JPS5846565Y2 - マイクロ波用半導体装置 - Google Patents

マイクロ波用半導体装置

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JPS5846565Y2
JPS5846565Y2 JP1976172698U JP17269876U JPS5846565Y2 JP S5846565 Y2 JPS5846565 Y2 JP S5846565Y2 JP 1976172698 U JP1976172698 U JP 1976172698U JP 17269876 U JP17269876 U JP 17269876U JP S5846565 Y2 JPS5846565 Y2 JP S5846565Y2
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JP
Japan
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dielectric substrate
circuit
semiconductor
circuit elements
conductor layer
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JP1976172698U
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JPS5389252U (ja
Inventor
正孝 梶原
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はマイクロ波帯用の装置及びシステム等に多用さ
れる半導体増幅器の実装構造に係り、特に半導体増幅器
を構成するストリップ線路回路基板上への抵抗器、コン
テ゛ンサ等の回路素子の実装構造に関するものである。
一般にマイクロ波帯用半導体増幅器の構成は、高周波に
対して低損失であるセラミック及びガラスクロステフロ
ン積層板等の誘電体基板上に、蒸着、エツチング等の技
術によって形成された導体層を有し、その導体層上に、
半導体素子、チップ抵抗器、チップコンテ゛ンサ等の種
々の回路素子を半田付その他の手段により電気的、機械
的に接続せしめたストリップ線路回路基板を適当な筐体
に収納して構成される。
第1図aは、マイクロ波帯用トランジスタ増幅器の一回
路側であり、同図すは同図aの実際に実現した従来の回
路素子実装方法による増幅器構成の一実施例を示す平面
図であり、1はセラミック等の誘電体基板、2はその誘
電体基板上に蒸着、エツチング等の技術により形成され
た導体層、3は半導体増幅器を動作させるために必要な
直流バイアス用チップ抵抗器、4は増幅器の動作に不要
な高周波成分を側路させるためのチップコンテ゛ンサ、
6は半導体素子5及び8や各回路同志間の電気的な接続
を直流的に隔離するための直流阻止用チップコンデンサ
4テ゛ンサ体素子5,8間や、各回路同志の所要高周波
に対するインピーダンス整合用チップコンデンサであり
、それぞれ導体層2上へ半田付等の手段により電気的に
接続される。
そして7は半導体素子5,8の電極リード9やその他の
回路素子等を筐体10等へ固着接地するために必要なネ
ジをそれぞれ示している。
今、半導体増幅器を構成するのに必要な種々の回路素子
例へばチップ抵抗器3、チップコンデンサ4等を実際に
誘電体基板1上の導体層2上に接続する方法には、導体
層2上へあらかじめフラックスを塗付し小さな半田片を
置き、その上に回路素子3,4を乗せた後、誘電体基板
1に対して十分な熱容量を有する電熱板上へ誘電体基板
1を乗せて十分に加熱しながら半田付する方法や、熱容
量の大きい半田ゴテでチップ抵抗器3、チップコンデン
サ4等を導体層2上に一つ一つ半田付していく方法とが
ある。
しかし、かかる従来方法には作業性の悪さに伴ない作業
工数の増大化という大きな欠点があり、更に次に示すよ
うな二、三の重大欠点がある。
今、回路素子3,4等を最適値に選別調整する場合や、
修理等のために良品と交換する場合には回路素子3,4
を導体層2から取り去らねばならないが、ストリップ線
路回路基板を形成する誘電体基板1が熱伝導率の良好な
材質の場合、一般の電子機器用ハンダゴテではその熱容
量が不足するため導体層2上から回路素子3,4の取り
はずしが極めて困難になり、さらには回路素子3,4の
破損を招くことがあり、加えて回路素子3,4を接続す
る導体層2を誘電体基板1の表面から剥離してしまうな
どの事故を生じたり、基板1の表面を汚してしまうなど
の欠点がある。
しかして、このような事故を防ぐため、電熱板上に誘電
体基板1を乗せて十分加熱しながら回路素子3,4を取
りはずし選別するのが一般的であるが、この方法は選別
調整の簡便性に欠け、製造工数が増大し、さらに選別調
整の回数が増加すると、ストリップ線路回路基板上に接
続されている選別調整あるいは交換を要しない他の回路
素子まで何回も熱衝撃を受けることになり、接続された
回路素子の信頼性の点からも非常に不利になるなどの欠
点がある。
本考案は、か・る従来の欠点を一掃した極めて製造容易
で保守性が良くかつ高い信頼性を有し、又コストダウン
が十分に期待可能なマイクロ波帯用半導体増幅器を提供
するものであり、以下図面を用いて本考案を詳細に説明
する。
第2図は本考案による一実施例を示す平面図であり、第
1図と同一番号を付したものはそれぞれ対応させてあり
説明は省略する。
第2図において6′は導体層2上にエツチング等の技術
で作成した非常に狭い間隙で構成した間隙コンテ゛ンサ
であり第1図の6に相当し、その詳細を第4図に示す。
11は誘電体基板1上に導体層2と同時にエツチング技
術等により形成された接続用導体層でありこの導体層1
1に回路基板用のコネクタ12を接続し、このコネクタ
12の端子13とプリント板14とを電気的に接続して
誘電体基板1へ他からの電気的接続を容易に可能ならし
める。
15は所要高周波動作にあずかる半導体素子5,8を除
いたチップ抵抗器、チップコンデンサ等の他の全ての回
路素子を、近年卓上電子計算機や各種電子機器等に大巾
に使用され出した多数の抵抗器、コンデンサ等の回路素
子を一つの小さなパッケージ内に納めた回路素子ブロッ
クを示し、この内部接続の一例を第1図aの回路に対応
して第5図に示した。
この回路素子ブロック15は交換容易性を保つため、誘
電体基板1以外の一般電子機器用プリント板14上に設
けられたソケット16に差し込まれる。
更に回路素子ブロック15はこの中に組込まれた回路定
数の変更を簡単に外部から可能にするための外部調整用
端子17を有し、例へば半導体素子5の直流バイアス値
を変更するためには端子17へ補正用抵抗を半田付すれ
ば極めて容易に外部調整が可能になり、作業性、保守性
に非常に有利になる。
又、誘電体基板1上には所要高周波動作にあずかる半導
体素子の実装以外は他の回路素子を一切排除出来るため
、従来のストリップ線路回路に比較して部品点数が非常
に少なく極めて簡単なものとなり、保守及び製造工数の
大巾な削減が可能となる。
次に第3図は本考案による他の実施例を示す平面図であ
って、第2図で説明した誘電体基板1と全く同一のもの
の使用が可能で、基板1上に形成された接続用導体層1
1上へソケット16を半田付その他の手段により接続し
ておき、ソケット16に回路素子ブロック15を差し込
むことにより極めて容易に増幅器を構成することが出来
る。
この方法によると、第2図のプリント板14及びコネク
タ12等が不要になり、増幅器を小型軽量に出来るなど
の大きな利点がある。
以上述べた如く、本考案は誘電体基板上に構成されたス
トリップ線路回路基板上への回路素子実装構造を、増幅
器の所要高周波動作にあずかる半導体素子を直接前記ス
トリップ線路回路基板上へ実装し、前記半導体素子を動
作させるために必要な他の全ての回路素子はパッケージ
内に収納された一つ又は複数個の回路素子ブロックを前
記誘電体基板上あるいは他の場所に実装する構造となっ
ているため、部品点数が大巾に削減され、又、製作保守
が極めて容易なマイクロ波帯用増幅器を提供するもので
あり、その実用的価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図aはマイクロ波帯用増幅器の一回路側であり、同
図すは実際の構成法の従来例を示す平面図、第2図、第
3図は本考案による実施例を示す平面図であり、第4図
は第2図、第3図に示した間隙コンデンサ6′の拡大詳
細平面図、第5図は第2図。 第3図に示した回路素子ブロック15の内部接続例を示
す図である。 1・・・・・・誘電体基板、2・・・・・・導体層、3
・・・・・・チップ抵抗器、4,6・・・・・・チップ
コンデンサ、5,8・・一半導体素子、6′・・・・・
・間隙コンテ゛ンサ、12・・・・・・コネクタ、14
・・・・・・プリント基板、15・・・・・・回路素子
ブロック。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. スI・リップ線路用導体およびこのストリップ線路用導
    体に固定接続された半導体素子を一生面に有する誘電体
    基板と、前記半導体素子に直流バイアスを与えるために
    必要な回路素子を含む回路素子ブロックとを有し、該回
    路素子ブロックは前記誘電体基板とは分離可能な別の構
    成体に取り付けられており、当該構成体はコネクタ手段
    によって前記誘電体基板と結合されていることを特徴と
    するマイクロ波用半導体装置。
JP1976172698U 1976-12-22 1976-12-22 マイクロ波用半導体装置 Expired JPS5846565Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1976172698U JPS5846565Y2 (ja) 1976-12-22 1976-12-22 マイクロ波用半導体装置

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JP1976172698U JPS5846565Y2 (ja) 1976-12-22 1976-12-22 マイクロ波用半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5389252U JPS5389252U (ja) 1978-07-21
JPS5846565Y2 true JPS5846565Y2 (ja) 1983-10-24

Family

ID=28780184

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1976172698U Expired JPS5846565Y2 (ja) 1976-12-22 1976-12-22 マイクロ波用半導体装置

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JP (1) JPS5846565Y2 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50115456A (ja) * 1974-02-19 1975-09-10
JPS516450A (ja) * 1974-07-05 1976-01-20 Hitachi Ltd Kotaihatsushinzofukusochi

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50115456A (ja) * 1974-02-19 1975-09-10
JPS516450A (ja) * 1974-07-05 1976-01-20 Hitachi Ltd Kotaihatsushinzofukusochi

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JPS5389252U (ja) 1978-07-21

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