JPS584483B2 - 高周波高出力トランジスタ増幅器 - Google Patents
高周波高出力トランジスタ増幅器Info
- Publication number
- JPS584483B2 JPS584483B2 JP53122887A JP12288778A JPS584483B2 JP S584483 B2 JPS584483 B2 JP S584483B2 JP 53122887 A JP53122887 A JP 53122887A JP 12288778 A JP12288778 A JP 12288778A JP S584483 B2 JPS584483 B2 JP S584483B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- transistor
- transistor amplifier
- substrate
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波出力トランジスタ増幅器に関し、とくに
ＵＨＦ帯のＩＣ化電力増一器の構造に係る。
ＵＨＦ帯のＩＣ化電力増一器の構造に係る。
最近高周波高出力トランジスタの開発が進み、これを用
いて高周波電力装置の固体化が計られつつある。
いて高周波電力装置の固体化が計られつつある。
例えば飽和出力２０Ｗ程度のトランジスタ増幅器１０数
個結合し、出力数百ＷのＵＨＦＴＶサテライト局送信装
置の開発がすすめられつつある。
個結合し、出力数百ＷのＵＨＦＴＶサテライト局送信装
置の開発がすすめられつつある。
しかしながら一般に高周波高出力トランジスタの入力イ
ンピーダンス値は非常に小さく、広帯域整合回路の構成
が極めて困難である。
ンピーダンス値は非常に小さく、広帯域整合回路の構成
が極めて困難である。
すなわちインピーダンス抵抗成分は通常数オーム以下で
あるので、わずかのりアクタンス成分でも回路のＱ値は
大きくなってしまい、その結果帯域幅が制限される欠点
があった。
あるので、わずかのりアクタンス成分でも回路のＱ値は
大きくなってしまい、その結果帯域幅が制限される欠点
があった。
このような高出力トランジスタ増幅器にはインピーダン
ス変換比の大きな整合回路が必要であり、これを構成す
るには極めて低いインピーダンス線略あるいは極めて大
容量の素子を用いなければならない。
ス変換比の大きな整合回路が必要であり、これを構成す
るには極めて低いインピーダンス線略あるいは極めて大
容量の素子を用いなければならない。
しかし、従来のいわゆるマイクロ波ＩＣ技術、すなわち
アルミナ基板を用いたマイクロストリップ線略とチップ
キャパシタを用いたハイブリットＩＣ技術では、上記の
回路を高周波的に良好に実規することは難かしかった。
アルミナ基板を用いたマイクロストリップ線略とチップ
キャパシタを用いたハイブリットＩＣ技術では、上記の
回路を高周波的に良好に実規することは難かしかった。
とくにＵＨＦ帯では、上記マイクロストリップ回路上の
波長は数１０ｃｍとなり実用的な大きさに小形化するに
は、部分により集中定数化が必要である。
波長は数１０ｃｍとなり実用的な大きさに小形化するに
は、部分により集中定数化が必要である。
しかし一方、従来の薄膜ＬＣ素子では必要な素子値や高
周波特性を有しておらず、さらに高出力回路としては、
特に回路損失を小くして、回路の発熱を抑えるとともに
トランジスタ等のアクチプ素子の発熱を考慮して熱的に
特性変化の少いことが必須条件を満たすことができなか
ったために実用的な高周波高出力トランジスタ増幅器を
実現することができなかった。
周波特性を有しておらず、さらに高出力回路としては、
特に回路損失を小くして、回路の発熱を抑えるとともに
トランジスタ等のアクチプ素子の発熱を考慮して熱的に
特性変化の少いことが必須条件を満たすことができなか
ったために実用的な高周波高出力トランジスタ増幅器を
実現することができなかった。
本発明の目的は以上に概略を述べたような問題点が解決
せしめ、電気的特性、また価格、信頼性等が大幅に改善
され実用に供し得る高周波高出トランジスタ増幅器を提
供することにある。
せしめ、電気的特性、また価格、信頼性等が大幅に改善
され実用に供し得る高周波高出トランジスタ増幅器を提
供することにある。
本発明によれば接地導体に設けられたトランジスタと該
トランジスタに接続される少くもも１個以上の並列容量
あるいは少くとも１個以上の１／４波長インピーダンス
変換線路を含む入出力整合回路が０．４≦ｘ１．０の範
囲で作られた ｘ−ＢａＯ（１−Ｘ）Ｎｂ２０，誘電体基板上にＩＣ化
されてなることを特徴とする高周波高出力トランジスタ
増幅器が得られる。
トランジスタに接続される少くもも１個以上の並列容量
あるいは少くとも１個以上の１／４波長インピーダンス
変換線路を含む入出力整合回路が０．４≦ｘ１．０の範
囲で作られた ｘ−ＢａＯ（１−Ｘ）Ｎｂ２０，誘電体基板上にＩＣ化
されてなることを特徴とする高周波高出力トランジスタ
増幅器が得られる。
誘電体基板ｘ−ＢａＯ（１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ５の誘電特性
は円板状試料を用いてＸバンドで測定した場合の一例を
第１表に示す。
は円板状試料を用いてＸバンドで測定した場合の一例を
第１表に示す。
また同表におけるｔａｎδおよび比誘電率の温度変化も
同様にＸバンドで測定した値を示す。
同様にＸバンドで測定した値を示す。
第２表は通常の誘電体（アルミナ）との特性の比較を示
したものである。
したものである。
表から明らかなように本発明において用いられる誘電体
基板の特徴は組成全域にわたり高誘電率の特性が得られ
、その上ｔａｎδおよびεの温度変化が小さい。
基板の特徴は組成全域にわたり高誘電率の特性が得られ
、その上ｔａｎδおよびεの温度変化が小さい。
しかしｘ＜０．４の範囲では誘電率が２５以下と小なく
なり本発明外であり有効な高周波高出力トランジスタ増
幅器用誘電体基板の組成は０．４≦ｘ＜１．０の範囲で
あることが好ましい。
なり本発明外であり有効な高周波高出力トランジスタ増
幅器用誘電体基板の組成は０．４≦ｘ＜１．０の範囲で
あることが好ましい。
なお４００ＭＨｚにおける誘電率をスロットライン法で
測定したがほとんどＸバンドの値と同じであった。
測定したがほとんどＸバンドの値と同じであった。
尚ｘ・ＢａＯ・（１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ５の組成物にＰｂＯ
，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｔａ２Ｏ５，ＺｎＯ，Ｚｒ
Ｏ２，ＴｉＯ２，を置換あるいは添加しても誘電率が２
５以上６０以下でありｔａｎδも導体損失より小さい範
囲で有効であることを確めた。
，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｔａ２Ｏ５，ＺｎＯ，Ｚｒ
Ｏ２，ＴｉＯ２，を置換あるいは添加しても誘電率が２
５以上６０以下でありｔａｎδも導体損失より小さい範
囲で有効であることを確めた。
つぎに本発明の原理と作用・効果について、一実施例を
示す図面を用いて詳細に説明する。
示す図面を用いて詳細に説明する。
第１図に本発明の第１の実施例を示す図でａは平面図、
ｂはその等価回路図である。
ｂはその等価回路図である。
同図において接地導体上に設けられたＵＨＦ高出力トラ
ンジスタ１の前後の高誘電率基板２，２′上にそれぞれ
入出力回路がＩＣ化されていて、それらは接地導体を兼
ねたケース４中に収められ、入出力コネクタ５，５′を
有するＵＨＦ高出力トランジスタ増幅器となっている。
ンジスタ１の前後の高誘電率基板２，２′上にそれぞれ
入出力回路がＩＣ化されていて、それらは接地導体を兼
ねたケース４中に収められ、入出力コネクタ５，５′を
有するＵＨＦ高出力トランジスタ増幅器となっている。
入力側整合回路はＬ１，Ｃ２による低域通過形回路にさ
らに１／４波長変成器Ｚ１および調整用容量Ｃ１が加わ
ってなり、出力側整合回路はＬ２，Ｃ３，Ｃ４の低域通
過形回路によつて構成されている。
らに１／４波長変成器Ｚ１および調整用容量Ｃ１が加わ
ってなり、出力側整合回路はＬ２，Ｃ３，Ｃ４の低域通
過形回路によつて構成されている。
他にＣ，はＤＣブロックあるいはＲＦ短絡用容量、Ｚｏ
は１／４波長チョーク線路、ＴＢ，ＴＣはベース、コレ
クタ端子、Ｅは接地端子である。
は１／４波長チョーク線路、ＴＢ，ＴＣはベース、コレ
クタ端子、Ｅは接地端子である。
基板全体の裏面は接地導体となっていて、接地端子ＥＦ
これに接続されている。
これに接続されている。
いまＵＨＦ帯２０Ｗ出力の米国ＣＴＣ’社製のＣＴ１９
３３トランジスクを例に考えると、その入出力インピー
ダン無抵抗感分は、それぞれ例えば１．２５Ω、３．３
Ωであり、これを６００ＭＨｚ中心、比帯域４０係程度
で５０Ωに変換する第１図の整合回路の素子値は、例え
ば次のよやになる。
３３トランジスクを例に考えると、その入出力インピー
ダン無抵抗感分は、それぞれ例えば１．２５Ω、３．３
Ωであり、これを６００ＭＨｚ中心、比帯域４０係程度
で５０Ωに変換する第１図の整合回路の素子値は、例え
ば次のよやになる。
Ｌ１＝０．５ｎＨ，Ｃ２＝１３４ｐＦ，Ｚ１：Ｆ１４Ω
，Ｌ２＝１．８８ｎＨ，Ｃ３＝４３ｐＦ，Ｌ３＝７．３
ｎＨ，Ｃ４＝１１．３ｐＦ ここで、容量Ｃ２，Ｃ３は、Ｔｒとその前後のインダク
タＬ１，Ｌ２とのＱ値を低くしたままインピーダンス変
換を行なうのに大容量値が必要である。
，Ｌ２＝１．８８ｎＨ，Ｃ３＝４３ｐＦ，Ｌ３＝７．３
ｎＨ，Ｃ４＝１１．３ｐＦ ここで、容量Ｃ２，Ｃ３は、Ｔｒとその前後のインダク
タＬ１，Ｌ２とのＱ値を低くしたままインピーダンス変
換を行なうのに大容量値が必要である。
しかし通常用いるチップ型積層セラミックコンデンサー
、あるいは薄膜キャパシタでは、このように容量値が大
きい場合ＵＨＦ帯で自己共振を起こすので用いられない
。
、あるいは薄膜キャパシタでは、このように容量値が大
きい場合ＵＨＦ帯で自己共振を起こすので用いられない
。
とくに高出方用の場合、寸法的に０．数ｎＨの自己イン
ダクタンスは避けられない。
ダクタンスは避けられない。
この点一方の電極がそのまま接地導体となる単板型キャ
パシタが最適であり、それで大容量を得るには、高誘電
率基板が適している。
パシタが最適であり、それで大容量を得るには、高誘電
率基板が適している。
第１図の基板２のように板厚をそれぞれ０．２５ｍｍと
すれば約１ｃｍ２で約１００ｐＦが得られる。
すれば約１ｃｍ２で約１００ｐＦが得られる。
しかもこの容量用基板をそのままＩＣ基板として、Ｃ３
，Ｃ４あるいはＣ１，Ｃ２と共に同一基板上にＩＣ化し
て形成すれば、価格、工数の点で好都合である。
，Ｃ４あるいはＣ１，Ｃ２と共に同一基板上にＩＣ化し
て形成すれば、価格、工数の点で好都合である。
第１図においてはさらに１／４波長のインピーダンス変
換線路が用いられているが、広帯域化整合回路で、この
ような変換器を使用する場合が多い。
換線路が用いられているが、広帯域化整合回路で、この
ような変換器を使用する場合が多い。
第１図においてこの変換器はＬ１，Ｃ１によって約４Ω
になったＴｒ入力側インピーダンスを５０Ωに変換する
ために約１４Ωの特性インピーダンスが要求されるがこ
の例のように高出力トランジスタ増幅器では極めて低い
特性インピーダンス線路が必要である。
になったＴｒ入力側インピーダンスを５０Ωに変換する
ために約１４Ωの特性インピーダンスが要求されるがこ
の例のように高出力トランジスタ増幅器では極めて低い
特性インピーダンス線路が必要である。
今５〜２０Ωの特性インピーダンス線路を従来のアルミ
ナ基板と、本発明における前述の高誘電率基板とで実現
する場合の線路幅を比較すれば、板厚を０．５ｍｍとし
たとき次のようになる。
ナ基板と、本発明における前述の高誘電率基板とで実現
する場合の線路幅を比較すれば、板厚を０．５ｍｍとし
たとき次のようになる。
したがって従来のアルミナ基板の場合１０〜２０ｍｍ角
の通常のＩＣ基板に１０Ω程度の線路を用いることは非
常に難かしいことである。
の通常のＩＣ基板に１０Ω程度の線路を用いることは非
常に難かしいことである。
さらにこの変換器は１／４波長の長さを必要とするが、
ＵＨＦ帯の例えば６００ＭＨｚを例にとったとき、その
１／４波長の長さはアルミナの場合５０ｍｍ、本発明に
よる高誘電率基板の場合２５ｍｍである。
ＵＨＦ帯の例えば６００ＭＨｚを例にとったとき、その
１／４波長の長さはアルミナの場合５０ｍｍ、本発明に
よる高誘電率基板の場合２５ｍｍである。
したがってこの場合も、アルミナ基板を用い実用的な数
センチの寸法内に増幅器を形成することは非常に難かし
い。
センチの寸法内に増幅器を形成することは非常に難かし
い。
本発明のように０．４≦ｘ＜１．０の範囲で定られたｘ
ＢａＯ・（１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ５高誘電率基板を用いるこ
とにより、従来のアルミナ系ＩＣ回路より３〜１０倍の
大容量と、１／３〜１／１０の小面積の低インピーダン
ス線路を実現することができ、これによって寸法数セン
チの実用的大きさで、容易にかつ広帯域、高性能のＵＨ
Ｆ帯電カトランジスタ増幅器が実現できる。
ＢａＯ・（１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ５高誘電率基板を用いるこ
とにより、従来のアルミナ系ＩＣ回路より３〜１０倍の
大容量と、１／３〜１／１０の小面積の低インピーダン
ス線路を実現することができ、これによって寸法数セン
チの実用的大きさで、容易にかつ広帯域、高性能のＵＨ
Ｆ帯電カトランジスタ増幅器が実現できる。
なお、前記第１の実施例においては、低域通過フィルタ
回路の直列インダクタＬ２，Ｌ３も高誘電率基板上に形
成してあるがこれは製作上容易であるが他方においてこ
れらのインダクタは並列容量が大きく、分布定数線路に
近くなっているのでより小型化し、あるいはＱ値を上げ
た集中定数インダクタとするには、接地に対するインピ
ーダンスをできるだけ上げる必要がある。
回路の直列インダクタＬ２，Ｌ３も高誘電率基板上に形
成してあるがこれは製作上容易であるが他方においてこ
れらのインダクタは並列容量が大きく、分布定数線路に
近くなっているのでより小型化し、あるいはＱ値を上げ
た集中定数インダクタとするには、接地に対するインピ
ーダンスをできるだけ上げる必要がある。
この点を改良した別の一実施例を次に示す。
第２図は本発明の第２の実施例を示す平面図である。
第２図において第１図と同一記号は同一構成要素を示す
。
。
また高周波高出力トランジスタ１の両側にそれぞれ三段
の低域通過形整合回路が形成され、増幅器が構成されて
いるが、その中で、高誘電率基板２，２′上には基板を
誘電体とする単板形容量２１，２２，２３および２１′
，２２′，２３′が形成され並列容量となっている。
の低域通過形整合回路が形成され、増幅器が構成されて
いるが、その中で、高誘電率基板２，２′上には基板を
誘電体とする単板形容量２１，２２，２３および２１′
，２２′，２３′が形成され並列容量となっている。
高誘電率基板２，２′の見えない側の面全体は当然接地
面となっている。
面となっている。
而して本実施例においては、これらのキャパシタと基板
境界にて接続された直列インダクタが、別の誘電体基板
３および３′上に３１，３２，３３あるいは３１′，３
２′，３３′のように形成されている。
境界にて接続された直列インダクタが、別の誘電体基板
３および３′上に３１，３２，３３あるいは３１′，３
２′，３３′のように形成されている。
４は増幅器ケース、５，５′は入出力コネクタ、６，６
′はＤＣブロックキャパシタ、７，７′はバイアス用チ
ョーク回路である。
′はＤＣブロックキャパシタ、７，７′はバイアス用チ
ョーク回路である。
本実施例においてキャパシタは第１の実施例と同様高誘
電率基板上に単に分離した電極をＩＣ技術で形成するだ
けで、極めて大容量で高周波に適したものを容易に得る
ことができる。
電率基板上に単に分離した電極をＩＣ技術で形成するだ
けで、極めて大容量で高周波に適したものを容易に得る
ことができる。
一方誘電体３，３′としてはアルミナ、石英等の従来か
ら用いられていたＩＣ用誘電体をそのまま用いれば、イ
ンダクタ線路のインピーダジスは充分大きくすることが
でき、高周波特性の優れたものとすることができる。
ら用いられていたＩＣ用誘電体をそのまま用いれば、イ
ンダクタ線路のインピーダジスは充分大きくすることが
でき、高周波特性の優れたものとすることができる。
第３図は本発明の第３の実施例を示す図で、ａは平面図
、ｂはその一部の拡大斜視図である。
、ｂはその一部の拡大斜視図である。
この実施例においても、前記各実施例同様、高誘電率基
板２，２′上に並列容量２０，２０′が形成されている
が、これらに直列に挿入されるインダクタとしては、別
のチップ状誘電体上に形成されたチップ型インダクタ３
０，３０′が用いられている。
板２，２′上に並列容量２０，２０′が形成されている
が、これらに直列に挿入されるインダクタとしては、別
のチップ状誘電体上に形成されたチップ型インダクタ３
０，３０′が用いられている。
ｂ図はその拡大図で、チップインダクタはアルミナ等の
通常に誘電体基休３５，３５′等の上に３６，３６′の
ような導体パターンに形成され、そのチップがそのまま
容量電極２０上に乗せて接続される。
通常に誘電体基休３５，３５′等の上に３６，３６′の
ような導体パターンに形成され、そのチップがそのまま
容量電極２０上に乗せて接続される。
高誘電率基板の裏面の接地導体２９との間で大容量が得
られる。
られる。
また、インダクタ３６，３６′の不要並列容量は主にチ
ップの誘電体基体３５，３５′によって決められ、高周
波特性の優れたインダクタが得られ小型かつ高極能の高
周波高出力トランジスタ増幅器が実現できた。
ップの誘電体基体３５，３５′によって決められ、高周
波特性の優れたインダクタが得られ小型かつ高極能の高
周波高出力トランジスタ増幅器が実現できた。
第４図は本発明の第４の実施例を示す。
本実施例は本発明によるバイポーラトランジスタチップ
搭載の高出力増幅器を示すもので、ａはその上蓋を取り
除いたときの平面図、ｂはその主要部断面図である。
搭載の高出力増幅器を示すもので、ａはその上蓋を取り
除いたときの平面図、ｂはその主要部断面図である。
第３の実施例では高誘電率基板２，２′上に並列容量２
０，２０′が形成されたあとこれと直列にチップ状イン
ダクタが用必られたがこの実施例ではインダクタとして
ボンデングワイヤー３８，３８′をそのまま空中に渡し
ている。
０，２０′が形成されたあとこれと直列にチップ状イン
ダクタが用必られたがこの実施例ではインダクタとして
ボンデングワイヤー３８，３８′をそのまま空中に渡し
ている。
これは細い導体ストリップでもよい。
このようなインダクタは空中にあるので不要並列容量が
無視できかつとくにチツプ搭載型の小形増幅器ではトラ
ンジスタチツプ１の入出力ボンデングワイヤー３９，３
９′等をそのままインダクタとして使用できるし、他の
インダクタも同じポンダーでそのまま小形に形成できる
ので回路設計上および製作上非常に実用的となる。
無視できかつとくにチツプ搭載型の小形増幅器ではトラ
ンジスタチツプ１の入出力ボンデングワイヤー３９，３
９′等をそのままインダクタとして使用できるし、他の
インダクタも同じポンダーでそのまま小形に形成できる
ので回路設計上および製作上非常に実用的となる。
これまでの実施例と同じ構成要素は同一番号で示したが
、その他５０はベリリア等のトランジスタ１を設置する
チップ搭載誘電体、５１，５２はその上下面メクライズ
層で５２はそのままコレクタ端子となっている。
、その他５０はベリリア等のトランジスタ１を設置する
チップ搭載誘電体、５１，５２はその上下面メクライズ
層で５２はそのままコレクタ端子となっている。
５３は接地用橋絡導体、５４はベース等接地ポンデング
ワイヤー、２０″は容量調整電極である。
ワイヤー、２０″は容量調整電極である。
以上本発明をとくに一段のトランジスタ増幅器に適用し
たが、本発明の原理が直列多段あるいは並列多段の増幅
器、バイポーラに限らずＦＥＴ（電界効果トランジスタ
）およびダイオードを含む種々の超高周波高出力増幅器
に適用できることは言うまでもない。
たが、本発明の原理が直列多段あるいは並列多段の増幅
器、バイポーラに限らずＦＥＴ（電界効果トランジスタ
）およびダイオードを含む種々の超高周波高出力増幅器
に適用できることは言うまでもない。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図で、ａは平面図
、ｂはその等価回路である。 図において１はトランジスタ、２，２′は高誘電率誘電
体基板、４はケース、５，５′は入出力コネクタであり
，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は並列容量、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ
３は直列容量、Ｚ１は１／４波長変換器、ＣＤはＤＣブ
ロック、ＲＦショート容量、ＺＤはチョーク線路を示す
。 第２図は本発明の第２の実施例を示す平面図で、第１と
同一構成要素は同一番号で示す。 （以下同様）３，３′は別の誘電体基板、２１〜２３，
２１′〜２３′は並列容量、３１〜３３，３１′〜３３
′は直列インダクタである。 第３図は本発明の第３の実施例を示す図で、ａは平面図
ｂは一部拡大斜視図である。 ２０〜２０′は並列容量、３０〜３０′はチップ型イン
ダク久３５，３５′はチップ状誘電体、３６，３６′は
インダクタ導体を示す。 第４図は本発明の第４の実施例を示す図でａは上蓋を除
いたときの平面図、ｂは主要部断面図である。 ３８，３８′ボンデングワイヤーインダクタ、３９，３
９′入出力ボンデングワイヤー，５０はチップ搭載誘電
体、５１，５２はこの上下面メタライズ層、５３は接地
用橋絡導体、５４は接地ボンデングワイヤー、２０″は
容量調整用電極である。
、ｂはその等価回路である。 図において１はトランジスタ、２，２′は高誘電率誘電
体基板、４はケース、５，５′は入出力コネクタであり
，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は並列容量、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ
３は直列容量、Ｚ１は１／４波長変換器、ＣＤはＤＣブ
ロック、ＲＦショート容量、ＺＤはチョーク線路を示す
。 第２図は本発明の第２の実施例を示す平面図で、第１と
同一構成要素は同一番号で示す。 （以下同様）３，３′は別の誘電体基板、２１〜２３，
２１′〜２３′は並列容量、３１〜３３，３１′〜３３
′は直列インダクタである。 第３図は本発明の第３の実施例を示す図で、ａは平面図
ｂは一部拡大斜視図である。 ２０〜２０′は並列容量、３０〜３０′はチップ型イン
ダク久３５，３５′はチップ状誘電体、３６，３６′は
インダクタ導体を示す。 第４図は本発明の第４の実施例を示す図でａは上蓋を除
いたときの平面図、ｂは主要部断面図である。 ３８，３８′ボンデングワイヤーインダクタ、３９，３
９′入出力ボンデングワイヤー，５０はチップ搭載誘電
体、５１，５２はこの上下面メタライズ層、５３は接地
用橋絡導体、５４は接地ボンデングワイヤー、２０″は
容量調整用電極である。
Claims (1)
- １ 接地導体に設けられたトランジスタと該トランジス
タに接続される少くとも１個以上の並列容量あるいは少
くとも１個以上の１／４波長インピーダンス変換回路を
含む入出力整合回路が０、４≦ｘ＜１．０の範囲で作ら
れたｘ−ＢａＯ（１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ５誘電体基板上にＩ
Ｃ化されてなることを特徴とする高周波高出力トランジ
スタ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53122887A JPS584483B2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 高周波高出力トランジスタ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53122887A JPS584483B2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 高周波高出力トランジスタ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5549008A JPS5549008A (en) | 1980-04-08 |
| JPS584483B2 true JPS584483B2 (ja) | 1983-01-26 |
Family
ID=14847087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53122887A Expired JPS584483B2 (ja) | 1978-10-04 | 1978-10-04 | 高周波高出力トランジスタ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584483B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108880U (ja) * | 1986-12-30 | 1988-07-13 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2582640B1 (fr) * | 1985-05-29 | 1987-07-31 | Pechiney Aluminium | Procede de production continue d'alumine a partir de bauxites a monohydrates, selon le procede bayer |
| JPH07114334B2 (ja) * | 1987-02-16 | 1995-12-06 | 日本電気株式会社 | 増幅器モジユ−ル |
| JPH01269748A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Nissan Motor Co Ltd | 自動変速機の変速制御装置 |
| JP2015115860A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 高周波電力増幅装置及び無線通信装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233453A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Nec Corp | High frequency high output transistor amplifier |
-
1978
- 1978-10-04 JP JP53122887A patent/JPS584483B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233453A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Nec Corp | High frequency high output transistor amplifier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108880U (ja) * | 1986-12-30 | 1988-07-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5549008A (en) | 1980-04-08 |
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