JP2000299611A

JP2000299611A - 表面実装用水晶発振器及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000299611A
Application number: JP11106013A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Uehara; 博上原; Kenzo Okamoto; 謙蔵岡本
Original assignee: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Current assignee: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Priority date: 1999-04-14
Filing date: 1999-04-14
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ＩＣチップ搭載の表面実装用水晶発振器及びセ
ラミックベースの製造方法を提供する。【解決手段】矩形状の底壁と裏面側の４隅部スタッドと
からなるセラミックベースと、表面側に搭載の密閉封入
水晶片と、裏面側に搭載のＩＣチップとから構成する。
また、シート状の底壁セラミック生地と、二次元上に並
べられた矩形状のスタッド基体と幅狭の連結部とからな
るスタッドセラミック生地とを具備し、積層して焼成し
た後、連結部の両辺側を切断して四隅部にスタッドを形
成してセラミックベースを形成する。また、セラミック
ベースの一主面側に水晶片を搭載して封止した矩形状の
水晶振動子と、裏面側に接合のＩＣチップを搭載した実
装基板とからなる面実装水晶発振器において、外周４隅
部にスタッドを設けられ、上面と外周４隅部とを接合し
た構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は表面実装用水晶発振
器（面実装発振器とする）を産業上の技術分野とし、特
に水晶片と発振用の特に集積素子（ＩＣチップ）とを別
個の空間に配置した面実装発振器及び発振器用セラミッ
クベースの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】（発明の背景）面実装発振器は、携帯電
話等の移動体通信機器やコンピュータ等デジタル制御機
器に頻繁に使用され、小型化がさらに押し進められてい
る。近年では、水晶片と発振用のＩＣチップとを別個の
空間に収容して、小型化及び経済性を計ったものがある
（参照：特開平７−１０６８９１号、同７−１０６９０
１号、同８−２０４４５２号、同１０−９８１５１号公
報等）。

【０００３】（従来技術の一例）第９図はこの種の一従
来例（特開平８−２０４４５２号公報）を説明する面実
装発振器の模式的な断面図である。面実装発振器は、両
主面に凹部１（ａｂ）を有するセラミックベース２に、
水晶片３とＩＣチップ４及びチップ素子５を収容してな
る。チップ素子５は、電源アース間のバイパスコンデン
サ及び出力の結合コンデンサからなる。セラミックベー
ス２は少なくとも底壁６ａ及び上部枠壁６ｂ及び下部壁
枠６ｃからなる３枚のセラミック生地（グリーンシー
ト）を積層し（第１０図）、焼成により一体的に形成さ
れる。そして、例えば金属リング７を上部壁枠６ｂの上
面に鑞接して、シーム溶接等により金属としたカバー８
を接合して水晶片３を密閉封入にする。

【０００４】水晶片３は、図示しない励振電極から引出
電極の延出した両端外周部を、セラミックベース２の一
主面側に形成された上面凹部１ａの底面に導電性接着剤
９により固着される。ＩＣチップ４及びチップ素子５は
他主面側に形成された下面凹部１ｂに収容される。そし
て、ＩＣチップ４はフェースダウンボンディングあるい
はワイヤボンディングにより接続される。また、チップ
素子５は導電性接着剤９により凹部底面に固着される。

【０００５】フェースダウンボンディングは、ＩＣチッ
プ４の表面に露出した端子電極（未図示）に例えばワイ
ヤボンディングによる金粒（所謂パンプ）１０を設け
る。そして、凹部底面にＩＣチップ４のパンプ面を対向
させ、超音波熱圧着あるいは単に熱圧着により、凹部底
面に形成された配線パターンの電極ランド（未図示）と
を接続する。また、ワイヤボンディングはＩＣチップ４
の端子電極の形成された面を表面にして、端子電極と電
極ランドとを金線等により接続する（未図示）。

【０００６】なお、水晶片３の引出電極は底壁層６ａの
電極貫通孔（所謂スルーホール）を経てＩＣチップ４の
端子電極のうちの入力端子に接続する。そして、ＩＣチ
ップ４の例えば出力、電源、アース用の端子電極は、底
壁層の６ａの裏面に形成された配線パターンにより導出
され、下部枠壁６ｃの側面及び底面に表面実装用の実装
端子１１として延出する。なお、図において黒太線部が
電極に相当するが、これらは側面から見た図で詳細な配
線パターンは省略する。

【０００７】このようなものでは、一主面側の上面凹部
１ａに水晶片３を装着して水晶振動子を完成させた後、
ＩＣチップ４及びチップ素子５を他主面側の装着する。
したがって、水晶振動子の完成段階で温度特性等が規格
外のものは、高価なＩＣチップ４の装着前に排除できる
ので、生産性（経済性）を向上する。

【０００８】また、ＩＣチップ４をフェースダウンボン
ディングにより下面凹部１ｂの底面に接続した場合に
は、例えば金線等のワイヤボンディングに比較し、高さ
寸法を小さくできる効果等を奏する。また、ワイヤボン
ディングの場合には、既に確立された技術であって信頼
性の高い特長がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の面実装発振器では、ＩＣチッ
プ４の接続に起因して次の問題があった。すなわち、セ
ラミックベース２の下面凹部底面に例えばフェースダウ
ンボンディングによりＩＣチップ４を装着した場合に
は、ＩＣチップ４の端子電極と凹部底面の電極ランドと
の接続状態は、凹部を形成する下部側壁６ｂによって遮
蔽される。したがって、例えば側面からの拡大鏡による
視認やＳＥＭ及び画像処理により接続状態の確認を不能
にする。

【００１０】通常では、通電によって接続状態が確認さ
れるが、この場合には単なる接触状態でも通電する。し
たがって、温度補償発振器のように補償データの書込端
子を要してＩＣチップ４の端子電極が増大した場合（例
えば５端子以上）には、バンプが一様に押潰されて機械
的な接続状態を保証できるとは言えず、通電のみでは信
頼性に欠ける問題があった。

【００１１】また、ワイヤボンディングの場合には、下
面凹部１ｂを形成する下部枠壁６ｃの存在によって、底
面面積が小さくなり、ＩＣチップ４の端子電極と底面に
形成された電極パターンの電極ランド（接続端）との間
隔が短く、その作業を困難にする問題があった。特に、
面実装発振器の平面外形寸法が小さくなればなるほど
（例えば携帯電話での規格５×３．２ｍｍ以下等）、ワ
イヤボンディングには不利になる問題があった。

【００１２】（発明の目的）本発明は、ＩＣチップを搭
載しやすくした面実装発振器及び発振器用セラミックベ
ースの製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、一主面側に水
晶片を他主面にＩＣチップを搭載するセラミックベース
からなる面実装発振器において、セラミックベースの他
主面側の４隅部にスタッドを設けたことを第１の解決手
段とする。また、シート状の底壁セラミック生地と、矩
形状とし複数のスタッド基体及びこれを二次元状に連結
する幅狭の連結部とからなるシート状のスタッドセラミ
ック生地とを積層して焼成した後、スタッドセラミック
生地の連結部の両辺側を切断して四隅部にスタッドを有
するセラミックベースを形成したことを第２の解決手段
とする。また、スタッドを有してＩＣチップを搭載した
実装基板を水晶振動子の裏面側に接合したことを第３の
解決手段とする。

【００１４】

【作用】本発明では、水晶片を封入するセラミックベー
スにおける裏面側の４隅部にスタッドを設けてＩＣチッ
プを搭載する。したがって、ＩＣチップをフェースダウ
ンボンディングする場合には、枠壁がないので側面から
の接続状態を画像処理等によって視認できる。また、ワ
イヤボンディングの場合には、裏面面積を大きくして金
線等の接続作業を容易にする。

【００１５】また、シート状とした第１のセラミック生
地とスタッド基体及び連結部からなる第２のセラミック
シートとを積層して焼成し、連結部の両辺側を切断する
ので、４隅部にスタッドを有するセラミックベースを確
実に得ることができる。

【００１６】また、実装基板の４隅部にスタッド設けて
ＩＣチップを搭載し、これを水晶振動子の裏面側に接続
する。したがって、前述同様、枠壁がないことによって
ＩＣチップの接続状態を側面から確認できる（フェース
ダウンボンディング）。また、金線等の接続作業を容易
にする（ワイヤボンディング）。以下、本発明の一実施
例としての面実装発振器をセラミックベースの製造方法
とともに説明する。

【００１７】

【実施例】第１図は本発明の一実施例を説明するカバー
及び溶接リングを除く面実装発振器の分解図である。な
お、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明
は簡略又は省略する。面実装発振器は、前述同様にセラ
ミックベース２の一主面側の上面凹部１ａに水晶片３
を、他主面側にＩＣチップ４及びチップ素子５とを搭載
してなる（但し、第１図はフェースダウンボンディング
の例である）。この実施例では、セラミックベース２は
底壁６ａ、上部枠壁６ｂ及び下部スタッド６ｄ（1〜4）
の積層体からなる。但し、底壁６ａの両主面には電極パ
ターンが形成され、下部スタッド６ｄ（1〜4）の表面に
は実装端子を有する（未図示）。

【００１８】そして、これらはいずれもシート状とした
底壁、上部枠壁及びスタッドセラミック生地６（ＡＢ
Ｄ）を積層及び焼成してシート状セラミックベース１２
を形成する（第２図）。そして、これらを個々に分割し
て形成される。具体的には、底壁セラミック生地６Ａは
平板状とし、上部枠壁生地６Ｂは複数の上面凹部１ａを
有する。スタッドセラミック生地６Ｄは、第３図（平面
図）に示したようにスタッド基体１３と連結部１４から
なる。なお、符号１５は枠である。

【００１９】スタッド基体１３は矩形状（この例では正
方形）として二次元状（縦横）に並べられる。連結部１
４はスタッド基体１３を二次元方向に連結し、スタッド
基体１３の各辺よりも短い幅とする。これらの各生地６
（ＡＢＤ）は積層されて一体的に焼成される。そして、
第４図に示したように、連結部１３の両辺側（ＡーＡ’
及びＢーＢ’線）に沿って二次元状に切断し、個々のセ
ラミックベース２に分割される。

【００２０】このようなセラミックベース２の製造方法
であれば、連結部１４によってばらつくことなく、他主
面の４隅部にスタッド６ｄ（1〜４）を確実に形成でき
る。例えは、スタッド６ｄ（1〜４）を個別に積層して
形成する場合に比較して、位置精度を確実にする。

【００２１】そして、セラミックベース２の一主面側の
凹部１ａ内には、前述のように水晶片３が導電性接着剤
により固着され、シーム溶接により封止される。なお、
上部枠壁には金属リングが鑞接される。そして、水晶振
動子の各特性を測定後、他主面側にＩＣチップ４が接続
される。なお、これらはシート状セラミックベース１２
の段階で処理した後、個々の面実装発振器に分割しても
よい。

【００２２】ＩＣチップ４は対向する両辺側に複数の端
子電極１６を有する。そして、フェースダウンボンディ
ングあるいはワイヤボンディングによってセラミックベ
ース２の他主面側に接続される。端子電極１６はセラミ
ックベース２の一組の対向辺に沿って配置される。

【００２３】フェースダウンボンディングの場合には、
ＩＣチップ４はスタッド６ｄ（２、３）の間内に位置す
る。また、パスコン及び結合コンデンサとしてのチップ
素子５は他組の対向辺側に位置して接続される（前第１
図及び第５図）。

【００２４】また、ワイヤボンディングの場合には、ボ
ンディング用の金線１６は対向する一組の対向辺側に延
出して接続する。チップ素子５は前述のように他組の対
向辺側に位置して接続される（第６図の平面図）。そし
て、いずれの場合も、例えば他主面側に枠を設けて樹脂
剤を充填し（所謂ポッテング）、枠を除去する（未図
示）。

【００２５】このような構成であれば、フェースダウン
ボンディングの場合には、従来のように下部枠壁６ｃに
よって底面内部が遮蔽されることがない。また、ＩＣチ
ップ４の端子電極１６の配列方向とは異なる方向の他組
の辺側にチップ素子５を配置する。

【００２６】したがって、ＩＣチップ４と図示しない電
極ランドとの接続状態を側面から画像処理等によって認
識できる。例えばバンプの厚みを３０μ程度とすればそ
の厚みが２０μ程度に押し潰れていれば、加圧も十分で
あるとして機械的な接続状態にあるとすることができ
る。また、このようになるように、初期段階でフェース
ダウンボンディング装置の加圧条件等を設定すればよ
い。

【００２７】また、ワイヤボンディングの場合には、下
部枠壁６ｃがないので底面面積を大きくする。また、ボ
ンディング用の金線１６の導出方向とは異なる方向の他
組の対向辺側にチップ素子を配置する。したがって、金
線を長くして接続作業を容易にする。

【００２８】

【他の事項】上記実施例では、セラミックベース２の底
面側にスタッド６を設けて一主面側に水晶片３を搭載し
た後、ＩＣチップ４及びチップ素子５を他主面側に搭載
したが、この場合には水晶振動子と回路側との並列処理
ができず、生産性及び歩留りを低下させる。したがっ
て、第７図に示したようにセラミックベース２とカバー
７からなる容器内に水晶片を封入した水晶振動子１７と
は別個にＩＣチップ４及びチップ素子５を搭載した実装
用基板１８を並列的に形成し、良品同士を接合する場合
にも適用できる。

【００２９】すなわち、水晶振動子１７とは別個に４隅
部にスタッド６ｄ（1〜4）を有する実装基板１８にフェ
ースダウンボンディングあるいはワイヤボンディングに
よってＩＣチップ４とチップ素子５とを装着する。そし
て、水晶振動子１７の底面側に実装基板１８を例えば半
田により装着するようにしてもよい。この場合でも、前
述同様に、フェースダウンボンディングの場合は接続状
態の画像処理による確認、及びワイヤボンディングの場
合には接続を容易にする効果を奏する。そして、水晶振
動子１７と実装基板１８とを並列的に製造できるので、
生産性及び歩留りを高めることができる。なお、電極パ
ターン及び実装端子等は省略してある。

【００３０】また、セラミックベース２の他主面側にス
タッド６ｄを設ける前実施例の場合に比較して次の利点
がある。すなわち、前実施例の場合には、例えば第８図
に示したように、焼成時に底壁セラミック生地６Ａの反
り及び撓みによる平坦度が損われる。なお、符号１９は
焼成時に積層されたセラミック生地が載置される基準面
となるプレート板である。また、底壁６ａの裏面にＩＣ
チップ４を搭載する載、底壁６ａは浮いた状態で押圧力
によって、撓みを生じる。

【００３１】したがって、特に、フェースダウンボンデ
ィングの場合には、底壁６ａに破損を生じやすい。ま
た、特にＩＣチップ４の端子電極が多い場合には、平坦
度が悪くて電極ランドとの接続状態が危ぶまれる。これ
に対し、実装基板１８の場合には、実装基板１８の表面
を平坦にして裏面側を作業板上に固定できるので、電気
的接続を容易にして破損を防止できる。

【００３２】なお、上記実施例では、パスコン及び結合
コンデンサとしてのチップ素子５を設けたが、セラミッ
クベースの他主面側及び実装基板にＩＣチップのみを装
着したとしても本発明は有効であり、これらを技術的範
囲から排除するものではない。

【００３３】また、水晶片３は引出電極の延出した両端
部を固着して保持したが、引出電極を一端側に延出して
一端部のみを保持したとしてもよく、水晶片の保持形態
は任意にできる。また、シーム溶接によってセラミック
ベース２封止したが、ガラスあるいは樹脂等による封止
であったとしてもよく、これらも任意に採用できる。

【００３４】

【発明の効果】本発明は、一主面側に水晶片を他主面に
ＩＣチップを搭載するセラミックベースからなる面実装
発振器において、セラミックベースの他主面側の４隅部
にスタッドを設ける。また、スタッドを有してＩＣチッ
プを搭載した実装基板を水晶振動子の裏面側に接合す
る。したがって、ＩＣチップを搭載しやすくした面実装
発振器を提供できる。さらに、シート状の底壁セラミッ
ク生地と、矩形状とし複数のスタッド基体及びこれを二
次元状に連結する幅狭の連結部とからなるシート状のス
タッドセラミック生地とを積層して焼成した後、スタッ
ドセラミック生地の連結部の両辺側を切断したので、四
隅部にスタッドを確実に有するセラミックベースを提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を説明する面実装発振器の分
解図である。

【図２】本発明の製造方法を説明するシート状のセラミ
ックベースの図である。

【図３】本発明の製造方法を説明するシート状のスタッ
ドセラミック生地の図てある。

【図４】本発明の製造方法を説明するシート状のセラミ
ックベース生地の裏面図である。

【図５】本発明の一実施例を説明する面実装発振器の側
面図である。

【図６】本発明の一実施例を説明する面実装発振器の底
面図である。

【図７】本発明の他の実施例を説明する面実装発振器の
分解組立図である。

【図８】従来例の問題点を説明するシート状のセラミッ
クベースの断面図である。

【図９】従来例を説明する面実装発振器の断面図であ
る。

【図１０】従来例を説明するセラミックベースの分解図
である。

【符号の説明】

１凹部、２セラミックベース、３水晶片、４Ｉ
Ｃチップ、５チップ素子、６ａ底壁、６ｂ上部枠
壁、６ｃ下部枠壁、６ｄスタッド、６Ａシート状の
底壁生地、６Ｄシート状のスタッドセラミック生地７
金属リング、８カバー、９導電性接着剤、１０
バンプ、１１実装用端子、１２シート状のセラミッ
クベース、１３スタッド基体、１４連結部、１５
枠、１６金線、１７水晶振動子、１８実装基板、
１９プレート．

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年４月１７日（２０００．４．１
７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】表面実装用水晶発振器及びその製造方法

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【０００２】

【０００３】（従来技術の一例）第９図はこの種の一従
来例（特開平８−２０４４５２号公報）を説明する面実
装発振器の模式的な断面図である。面実装発振器は、両
主面に凹部１（ａｂ）を有するセラミックベース２に、
水晶片３とＩＣチップ４及びチップ素子５を収容してな
る。チップ素子５は、電源アース間のバイパスコンデン
サ及び出力の結合コンデンサからなる。セラミックベー
ス２は少なくとも底壁６ａ及び上部枠壁６ｂ及び下部枠
壁６ｃからなる３枚のセラミック生地（グリーンシー
ト）を積層し（第１０図）、焼成により一体的に形成さ
れる。そして、例えば金属リング７を上部枠壁６ｂの上
面に鑞接して、シーム溶接等により金属としたカバー８
を接合して水晶片３を密閉封入にする。

【０００５】フェースダウンボンディングは、ＩＣチッ
プ４の表面に露出した端子電極（未図示）に例えばワイ
ヤボンディングによる金粒（所謂バンプ）１０を設け
る。そして、凹部底面にＩＣチップ４のバンプ面を対向
させ、超音波熱圧着あるいは単に熱圧着により、凹部底
面に形成された配線パターンの電極ランド（未図示）と
接続する。また、ワイヤボンディングはＩＣチップ４の
端子電極の形成された面を表面にして、端子電極と電極
ランドとを金線等により接続する（未図示）。

【０００６】なお、水晶片３の引出電極は底壁６ａの電
極貫通孔（所謂スルーホール）を経てＩＣチップ４の端
子電極のうちの入力端子に接続する。そして、ＩＣチッ
プ４の例えば出力、電源、アース用の端子電極は、底壁
６ａの裏面に形成された配線パターンにより導出され、
下部枠壁６ｃの側面及び底面に表面実装用の実装端子１
１として延出する。なお、図において黒太線部が電極に
相当するが、これらは側面から見た図で詳細な配線パタ
ーンは省略する。

【０００７】このようなものでは、一主面側の上面凹部
１ａに水晶片３を装着して水晶振動子を完成させた後、
ＩＣチップ４及びチップ素子５を他主面側に装着する。
したがって、水晶振動子の完成段階で温度特性等が規格
外のものは、高価なＩＣチップ４の装着前に排除できる
ので、生産性（経済性）を向上する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の面実装発振器では、ＩＣチッ
プ４の接続に起因して次の問題があった。すなわち、セ
ラミックベース２の下面凹部底面に例えばフェースダウ
ンボンディングによりＩＣチップ４を装着した場合に
は、ＩＣチップ４の端子電極と凹部底面の電極ランドと
の接続状態は、凹部を形成する下部枠壁６ｃによって遮
蔽される。したがって、例えば側面からの拡大鏡による
視認やＳＥＭ及び画像処理により接続状態の確認を不能
にする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明
は、一主面側に水晶片を他主面にＩＣチップを搭載する
セラミックベースからなる面実装発振器において、セラ
ミックベースの他主面側の４隅部にスタッドを設けたこ
とを第１の解決手段とする。また、シート状の底壁セラ
ミック生地と、矩形状とし複数のスタッド基体及びこれ
を二次元状に連結する幅狭の連結部とからなるシート状
のスタッドセラミック生地とを積層して焼成した後、ス
タッドセラミック生地の連結部の両辺側を切断して四隅
部にスタッドを有するセラミックベースを形成したこと
を第２の解決手段とする。また、スタッドを有してＩＣ
チップを搭載した実装基板を水晶振動子の裏面側に接合
したことを第３の解決手段とする。

【００１４】

【００１７】

【００１９】スタッド基体１３は矩形状（この例では正
方形）として二次元状（縦横）に並べられる。連結部１
４はスタッド基体１３を二次元方向に連結し、スタッド
基体１３の各辺よりも短い幅とする。これらの各生地６
（ＡＢＤ）は積層されて一体的に焼成される。そして、
第４図に示したように、連結部１４の両辺側（ＡーＡ’
及びＢーＢ’線）に沿って二次元状に切断し、個々のセ
ラミックベース２に分割される。

【００２０】このようなセラミックベース２の製造方法
であれば、連結部１４によってばらつくことなく、他主
面の４隅部にスタッド６ｄ（1〜４）を確実に形成でき
る。例えば、スタッド６ｄ（1〜４）を個別に積層して
形成する場合に比較して、位置精度を確実にする。

【００２４】また、ワイヤボンディングの場合には、ボ
ンディング用の金線２０は対向する一組の対向辺側に延
出して接続する。チップ素子５は前述のように他組の対
向辺側に位置して接続される（第６図の平面図）。そし
て、いずれの場合も、例えば他主面側に枠を設けて樹脂
剤を充填し（所謂ポッテング）、枠を除去する（未図
示）。

【００２７】また、ワイヤボンディングの場合には、下
部枠壁６ｃがないので底面面積を大きくする。また、ボ
ンディング用の金線２０の導出方向とは異なる方向の他
組の対向辺側にチップ素子を配置する。したがって、金
線を長くして接続作業を容易にする。

【００２８】

【他の事項】上記実施例では、セラミックベース２の底
面側にスタッド６を設けて一主面側に水晶片３を搭載し
た後、ＩＣチップ４及びチップ素子５を他主面側に搭載
したが、この場合には水晶振動子と回路側との並列処理
ができず、生産性及び歩留りを低下させる。したがっ
て、第７図に示したようにセラミックベース２とカバー
８からなる容器内に水晶片を封入した水晶振動子１７と
は別個にＩＣチップ４及びチップ素子５を搭載した実装
基板１８を並列的に形成し、良品同士を接合する場合に
も適用できる。

【００３０】また、セラミックベース２の他主面側にス
タッド６ｄを設ける前実施例の場合に比較して次の利点
がある。すなわち、前実施例の場合には、例えば第８図
に示したように、焼成時に底壁セラミック生地６Ａの反
り及び撓みによる平坦度が損われる。なお、符号１９は
焼成時に積層されたセラミック生地が載置される基準面
となるプレート板である。また、底壁６ａの裏面にＩＣ
チップ４を搭載する際、底壁６ａは浮いた状態で押圧力
によって、撓みを生じる。

【００３３】また、水晶片３は引出電極の延出した両端
部を固着して保持したが、引出電極を一端側に延出して
一端部のみを保持したとしてもよく、水晶片の保持形態
は任意にできる。また、シーム溶接によってセラミック
ベース２を封止したが、ガラスあるいは樹脂等による封
止であったとしてもよく、これらも任意に採用できる。

【００３４】

【図面の簡単な説明】

【図３】本発明の製造方法を説明するシート状のスタッ
ドセラミック生地の図である。

【図９】従来例を説明する面実装発振器の断面図であ
る。

【符号の説明】１凹部、２セラミックベース、３水晶片、４Ｉ
Ｃチップ、５チップ素子、６ａ底壁、６ｂ上部枠
壁、６ｃ下部枠壁、６ｄスタッド、６Ａシート状の
底壁生地、６Ｂシ−ト状の上部枠壁生地、６Ｄシー
ト状のスタッドセラミック生地、７金属リング、８
カバー、９導電性接着剤、１０バンプ、１１実装
用端子、１２シート状セラミックベース、１３スタ
ッド基体、１４連結部、１５枠、１６端子電極、
１７水晶振動子、１８実装基板、１９プレート、
２０金線．

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】矩形状の底壁と該底壁の裏面側の４隅部に
設けられたスタッドとからなるセラミックベースと、前
記セラミックベースの表面側に搭載されてカバーによっ
て密閉封入された水晶片と、前記セラミックベースの裏
面側に搭載されたＩＣチップとからなる表面実装用水晶
発振器。
【請求項２】シート状の底壁セラミック生地と、二次元
上に並べられた矩形状のスタッド基体と該スタッド基体
を二次元状に連結する幅狭の連結部とからなるスタッド
セラミック生地とを具備し、前記底壁セラミック生地と
前記スタッドセラミック生地とを積層して焼成した後、
前記スタッドセラミック生地の連結部の両辺側を切断し
て四隅部にスタッドを形成したことを特徴とする発振器
用セラミックベースの製造方法。
【請求項３】セラミックベースの一主面側に水晶片を搭
載して封止した矩形状の水晶振動子と、前記水晶振動子
の裏面側に接合されてＩＣチップを搭載した実装基板と
からなる面実装水晶発振器において、前記実装基板の外
周４隅部にスタッドを設けられ、前記スタッドの上面と
前記水晶振動子の外周４隅部とを接合してなる表面実装
用水晶発振器。