JP2006501678A5 - - Google Patents

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  1. ａ）少なくとも一つのトランジスタと、
    ｂ）前記トランジスタに結合されたＲＦ信号入力リード線と、
    ｃ）前記トランジスタに結合された接地端子と、
    ｄ）前記トランジスタに結合されたＲＦ信号出力リード線と、
    ｅ）前記ＲＦ信号出力リード線に結合された出力マッチング回路及びＲＦ及びビデオバイパス回路と、
    ｆ）要素ａ）及びｅ）を収容するパッケージで、要素ｂ）、ｃ）、及びｄ）が前記パッケージから延出された状態となるパッケージと
    を備えるパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  2. 更に、
    ｇ）前記ＲＦ及びビデオバイパス回路を介して前記トランジスタにＤＣバイアス電圧を印加するためのバイアスリード線を含む請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  3. 前記ＲＦ及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記ＲＦバイパス回路においてインダクタンスを提供する請求項２記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  4. 前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記一の容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項３記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  5. 前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数のキャパシタを備える請求項４記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  6. 前記ＲＦ及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記ＲＦバイパス回路においてインダクタンスを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  7. 前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項６記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  8. 前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数のキャパシタを備える請求項７記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  9. 前記少なくとも一つのトランジスタは、ＦＥＴを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  10. 前記少なくとも一つのトランジスタは、バイポーラトランジスタを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  11. 前記少なくとも一つのトランジスタは、複数のトランジスタを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
  12. ａ）少なくとも一つのＲＦパワートランジスタをハウジング内に提供するステップと、
    ｂ）前記ハウジングを通って延び、前記トランジスタに電気的に結合された入力リード線及び出力リード線を提供するステップと、
    ｃ）前記出力リード線に結合された出力マッチング回路を前記ハウジング内に提供するステップと、
    ｄ）前記出力マッチング回路に接続され、ＤＣ電力を前記トランジスタに供給する時、ＲＦ及びビデオ電流がＤＣ電源へ流れるのを防止するたＲＦ及びビデオバイパス回路を前記ハウジング内に提供するステップと
    を備える広帯域ＲＦパワートランジスタデバイスにおける直線性を改善する方法。
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