JP2006325096A5 - - Google Patents

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Claims (11)

  1. 高周波信号の電力増幅に用いられる高周波電力増幅器であって、
    並列接続されたエミッタ接地の複数のトランジスタと、
    一方端子に直流バイアス電圧が共通印加され、他方端子が前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の第１抵抗と、
    一方電極に前記高周波信号が共通入力され、他方電極が前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の容量と、
    前記複数の第１抵抗の一方端子と前記複数の容量の一方電極とを接続する少なくとも１つのブリッジ抵抗とを備える、高周波電力増幅器。
  2. 高周波信号の電力増幅に用いられる高周波電力増幅器であって、
    並列接続されたエミッタ接地の複数のトランジスタと、
    一方端子に直流バイアス電圧が共通印加され、他方端子が前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の第１抵抗と、
    一方電極に前記高周波信号が入力され、他方電極が前記複数のトランジスタのベースに接続される容量と、
    前記複数の第１抵抗の一方端子と前記容量の一方電極とを接続する少なくとも１つのブリッジ抵抗とを備える、高周波電力増幅器。
  3. 前記複数の第１抵抗の他方端子及び前記複数の容量の他方電極の接続点と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
  4. 前記複数の第１抵抗の他方端子及び前記容量の他方電極の接続点と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項２に記載の高周波電力増幅器。
  5. 前記複数の容量の他方電極と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
  6. 前記容量の他方電極と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項２に記載の高周波電力増幅器。
  7. 前記ブリッジ抵抗の前記高周波信号が入力される端子と前記複数の容量の一方電極との間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
  8. 前記ブリッジ抵抗の前記高周波信号が入力される端子と前記容量の一方電極との間に挿入される第２抵抗をさらに備える、請求項２に記載の高周波電力増幅器。
  9. 前記第２抵抗が、伝送線路で形成されることを特徴とする、請求項７又は８に記載の高周波電力増幅器。
  10. 前記ブリッジ抵抗が、前記複数の第１抵抗に対応して複数設けられることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の高周波電力増幅器。
  11. 前記直流バイアス電圧が、エミッタフォロアを出力構成に用いたバイアス回路から供給されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の高周波電力増幅器。
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