JPH06236815A - 高周波回路装置および無線機 - Google Patents

高周波回路装置および無線機

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JPH06236815A
JPH06236815A JP5226859A JP22685993A JPH06236815A JP H06236815 A JPH06236815 A JP H06236815A JP 5226859 A JP5226859 A JP 5226859A JP 22685993 A JP22685993 A JP 22685993A JP H06236815 A JPH06236815 A JP H06236815A
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信彦 柴垣
Mitsutaka Hikita
光孝 疋田
Toyoji Tabuchi
豊治 田渕
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貴俊 赤木
Satoshi Wakamori
聡 若森
Tomozo Matsumoto
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 無線機等の高周波回路装置を利用した機器の
小型化に有効であり、かつ高周波特性の良い高周波回路
装置を提供する。 【構成】 高周波回路素子8を収納する気密空間をもつ
パッケージ7を有する高周波回路装置において、高周波
回路素子8をパッケージ7を構成する基板1の表面上に
導体パターンを介して固着し、巻線インダクタンス11
を基板1の裏面に設けた穴の中に設置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波(SAW:
Surface Acoustic Wave)素子等の高周波回路素子を用
いた高周波回路装置に関し、特に小型、高性能なフィル
タ特性が要求される移動通信用の高周波回路装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波回路装置においては、例え
ば特開平3−205908号公報に開示されているよう
に、高周波回路素子を気密封止可能なTOカンタイプの
パッケージに実装し、素子外部に膜回路素子あるいは集
中定数回路素子を利用して整合回路を設けるのが一般的
であった。高周波回路素子の一例として弾性表面波素子
について例示する。図2(a)は従来の弾性表面波装置
の実装の断面図を示す図で、図2(b)は底面図を示し
ている。パッケージ7は、高周波回路基板(マザーボー
ド)16に搭載され、例えば、高周波回路基板16の裏
面にインダクティブな膜回路素子15を形成することに
よって、整合回路を実現していた。図2(a),図2
(b)ではTOカンタイプのパッケージについて説明し
たが、図3に示すような表面実装型のパッケージの場合
でも、概略は同じである。このパッケージ7の場合、基
板1の表面に立設する枠2と、これら基板1,枠2と共
に気密空間を形成する蓋3とを有し、気密空間に高周波
回路素子8を実装し、高周波回路素子8上の信号用電極
と基板1上の信号用電極パターン6および高周波回路素
子8上のアース用電極と基板1上のアース用電極パター
ン6を接続した構成となっていた。そして、TOカンタ
イプのパッケージの場合と同様に外部に整合回路を設け
る必要があった。
【0003】一般に、弾性表面波素子の入出力端子から
見たインピーダンスは、弾性表面波を励振するトランス
デューサの電極間容量のため容量性となる。その為、通
信機端末等のマザーボードに弾性表面波装置を搭載する
と、マザーボードから供給される高周波信号インピーダ
ンスと弾性表面波素子のインピーダンス不整合のため、
高周波信号が弾性表面波素子の端部で反射されてしま
う。このインピーダンス不整合を避けるために、マザー
ボード上に整合回路を導入し弾性表面波素子自体の容量
成分を打ち消して用いている。図4(a),図4
(b),図4(c),図4(d)は弾性表面波素子20
と代表的な整合回路の例を示しており、インダクティブ
あるいはインダクティブとキャパシティブな回路素子で
構成された整合回路を介して弾性表面波素子が外部回路
と接続されている。インダクティブな回路素子としては
マザーボード上のミアンダラインが使用され、キャパシ
ティブな回路素子としては集中定数容量、ギャップ容量
が使用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、特に無線機等の
高周波回路装置を利用した機器では、小型化の要請があ
る。
【0005】しかし、従来技術では、高周波回路装置に
弾性表面波素子を実際に用いる場合、パッケージの外部
に整合回路を設けることが必要なため、無線機等の高周
波回路装置を利用した機器の小型化を阻害する一因とな
っていた。
【0006】また、膜回路素子からなる整合回路を多層
セラミックパッケージの内部に形成するという提案が特
開平2−90805号公報によりなされているが、この
場合には膜回路素子の膜自体の導体損失および誘電体基
板の誘電損失により膜回路素子のインダクタンスのQ値
が低下しフィルタの損失が増加、すなわちインダクタン
スのQ値の低下による高周波回路装置の高周波特性の劣
化という問題が生じる。 本発明の目的は、無線機等の
高周波回路装置を利用した機器の小型化に有効であり、
かつ高周波特性の良い高周波回路装置を提供することに
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的は、高周波回路
素子をパッケージを構成する基板の表面上に導体パター
ンを介して固着し、基板の裏面に穴を設けてその中に巻
線インダクタンスを設置することにより達成できる。
【0008】より具体的には、第1の基板と、第1の基
板の表面に立設する枠と、枠および第1の基板との間に
気密空間を形成する蓋と、第1の基板の裏面に接して形
成され、かつ穴を有する第2の基板と、第1の基板表面
上に形成された第1の導体パターンおよび第2の導体パ
ターンと、第1の基板裏面上に形成され、かつ少なくと
も一部分が第2の基板の穴の部分で露出している第3の
導体パターンおよび第4の導体パターンと、第2の基板
裏面上に形成された第5の導体パターンおよび第6の導
体パターンと、第1の導体パターンと第3の導体パター
ンを接続するための第1の導体と、第2の導体パターン
と第6の導体パターンを接続するための第2の導体と、
第4の導体パターンと第5の導体パターンを接続するた
めの第3の導体と、気密空間に収容され、第2の導体パ
ターン上に固着され、かつその表面電極が第1の導体パ
ターンと配線された高周波回路素子と、第2の基板の穴
の中に収容され、第3の導体パターンと第4の導体パタ
ーンとの間に接続された巻線インダクタンスを有してい
る高周波回路装置により達成できる。
【0009】
【作用】巻線インダクタンスをパッケージの基板裏面に
設けた穴の中に設置するので、整合回路(高周波回路素
子の入出力インピーダンスと複素共役なインピーダンス
を持つ)の構成体であるインダクタンスをマザーボード
上に改めて形成する必要がなく、無線機等の高周波回路
装置を利用した機器の小型化に有効である。
【0010】巻線インダクタンスは、ソレノイド径が1
mm程度と小さいものでも、インダクタンスが数nHか
ら数十nHまでの大きな値をもち、かつ高周波特性に影
響するQ値が100程度と大きいものを作製できる。こ
の巻線インダクタンスの100程度というQ値は、従来
のマザーボード上に形成したインダクティブな膜回路素
子のQ値が通常50程度であることを考えると、優れた
インダクタンスである。したがって、整合回路の構成体
として使用した場合、高周波回路装置の高周波特性が良
い。高周波回路素子が弾性表面波素子の場合は、整合回
路によるフィルタ損失の増加を抑えることができ、高周
波特性が良い。
【0011】また、巻線インダクタンスをパッケージの
基板裏面側に設置するので、導体パターンが高周波回路
素子と巻線インダクタンスとの間に存在し、両者の電磁
シールド体として働く。巻線インダクタンスをパッケー
ジの基板表面側に設置する場合は、電磁シールド体を新
たに設ける必要がある。
【0012】第1の基板は、穴を有する第2の基板の残
りの基板部分を意味しており、第1の基板の内部に他の
導体パターン等が存在しても良い。
【0013】また、巻線インダクタンスだけでなく、整
合回路を構成する集中定数容量もパッケージの基板に設
けた空間中に設置することができる。
【0014】
【実施例】図1に本発明の一具体例の断面図を示す。パ
ッケージ7の外形は、基板1の一方の面に枠2が立設し
ており、この枠2に蓋3が固着され気密が保たれてい
る。また、基板1の他方の面に部分的に穴10を設けた
基板4が固着している。
【0015】さらに、パッケージ7は、基板4を貫通す
る導体(貫通導体)5で信号用導体パターン33−a、
33−bと信号用外部接続端子6−a、6−bとを各々
接続し、基板1を貫通する導体13で信号用導体パター
ン30−a、30−bと信号用導体パターン31−a、
31−bとを各々接続し、基板4及び基板1を貫通する
導体14でアース用導体パターン35とアース用外部接
続端子34とを接続している。特に貫通導体14は、高
周波回路素子8の表面電極に接続された2つのインダク
タンス11が各々設置された2つの穴10の間に配置さ
れているので、2つのインダクタンス11間の相互結合
を低減するように働き、高周波回路素子8の入出力間の
クロストークを低減できる。
【0016】このようなパッケージ7のアース用導体パ
ターン35上に、高周波回路素子8を搭載しこの素子の
2つの信号用電極と信号用導体パターン30−a、30
−bをワイヤ9で接続する。また、基板4の穴10から
なる空間中に整合回路を構成する回路素子である巻線イ
ンダクタンス11あるいは集中定数容量12を配置す
る。このとき、これらの回路素子は信号用導体パターン
31−aと33−aあるいは信号用導体パターン31−
bと33−bの間に接続する。
【0017】また、高周波回路素子8の一方の信号用電
極とアース用導体パターン35とをワイヤで接続する場
合は、信号用外部接続端子6−a、6−bの一方および
それと接続した信号用導体、パターン貫通導体は不要と
なる。
【0018】パッケージの内部に整合回路を配置するこ
とにより、無線器を設計する際のインピーダンス整合の
手間が省ける。また、整合回路を構成する回路素子の全
てを基板4の穴10の中に配置せず、巻線インダクタン
ス11のみを配置した場合もインピーダンス整合の労力
を減少できる。更には、基板4の穴10の中に配置した
巻線インダクタンス11あるいは集中定数容量12は交
換が容易なので、高周波回路素子の入出力インピーダン
スがばらついた場合の調整が容易に行え、その結果高周
波回路装置の歩留を向上できる。
【0019】実施例1 本発明の実施例1の高周波回路装置を図5乃至図9によ
り説明する。図5は本実施例の回路図である。図6乃至
図8は、信号用外部接続端子、アース用外部接続端子お
よび導体パターンの配置を示す図で、各々パッケージの
蓋を開けた状態の上面図、パッケージの底面図および、
パッケージの基板内部の上面図である。また、図9は、
高周波回路装置の斜視図であり、特にパッケージ側面の
導体(側面導体)を示している。
【0020】本実施例の高周波回路装置は、2個の高周
波回路素子20−a,20−bの一端は直列のインダク
タンス11−eから成る整合回路を介して接続され、他
端(入出力端)は各々直列及び並列のインダクタンス1
1−aと11−b、および11−dと11−cから成る
整合回路と接続している(図5)。
【0021】パッケージ7の外形は、図1と同様であ
り、基板1の一方の面に枠2が立設しており、この枠2
に蓋3が固着され気密が保たれている。また、基板1の
他方の面に部分的に穴10−a,10−b,10−c,
10−d,10−eを設けた基板4が固着している(図
9)。
【0022】導体パターン、信号用外部接続端子、アー
ス用外部接続端子、および基板4の穴の数および配置は
図1の場合と異なり次のようになっている。すなわち、
図6に示すように、高周波回路素子20−a,20−b
固着面には、信号用導体パターン30−a,30−b,
30−c,30−d、アース用導体パターン35が存在
する。また、図7に示すように、パッケージ7の底面に
は、信号用外部接続端子6−a,6−b、アース用外部
接続端子34および穴10−a,10−b,10−c,
10−d,10−eが存在する。また、図8に示すよう
に、基板1と基板4の間には、アース用導体パターン3
6−a,36−b、信号用導体パターン31−a,31
−b,31−c,31−d,37−a,37−bが存在
する。ここで、信号用導体パターン30−a,30−
b,30−c,30−dは、各々信号用導体パターン3
1−a,31−b,31−c,31−dと貫通導体13
で接続されている。また、アース用導体パターン35は
アース用外部接続端子34と複数本の貫通導体14およ
び複数の側面導体39−a,39−bの両者で接続され
ている。また、側面導体39−a,39−bはアース用
導体パターン36−a,36−bと接続している。信号
用導体パターン37−a,37−bは各々信号用外部接
続端子6−a,6−bと貫通導体5および側面導体38
−a,38−bの両者で接続されている。
【0023】2つの高周波回路素子20−a,20−b
はアース用導体パターン35上に搭載され、これらの素
子の4つの信号用電極と信号用導体パターン30−a、
30−b,30−c,30−dがワイヤで接続される。
また、基板4の穴10−a,10−b,10−c,10
−d,10−eの中に、整合回路を構成するインダクタ
ンスとして巻線インダクタンス11−a,11−b,1
1−c,11−d,11−eを各々配置される。このと
き、これらの巻線インダクタンス11−a,11−b,
11−c,11−d,11−eは、各々信号用導体パタ
ーン31−aと37−a,36−aと37−a,36−
aと37−b,31−dと37−b,31−bと31−
cの間に接続される。
【0024】本実施例では2個の高周波回路素子を整合
回路とともに内蔵する高周波回路装置について説明した
が、個数に関係なく本発明を適用できることはいうまで
もない。
【0025】また、本実施例ではインダクタンスのみで
整合回路を構成したが、従来から知られている図4に示
した整合回路等を用いても良いことはいうまでもない。
【0026】また、本実施例では、2層の基板を用いた
が、層数に関係なく3層以上の場合にも本発明を適用で
きることはいうまでもない。この場合の層数は導体パタ
ーンを境界として数えるが、発明の概念からみた場合
は、穴を有する基板とその他の基板の2種の基板に分け
ることができる。
【0027】また、本発明の効果を失わない範囲で、本
実施例の巻線インダクタンスの一部を層間のメアンダラ
インで置き換えても良い。
【0028】また、容量を含む整合回路の場合に、本発
明の効果を失わない範囲で容量として層間容量あるいは
ギャップ容量を用いても良い。
【0029】また、フィルタ回路を構成するために、基
板の穴の中に配置した巻線インダクタンスあるいは集中
定数容量を利用しても良い。このフィルタ回路は、弾性
表面波フィルタのみでは除去しきれない周波数領域を除
去したい場合に用いると有効である。また、このフィル
タ回路は、高周波回路素子が半導体増幅素子の場合に用
いると、増幅後の不要な周波数成分を除去するのに有効
である。
【0030】また、高周波回路素子として弾性表面波素
子を用い、さらに半導体増幅素子を用いて、受動素子と
能動素子の集積化を行いたい場合には、基板の穴の中に
半導体増幅素子を実装すれば良い。
【0031】実施例2 本発明の実施例2として、高周波回路装置をマザーボー
ドに実装する方法を示す。図1あるいは図9の高周波回
路装置のパッケージのタイプの場合、第1の方法とし
て、基板の穴(図1では符号10)をマザーボード側に
向けて実装する方法がある。
【0032】また、第2の方法として、巻線インダクタ
ンスあるいは集中定数容量を配置した後、非導電性の樹
脂で穴10を埋め込む方法がある。第2の方法によれ
ば、マザーボードへの実装に用いるろう材が穴10の中
に入り込み巻線インダクタンスあるいは集中定数容量が
短絡する恐れがない。
【0033】また、第3の方法として、基板の穴をマザ
ーボードと反対側に向けて実装する方法がある。図10
に第3の方法を適用するのに適した高周波回路装置の断
面図を示す。貫通導体5を蓋3側に延ばし枠2上に信号
用外部接続端子6−a、6−bを設ける。また、蓋3を
その面が枠2の面より外側に飛び出さないように配置
し、信号用外部接続端子6−a、6−bとマザーボード
との接触を良好にする。また、図示していないが、高周
波回路素子8の裏面は、基板1および4を貫通して基板
4の上面に出たあと、基板1,4および枠2の側面を通
る径路でマザーボードのアース電極と接続している。第
3の方法の場合、非導電性の樹脂で穴10を埋め込まな
くても、ろう材が穴10の中に入り込み巻線インダクタ
ンスあるいは集中定数容量が短絡する恐れがない。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、無線器を設計する際の
インピーダンス整合の手間が省けるので無線器の開発効
率を向上できる。
【0035】また、本発明を高周波回路装置を移動通信
のアンテナ初段フィルタ等、極めて厳しい電気性能を要
求される部分に適用することにより効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高周波回路装置の一具体例の断面図で
ある。
【図2】図2(a)、図2(b)は各々従来の弾性表面
波素子の実装状態を示す断面図および底面図である。
【図3】従来の弾性表面波素子の実装状態を示す斜視図
である。
【図4】図4(a)、図4(b)、図4(c)および図
4(d)は公知の整合回路の等価回路図である。
【図5】本発明の実施例1の高周波回路装置の回路図で
ある。
【図6】本発明の実施例1の高周波回路装置のパッケー
ジの蓋を開けた状態の上面図である。
【図7】本発明の実施例1の高周波回路装置のパッケー
ジの底面図である。
【図8】本発明の実施例1の高周波回路装置のパッケー
ジの基板内部の上面図である。
【図9】本発明の実施例1の高周波回路装置の斜視図で
ある。
【図10】本発明の実施例2の高周波回路装置のマザー
ボードへの実装方法で用いる高周波回路装置の断面図で
ある。
【符号の説明】
1…基板、2…枠体、3…蓋体、4…基板、5…貫通導
体、6…外部接続端子、7…パッケ−ジ、8…高周波回
路素子、9…接続手段、10…穴、11…巻線インダク
タンス、12…集中定数容量、13…貫通導体、14…
貫通導体、15…インダクティブ回路素子、16…基
板、20…高周波回路素子、30…高周波回路素子用接
続端子、31…整合回路素子用接続端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/18 R 7128−4E (72)発明者 田渕 豊治 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 赤木 貴俊 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立画像情報システム内 (72)発明者 若森 聡 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所AV機器事業部内 (72)発明者 松本 智三 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所AV機器事業部内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高周波回路素子を収納する気密空間をもつ
    パッケージを有する高周波回路装置において、上記高周
    波回路素子は上記パッケージを構成する基板の表面上に
    導体パターンを介して固着されており、上記基板の裏面
    に設けた穴の中に巻線インダクタンスが設置されている
    ことを特徴とする高周波回路装置。
  2. 【請求項2】第1の基板と、該第1の基板の表面に立設
    する枠と、該枠および上記第1の基板との間に気密空間
    を形成する蓋と、上記第1の基板の裏面に接して形成さ
    れ、かつ少なくとも1個の穴を有する第2の基板と、上
    記第1の基板表面上に形成された第1の導体パターンお
    よび第2の導体パターンと、上記第1の基板裏面上に形
    成され、かつ少なくとも一部分が上記第2の基板の穴の
    部分で露出している第3の導体パターンおよび第4の導
    体パターンと、上記第2の基板裏面上に形成された第5
    の導体パターンおよび第6の導体パターンと、上記第1
    の導体パターンと上記第3の導体パターンを接続するた
    めの第1の導体と、上記第2の導体パターンと上記第6
    の導体パターンを接続するための第2の導体と、上記第
    4の導体パターンと上記第5の導体パターンを接続する
    ための第3の導体と、上記気密空間に収容され、上記第
    2の導体パターン上に固着され、かつその表面電極が上
    記第1の導体パターンと配線された高周波回路素子と、
    上記第2の基板の第1の穴の中に収容され、かつ上記第
    3の導体パターンと上記第4の導体パターンとの間に接
    続された第1の巻線インダクタンスを有していることを
    特徴とする高周波回路装置。
  3. 【請求項3】上記高周波回路素子は弾性表面波素子であ
    る請求項第1又は2記載の高周波回路装置。
  4. 【請求項4】上記高周波回路素子の少なくも1個は半導
    体素子であり、少なくも1個は弾性表面波素子である請
    求項1又は2記載の高周波回路装置。
  5. 【請求項5】上記第2の基板に設けられた上記第1の穴
    以外の穴の中に上記半導体素子を配置した請求項4記載
    の高周波回路装置。
  6. 【請求項6】上記第2の基板に設けられた上記第1の穴
    以外の穴の中に集中定数容量を配置した請求項2記載の
    高周波回路装置。
  7. 【請求項7】上記高周波回路装置はさらにメアンダ線
    路、多層容量、ギャップ容量、線路からなる膜回路素子
    を上記第1の基板と上記第2の基板の間に少なくとも1
    つ有しており、これら膜回路素子と上記第1の巻線イン
    ダクタンスの組合せにより外部回路と高周波回路素子の
    インピーダンス整合を構成する請求項2乃至6のいずれ
    か一項に記載の高周波回路装置。
  8. 【請求項8】上記第2の基板に設けられた穴の空間の少
    なくとも1つは樹脂で充填されている請求項1又は2記
    載の高周波回路装置。
  9. 【請求項9】上記高周波回路装置はさらに上記導体パタ
    ーンに接続され、かつ上記基板の裏面まで貫通した導体
    を有しており、該貫通導体は2つの上記巻線インダクタ
    ンスが設置されている穴の間に位置している請求項1記
    載の高周波回路装置。
  10. 【請求項10】上記高周波回路装置は上記基板側を高周
    波回路基板側に向けて実装されており、上記高周波回路
    装置はさらに上記巻線インダクタンスの一端に接続さ
    れ、かつ上記基板の上記高周波回路基板に対向する面ま
    で延在している導体を有している請求項1記載の高周波
    回路装置。
  11. 【請求項11】上記高周波回路装置は上記気密空間側を
    高周波回路基板側に向けて実装されており、上記高周波
    回路装置はさらに上記巻線インダクタンスの一端に接続
    され、かつ上記気密空間の上記高周波回路基板に対向す
    る面まで延在している導体を有している請求項1記載の
    高周波回路装置。
  12. 【請求項12】上記高周波回路装置はさらに上記第1の
    基板表面上に形成された第7の導体パターン、上記第1
    の基板裏面上に形成された、少なくとも一部分が上記第
    2の基板の第2の穴の部分で露出している第8の導体パ
    ターンおよび第9の導体パターン、上記第2の基板裏面
    上に形成された第10の導体パターン、上記第7の導体
    パターンと上記第8の導体パターンを接続するための第
    4の導体と、上記第9の導体パターンと上記第10の導
    体パターンを接続するための第5の導体と、上記高周波
    回路素子の表面電極と上記第7の導体パターン間の配線
    と、上記第2の基板の第2の穴の中に収容され、かつ上
    記第8の導体パターンと上記第9の導体パターンとの間
    に接続された第2の巻線インダクタンスを有しており、
    かつ上記第1の導体および第4の導体は上記第1の基板
    を少なくとも貫通して形成されており、上記第2の導体
    は上記第1の基板および上記第2の基板を少なくとも貫
    通して形成されており、上記第3の導体および第5の導
    体は上記第2の基板を少なくとも貫通して形成されてい
    る請求項2記載の高周波回路装置。
  13. 【請求項13】上記第2の導体は上記第2の基板の貫通
    の他に上記第1の基板および上記第2の基板の側面を通
    って形成されている請求項12記載の高周波回路装置。
  14. 【請求項14】第1の基板と、該第1の基板の表面に立
    設する枠と、該枠および上記第1の基板との間に気密空
    間を形成する蓋と、上記第1の基板の裏面に接して形成
    され、かつ第1の穴、第2の穴および第3の穴を有する
    第2の基板と、上記第1の基板表面上に形成された第1
    の導体パターン、第2の導体パターン、第3の導体パタ
    ーン、第4の導体パターン、第5の導体パターンおよび
    第6の導体パターンと、上記第1の基板裏面上に形成さ
    れ、かつ少なくとも一部分が上記第2の基板の第1の
    穴、第2の穴および第3の穴の部分で露出している第7
    の導体パターン、第8の導体パターン、第9の導体パタ
    ーン、第10の導体パターン、第11の導体パターンお
    よび第12の導体パターンと、上記第2の基板裏面上に
    形成された第13の導体パターン、第14の導体パター
    ン、第15の導体パターンおよび第16の導体パターン
    と、上記第1の導体パターンと上記第8の導体パターン
    を接続するための第1の導体と、上記第2の導体パター
    ンと上記第14の導体パターンを接続するための第2の
    導体と、上記第3の導体パターンと上記第9の導体パタ
    ーンを接続するための第3の導体と、上記第4の導体パ
    ターンと上記第10の導体パターンを接続するための第
    4の導体と、上記第5の導体パターンと上記第15の導
    体パターンを接続するための第5の導体と、上記第6の
    導体パターンと上記第11の導体パターンを接続するた
    めの第6の導体と、上記第7の導体パターンと上記第1
    3の導体パターンを接続するための第7の導体と、上記
    第12の導体パターンと上記第16の導体パターンを接
    続するための第8の導体と、上記気密空間に収容され、
    上記第2の導体パターン上に固着され、かつその2つの
    表面電極が各々上記第1の導体パターンおよび第3の導
    体パターンと配線された第1の弾性表面波素子、および
    上記第5の導体パターン上に固着され、かつその2つの
    表面電極が各々上記第4の導体パターンおよび第6の導
    体パターンと配線された第2の弾性表面波素子と、上記
    第2の基板の第1の穴の中に収容され、かつ上記第7の
    導体パターンと上記第8の導体パターンとの間に接続さ
    れた第1の巻線インダクタンスと、上記第2の基板の第
    2の穴の中に収容され、かつ上記第9の導体パターンと
    上記第10の導体パターンとの間に接続された第2の巻
    線インダクタンスと、上記第2の基板の第3の穴の中に
    収容され、かつ上記第11の導体パターンと上記第12
    の導体パターンとの間に接続された第3の巻線インダク
    タンスを有し、かつ上記第1の導体、第3の導体および
    第6の導体は上記第1の基板を少なくとも貫通して形成
    されており、上記第2の導体および上記第5の導体は上
    記第1の基板および上記第2の基板を少なくとも貫通し
    て形成されており、上記第7の導体および第8の導体は
    上記第2の基板を少なくとも貫通して形成されているこ
    とを特徴とする高周波回路装置。
  15. 【請求項15】上記第2の導体および上記第5の導体は
    上記第1の基板および上記第2の基板の貫通の他に上記
    第1の基板および上記第2の基板の側面を通って形成さ
    れている請求項14記載の高周波回路装置。
  16. 【請求項16】上記高周波回路装置はさらに上記第1の
    基板裏面上に形成された、少なくとも一部分が上記第2
    の基板の第4の穴の部分で露出している第17の導体パ
    ターンと、上記第1の基板裏面上に形成された、少なく
    とも一部分が上記第2の基板の第5の穴の部分で露出し
    ている第18の導体パターンと、上記第17の導体パタ
    ーンと上記第14の導体パターンを接続するための第9
    の導体と、上記第18の導体パターンと上記第15の導
    体パターンを接続するための第10の導体と、上記第2
    の基板の第4の穴の中に収容された第4の巻線インダク
    タンスと、上記第2の基板の第5の穴の中に収容された
    第5の巻線インダクタンスを有しており、上記第7の導
    体パターンは上記第2の基板に形成された第4の穴の部
    分に露出しており、上記第12の導体パターンは上記第
    2の基板に形成された第5の穴の部分に露出しており、
    第4の巻線インダクタンスは上記第7の導体パターンと
    上記第17の導体パターンとの間に接続されており、第
    5の巻線インダクタンスは上記第12の導体パターンと
    上記第18の導体パターンとの間に接続されており、上
    記第9の導体および第10の導体は上記第2の基板を少
    なくとも貫通して形成されている請求項14記載の高周
    波回路装置。
  17. 【請求項17】上記第2の導体および上記第5の導体は
    上記第1の基板および上記第2の基板の貫通の他に上記
    第1の基板および上記第2の基板の側面を通って形成さ
    れている請求項16記載の高周波回路装置。
  18. 【請求項18】マザーボードと、該マザーボード上に設
    置された請求項1乃至乃至17のいずれか一項に記載の
    高周波回路装置を有することを特徴とする無線機。
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