、0次調整部127a,1次ゲイン調整部127c,3次ゲイン調整部127bから出力される信号を、スイッチ(SW)128で切り換えながらモニター端子、すなわち端子202gよりモニターすることで、入力した調整データの整合性を確認する。なお、発振信号は、バッファ129を介して出力される。
【0043】
また、端子202dを介してゲイン調整部130にゲイン調整信号を入力することで、発振信号の周波数を変化させる電圧可変周波数発振器の形態とすることができる。発振周波数を可変とする場合、ゲイン調整信号を入力するための電極が必要となり、発振器には、図1bに示したように、4つの電極106が必要となる。しかし、発振周波数が固定でよい場合は、ゲイン調整信号を入力するための電極は必要なく、図1cに示したように、3つの電極があればよい。この場合、半導体部品102内に、ゲイン調整部130を用意する必要はない。
【0044】
つぎに、本実施例における発振器の製造方法に関して説明する。
【0045】
まず、図1aに示したように、基板104の上に圧電振動子101を固定部材104aで固定し、基板104の上に枠体103を固定し、これらでなる容器を蓋105で封止することで、図3aに示す、圧電振動子部111を用意する。
【0046】
また、圧電振動子部111においては、基板104の裏面に形成されている回路配線の電極接続箇所に、Ag−Pdハンダ材や銅などの導電性部材からなるパッド301を形成しておく。なお、図3aには示していないが、容器内において、基板104の上面には、圧電振動子に固定部材を介して接続する回路配線が形成されている。
【0047】
つぎに、図3bに示すように、電極形成領域に開口部302aを備えた位置決め板302を用意する。
【0048】
つぎに、図3cに示すように、圧電振動子部111の下面、すなわち基板104の裏面の所定箇所に位置決め板302を当接させて固定する。このとき、開口部302aの底面には、基板104の裏面に形成したパッド301の表面が見えた状態となっている。
【0049】
次いで、図3dに示すように、開口部302a内に電極106を嵌合し、電極106が露出するパッド301の表面に接触した状態とし、これらを例えば280℃に加熱し、上記電極接続箇所に電極106をハンダ付けする。
【0050】
つぎに、基板104より位置決め板302を取り外せば、図3eに示すように、圧電振動子部111の基板104の裏面に、電極106が形成された状態が得られる。この後、基板裏面の回路配線の所定箇所に、半導体部品をフリップチップ実装することで、図1aに示した発振器が得られる。
【0051】
また、本実施例における発振器は、つぎに示すことにより製造してもよい。
【0052】
まず、図1aに示したように、基板104の上に圧電振動子101を固定部材104aで固定し、基板104の上に枠体103を固定し、これらでなる容器を蓋105で封止することで、図4aに示す、圧電振動子部111を用意する。これは、図3a〜図3eに示した製造方法と同様である。
【0053】
つぎに、スクリーン印刷法により、圧電振動子部111における基板104の裏面に形成されている回路配線の電極接続箇所に、導電性ペーストからなるパターン401を形成する。なお、図4a〜図4cには示していないが、スクリーン印刷においては、枠に張った紗(スクリーン)にマスクパターンを形成し、これを基板104の裏面に載置し、マスクパターンの開口部に露出しているスクリーンの目開きより、インクとなる導電性ペーストを通過させてパターン401を形成している。
【0054】
このスクリーン印刷におけるインクとなる導電性ペーストは、例えば、Ag−Pdハンダ材などの金属粒子を有機樹脂からなるバインダー中に分散した印刷用のペーストである。
【0055】
つぎに、パターン401を加熱して焼成することなどにより、パターン401中の有機成分を除去すれば、パターン401中の金属成分のみが残り、図4cに示すように、基板104の裏面に金属材料からなる電極106が形成された状態が得られる。
【0056】
また、本実施例における発振器は、つぎに示すことにより製造してもよい。
【0057】
まず、図1aに示したように、基板104の上に圧電振動子101を固定部材104aで固定し、基板104の上に枠体103を固定し、これらでなる容器を蓋105で封止することで、図4aに示したように、圧電振動子部111を用意する。次いで、図5aに示すように、基板104の裏面に開口部501aを備えたマスクパターン501を形成する。開口部501aは、基板104の裏面に形成されている回路配線の電極形成箇所が露出するように形成する。マスクパターン501は、例えば、感光性を有するレジストを塗布し、これを公知のフォトリソグラフィ技術により加工することで形成できる。
【0058】
次いで、図5bに示すように、マスクパターン501の開口部501a内に露出した電極生成部に、例えばメッキ法などにより選択的に金属膜502を形成する。この後、図5cに示すように、マスクパターン501を除去すれば、基板104の裏面に金属材料からなる電極106が形成された状態が得られる。
【0059】
また、本実施例における発振器の特に基板104,枠体103,電極(電極構造体)106からなる部分は、つぎに示すことにより製造してもよい。
【0060】
まず、図6aに示すように、枠体103の高さに等しい厚さを有するセラミック板603に、複数の開口部603aを所定間隔のマトリクス配置で形成する。開口部603aは、平面視で長方形の状態とする。このセラミック板603は、開口部603aの形成間隔と等しい間隔で縦方向および横方向に配置された複数の断裁領域601に沿って切断分離することで、枠体103となる。
【0061】
また、図6bに示すように、基板104の厚さに等しいセラミック板604を用意する。このセラミック板604には、例えば図2c,図2dに示したような構造,電極パッド,および回路配線を、開口部603aの形成間隔と等しい間隔のマトリクス配置であらかじめ形成しておく。
【0062】
加えて、図6cに示すように、電極106の高さに等しい厚さを有する板606を用意し、これに複数の開口部606aを開口部603aと同じ間隔のマトリクス配置で形成する。開口部606aは、長方形の4隅を折り返したような形状とする。板606は、開口部606aの形成間隔と等しい間隔で縦方向および横方向に配置された複数の断裁領域601に沿って切断分離することで、複数の電極106となる。板606は、例えばセラミック板でもよく、この場合、開口部603aを形成した後で表面をメタライズし、表面に金属膜を形成しておけば、電極として機能させることができる。
【0063】
ここで、セラミック板603,604および板606各々において、縦横各々の方向に同一の間隔で断裁領域601を配置している。したがって、セラミック板603,604を、各々断裁領域601に沿って切断分離した枠状の部分と板状の部分は、平面的に見たときの外形寸法が一致する。
【0064】
以上のセラミック板603,604および板606を、互いに位置合わせした状態で貼り合わせ、この貼り合わせた板を断裁領域601に沿って切断分離することで、図6dに示す容器の構造が得られる。
【0065】
以上説明したように、本実施例における発振器は、基板104の一方の面に圧電振動子101を固定し、他方の面に温度補償を行うための半導体部品102を直接搭載したものである。また、圧電振動子101は、基板104の一方の面において、枠体103と蓋105とによる密閉容器で覆い、外気から保護された状態とした。加えて、基板104の裏面で露出する半導体部品102が、本発振器を実装する搭載回路基板に触れないように、電極106により基板104と搭載回路基板との間に空間が形成されるようにした。
【0066】
この結果、本実施例では、半導体部品102が搭載される側は、圧電振動子101が搭載される側のように容器構造をとらず、壁を持たない構造となっている。したがって、基板104の広さは、おおよそ、半導体部品102の搭載面積に電極106を形成する面積を加えたものとなっていればよく、従来に比較して大幅に小さくすることができる。例えば、図7に示すように、基板の縦寸法Yと横寸法Xによる面積(X×Y)と、半導体部品の縦寸法yと横寸法xによる面積(x×y)の関係は、各々の面積の比((x×y)/(X×Y))を40%より大きくすることも可能である。
【0067】
また、例えば、蓋105による封止を行う前に、基板104表面の枠体103内に圧電振動子101を搭載して所望の周波数特性が得られるように調整した後、蓋105を枠体103の上に固定して封止し、この後、基板104の裏面に半導体部品102を搭載することもできる。このようにすることで、圧電振動子と半導体部品102とを各々製造し、これらのなかで良品のみを組み合わせて1つの発振器とすることができるので、発振器の製造コストを大幅に抑制できるようになる。
【0068】
なお、上記実施例では、矩形の電極106を用いるようにしたが、これに限るものではなく、図8に示すように、金属などの導電性材料からなる半球状に盛り上がる形状のバンプ706を、電極106の代わりとしてもよい。バンプ706の高さは、例えば、0.2〜0.7mm程度あればよい。
【0069】
また、上述では、基板104の裏面に半導体部品102をフリップチップ実装するようにしたが、このとき、図9,図10に示すように、半導体部品102の周囲を合成樹脂からなる充填材107で覆うようにしてもよい。
【0070】
図13a,図13bに示した従来の構成では、発振器1301を搭載回路基板に搭載する際のハンダ付けの熱が、容器1305,充填材1303aを介して電子部品1303に伝導しやすく、充填材1303aや電子部品1303を破壊する虞れがあった。これに対し、本実施例によれば、ハンダ付けの熱は、電極106から基板104を介して半導体部品102に伝導することになる(図1a)。このため、ハンダ付けの熱は、半導体部品102に伝導しにくく、半導体部品102の破壊を大幅に抑制できるようになる。また、図9,図10に示すように充填材107で半導体部品102を覆うようにしても、電極106,バンプ706をハンダ付けする際の熱は、半導体部品102に伝導しにくい。また、周囲が開放されているので、熱が滞ることなく発散しやすい状態となっている。
【0071】
<実施例2>
つぎに、本発明の他の形態について説明する。
【0072】
本実施例では、図11に示すように、圧電振動子101は、蓋105と枠体103と基板1104とからなる密閉された容器内において、基板1104の上に導電性を有する材料からなる固定部材1104aにより固定されているようにし、これらで振動子ユニット1101を構成するようにした。枠体103と基板1104および枠体103と蓋105とは、例えば合成ゴム系の接着剤,ガラスフリット,ハンダ,シームなどを用いた接着方法により封着されている。また、固定部材1104aは、例えばハンダや導電性接着剤などより形成すればよい。
【0073】
基板1104には、図示していない回路配線が形成され、この回路配線の所定箇所に固定部材1104aが形成され、圧電振動子101は、固定部材1104aを介して上記回路配線に接続されている。また、基板1104の裏面には、上記回路配線に基板1104中を貫通して接続する端子1106が形成されている。
【0074】
また、本実施例では、新たに基板1114を設け、基板1114の表面に形成された図示していない回路配線に、半導体部品102をフリップチップ実装し、この回路配線の所定箇所に電極106を設け、これらで半導体部品ユニット1102を構成するようにした。なお、基板1114の他方の面には、基板1114を貫通して回路配線に接続する端子1116を設けてある。
【0075】
以上の構成とすることで、本実施例では、端子1106と端子1116とを接触させて接続させ、振動子ユニット1101と半導体部品ユニット1102とを組み合わせ、発振器を構成するようにした。このようにすることで、振動子ユニット1101と半導体部品ユニット1102とを各々製造し、これらのなかで良品のみを組み合わせて1つの発振器とすることができるので、発振器の製造コストを大幅に抑制できるようになる。
【0076】
ところで、上述では、半導体部品102が、発振器を実装する搭載回路基板の表面と向かい合わせの状態となるが、図12に示すようにすることで、半導体部品102が、搭載回路基板の表面と向かい合わない状態とすることもできる。図12では、振動子ユニット1101は、図11と全く同様である。
【0077】
図12の構成では、基板1114aの半導体部品102実装面に、この半導体部品102の表面より高くなるように、端子1116aを形成し、端子1106と端子1116aとを接続することで、発振器を構成するようにしたものである。なお、搭載回路基板に実装するための電極106aは、基板1114aの裏面に形成することになり、この場合、電極106のように厚く形成する必要はない。
【0078】
<実施例3>
つぎに、本発明の第3の実施例について説明する。
【0079】
従来では、図13aに示したように、2つの収容部1305a,1305bが、表裏一体に形成された容器1305を、温度補償機能を備える発振器に用いるようにしていた。このような容器は、板部材(基板)の表面裏面に、各々枠体を固定することで形成していた。また、これら各部材は、セラミックから構成するようにしていた。
【0080】
例えば、まず、酸化アルミニウムなどの金属酸化物の粉体を、適当なバインダーが溶解した溶媒に分散させて粘土状とする。この粘土状に練り固めた生地を所望の形状に加工し、図15a〜図15cに示すように、枠体1502,1503,1504を各々形成する。この状態では、枠体は、まだセラミックとはなっていない。
【0081】
一方で、多層配線構造としたセラミック基体からなる多層基板1501を用意する。
【0082】
この後、多層基板1501の表面および裏面に、多層基板1501の各端面と枠体の各側面とでほぼ1つの平面が形成されるように、枠体1502,1503を配置し、また、枠体1502上に枠体1504を配置し、これらを高温で焼成することで、セラミックからなる容器が形成できる。
【0083】
この容器は、多層基板1501と枠体1502,1504で形成される凹部空間に、圧電振動子が収容され、多層基板1501と枠体1503で形成される凹部空間に半導体部品が配置される。なお、図15a,図15c,図15dは平面図、図15bは断面図であり、図15aは上方から見た状態を示し、図15c,図15dは下方から見た状態を示している。
【0084】
ところが、図15dに示すように、多層基板1501と生地の状態の枠体1503との配置関係がずれ、枠体1503側面が基板端部よりずれた位置に配置されると、枠体1503と多層基板1501との接触面の状態が、基板を中心として不均一な状態となる。
【0085】
例えば、枠体1503の一方の辺の部分における多層基板1501と枠体1503の接触面積と、対向する辺の部分における多層基板1501と枠体1503の接触面積とが異なることになる。
【0086】
図15dに示す状態では、左部および上部では、枠体1503の底面全域が多層基板1501と接触した状態となっている。これに対し、右部および下部では、枠体1503の底面一部が多層基板1501端部より右方向および下方向にはみ出しており、枠体1503の底面全域が多層基板1501と接触した状態とはなっていない。
【0087】
このように、不均一な状態では、焼成によりセラミックの一体構造体とする段階で、各部分に対して不均一な応力が発生し、容器の形成精度が不均一になる虞れがある。また、基板に対して不均一な応力がかかると、基板が平坦に形成されない場合が発生する。
【0088】
特に、容器の長手方向の寸法が4mm程度と小さい場合、図15dにおけるA’/AおよびB’/Bが、0.6より小さくなると、圧電振動子を収容する容器としては適さない状態となる。例えば、容器の長手寸法が4mm程度の場合、枠体の幅は0.5mm程度となる。この場合、A’/AおよびB’/Bが、0.6より小さくなると、枠体の幅方向に枠体と基板との接触している長さが0.3mmより小さくなり、非常に狭い状態となる。
【0089】
このように、容器が小さな場合、枠体の幅方向に枠体と基板とが0.2mm程度ずれただけでも、全体としては、40%もずれた状態となり、焼成するときに発生する応力による影響は無視できないものとなる。例えば、焼成の時に発生した応力により、枠体と基板とが密着しない領域が発生し、容器の気密性は保てなくなる場合がある。
【0090】
従来では、図15bに示すように積層するいくつもの基板の特に凹部内壁に位置する縦と横の寸法が同一線上に存在しないことから、加圧と加熱とによる成型時の力の掛かり具合による形成ずれなどの発生が考えられる。これを解消するためは、凹部内壁の縦,横寸法に合致する箇所が、積層容器を構成するすべての基板について同一線上に位置し、また、成型後の凹部内壁の縦,横寸法の各層の寸法のずれを0.2mm以内とすればよい。凹部内壁の縦寸法とは、図15cの「Y」の字を付した矢印の置かれている箇所の寸法である、また、凹部内壁の横寸法とは、図15cの「X」の字を付した矢印の置かれている箇所の寸法である。
【0091】
したがって、図15dに示すA’/AおよびB’/Bは、0.6以上となっていた方がよい。言い換えると、枠体の幅方向への基板と枠体のずれ量が、枠体の幅の40%未満となっていればよい。また、枠体の幅方向に、枠体が基板よりはみ出す長さは、0.2mm以内とした方がよい。
【0092】
上述したことは、図16a〜図16cに示す構成の容器においても同様である。図16a〜図16cに示す容器は、つぎのようにして製造する。まず、前述したセラミックとなる生地を加工して枠体1602および台座部1605を形成する。この状態では、枠体1602および台座部1605は、セラミックとなっていない。一方で、多層配線構造としたセラミック基体からなる多層基板1601を用意する。
【0093】
この後、多層基板1601の表面に枠体1602を配置し、多層基板1601の裏面4隅に台座部1605を配置する。この後、これらを高温で焼成することで、図16a〜図16cに示すような、4つの台座部1605を備えた容器構造が得られる。
【0094】
この容器では、多層基板1601と枠体1602とで形成される凹部空間に、圧電振動子が収容され、多層基板1601裏面の4つの台座部1605で囲まれた空間に、半導体部品が配置される。なお、図16a,図16c,図16dは平面図、図16bは断面図であり、図16aは上方から見た状態を示し、図16c,図16dは下方から見た状態を示している。
【0095】
図16a〜図16cの容器構造においても、図16dに示すように、多層基板1601と生地の状態の枠体1602との配置関係がずれ、枠体1602が基板端部よりずれた位置に配置されると、枠体1602と基板1601との接触面の状態が、基板を中心として不均一な状態となる。この状態では、前述したように、容器の形成精度が保てなくなる。
【0096】
したがって、図16a〜図16cの容器構造においても、図16dに示すA’/AおよびB’/Bは、0.6以上となっていた方がよい。言い換えると、枠体の幅方向への基板と枠体のずれ量が、枠体の幅の40%未満となっていればよい。また、枠体の幅方向に、枠体が基板よりはみ出す長さは、0.2mm以内とした方がよい。
【0097】
一方、多層基板1601の裏面における4つの台座部1605の内側に接する長方形状の領域が、枠体1602の内側の領域と、位置関係および面積が大きく異なると、やはり焼成時の応力発生の原因となる。また、台座部1605が、多層基板1601の4隅から離れて内側に配置されると、半導体部品が配置できる領域が狭くなる。
【0098】
したがって、図16a〜16cの容器においては、まず、4つの台座部1605に内接する長方形状の領域が、枠体1602の内側の領域に、位置関係および面積がほぼ同様の状態に形成されていた方がよい。言い換えると、4つの台座部1605に内接する長方形状の4つの辺の位置が、枠体1602の内側の4つの辺を、多層基板1601方向に投影した状態、もしくは投影した位置からのずれ量が2mm以内に収まっている状態となっていればよい。
【0099】
このようにすることで、枠体1602内壁の4つの角の縦横寸法と、多層基板1601の裏面に配置された台座部1605の各角部の内側寸法が、同一線上に位置する状態となる。
【0100】
また、台座部1605は、多層基板1601の裏面において、なるべく4隅に接して配置されていた方がよい。
産業上の利用可能性
【0101】
以上説明したように、本発明によれば、温度補償回路や温度検知回路などが集積された半導体部品が、容器内に納められることなく実装されているようにしたので、発振器を、従来より小型化し、また、従来より低いコストで製造しようとするものに適している。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の実施の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す部分断面図および平面図である。
図2は、本発明の実施の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す斜視図,平面図および等価回路である。
図3は、本発明の実施の形態における発振器の製造過程を示す工程図である。
図4は、本発明の実施の形態における発振器の製造過程の他の形態を示す工程図である。
図5は、本発明の実施の形態における発振器の製造過程の他の形態を示す工程図である。
図6は、本発明の実施の形態における発振器の製造過程の他の形態を示す工程図である。
図7は、本発明の実施の形態における発振回路用容器の構成を示す平面図である。
図8は、本発明の他の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す部分断面図である。
図9は、本発明の他の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す部分断面図である。
図10は、本発明の他の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す部分断面図である。
図11は、本発明の他の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す部分断面図である。
図12は、本発明の他の形態における発振回路用容器により構成された発振器の構成を示す部分断面図である。
図13は、従来よりある発振器の構成を示す部分断面図である。
図14は、従来よりある発振器の構成を示す斜視図である。
図15は、本発明の他の形態における発振回路用の容器の構成を示す平面図および断面図である。
図16は、本発明の他の形態における発振回路用の容器の構成を示す平面図および断面図である。
Claims (1)
- 基板の主表面上に外気と遮断された状態で配置された圧電振動子と、
前記基板の裏面にフリップチップ実装された半導体部品と、
前記基板の裏面に配置され、かつ前記半導体部品の高さより高くかつ各々離間した複数の電極構造体と
を備え、前記基板の主表面には、前記圧電振動子とこれを支持する部品のみが外気と遮断された状態で配置され、
前記電極構造体は、前記基板の隅に接して配置され、
前記電極構造体の一部の側面と前記基板の一部の側面とが、実質的に1つの平面を構成している状態とされ、
前記電極構造体は、導電性材料から構成され、
前記圧電振動子と前記半導体部品と前記電極構造体とにより発振回路が構成され、
前記基板の裏面に、3つの前記電極構造体が配置され、
前記電極構造体は、前記基板裏面のいずれかの4隅に接して配置され、
前記半導体部品は、前記電極構造体が配置されていない前記基板裏面の隅に接して配置されていることを特徴とする発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001557158A JP4795602B2 (ja) | 2000-01-31 | 2001-01-29 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000022512 | 2000-01-31 | ||
JP2000022512 | 2000-01-31 | ||
JP2000054299 | 2000-02-29 | ||
JP2000054299 | 2000-02-29 | ||
JP2000097764 | 2000-03-31 | ||
JP2000097764 | 2000-03-31 | ||
JP2000128784 | 2000-04-28 | ||
JP2000128784 | 2000-04-28 | ||
JP2000226531 | 2000-07-27 | ||
JP2000226531 | 2000-07-27 | ||
JP2001557158A JP4795602B2 (ja) | 2000-01-31 | 2001-01-29 | 発振器 |
PCT/JP2001/000567 WO2001058007A1 (fr) | 2000-01-31 | 2001-01-29 | Enceinte pour circuits oscillants utilisant un vibrateur piezo-electrique, son procede de fabrication et oscillateur |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4795602B2 true JP4795602B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=27531396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001557158A Expired - Fee Related JP4795602B2 (ja) | 2000-01-31 | 2001-01-29 | 発振器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6667664B2 (ja) |
EP (1) | EP1263127A4 (ja) |
JP (1) | JP4795602B2 (ja) |
KR (1) | KR100506534B1 (ja) |
CN (1) | CN1278485C (ja) |
WO (1) | WO2001058007A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1381151B1 (en) * | 2001-04-18 | 2010-06-23 | Epson Toyocom Corporation | Piezoelectric oscillator and its manufacturing method |
JP3842605B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2006-11-08 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の水晶発振器 |
KR100439404B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 온도보상형 수정발진기 및 그 제조방법 |
EP1443331A3 (en) * | 2003-02-03 | 2005-10-12 | Denso Corporation | Sensor device and ceramic package for mounting electronic components |
US20050040905A1 (en) * | 2003-05-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corporation | Temperature-compensated crystal oscillator |
US20050046016A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Ken Gilleo | Electronic package with insert conductor array |
JP4692722B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品用パッケージおよび電子部品 |
JP2005244641A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 温度補償型水晶発振器 |
JP2006024900A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 複数の基板を備える構造、その構造の製造方法、および、その構造を用いた水晶発振器 |
JP2006109400A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 電子部品、回路基板、電子機器、電子部品の製造方法 |
JP2006245098A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2008085280A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 表面実装型電子部品とその製造方法 |
JP5075417B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-11-21 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器の製造方法 |
JP5075448B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-11-21 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器の製造方法 |
JP5073351B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2012-11-14 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の電子デバイス |
JP4843657B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2011-12-21 | アルプス電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
JP2010130141A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Epson Toyocom Corp | 電圧制御型温度補償圧電発振器 |
CN102265514B (zh) * | 2008-12-24 | 2014-03-12 | 株式会社大真空 | 压电振动设备、压电振动设备的制造方法以及构成压电振动设备的结构构件的蚀刻方法 |
JP2009089437A (ja) * | 2009-01-13 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | 表面実装型圧電発振器 |
EP2390910A4 (en) * | 2009-01-22 | 2015-04-22 | Kyocera Corp | COMPONENT MOUNTING CARD, AND COMPONENT MAINTAINING BOX USING THE SAME |
JP4781440B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2011-09-28 | ソニー エリクソン モバイル コミュニケーションズ, エービー | 画像撮影装置、画像撮影装置の制御方法及び制御プログラム |
US8629730B2 (en) * | 2009-12-22 | 2014-01-14 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Oscillator |
CN101984556B (zh) * | 2010-11-15 | 2013-03-20 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电陶瓷振动器及其制作方法 |
JP2013207686A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
CN107093999B (zh) * | 2012-11-16 | 2021-01-22 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
JP2014110369A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Seiko Epson Corp | ベース基板、振動子、発振器、センサー、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
USD760230S1 (en) | 2014-09-16 | 2016-06-28 | Daishinku Corporation | Piezoelectric vibration device |
KR20170109805A (ko) * | 2016-03-22 | 2017-10-10 | 삼성전기주식회사 | 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지 |
US10718672B2 (en) * | 2017-01-20 | 2020-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Piezoelectric device package |
KR102414843B1 (ko) * | 2017-05-22 | 2022-06-30 | 삼성전기주식회사 | 음향파 디바이스 및 그 제조방법 |
US11088052B2 (en) | 2018-07-10 | 2021-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit package electronic device including pillar contacts and electrical terminations |
JP7196934B2 (ja) | 2018-12-14 | 2022-12-27 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
Citations (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387909U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
JPH0521437A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ形成装置 |
JPH05275927A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JPH0588012U (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-26 | 京セラ株式会社 | 温度補償型水晶発振器 |
JPH06104641A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Nikko Electron Kk | 表面実装型発振器 |
JPH0648216U (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-28 | 京セラ株式会社 | 表面実装型水晶発振器 |
JPH06344132A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-20 | Hitachi Ltd | 微小はんだボールの位置決め方法及びその装置 |
JPH0746040A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 温度補償型水晶発振器 |
JPH0897669A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 圧電部品 |
JPH09116363A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子及び圧電発振器の製造方法 |
JPH09130200A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法 |
JPH09162643A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Fujitsu Ltd | 発振器モジュールおよび発振装置 |
JPH09167918A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Kenwood Corp | 温度補償型水晶発振器 |
JPH09191058A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Shimeo Seimitsu Kk | 表面実装型容器 |
JPH09321445A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電子部品のパッケージ構造 |
JPH10190355A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-21 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電デバイス用パッケージ |
JPH10322129A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nec Corp | チップ部品複合圧電デバイス |
JPH11168345A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振部品およびその製造方法 |
JPH11284441A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 温度補償水晶発振器の製造方法 |
JPH11284435A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 発振器及びその設定方法 |
JPH11308052A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 発振器の構造 |
JP2000013142A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Citizen Watch Co Ltd | 電圧制御圧電発振器 |
JP2000013141A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
JP2000077943A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | 温度補償型水晶発振器 |
JP2000299611A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0179404B1 (ko) * | 1993-02-02 | 1999-05-15 | 모리시타 요이찌 | 세라믹기판과 그 제조방법 |
JPH07221104A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法 |
US5500628A (en) | 1995-01-24 | 1996-03-19 | Motorola, Inc. | Double-sided oscillator package and method of coupling components thereto |
JP2974622B2 (ja) * | 1996-09-20 | 1999-11-10 | 松下電器産業株式会社 | 発振器 |
JPH10261736A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | バンプ付き配線基板 |
JPH11112235A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Kinseki Ltd | 温度補償型圧電発振器の容器とその製造方法 |
US6229404B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-05-08 | Kyocera Corporation | Crystal oscillator |
JP2000252747A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器およびその製造方法 |
JP2000269741A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器及び製造方法 |
US6410415B1 (en) * | 1999-03-23 | 2002-06-25 | Polymer Flip Chip Corporation | Flip chip mounting technique |
CN1348605A (zh) * | 1999-12-27 | 2002-05-08 | 三菱电机株式会社 | 集成电路装置 |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001557158A patent/JP4795602B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-29 KR KR10-2002-7009592A patent/KR100506534B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-01-29 EP EP01948908A patent/EP1263127A4/en not_active Withdrawn
- 2001-01-29 US US09/806,189 patent/US6667664B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-29 WO PCT/JP2001/000567 patent/WO2001058007A1/ja active IP Right Grant
- 2001-01-29 CN CNB018043704A patent/CN1278485C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387909U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
JPH0521437A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ形成装置 |
JPH05275927A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JPH0588012U (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-26 | 京セラ株式会社 | 温度補償型水晶発振器 |
JPH06104641A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Nikko Electron Kk | 表面実装型発振器 |
JPH0648216U (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-28 | 京セラ株式会社 | 表面実装型水晶発振器 |
JPH06344132A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-20 | Hitachi Ltd | 微小はんだボールの位置決め方法及びその装置 |
JPH0746040A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 温度補償型水晶発振器 |
JPH0897669A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 圧電部品 |
JPH09116363A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子及び圧電発振器の製造方法 |
JPH09130200A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法 |
JPH09162643A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Fujitsu Ltd | 発振器モジュールおよび発振装置 |
JPH09167918A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Kenwood Corp | 温度補償型水晶発振器 |
JPH09191058A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Shimeo Seimitsu Kk | 表面実装型容器 |
JPH09321445A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電子部品のパッケージ構造 |
JPH10190355A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-21 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電デバイス用パッケージ |
JPH10322129A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nec Corp | チップ部品複合圧電デバイス |
JPH11168345A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振部品およびその製造方法 |
JPH11284435A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 発振器及びその設定方法 |
JPH11284441A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 温度補償水晶発振器の製造方法 |
JPH11308052A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 発振器の構造 |
JP2000013141A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
JP2000013142A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Citizen Watch Co Ltd | 電圧制御圧電発振器 |
JP2000077943A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | 温度補償型水晶発振器 |
JP2000299611A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用水晶発振器及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1397105A (zh) | 2003-02-12 |
KR100506534B1 (ko) | 2005-08-05 |
WO2001058007A1 (fr) | 2001-08-09 |
EP1263127A4 (en) | 2008-12-10 |
EP1263127A1 (en) | 2002-12-04 |
US20020135429A1 (en) | 2002-09-26 |
CN1278485C (zh) | 2006-10-04 |
US6667664B2 (en) | 2003-12-23 |
KR20020077395A (ko) | 2002-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4795602B2 (ja) | 発振器 | |
JP3285847B2 (ja) | 表面実装型水晶発振器 | |
JP2007158918A (ja) | 表面実装用の水晶発振器 | |
US7872537B2 (en) | Surface-mount crystal oscillator | |
JP2000077942A (ja) | 表面実装型水晶発振器 | |
JPWO2020122179A1 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2000077943A (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP2004297620A (ja) | 表面実装型温度補償水晶発振器 | |
JP3406852B2 (ja) | 水晶発振器 | |
JP2000114877A (ja) | 圧電発振器 | |
JP4363859B2 (ja) | 水晶発振器の製造方法 | |
JP2003318653A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2005268257A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2005020546A (ja) | 表面実装型水晶発振器 | |
JP2004260598A (ja) | 表面実装型温度補償水晶発振器 | |
JP5468240B2 (ja) | 表面実装用とした温度補償水晶発振器 | |
JP2002198453A (ja) | 電子部品収納用パッケージ及び電子部品装置 | |
JP2000124738A (ja) | 圧電発振器および圧電振動デバイス | |
JP4472445B2 (ja) | 圧電発振器の製造方法 | |
JP2005039791A (ja) | 温度補償水晶発振器 | |
JP2005151116A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2007097040A (ja) | 圧電振動子及び圧電発振器 | |
JP2004297209A (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
JP6050153B2 (ja) | 表面実装型の低背水晶発振器 | |
JP2005244641A (ja) | 温度補償型水晶発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4795602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |