JPH07114334B2 - 増幅器モジユ−ル - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波等の高周波を扱うハイブリッド構造
の増幅器モジュールに関し、特にバイアス端子からの高
周波の漏洩を抑制した増幅器モジュールに関する。

〔従来の技術〕 従来、マイクロ波等の高周波増幅器モジュールは、トラ
ンジスタチップ，整合回路を形成する誘導体基板等を金
属気密容器内に収容し、この金属気密容器に設けた高周
波信号の入，出力の各端子及び直流電圧印加用のバイア
ス端子を介して外部との電気的接続を行うように構成し
ている。このような増幅器モジュールでは、バイアス端
子に高周波信号が漏洩すると増幅器モジュールの特性を
著しく劣化させ易く、このためバイアス端子には高周波
漏洩防止のためのチョーク回路を設けることが必要とさ
れる。

例えば、第２図は従来の増幅器モジュールの一例の実装
上面図であり、金属気密容器１内に整合回路を形成する
誘電体基板4,5,6、及びトランジスタチップ7,8及びチッ
プコンデンサ９等を収容している。また、金属気密容器
１には高周波信号の入力端子２及び出力端子３を形成
し、更に前記トランジスタチップ7,8等に直流電圧を供
給するための複数のバイアス端子10,11,12,13を配設し
ている。これらバイアス端子にはバイアス供給線を誘電
体基板4,5,6から引き出して電気的接続を行っている。

そして、これらバイアス端子からの高周波の漏洩を防止
するために、金属気密容器１内には、可及的に長くした
線路14を誘電体基板４の上に形成し、これをチップコン
デンサ９で高周波的に短絡してバイアス端子10に接続し
た構成が採られている。なお、図示は省略するが、他の
バイアス端子11,12,13のバイアス供給線についても同様
である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の増幅器モジュールにおいては、通常金属
気密容器１は高周波信号に対し有害な共振の起こらない
によう周波数に応じて一般に小さくする必要がある。こ
のため、前記したバイアス供給源でλ/4波長の先端短絡
型のチョーク回路を構成してこれで高周波漏洩防止を行
うとしても、これを構成するのに必要とされる面積を金
属気密容器１内に確保することが難しい。

このため、前記一定の長さの線路14を用いたのでは充分
なチョーク回路の役割りを果たすことができず、高周波
信号がバイアス端子を通して外部に漏れ、外部からのバ
イアス供給線の実装状態によって高周波の漏洩が影響さ
れて増幅器の特性が変化することになる。

このため、第２図の例では増幅器モジュールを取付ける
装置の筐体にチョークコイル15,16,17,18を接続し、更
に筐体23に設けた貫通コンデンサ19,20,21,22を接続し
て外部チョーク回路を取付けていたが、このようにする
と増幅器モジュールとチョーク回路との間隔が長くなっ
てしまい、マイクロ波のように波長の短い高周波増幅器
に使用する場合に不都合となる。

これは、高周波においてλ/4波長の先端短絡型線路がチ
ョーク回路に適しているのに対し、増幅器モジュールと
装置筐体との位置関係からこれより長いしかも空中配線
を介さざるを得なくなるため、充分なチョーク回路にな
り得ず、また空中に高周波信号を散らしてしまうという
問題がある。

また、前記した第２図の例では、高周波特性変化を他の
回路で補正してやる必要があり、配線状態で特性に微妙
な変化があるので、１台１台の電気調整が困難で時間が
かかるという問題もある。

本発明は外部への高周波漏洩を極力抑えるとともに、実
装上の簡素化と電気調整の容易化を図る増幅器モジュー
ルを提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

整合回路を形成する誘電体基板やトランジスタチップ等
を金属気密容器内に収容し、かつこの金属気密容器に高
周波信号の入，出力端子とバイアス端子とを設けた増幅
器モジュールにおいて、前記金属気密容器のバイアス端
子を設けた側を延長した取付台上に回路基板を配設し、
この回路基板に設けたチョーク回路を前記バイアス端子
に接続する構成を有している。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の実装上面図であり、第２図
と同等部分には同一符号を付してある。

即ち、金属気密容器１内には整合回路を形成する誘電体
基板4,5,6及びトランジスタチップ7,8並びにチップコン
デンサ９等を収容している。また、金属気密容器１の対
向面には夫々高周波信号の入力端子２及び出力端子３を
配設し、更に一側面には前記トランジスタチップ7,8等
にバイアス電圧を供給するための４本のバイアス端子1
0,11,12,13を配設している。

そして、この実施例においては、前記金属気密容器１の
バイアス端子10,11,12,13側の近傍を延長して取付台24
を新たに設け、この取付台24には集積回路基板又はプリ
ント板からなる回路基板25を配設している。この回路基
板25上には、その一部を同図に図示するように、導電膜
を所要長さにパターニングしてλ/4波長の先端短絡型の
チョーク回路26を構成し、このチョーク回路26を前記バ
イアス端子10に接続している。他のバイアス端子11,12,
13においても同じである。なお、チョーク回路26の他端
は図外にバイアス回路に接続されることは言うまでもな
い。

したがって、この構成によれば、金属気密容器１内の高
周波はこのチョーク回路26により遮断され、外部への漏
洩が防止される。この際、この増幅器モジュールでは、
外部からのバイアス供給線を単に回路基板25上のチョー
ク回路26の他端に接続するだけでよく、この外部とのバ
イアス供給線に第２図に示したようなチョークコイルや
貫通コンデンサを接続する必要は全く無い。これによ
り、回路構成の簡素化を図り、実装を容易なものにでき
る。また、高周波特性変化を他の回路で補正する必要も
なく、しかも配線状態による特性変化もなくなるので、
１台１台の特性が均一になり、電気調整も容易となる。

なお、ここではバイアス端子が４本の増幅器モジュール
について説明したが、この数に限定されるものではない
ことは言うまでもない。

また、回路基板に形成するチョーク回路は、プリント基
板に形成した集中定数の素子で構成してもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、金属気密容器の外側に、
バイアス端子に近接して回路基板を配設し、この回路基
板に設けたチョーク回路を介してバイアス端子をバイア
ス供給源に接続しているので、チョークコイルや貫通コ
ンデンサ等を接続しなくとも、金属気密容器からバイア
ス端子を通しての高周波の漏洩を有効に防止することが
でき、これにより回路構成及び実装の簡素化，容易化を
図るとともに、電気調整の容易化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の実装状態の上面図、第２図
は従来構成の実装状態の上面図である。 １……金属気密容器、２……入力端子、３……出力端
子、4,5,6……誘電体基板、7,8……トランジスタチッ
プ、９……チップコンデンサ、10,11,12,13……バイア
ス端子、14……線路、15,16,17,18……チョークコイ
ル、19,20,21,22……貫通コンデンサ、23……筐体、24
……取付台、25……回路基板（集積回路基板，プリント
基板）、26……チョーク回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】整合回路を形成する誘電体基板やトランジ
   スタチップ等を金属気密容器内に収容し、かつこの金属
   気密容器に高周波信号の入，出力端子とバイアス端子と
   を設けた増幅器モジュールにおいて、前記金属気密容器
   のバイアス端子を設けた側を延長した取付台上に回路基
   板を配設し、この回路基板に設けたチョーク回路を前記
   バイアス端子に接続したことを特徴とする増幅器モジュ
   ール。