JP2009260639A - 高周波増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力端子1に入力された信号を、並列接続された第1の半導体素子4および第2の半導体素子5で増幅して出力する高周波増幅器において、入力端子1と第1の半導体素子4との間に接続される第1の容量6と、入力端子1と第2の半導体素子5との間に接続される第2の容量7と、第1の半導体素子4と第1の容量6との接続点と、第2の半導体素子5と第2の容量7との接続点との間に、直列接続される第1の抵抗8および第2の抵抗9と、第1の抵抗と第2の抵抗との接続点と、入力端子との間に接続された第3の抵抗10とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1に係る高周波増幅器の等価回路図である。図1に示す高周波増幅器は、入力端子1に入力された信号を、並列接続された第1の半導体素子4および第2の半導体素子5で増幅して出力する高周波増幅器であって、入力端子1と第1の半導体素子4との間に接続される第1の容量6と、入力端子1と第2の半導体素子5との間に接続される第2の容量7と、第1の半導体素子4と第1の容量6との接続点と、第2の半導体素子5と第2の容量7との接続点との間に、直列接続される第1の抵抗8および第2の抵抗9と、第1の抵抗8と第2の抵抗9との接続点と、入力端子1との間に接続された第3の抵抗10とを備えており、第1の半導体素子4および第2の半導体素子5と入力端子1との間に、第1の容量6、第2の容量7、第1の抵抗8、第2の抵抗9、第3の抵抗10からなる安定化回路11が構成されている。なお、2と3は第1と第2の出力端子を示す。
図6は、この発明の実施の形態2に係る高周波増幅器の構成図であり、容量や抵抗を基板上に形成したときのレイアウトを示している。図6において、1から5は図1と同一であり、新たな符号として、19は第1のMIMキャパシタ、20は第2のMIMキャパシタ、21は薄膜抵抗、22は第1の導体パターン、23は第2の導体パターン、24は第3の導体パターンである。ここで、第1及び第2のMIMキャパシタ19及び20は、第1及び第2の容量6及び7をそれぞれ構成し、薄膜抵抗21は、第1ないし第3の抵抗8ないし10を構成しており、第1ないし第3の導体パターン22ないし24とは接続部25ないし27の3箇所で接続されている。
図8は、この発明の実施の形態3に係る高周波増幅器の等価回路図である。図8において、1から10は図1と同一であり、新たな符号として、35はインダクタ、36は第4の容量である。インダクタ35と第3の容量36が直列接続され、インダクタ35の片端が抵抗8と抵抗9の間の接続点に接続され、第3の容量36の片端は接地されている。
図9は、この発明の実施の形態4に係る高周波増幅器の構成図であり、容量や抵抗を基板上に形成したときのレイアウトを示している。図9において、1から3、19から31、33、34は図7と同一であり、新たな符号として、37は導体パターンで構成したインダクタ、38はMIMオンビアホールと呼ばれるMIMキャパシタとビアホールを層状に重ねたものであり、このMIMキャパシタは第3の容量36を構成している。すなわち、図9においては、第1ないし第3の容量6,7及び36は、MIMキャパシタでそれぞれ構成され、第1ないし第3の抵抗8ないし10は、一体化された一枚の薄膜抵抗21で構成されている。
図10は、この発明の実施の形態5に係る高周波増幅器の等価回路図である。図10において、1から10、35、36は図8と同一である。図10においては、インダクタ35の片端が抵抗8と抵抗9の間の接続点に接続され、第3の容量36の片端は第1の半導体素子4の出力端子2と第2の半導体素子5の出力端子3に接続されている。
Claims (6)
- 入力端子に入力された信号を、並列接続された第1の半導体素子および第2の半導体素子で増幅して出力する高周波増幅器において、
前記入力端子と前記第1の半導体素子との間に接続される第1の容量と、
前記入力端子と前記第2の半導体素子との間に接続される第2の容量と、
前記第1の半導体素子と前記第1の容量との接続点と、前記第2の半導体素子と前記第2の容量との接続点との間に、直列接続される第1の抵抗および第2の抵抗と、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点と、前記入力端子との間に接続された第3の抵抗と
を備えたことを特徴とする高周波増幅器。 - 請求項1に記載の高周波増幅器において、
前記第1の容量および前記第2の容量は、MIMキャパシタでそれぞれ構成され、
前記第1、第2および第3の抵抗は、一体化された一枚の薄膜抵抗で構成される
ことを特徴とする高周波増幅器。 - 請求項1に記載の高周波増幅器において、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点と、接地点との間に、直列接続された第1のインダクタンスおよび第3の容量をさらに備えた
ことを特徴とする高周波増幅器。 - 請求項3に記載の高周波増幅器において、
前記第1、第2および第3の容量は、MIMキャパシタでそれぞれ構成され、
前記第1、第2および第3の抵抗は、一体化された一枚の薄膜抵抗で構成される
ことを特徴とする高周波増幅器。 - 請求項1に記載の高周波増幅器において、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点と、前記第1の半導体素子の出力端子と前記第2の半導体素子の出力端子との間に、直列接続された第1のインダクタンスおよび第3の容量をさらに備えた
ことを特徴とする高周波増幅器。 - 請求項5に記載の高周波増幅器において、
前記第1、第2および第3の容量6は、MIMキャパシタでそれぞれ構成され、
前記第1、第2および第3の抵抗は、一体化された一枚の薄膜抵抗で構成される
ことを特徴とする高周波増幅器。
Priority Applications (1)
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JP2008107050A JP2009260639A (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 高周波増幅器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008107050A JP2009260639A (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 高周波増幅器 |
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Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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JP2008107050A Pending JP2009260639A (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20220046093A (ko) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 숭실대학교산학협력단 | 공통 피드백 루프를 갖는 증폭기 |
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2008
- 2008-04-16 JP JP2008107050A patent/JP2009260639A/ja active Pending
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