JP2017183839A - 電力増幅回路 - Google Patents

電力増幅回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2017183839A
JP2017183839A JP2016064501A JP2016064501A JP2017183839A JP 2017183839 A JP2017183839 A JP 2017183839A JP 2016064501 A JP2016064501 A JP 2016064501A JP 2016064501 A JP2016064501 A JP 2016064501A JP 2017183839 A JP2017183839 A JP 2017183839A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control
output signal
power amplifier
signal
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016064501A
Other languages
English (en)
Inventor
昌俊 長谷
Masatoshi Hase
昌俊 長谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2016064501A priority Critical patent/JP2017183839A/ja
Priority to CN201611144850.4A priority patent/CN107241071B/zh
Priority to US15/381,528 priority patent/US9917550B2/en
Publication of JP2017183839A publication Critical patent/JP2017183839A/ja
Priority to US15/880,675 priority patent/US10476440B2/en
Priority to US16/574,686 priority patent/US10727789B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0266Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6221Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0277Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/12A bias circuit for some stages being shown using transmission lines
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/211Indexing scheme relating to amplifiers the input of an amplifier can be attenuated by a continuously controlled transistor attenuator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/318A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21131Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the input bias voltage of a power amplifier being controlled, e.g. by a potentiometer or an emitter follower
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21175An output signal of a power amplifier being on/off switched
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

【課題】回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチ回路を備える電力増幅回路を提供する。【解決手段】電力増幅回路は、第1の無線周波数信号が供給されるエミッタと、第1のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるベースと、第1の無線周波数信号に応じた第1の出力信号を出力するコレクタと、を有する第1のトランジスタと、第1の出力信号を増幅し、第1の増幅信号を出力する第1の増幅器と、第1の出力信号の出力を制御するために、第1のトランジスタのベースに第1のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第1の制御回路と、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、電力増幅回路に関する。
携帯電話等の移動体通信機においては、基地局へ送信する無線周波数(RF:Radio Frequency)信号の電力を増幅するために電力増幅回路が用いられる。電力増幅回路では、複数の増幅器を併用する場合や、消費電流の削減のために、増幅器のオンオフを制御するスイッチが用いられる。例えば、特許文献1には、カスコード接続された2つのバイポーラトランジスタにより構成される高周波スイッチが開示されている。
特開2000−278109号公報
特許文献1に開示される高周波スイッチにおいては、前段のバイポーラトランジスタのベースに入力信号が供給され、後段のバイポーラトランジスタのベースに供給される制御信号に応じて、後段のバイポーラトランジスタのコレクタから出力信号が出力される。しかし、当該スイッチは2つのバイポーラトランジスタをカスコード接続しているため、これらの飽和電圧によって出力信号の振幅が抑制される。従って、大信号が入力された際に、出力信号の振幅が抑制され、出力信号が歪みやすくなる。そのため、所望の線形性の特性を満足させることが難しく、当該スイッチを使用できる動作範囲が狭くなる。また、後段のバイポーラトランジスタは、前段のバイポーラトランジスタに流れる電流と同量の電流を流し得るサイズを必要とするため、素子数の増加による回路面積の増大を招く。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチ回路を備える電力増幅回路を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明の一側面に係る電力増幅回路は、第1の無線周波数信号が供給されるエミッタと、第1のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるベースと、第1の無線周波数信号に応じた第1の出力信号を出力するコレクタと、を有する第1のトランジスタと、第1の出力信号を増幅し、第1の増幅信号を出力する第1の増幅器と、第1の出力信号の出力を制御するために、第1のトランジスタのベースに第1のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第1の制御回路と、を備える。
本発明によれば、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチ回路を備える電力増幅回路を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る電力増幅回路100の構成例を示す図である。 制御回路110の構成の一例を示す図である。 増幅器120の構成の一例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る電力増幅回路100の他の構成例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る電力増幅回路100の他の構成例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る電力増幅回路100の他の構成例を示す図である。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 電力増幅回路100Dにおける挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態である電力増幅回路100の構成例(電力増幅回路100A)を示す図である。電力増幅回路100Aは、入力信号RFinを増幅し、増幅信号RFAMPを出力する。
図1に示すように、電力増幅回路100Aは、バイポーラトランジスタTr1、抵抗素子R1、キャパシタC1、制御回路110、増幅器120,121、及び整合回路130,131,132,133を備える。
バイポーラトランジスタTr1(第1のトランジスタ)は、エミッタに整合回路130を通じて入力信号RFin(第1の無線周波数信号)が供給され、ベースに制御電圧Vcontが供給され、コレクタから、出力信号RFout(第1の出力信号)を出力する。また、バイポーラトランジスタTr1は、エミッタが抵抗素子R1を通じてDC接地され、ベースがキャパシタC1を通じてAC接地される。バイポーラトランジスタTr1の動作の詳細は後述する。
抵抗素子R1は、一端がバイポーラトランジスタTr1のエミッタに接続され、他端が接地される。抵抗素子R1は、バイポーラトランジスタTr1のエミッタをDC接地する。
キャパシタC1は、一端がバイポーラトランジスタTr1のベースに接続され、他端が接地される。キャパシタC1は、バイポーラトランジスタTr1のベースをAC接地する。
制御回路110(第1の制御回路)は、電力増幅回路100Aの外部から供給される電圧V1に応じた制御電圧Vcont(第1のDC制御電圧)をバイポーラトランジスタTr1のベースに供給する。
図2は、制御回路110の構成の一例を示す図である。図2に示されるように、制御回路110は、バイポーラトランジスタ200,201,202、及び抵抗素子210を備える。
バイポーラトランジスタ200,201は、所定レベルの電圧を生成するように構成される。具体的には、バイポーラトランジスタ200は、コレクタとベースが接続され(以下、ダイオード接続と呼ぶ)、コレクタに電圧V1が供給され、エミッタがバイポーラトランジスタ201のコレクタに接続される。バイポーラトランジスタ201は、ダイオード接続され、コレクタがバイポーラトランジスタ200のエミッタに接続され、エミッタが接地される。これにより、バイポーラトランジスタ200のベースに、所定レベルの電圧(例えば、2.6V程度)が生成される。なお、バイポーラトランジスタ200,201の代わりにダイオードを用いてもよい。
バイポーラトランジスタ202は、コレクタに電源電圧Vccが供給され、ベースがバイポーラトランジスタ200のベースに接続され、エミッタが抵抗素子210の一端に接続される。バイポーラトランジスタ202は、エミッタから抵抗素子210を通じてバイポーラトランジスタTr1のベースに制御電圧Vcontを供給する。
このように、制御回路110は、バイポーラトランジスタTr1のベースに制御電圧Vcont(バイアス電圧)を供給する、エミッタフォロワ型のバイアス回路を構成している。そして、制御回路110がバイポーラトランジスタTr1のベースに供給する制御電圧Vcontを制御することにより、バイポーラトランジスタTr1のオン及びオフを切り替えることができる。これにより、バイポーラトランジスタTr1はスイッチとして機能する。なお、制御回路110は、バイポーラトランジスタTr1と同様のバイポーラトランジスタにより構成することにより、温度補償としての機能を備えることができる。
図1に戻り、増幅器120,121は、二段の増幅回路を構成している。増幅器120(第1の増幅器)(ドライブ段)は、整合回路131を通じて入力される出力信号RFout(第1の出力信号)を増幅して、増幅信号RFamp(第1の増幅信号)を出力する。増幅器120から出力される増幅信号RFampは、整合回路132を通じて増幅器121に入力される。増幅器121(パワー段)は、増幅信号RFampを増幅して、整合回路133を通じて増幅信号RFAMPを出力する。なお、本実施形態においては増幅器の段数が二段の例を示しているが、増幅器の段数は二段に限られず、一段であってもよく、三段以上であってもよい。
図3は、増幅器120の構成の一例を示す図である。図3に示すように、増幅器120は、バイポーラトランジスタ300を備える。
バイポーラトランジスタ300は、コレクタにインダクタ310を通じて電源電圧Vccが供給され、ベースに出力信号RFoutが入力され、エミッタが接地される。また、バイポーラトランジスタ300のベースにはバイアス電流Ibiasが供給される。そして、バイポーラトランジスタ300のコレクタから増幅信号RFampが出力される。なお、本実施形態においては、トランジスタの例としてヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)を用いて説明したが、トランジスタとして、電界効果トランジスタ(MOSFET:Metal−oxide−semiconductor Field Effect Transistor)を用いてもよい。また、増幅器121の構成は、増幅器120と同様であるため、詳細な説明は省略する。
図1に戻り、整合回路(MN:Matching Network)130,131,132,133は、回路間のインピーダンスを整合させるために設けられている。整合回路130,131,132,133は、それぞれ、例えば、インダクタやキャパシタを用いて構成される。なお、整合回路130は、例えばハイパスフィルタ回路やローパスフィルタ回路により構成される。
電力増幅回路100Aにおいて、バイポーラトランジスタTr1の動作は、バイポーラトランジスタTr1のベースに供給される制御電圧Vcontに応じて制御される。具体的には、バイポーラトランジスタTr1のベースに比較的高い制御電圧Vcontが供給され、バイポーラトランジスタTr1のベース・エミッタ間電圧が閾値電圧より高い場合、バイポーラトランジスタTr1がオンとなり、出力信号RFoutが出力される。一方、バイポーラトランジスタTr1のベースに比較的低い制御電圧Vcont(例えば、0V)が供給され、バイポーラトランジスタTr1のベース・エミッタ間電圧が閾値電圧より低い場合、バイポーラトランジスタTr1はオフとなり、出力信号RFoutは出力されない。このように、バイポーラトランジスタTr1は、制御電圧Vcontに応じて入力信号RFinを通すか否かを制御するスイッチとしての機能を有する。
なお、本実施形態における制御回路110は制御電圧を生成するが、制御電圧の代わりに制御電流(第1のDC制御電流)によりバイポーラトランジスタTr1の動作を制御してもよい。具体的には、バイポーラトランジスタTr1のベースに比較的多い制御電流(例えば、数百μA〜1mA程度)を供給してバイポーラトランジスタTr1をオンとし、比較的少ない制御電流(例えば、0mA)を供給してバイポーラトランジスタTr1をオフとしてもよい。
上述の構成により、電力増幅回路100Aにおいては、1つのバイポーラトランジスタTr1が入力信号RFinの通過のオン及びオフを制御する。従って、特許文献1に示されるように、2つのバイポーラトランジスタをカスコード接続する必要がないため、特許文献1に示される構成と比べて、大信号入力時において発生する飽和電圧に起因する歪み特性の劣化が抑制される。また、電力増幅回路の外部にスイッチ回路を備える構成や、特許文献1に示される構成と比較して、回路面積の増大が抑制される。従って、電力増幅回路100Aによれば、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチを備える電力増幅回路を提供することができる。
図4は、電力増幅回路100の他の構成例(電力増幅回路100B)を示す図である。なお、図1に示した電力増幅回路100Aと同等の要素には、同等の符号を付して説明を省略する。また、以下に述べる実施形態については、二段目以降の増幅器を省略して図示する。
電力増幅回路100Bは、1つの入力信号RFinに対し、図1に示す電力増幅回路100Aがn個(n:自然数)並列接続された構成である。具体的には、電力増幅回路100Bは、n個のバイポーラトランジスタTr1,Tr2,・・・,Trn、抵抗素子R1、n個のキャパシタCa1,Ca2,・・・,Can、n個の制御回路110a1,110a2,・・・,110an、n個の増幅器120a1,120a2,・・・,120an、整合回路130、及びn個の整合回路131a1,131a2,・・・131anを備える。
バイポーラトランジスタTr1(第1のトランジスタ),Tr2(第2のトランジスタ),・・・,Trn(第nのトランジスタ)は、それぞれ、共通接続されたエミッタに整合回路130を通じて入力信号RFinが供給される。また、バイポーラトランジスタTr1,Tr2,・・・,Trnは、それぞれ、ベースに制御回路110a1,110a2,・・・,110anが生成する制御電圧Vcont1,Vcont2,・・・,Vcontnが供給される。そして、バイポーラトランジスタTr1,Tr2,・・・,Trnは、それぞれ、コレクタから入力信号RFinに応じた出力信号RFout1(第1の出力信号),RFout2(第2の出力信号),・・・,RFoutn(第nの出力信号)を出力する。
抵抗素子R1、キャパシタCa1,Ca2,・・・,Can、及び整合回路130,131a1,131a2,・・・131anの構成は、電力増幅回路100Aと同様であるため、詳細な説明は省略する。なお、本実施形態においては複数のバイポーラトランジスタが1つの抵抗素子R1を共有しているが、バイポーラトランジスタがそれぞれ抵抗素子を備えていてもよい。
制御回路110a1(第1の制御回路),110a2(第2の制御回路),・・・,110an(第nの制御回路)は、それぞれ、電力増幅回路100Bの外部から供給される電圧Va1,Va2,・・・,Vanに応じた電圧を生成し、バイポーラトランジスタTr1,Tr2,・・・,Trnのベースに制御電圧Vcont1(第1のDC制御電圧),Vcont2(第2のDC制御電圧),・・・,Vcontn(第nのDC制御電圧)を供給する。例えば、比較的高い制御電圧Vcont1の供給により、バイポーラトランジスタTr1をオンとし、比較的低い制御電圧Vcont2,・・・,Vcontnの供給により、バイポーラトランジスタTr2,・・・,Trnをオフとする。これにより、入力信号RFinがバイポーラトランジスタTr1のみを通過し、バイポーラトランジスタTr1が出力する出力信号RFout1を増幅器120a1に選択的に供給することができる。なお、制御回路110a1,110a2,・・・,110anの構成は、制御回路110と同様であるため、詳細な説明は省略する。
増幅器120a1(第1の増幅器),120a2(第2の増幅器),・・・,120an(第nの増幅器)は、それぞれ、整合回路131a1,131a2,・・・131anを通じて入力される出力信号RFout1,RFout2,・・・,RFoutnを増幅して、増幅信号RFamp1(第1の増幅信号),RFamp2(第2の増幅信号),・・・,RFampn(第nの増幅信号)を出力する。なお、増幅器120a1,120a2,・・・,120anの構成は、増幅器120と同様であるため、詳細な説明は省略する。
このような構成においても、電力増幅回路100Aと同様に、各々のバイポーラトランジスタTr1,Tr2,・・・,Trnが入力信号RFinの通過のオン及びオフを制御する。従って、電力増幅回路100Bによれば、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチを備える電力増幅回路を提供することができる。これにより、例えば、入力信号RFinの信号レベルに応じて増幅モードの切り替え(ローパワーモード又はハイパワーモード等)を行う場合に、バイポーラトランジスタTr1,Tr2,・・・,Trnをスイッチとして用いることにより、入力信号RFinを増幅器120a1,120a2,・・・,120anのうちいずれかの増幅器に選択的に供給することができる。
図5は、電力増幅回路100の他の構成例(電力増幅回路100C)を示す図である。なお、図1に示した電力増幅回路100Aと同等の要素には、同等の符号を付して説明を省略する。
電力増幅回路100Cは、図1に示す電力増幅回路100Aのうち、整合回路131の前段までの経路(信号入力経路)をN個(N:自然数)並列に備え、整合回路131以降の経路を共有する構成である。具体的には、電力増幅回路100Cは、N個のバイポーラトランジスタTR1,TR2,・・・,TRN、N個の抵抗素子R1,R2,・・・,RN、N個のキャパシタC1,C2,・・・,CN、N個の制御回路110A1,110A2,・・・,110AN、増幅器120、N個の整合回路130A1,130A2,・・・,130AN、及び整合回路131を備える。
バイポーラトランジスタTR1(第1のトランジスタ),TR2(第3のトランジスタ),・・・,TRN(第Nのトランジスタ)は、それぞれ、エミッタに整合回路130A1,130A2,・・・130ANを通じて入力信号RFIN1(第1の無線周波数信号),RFIN2(第2の無線周波数信号),・・・,RFINN(第Nの無線周波数信号)が供給される。また、バイポーラトランジスタTR1,TR2,・・・,TRNは、それぞれ、ベースに制御回路110A1,110A2,・・・,110ANが生成する制御電圧VCONT1,VCONT2,・・・,VCONTNが供給される。そして、バイポーラトランジスタTR1,TR2,・・・,TRNは、それぞれ、コレクタから、入力信号RFIN1,RFIN2,・・・,RFINNに応じた出力信号RFOUT1(第1の出力信号),RFOUT2(第3の出力信号),・・・,RFOUTN(第Nの出力信号)を出力する。
抵抗素子R1,R2,・・・,RN、キャパシタC1,C2,・・・,CN、及び整合回路130A1,130A2,・・・,130AN,131の構成は、電力増幅回路100Aと同様であるため、詳細な説明は省略する。
制御回路110A1(第1の制御回路),110A2(第3の制御回路),・・・,110AN(第Nの制御回路)は、それぞれ、電力増幅回路100Cの外部から供給される電圧VA1,VA2,・・・,VANに応じた電圧を生成し、バイポーラトランジスタTR1,TR2,・・・,TRNのベースに制御電圧VCONT1(第1のDC制御電圧),VCONT2(第3のDC制御電圧),・・・,VCONTN(第NのDC制御電圧)を供給する。なお、制御回路110A1,110A2,・・・,110ANの構成は、制御回路110と同様であるため、詳細な説明は省略する。
増幅器120には、整合回路131を通じて出力信号RFOUT1,RFOUT2,・・・,RFOUTNのいずれかが入力される。そして、増幅器120は、当該出力信号を増幅した増幅信号RFampを出力する。
このような構成においても、電力増幅回路100Aと同様に、各々のバイポーラトランジスタTR1,TR2,・・・,TRNが入力信号RFIN1,RFIN2,・・・,RFINNの通過のオン及びオフを制御する。従って、電力増幅回路100Cによれば、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチを備える電力増幅回路を提供することができる。電力増幅回路100Cは、例えば、異なる周波数の入力信号RFIN1,RFIN2,・・・,RFINNが1つの増幅器120を共有するマルチバンドに対応した電力増幅回路に適用することができる。
図6は、電力増幅回路100の他の構成例(電力増幅回路100D)を示す図である。なお、図1に示した電力増幅回路100Aと同等の要素には、同等の符号を付して説明を省略する。
電力増幅回路100Dは、図4に示す電力増幅回路100B及び図5に示す電力増幅回路100Cを組み合わせた構成である。具体的には、電力増幅回路100Dは、バイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1,Trb2、抵抗素子Ra,Rb、キャパシタCa1,Ca2,Cb1,Cb2、制御回路110a1,110a2,110b1,110b2、増幅器120a,120b、及び整合回路130a,130b,131a,131bを備える。
バイポーラトランジスタTra1(第1のトランジスタ),Tra2(第2のトランジスタ)は、それぞれ、共通接続されたエミッタに整合回路130aを通じて入力信号RFinA(第1の無線周波数信号)が供給される。また、バイポーラトランジスタTra1,Tra2は、それぞれ、ベースに制御回路110a1,110a2が生成する制御電圧Vconta1,Vconta2が供給される。そして、バイポーラトランジスタTra1,Tra2は、それぞれ、コレクタから、入力信号RFinAに応じた出力信号RFoutA1(第1の出力信号),RFoutA2(第2の出力信号)を出力する。
同様に、バイポーラトランジスタTrb1(第4のトランジスタ),Trb2(第5のトランジスタ)は、それぞれ、共通接続されたエミッタに整合回路130bを通じて入力信号RFinB(第3の無線周波数信号)が供給される。また、バイポーラトランジスタTrb1,Trb2は、それぞれ、ベースに制御回路110b1,110b2が生成する制御電圧Vcontb1,Vcontb2が供給される。そして、バイポーラトランジスタTrb1,Trb2は、それぞれ、コレクタから、入力信号RFinBに応じた出力信号RFoutB1(第4の出力信号),RFoutB2(第5の出力信号)を出力する。
抵抗素子Ra,Rb、キャパシタCa1,Ca2,Cb1,Cb2、及び整合回路130a,130b,131a,131bの構成は、電力増幅回路100Aと同様であるため、詳細な説明は省略する。
制御回路110a1(第1の制御回路),110a2(第2の制御回路),110b1(第4の制御回路),110b2(第5の制御回路)は、それぞれ、電力増幅回路100Dの外部から供給される電圧Va1,Va2,Vb1,Vb2に応じた制御電圧Vconta1(第1のDC制御電圧),Vconta2(第2のDC制御電圧),Vcontb1(第4のDC制御電圧),Vcontb2(第5のDC制御電圧)をバイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1,Trb2のベースに供給する。なお、制御回路110a1,110a2,110b1,110b2の構成は、制御回路110と同様であるため、詳細な説明は省略する。
増幅器120a(第1の増幅器)には、整合回路131aを通じて出力信号RFoutA1又は出力信号RFoutB1のうち一方が入力される。そして、増幅器120aは、当該出力信号を増幅した増幅信号RFampA(第1の増幅信号)を出力する。
同様に、増幅器120b(第2の増幅器)には、整合回路131bを通じて出力信号RFoutA2又は出力信号RFoutB2のうち一方が入力される。そして、増幅器120bは、当該出力信号を増幅した増幅信号RFampB(第2の増幅信号)を出力する。
このような構成においても、電力増幅回路100Aと同様に、各々のバイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1,Trb2のうちいずれか一つのバイポーラトランジスタがオンとなることにより、入力信号RFinA,RFinBの通過のオン及びオフを制御する。従って、電力増幅回路100Dによれば、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチを備える電力増幅回路を提供することができる。また、入力信号RFinA,RFinBのいずれの入力信号も、増幅器120a又は増幅器120bに供給することができる。電力増幅回路100Dは、例えば、異なる周波数の入力信号RFinA,RFinBの各々が異なるモードの増幅器120a,120bを備え、かつ異なる周波数の入力信号RFinA,RFinBが増幅器120a,120bを共有する、マルチモードマルチバンドに対応した電力増幅回路に適用することができる。
なお、本実施形態においては、例として、入力が2経路あり、それぞれの入力に対してバイポーラトランジスタを2つずつ備える構成を示しているが、当該入力経路の数及びバイポーラトランジスタの数は2つに限られず、1つであってもよく、また3つ以上であってもよい。
次に、電力増幅回路100Dにおける、挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果について、図7A〜図10Bを参照しつつ説明する。
図7A〜図10Bは、図6に示す電力増幅回路100DにおけるバイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1,Trb2の挿入損失の周波数依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。図7A〜図10Bに示すグラフにおいて、縦軸は挿入損失(Sパラメータ=20log|S21|)(dB)を表し、横軸は入力信号の周波数(GHz)を表している。また、P1は入力信号RFinAの入力端子Port1、P2は入力信号RFinBの入力端子Port2、P3はバイポーラトランジスタTra1,Trb1(増幅器120a側)の出力端子Port3、P4はバイポーラトランジスタTra2,Trb2(増幅器120b側)の出力端子Port4を示している(図6参照)。なお、出力端子の入力端子に対するSパラメータをdB(S(出力端子,入力端子))で表す。
図7Aは、バイポーラトランジスタTra1のみをオンとし、バイポーラトランジスタTra2,Trb1,Trb2をオフとすることにより入力信号RFinAを増幅器120aに供給するように動作させた場合の、dB(S(P3,P1))、dB(S(P3,P2))、dB(S(P3,P4))のシミュレーション結果を示している。同様に、図7Bは、当該場合のdB(S(P4,P1))、dB(S(P4,P2))、dB(S(P4,P3))のシミュレーション結果を示している。図7Aに示されるように、P1の入力に対するP3の出力におけるSパラメータdB(S(P3,P1))は、いずれの周波数帯域(2.0〜3.0GHz)においても−2dB〜−5dB程度である。一方、P2からP3、P4からP3、P1からP4、P2からP4、及びP3からP4におけるSパラメータは、約−20dBより小さい。従って、入力信号RFinAのみを増幅器120aに選択的に供給可能であることが分かる。
図8Aは、バイポーラトランジスタTra2のみをオンとし、バイポーラトランジスタTra1,Trb1,Trb2をオフとすることにより入力信号RFinAを増幅器120bに供給するように動作させた場合の、dB(S(P4,P1))、dB(S(P4,P2))、dB(S(P4,P3))のシミュレーション結果を示している。同様に、図8Bは、当該場合のdB(S(P3,P1))、dB(S(P3,P2))、dB(S(P3,P4))のシミュレーション結果を示している。図8Aに示されるように、P1の入力に対するP4の出力におけるSパラメータdB(S(P4,P1))は、いずれの周波数帯域においても−2dB〜−6dB程度である。一方、P2からP4、P3からP4、P1からP3、P2からP3、及びP4からP3におけるSパラメータは、約−20dBより小さい。従って、入力信号RFinAのみを増幅器120bに選択的に供給可能であることが分かる。
図9Aは、バイポーラトランジスタTrb1のみをオンとし、バイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb2をオフとすることにより入力信号RFinBを増幅器120aに供給するように動作させた場合の、dB(S(P3,P1))、dB(S(P3,P2))、dB(S(P3,P4))のシミュレーション結果を示している。同様に、図9Bは、当該場合のdB(S(P4,P1))、dB(S(P4,P2))、dB(S(P4,P3))のシミュレーション結果を示している。図9Aに示されるように、P2の入力に対するP3の出力におけるSパラメータdB(S(P3,P2))は、いずれの周波数帯域においても−2dB〜−5dB程度である。一方、P1からP3、P4からP3、P1からP4、P2からP4、及びP3からP4におけるSパラメータは、約−20dBより小さい。従って、入力信号RFinBのみを増幅器120aに選択的に供給可能であることが分かる。
図10Aは、バイポーラトランジスタTrb2のみをオンとし、バイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1をオフとすることにより入力信号RFinBを増幅器120bに供給するように動作させた場合の、dB(S(P4,P1))、dB(S(P4,P2))、dB(S(P4,P3))のシミュレーション結果を示している。同様に、図10Bは、当該場合のdB(S(P3,P1))、dB(S(P3,P2))、dB(S(P3,P4))のシミュレーション結果を示している。図10Aに示されるように、P2の入力に対するP4の出力におけるSパラメータdB(S(P4,P2))は、いずれの周波数帯域においても−3dB〜−6dB程度である。一方、P1からP4、P3からP4、P1からP3、P2からP3、及びP4からP3におけるSパラメータは、約−20dBより小さい。従って、入力信号RFinBのみを増幅器120bに選択的に供給可能であることが分かる。
以上のシミュレーション結果から、バイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1,Trb2のいずれかをオンとし、他のバイポーラトランジスタをオフとすることにより、入力信号RFinA,RFinBのうちいずれか一方の入力信号を、増幅器120a,120bのうちいずれか一方の増幅器に選択的に供給可能であることが分かる。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅回路100A,100B,100C,100Dは、無線周波数信号が供給されるエミッタと、DC制御電圧が供給されるベースと、無線周波数信号に応じた出力信号を出力するコレクタを有するバイポーラトランジスタと、当該DC制御電圧を生成する制御回路と、を備える。これにより、1つのバイポーラトランジスタが入力信号の通過のオン及びオフを制御する。従って、回路面積の増大を抑制しつつ、大信号入力時にも適用可能なスイッチを備える電力増幅回路を提供することができる。
また、電力増幅回路100A,100B,100C,100Dでは、スイッチ機能を有するバイポーラトランジスタのエミッタを、抵抗素子によりDC接地させ、当該バイポーラトランジスタのベースを、キャパシタによりAC接地させることができる。
また、電力増幅回路100Bは、1つの入力信号RFinに対し電力増幅回路100Aと同様のバイポーラトランジスタ、制御回路、及び増幅器を並列にn個ずつ備える。各々のバイポーラトランジスタはエミッタが共通接続され、エミッタに入力信号RFinが供給される。従って、制御回路によりn個のバイポーラトランジスタのオン及びオフが制御され、入力信号RFinを所定の増幅器に選択的に供給することができる。
また、電力増幅回路100Cは、複数の入力信号RFIN1,RFIN2,・・・,RFINNの各々に対し、バイポーラトランジスタ及び制御回路を備える。各々のバイポーラトランジスタはコレクタが共通接続され、出力信号RFOUT1,RFOUT2,・・・,RFOUTNのいずれかが供給される。従って、制御回路によりN個のバイポーラトランジスタのオン及びオフが制御され、いずれかの入力信号のみを増幅器120に供給することができる。
また、電力増幅回路100Dは、2つの入力信号RFinA,RFinBに対し、各々、電力増幅回路100Aと同様のバイポーラトランジスタTra1,Tra2、及びバイポーラトランジスタTrb1,Trb2と、当該バイポーラトランジスタのオン及びオフを制御する制御回路110a1,110a2,110b1,110b2を備える。これにより、バイポーラトランジスタTra1,Tra2,Trb1,Trb2のうちいずれかのバイポーラトランジスタのみをオンとすることにより、入力信号RFinA又は入力信号RFinBを、増幅器120a又は増幅器120bに供給することができる。
なお、本実施形態においてはnpn型バイポーラトランジスタを用いたが、npn型バイポーラトランジスタの代わりにpnp型バイポーラトランジスタを用いてもよい。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100A,100B,100C,100D 電力増幅回路
110(110a1,110a2,110an,110A1,110A2,110AN,110b1,110b2) 制御回路
120(120a1,120a2,120an,120a,120b),121 増幅器
130(130A1,130A2,130AN,130a,130b),131(131a1,131a2,131an,131a,131b),132,133 整合回路
200,201,202,300 バイポーラトランジスタ
210 抵抗素子
310 インダクタ
Tr1,Tr2,Trn,TR1,TR2,TRN,Tra1,Tra2,Trb1,Trb2 バイポーラトランジスタ
R1,R2,RN,Ra,Rb 抵抗素子
C1,Ca1,Ca2,Can,C2,CN,Ca1,Ca2,Cb1,Cb2 キャパシタ

Claims (5)

  1. 第1の無線周波数信号が供給されるエミッタと、第1のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるベースと、前記第1の無線周波数信号に応じた第1の出力信号を出力するコレクタと、を有する第1のトランジスタと、
    前記第1の出力信号を増幅し、第1の増幅信号を出力する第1の増幅器と、
    前記第1の出力信号の前記第1の増幅器への供給を制御するために、前記第1のトランジスタのベースに前記第1のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第1の制御回路と、
    を備える、電力増幅回路。
  2. 請求項1に記載の電力増幅回路であって、
    前記電力増幅回路は、抵抗素子及びキャパシタをさらに備え、
    前記抵抗素子の一端が前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、前記抵抗素子の他端が接地されることにより、前記第1のトランジスタのエミッタがDC接地され、
    前記キャパシタの一端が前記第1のトランジスタのベースに接続され、前記キャパシタの他端が接地されることにより、前記第1のトランジスタのベースがAC接地される、
    電力増幅回路。
  3. 請求項1又は2に記載の電力増幅回路であって、
    前記電力増幅回路は、
    前記第1の無線周波数信号が供給されるとともにDC接地されるエミッタと、第2のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるとともにAC接地されるベースと、前記第1の無線周波数信号に応じた第2の出力信号を出力するコレクタと、を有する第2のトランジスタと、
    前記第2の出力信号を増幅し、第2の増幅信号を出力する第2の増幅器と、
    前記第2の出力信号の前記第2の増幅器への供給を制御するために、前記第2のトランジスタのベースに前記第2のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第2の制御回路と、
    をさらに備え、
    前記第1の増幅器への前記第1の出力信号の供給は、前記第1のDC制御電流又はDC制御電圧に応じて制御され、
    前記第2の増幅器への前記第2の出力信号の供給は、前記第2のDC制御電流又はDC制御電圧に応じて制御され、
    前記第1の出力信号が前記第1の増幅器へ供給されるか、又は、前記第2の出力信号が前記第2の増幅器へ供給される、
    電力増幅回路。
  4. 請求項1又は2に記載の電力増幅回路であって、
    前記電力増幅回路は、
    第2の無線周波数信号が供給されるとともにDC接地されるエミッタと、第3のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるとともにAC接地されるベースと、前記第2の無線周波数信号に応じた第3の出力信号を出力するコレクタと、を有する第3のトランジスタと、
    前記第3の出力信号の前記第1の増幅器への供給を制御するために、前記第3のトランジスタのベースに前記第3のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第3の制御回路と、
    をさらに備え、
    前記第1の増幅器への前記第1の出力信号の供給は、前記第1のDC制御電流又はDC制御電圧に応じて制御され、
    前記第1の増幅器への前記第3の出力信号の供給は、前記第3のDC制御電流又はDC制御電圧に応じて制御され、
    前記第1の出力信号又は前記第3の出力信号の一方が前記第1の増幅器へ供給され、
    前記第1の増幅器は、前記第1又は第3の出力信号を増幅して前記第1の増幅信号を出力する、
    電力増幅回路。
  5. 請求項3に記載の電力増幅回路であって、
    前記電力増幅回路は、
    第3の無線周波数信号が供給されるとともにDC接地されるエミッタと、第4のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるとともにAC接地されるベースと、前記第3の無線周波数信号に応じた第4の出力信号を出力するコレクタと、を有する第4のトランジスタと、
    前記第3の無線周波数信号が供給されるとともにDC接地されるエミッタと、第5のDC制御電流又はDC制御電圧が供給されるとともにAC接地されるベースと、前記第3の無線周波数信号に応じた第5の出力信号を出力するコレクタと、を有する第5のトランジスタと、
    前記第4の出力信号の前記第1の増幅器への供給を制御するために、前記第4のトランジスタのベースに前記第4のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第4の制御回路と、
    前記第5の出力信号の前記第2の増幅器への供給を制御するために、前記第5のトランジスタのベースに前記第5のDC制御電流又はDC制御電圧を供給する第5の制御回路と、
    をさらに備え、
    前記第1の増幅器への前記第4の出力信号の供給は、前記第4のDC制御電流又はDC制御電圧に応じて制御され、
    前記第2の増幅器への前記第5の出力信号の供給は、前記第5のDC制御電流又はDC制御電圧に応じて制御され、
    前記第1の出力信号又は第4の出力信号の一方が前記第1の増幅器へ供給されるか、又は、前記第2の出力信号又は第5の出力信号の一方が前記第2の増幅器へ供給され、
    前記第1の増幅器は、前記第1又は第4の出力信号を増幅して前記第1の増幅信号を出力し、
    前記第2の増幅器は、前記第2又は第5の出力信号を増幅して前記第2の増幅信号を出力する、
    電力増幅回路。
JP2016064501A 2016-03-28 2016-03-28 電力増幅回路 Pending JP2017183839A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016064501A JP2017183839A (ja) 2016-03-28 2016-03-28 電力増幅回路
CN201611144850.4A CN107241071B (zh) 2016-03-28 2016-12-13 功率放大电路
US15/381,528 US9917550B2 (en) 2016-03-28 2016-12-16 Power amplification circuit
US15/880,675 US10476440B2 (en) 2016-03-28 2018-01-26 Power amplification circuit
US16/574,686 US10727789B2 (en) 2016-03-28 2019-09-18 Power amplification circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016064501A JP2017183839A (ja) 2016-03-28 2016-03-28 電力増幅回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017183839A true JP2017183839A (ja) 2017-10-05

Family

ID=59898319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016064501A Pending JP2017183839A (ja) 2016-03-28 2016-03-28 電力増幅回路

Country Status (3)

Country Link
US (3) US9917550B2 (ja)
JP (1) JP2017183839A (ja)
CN (1) CN107241071B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116783820A (zh) * 2021-01-13 2023-09-19 华为技术有限公司 混合可配置rf功率放大器

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4677392A (en) * 1985-12-16 1987-06-30 Hughes Aircraft Company Cascaded internal impedance dependent amplifier with accurate variable gain control
US5281925A (en) * 1992-11-17 1994-01-25 Acrodyne Industries, Inc. RF amplifier providing reduced drive response rise times and fall times
WO1994023470A1 (en) * 1993-03-26 1994-10-13 Superconductor Technologies, Inc. Low noise amplifier
US5798673A (en) * 1996-03-19 1998-08-25 Motorola, Inc. Low voltage operational amplifier bias circuit and method
FI100751B (fi) * 1996-06-11 1998-02-13 Nikolay Tchamov Pienikohinainen vahvistin
JP3325837B2 (ja) 1998-07-09 2002-09-17 株式会社奥村組 ダム用クレーンの制御方法
JP2000278109A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 高周波スイッチ、切替型高周波スイッチ、および切替型高周波電力増幅器
JP2002368546A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Nec Corp 前置歪み補償器とそれを使用する線形増幅器
US20030058045A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Taylor Stewart Sidney Power control in RF amplifiers
US6801084B2 (en) * 2002-02-13 2004-10-05 Primarion, Inc. Transimpedance amplifier and circuit including the same
US7265630B2 (en) * 2003-12-09 2007-09-04 International Business Machines Corporation Millimeter-wave unilateral low-noise amplifier
JP4137815B2 (ja) * 2004-02-19 2008-08-20 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 電力増幅装置及び携帯通信端末装置
JP4559772B2 (ja) * 2004-05-31 2010-10-13 パナソニック株式会社 スイッチ回路
JP2006279317A (ja) 2005-03-28 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd スイッチ回路装置
JP2006325096A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
US7821334B2 (en) * 2006-04-27 2010-10-26 Nec Electronics Corporation Amplification circuit
US7863979B2 (en) * 2009-01-26 2011-01-04 Skyworks Solutions, Inc. High efficiency power amplifier having embedded switching
US8102205B2 (en) * 2009-08-04 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Amplifier module with multiple operating modes
JP2012065105A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Murata Mfg Co Ltd 電力増幅器および無線機
WO2012098863A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 パナソニック株式会社 高周波電力増幅器
US8324964B2 (en) * 2011-01-25 2012-12-04 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency multiple power mode linear radio frequency power amplifier
JP5708190B2 (ja) * 2011-04-18 2015-04-30 株式会社村田製作所 高周波増幅回路、無線装置
JP5714475B2 (ja) * 2011-12-08 2015-05-07 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 増幅装置
US9444416B1 (en) * 2013-06-18 2016-09-13 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Broadband amplifier topology with current shutdown
JP5854289B2 (ja) * 2013-11-11 2016-02-09 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP5757362B2 (ja) * 2014-10-22 2015-07-29 株式会社村田製作所 高周波増幅回路、無線装置
US10187023B2 (en) 2015-02-15 2019-01-22 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier with cascode switching or splitting functionality

Also Published As

Publication number Publication date
US20200014334A1 (en) 2020-01-09
US10727789B2 (en) 2020-07-28
US20180152145A1 (en) 2018-05-31
US9917550B2 (en) 2018-03-13
US20170279413A1 (en) 2017-09-28
CN107241071B (zh) 2022-06-03
US10476440B2 (en) 2019-11-12
CN107241071A (zh) 2017-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10491168B2 (en) Power amplification circuit
JP5141389B2 (ja) 電力増幅器
US11043922B2 (en) Amplification circuit
JP2007259409A (ja) 可変利得増幅器
JP2018198355A (ja) 電力増幅回路
JP2004282130A (ja) バイアス電流供給回路及び増幅回路
US6529065B2 (en) Circuit configuration for controlling the operating point of a power amplifier
JP2016213547A (ja) 電力増幅モジュール
JP5880980B2 (ja) 電力増幅モジュール
US10727789B2 (en) Power amplification circuit
JP2021106361A (ja) 電力増幅モジュール
JP2019205006A (ja) 電力増幅回路
JP2002043875A (ja) 可変利得増幅器及びそれを備えた電子機器
KR101801938B1 (ko) 전력 증폭기
JP5757362B2 (ja) 高周波増幅回路、無線装置
KR102075951B1 (ko) 전력 증폭 회로
US9998080B2 (en) Low voltage supply amplifier
US7414465B2 (en) Amplifier arrangement
US11936350B2 (en) Power amplifier circuit
KR102029558B1 (ko) 광대역 선형화가 개선된 파워 증폭 장치
JP2022122807A (ja) 電力増幅回路
JP2023069368A (ja) 電力増幅回路
CN114915271A (zh) 功率放大电路
JP2020188292A (ja) 電力増幅回路及びバイアス制御回路