JP2001127071A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
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- H01L21/8252—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using III-V technology
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- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程の増加を抑え、更に、素子の面積増加を
抑えて、抵抗を形成する。 【解決手段】 コレクタ層、ベース層、エミッタ層が順
次形成された縦型構造のバイポーラトランジスタを含む
半導体装置において、前記ベース層が延長され、ベース
層上に第２のベース電極とは離間して第１のベース電極
が形成されている。 【効果】 ベース層を延長し抵抗として機能させること
ができるので、抵抗体と半導体素子の電極とを接続する
配線が不要となり、半導体装置の面積を縮小することが
できる。メタル抵抗等の抵抗体を形成する工程が不要と
なることにより、製造工程を簡略化することができる。
抑えて、抵抗を形成する。 【解決手段】 コレクタ層、ベース層、エミッタ層が順
次形成された縦型構造のバイポーラトランジスタを含む
半導体装置において、前記ベース層が延長され、ベース
層上に第２のベース電極とは離間して第１のベース電極
が形成されている。 【効果】 ベース層を延長し抵抗として機能させること
ができるので、抵抗体と半導体素子の電極とを接続する
配線が不要となり、半導体装置の面積を縮小することが
できる。メタル抵抗等の抵抗体を形成する工程が不要と
なることにより、製造工程を簡略化することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、化合物半導体を用いた高速動作の半導体装置
に適用して有効な技術に関するものである。
し、特に、化合物半導体を用いた高速動作の半導体装置
に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信・情報分野では、通信需要の
拡大或いは処理情報の大容量化等の要求に対応する必要
性から、より高速に動作する半導体素子が求められてお
り、こうした超高速動作が可能な半導体素子として、エ
ミッタにワイドバンドギャップの半導体を用いたヘテロ
接合バイポーラトランジスタ（Heterojunction Bipolar
Transistor）（以下、ＨＢＴと云う）がある。ＨＢＴで
は、エミッタがワイドバンドギャップのため、ベースか
らエミッタへの少数キャリアの逆注入が小さく、エミッ
タ注入効率が高いので電流利得が高く、また、ベース濃
度を高くしても高い電流利得が維持できるので、ベース
抵抗を小さくできるため、高電流利得の駆動能力の高い
超高速動作が可能である。このため、マイクロ波領域の
高周波を効率よく電力増幅を行なう必要がある携帯電話
等の移動体通信の端末装置等に用いられている。
拡大或いは処理情報の大容量化等の要求に対応する必要
性から、より高速に動作する半導体素子が求められてお
り、こうした超高速動作が可能な半導体素子として、エ
ミッタにワイドバンドギャップの半導体を用いたヘテロ
接合バイポーラトランジスタ（Heterojunction Bipolar
Transistor）（以下、ＨＢＴと云う）がある。ＨＢＴで
は、エミッタがワイドバンドギャップのため、ベースか
らエミッタへの少数キャリアの逆注入が小さく、エミッ
タ注入効率が高いので電流利得が高く、また、ベース濃
度を高くしても高い電流利得が維持できるので、ベース
抵抗を小さくできるため、高電流利得の駆動能力の高い
超高速動作が可能である。このため、マイクロ波領域の
高周波を効率よく電力増幅を行なう必要がある携帯電話
等の移動体通信の端末装置等に用いられている。
【０００３】このような移動体通信端末装置の送信アン
プ回路等に用いられる電力増幅トランジスタでは、その
送信出力を大きくするために大電流化が必要となる。こ
の大電流化を達成する方法として、バイポーラトランジ
スタでは各接合面の面積を増大させることが一般的に行
なわれており、このような接合面の増加によってチップ
面積が増大するのを回避するために、並列に配置した複
数のストライプ状のエミッタ・ベース・コレクタを夫々
並列接続したマルチフィンガ構造が用いられている。
プ回路等に用いられる電力増幅トランジスタでは、その
送信出力を大きくするために大電流化が必要となる。こ
の大電流化を達成する方法として、バイポーラトランジ
スタでは各接合面の面積を増大させることが一般的に行
なわれており、このような接合面の増加によってチップ
面積が増大するのを回避するために、並列に配置した複
数のストライプ状のエミッタ・ベース・コレクタを夫々
並列接続したマルチフィンガ構造が用いられている。
【０００４】バイポーラトランジスタ素子では、例えば
実使用時の温度変動等によりバイポーラトランジスタの
特性が変化し、温度が高くなるにつれて流れる電流が増
加し、この電流の増加によって更に温度が上昇し、この
ため流れる電流が大幅に変動し、素子としての仕様から
外れてしまうことがある。このため例えば、特開平７−
７０１４号公報（対応ＵＳＰ５，３２１，２７９）に開
示されているように、エミッタフィンガ或いはベースフ
ィンガに直列にバラスト・インピーダンスとして、例え
ば窒化タングステン、窒化タンタル等の比抵抗の高いメ
タル材料を用いたメタル抵抗を付加する方法が知られて
いる。この方法では、電流が増加するとバラスト・イン
ピーダンス両端の電圧降下が増大し、フィンガ電流が減
少するのでトランジスタを安定に動作させることができ
る。
実使用時の温度変動等によりバイポーラトランジスタの
特性が変化し、温度が高くなるにつれて流れる電流が増
加し、この電流の増加によって更に温度が上昇し、この
ため流れる電流が大幅に変動し、素子としての仕様から
外れてしまうことがある。このため例えば、特開平７−
７０１４号公報（対応ＵＳＰ５，３２１，２７９）に開
示されているように、エミッタフィンガ或いはベースフ
ィンガに直列にバラスト・インピーダンスとして、例え
ば窒化タングステン、窒化タンタル等の比抵抗の高いメ
タル材料を用いたメタル抵抗を付加する方法が知られて
いる。この方法では、電流が増加するとバラスト・イン
ピーダンス両端の電圧降下が増大し、フィンガ電流が減
少するのでトランジスタを安定に動作させることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、こうし
たメタル抵抗を付加する方法では、メタル抵抗を形成す
るプロセスが別に必要となり工程の増加を招くという問
題がある。更に、形成したメタル抵抗とバイポーラトラ
ンジスタ素子の電極とを結ぶ配線及びそのコンタクト領
域が必要となり、素子の面積が増加し、コストが上昇す
るという問題がある。
たメタル抵抗を付加する方法では、メタル抵抗を形成す
るプロセスが別に必要となり工程の増加を招くという問
題がある。更に、形成したメタル抵抗とバイポーラトラ
ンジスタ素子の電極とを結ぶ配線及びそのコンタクト領
域が必要となり、素子の面積が増加し、コストが上昇す
るという問題がある。
【０００６】本発明の課題は、これらの問題点を解決
し、工程の増加を抑え、更に、素子の面積増加を抑え
て、抵抗を形成することが可能な技術を提供することに
ある。本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになる
であろう。
し、工程の増加を抑え、更に、素子の面積増加を抑え
て、抵抗を形成することが可能な技術を提供することに
ある。本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになる
であろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。本発明の半導体装置は、半導体基
板、各々が前記半導体基板に形成されたコレクタ層、ベ
ース層、エミッタ層をもつ複数の半導体素子からなり、
前記ベース層及びエミッタ層は前記複数の半導体素子間
で互いに離間され、各前記ベース層に接続された第１の
ベース電極と、各前記エミッタ層に接続されたエミッタ
電極とを有する半導体素子、前記複数の半導体素子の前
記第１のベース電極を互いに共通接続するための共通ベ
ース配線、前記複数の半導体素子の前記エミッタ電極を
互いに共通接続するための共通エミッタ配線を含み、各
前記半導体素子の前記第１のベース電極は前記エミッタ
層と前記ベース層とが形成するエミッタ接合の端部から
離間されたベース層に接続されている。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。本発明の半導体装置は、半導体基
板、各々が前記半導体基板に形成されたコレクタ層、ベ
ース層、エミッタ層をもつ複数の半導体素子からなり、
前記ベース層及びエミッタ層は前記複数の半導体素子間
で互いに離間され、各前記ベース層に接続された第１の
ベース電極と、各前記エミッタ層に接続されたエミッタ
電極とを有する半導体素子、前記複数の半導体素子の前
記第１のベース電極を互いに共通接続するための共通ベ
ース配線、前記複数の半導体素子の前記エミッタ電極を
互いに共通接続するための共通エミッタ配線を含み、各
前記半導体素子の前記第１のベース電極は前記エミッタ
層と前記ベース層とが形成するエミッタ接合の端部から
離間されたベース層に接続されている。
【０００８】また、本発明の半導体装置は、化合物半導
体材料の半導体基板、各々が前記半導体基板に形成され
たコレクタ層、ベース層、エミッタ層をもつ複数のヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ型半導体素子からなり、
前記複数の半導体素子のベース層は互いに独立して延在
する複数のベースフィンガ形状に形成され、各前記ベー
スフィンガ層はその一部に形成された前記エミッタ層と
のエミッタ接合部と、該エミッタ接合部から離間されて
形成された第１のベース電極とからなり、各前記エミッ
タ層はそこに接続されたエミッタ電極を有する半導体素
子、前記複数の半導体素子の前記第１のベース電極を互
いに共通接続するための共通ベース配線、前記複数の半
導体素子の前記エミッタ電極を互いに共通接続するため
の共通エミッタ配線を含み、各前記半導体素子の前記第
１のベース電極は前記エミッタ層と前記ベース層とが形
成するエミッタ接合の端部から離間されたベース層に接
続されている。
体材料の半導体基板、各々が前記半導体基板に形成され
たコレクタ層、ベース層、エミッタ層をもつ複数のヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ型半導体素子からなり、
前記複数の半導体素子のベース層は互いに独立して延在
する複数のベースフィンガ形状に形成され、各前記ベー
スフィンガ層はその一部に形成された前記エミッタ層と
のエミッタ接合部と、該エミッタ接合部から離間されて
形成された第１のベース電極とからなり、各前記エミッ
タ層はそこに接続されたエミッタ電極を有する半導体素
子、前記複数の半導体素子の前記第１のベース電極を互
いに共通接続するための共通ベース配線、前記複数の半
導体素子の前記エミッタ電極を互いに共通接続するため
の共通エミッタ配線を含み、各前記半導体素子の前記第
１のベース電極は前記エミッタ層と前記ベース層とが形
成するエミッタ接合の端部から離間されたベース層に接
続されている。
【０００９】上述した本発明に従えば、前記第１のベー
ス電極は、抵抗電極として作用させることができる。こ
の抵抗電極を介して複数の半導体素子（トランジスタセ
ル）のベース層が並列接続される。そしてエミッタ接合
を形成する実効ベース領域に対し、単一の抵抗を付与で
きる。
ス電極は、抵抗電極として作用させることができる。こ
の抵抗電極を介して複数の半導体素子（トランジスタセ
ル）のベース層が並列接続される。そしてエミッタ接合
を形成する実効ベース領域に対し、単一の抵抗を付与で
きる。
【００１０】本発明の他の構成に従えば、実効ベース領
域と第１のベース電極すなわち抵抗電極との間により安
定した均一な抵抗を与えるために、第２のベース電極を
エミッタ接合に隣接するベース層上に形成する。この第
２のベース電極は実効ベース領域（エミッタ層と接合を
形成する領域）に対し、均一なベース電位を供給するよ
うに働く。言い換えれば、この第２のベース電極は実効
ベース領域全体に均一なベース電流を供給するために作
用する。この第２のベース電極はエミッタ接合に隣接す
るベース層全体に、すなわちエミッタ接合部の周辺に近
接してコンタクトさせることが好ましい形態である。
域と第１のベース電極すなわち抵抗電極との間により安
定した均一な抵抗を与えるために、第２のベース電極を
エミッタ接合に隣接するベース層上に形成する。この第
２のベース電極は実効ベース領域（エミッタ層と接合を
形成する領域）に対し、均一なベース電位を供給するよ
うに働く。言い換えれば、この第２のベース電極は実効
ベース領域全体に均一なベース電流を供給するために作
用する。この第２のベース電極はエミッタ接合に隣接す
るベース層全体に、すなわちエミッタ接合部の周辺に近
接してコンタクトさせることが好ましい形態である。
【００１１】上述した本発明に従えば、前記ベース層及
び前記エミッタ層は、複数の半導体素子（トランジスタ
セル）間で互いに分離されているので、各トランジスタ
素子すなわち各セルに単一のベース抵抗が挿入されるこ
とになる。従って、ベース抵抗による電流制限を各セル
の電流増幅率などの動作特性に応じて安定に行なうこと
ができる。このために、半導体装置全体の耐熱特性を向
上できる。
び前記エミッタ層は、複数の半導体素子（トランジスタ
セル）間で互いに分離されているので、各トランジスタ
素子すなわち各セルに単一のベース抵抗が挿入されるこ
とになる。従って、ベース抵抗による電流制限を各セル
の電流増幅率などの動作特性に応じて安定に行なうこと
ができる。このために、半導体装置全体の耐熱特性を向
上できる。
【００１２】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
コレクタ層、ベース層、エミッタ層が順次形成された半
導体基板を準備する工程と、前記エミッタ層の主面に第
１の導電膜を被着する工程と、前記第１の導電膜をパタ
ーニングしてエミッタ電極部と、これから離間してダミ
ー電極部とを形成する工程と、前記エミッタ電極部と前
記ダミー電極とをマスクとして、前記エミッタ層を除去
することによって、前記ベース層の一部を露出させる工
程と、前記エミッタ電極部と前記ダミー電極部とをマス
クとして前記露出されたベース層の一部の上にベース電
極となる第２の導電膜を被着する工程とを有する。
コレクタ層、ベース層、エミッタ層が順次形成された半
導体基板を準備する工程と、前記エミッタ層の主面に第
１の導電膜を被着する工程と、前記第１の導電膜をパタ
ーニングしてエミッタ電極部と、これから離間してダミ
ー電極部とを形成する工程と、前記エミッタ電極部と前
記ダミー電極とをマスクとして、前記エミッタ層を除去
することによって、前記ベース層の一部を露出させる工
程と、前記エミッタ電極部と前記ダミー電極部とをマス
クとして前記露出されたベース層の一部の上にベース電
極となる第２の導電膜を被着する工程とを有する。
【００１３】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
コレクタ層、ベース層、エミッタ層が順次積層された半
導体基板を準備する工程と、前記エミッタ層の一部を除
去して前記ベース層の一部を露出させる工程と、前記エ
ミッタ層が除去されたベース層上に該ベース層の一部を
露出させるホトレジストを形成する工程と、前記ホトレ
ジストをマスクとしてベース電極となる第２の導電膜を
被着する工程とを有する。
コレクタ層、ベース層、エミッタ層が順次積層された半
導体基板を準備する工程と、前記エミッタ層の一部を除
去して前記ベース層の一部を露出させる工程と、前記エ
ミッタ層が除去されたベース層上に該ベース層の一部を
露出させるホトレジストを形成する工程と、前記ホトレ
ジストをマスクとしてベース電極となる第２の導電膜を
被着する工程とを有する。
【００１４】上述した手段によれば、ベース層を延長し
抵抗として機能させることができるので、抵抗体と半導
体素子の電極とを接続する配線が不要となり、半導体装
置の面積を縮小することができる。加えて、メタル抵抗
等の抵抗体を形成する工程が不要となることにより、製
造工程を簡略化することができる。また、半導体装置の
構成を簡略化することができるので、歩留まりが向上
し、コストの低減が可能となる。
抵抗として機能させることができるので、抵抗体と半導
体素子の電極とを接続する配線が不要となり、半導体装
置の面積を縮小することができる。加えて、メタル抵抗
等の抵抗体を形成する工程が不要となることにより、製
造工程を簡略化することができる。また、半導体装置の
構成を簡略化することができるので、歩留まりが向上
し、コストの低減が可能となる。
【００１５】以下、本発明の実施の形態を説明する。な
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
【００１６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１に示すの
は、本発明の一実施の形態である半導体基板に形成され
た半導体装置の要部を示す平面図であり、図２に示すの
は図１中のａ−ａ線に沿った縦断面図であり、図１２は
図１に示す半導体装置の構成を示す回路図である。本実
施の形態の半導体装置は、パワーＨＢＴであり、通常大
電流で動作させるため、単位フィンガを複数並列に接続
した構成となっており、図１２に示すように各フィンガ
の各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂを接続してあ
る。ベース抵抗Ｒｂ及びエミッタ抵抗ＲｅはＨＢＴの単
位である各フィンガ領域に設けられている。
は、本発明の一実施の形態である半導体基板に形成され
た半導体装置の要部を示す平面図であり、図２に示すの
は図１中のａ−ａ線に沿った縦断面図であり、図１２は
図１に示す半導体装置の構成を示す回路図である。本実
施の形態の半導体装置は、パワーＨＢＴであり、通常大
電流で動作させるため、単位フィンガを複数並列に接続
した構成となっており、図１２に示すように各フィンガ
の各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂを接続してあ
る。ベース抵抗Ｒｂ及びエミッタ抵抗ＲｅはＨＢＴの単
位である各フィンガ領域に設けられている。
【００１７】本発明に用いられる半導体基板は、例え
ば、半絶縁性ＧａＡｓを用いた半導体基体１上に形成さ
れたコレクタ層２となる第１のエピタキシャル層と、コ
レクタ層２上に形成されたベース層３となる第２のエピ
タキシャル層と、ベース層３上に形成されエミッタ層４
となる第３のエピタキシャル層とからなる。本発明に用
いられる半導体基板は、半導体基体にエピタキシャル層
等の半導体層を形成したもの以外に、半導体基体単体か
ら構成されたもの、半導体基体に絶縁層を介して半導体
層を形成したもの（ＳＯＩ基板）等の種々の形態のもの
を含んでもよい。
ば、半絶縁性ＧａＡｓを用いた半導体基体１上に形成さ
れたコレクタ層２となる第１のエピタキシャル層と、コ
レクタ層２上に形成されたベース層３となる第２のエピ
タキシャル層と、ベース層３上に形成されエミッタ層４
となる第３のエピタキシャル層とからなる。本発明に用
いられる半導体基板は、半導体基体にエピタキシャル層
等の半導体層を形成したもの以外に、半導体基体単体か
ら構成されたもの、半導体基体に絶縁層を介して半導体
層を形成したもの（ＳＯＩ基板）等の種々の形態のもの
を含んでもよい。
【００１８】本発明の実施例においては、各単位フィン
ガは、半絶縁性ＧａＡｓを用いた半導体基体１上のエピ
タキシャルコレクタ層２、コレクタ層２上のエピタキシ
ャルベース層３、各ベース層３上のエピタキシャルエミ
ッタ層４を含む縦型構造のバイポーラトランジスタによ
って構成する。ベース層３は、メサ形状として各フィン
ガ毎に分離する。コレクタ層２は、半導体装置が単体の
素子ではなく、例えば多段の増幅器として構成されてい
る場合等のごとく同一基板に他の素子とともに形成され
ている場合には、前記他の素子との境界でメサ形状とし
て分離する。
ガは、半絶縁性ＧａＡｓを用いた半導体基体１上のエピ
タキシャルコレクタ層２、コレクタ層２上のエピタキシ
ャルベース層３、各ベース層３上のエピタキシャルエミ
ッタ層４を含む縦型構造のバイポーラトランジスタによ
って構成する。ベース層３は、メサ形状として各フィン
ガ毎に分離する。コレクタ層２は、半導体装置が単体の
素子ではなく、例えば多段の増幅器として構成されてい
る場合等のごとく同一基板に他の素子とともに形成され
ている場合には、前記他の素子との境界でメサ形状とし
て分離する。
【００１９】エミッタ層４は、エミッタ電極とのオーミ
ックコンタクトを取りやすくするための半導体層とＨＢ
Ｔのエミッタ層として作用するｎ型ＩｎＧａＰ層とから
なっている。ベース層３はｐ型ＧａＡｓ、コレクタ層２
はｎ型ＧａＡｓから夫々なっている。
ックコンタクトを取りやすくするための半導体層とＨＢ
Ｔのエミッタ層として作用するｎ型ＩｎＧａＰ層とから
なっている。ベース層３はｐ型ＧａＡｓ、コレクタ層２
はｎ型ＧａＡｓから夫々なっている。
【００２０】コレクタ層２、ベース層３及びエミッタ層
４には夫々コレクタ電極５、ベース電極６及びエミッタ
電極７が接続されているが、本実施の形態では、エミッ
タ層４と同層のダミー層８及びエミッタ電極７と同層の
ダミー電極９とを設け、通常のベース電極の他に、この
ダミー層８及びダミー電極９によって隔てられて、ベー
ス電極６と同層で、同一のベース層３上に形成される抵
抗電極１０が設けられている。
４には夫々コレクタ電極５、ベース電極６及びエミッタ
電極７が接続されているが、本実施の形態では、エミッ
タ層４と同層のダミー層８及びエミッタ電極７と同層の
ダミー電極９とを設け、通常のベース電極の他に、この
ダミー層８及びダミー電極９によって隔てられて、ベー
ス電極６と同層で、同一のベース層３上に形成される抵
抗電極１０が設けられている。
【００２１】この構成によって、抵抗電極１０にベース
配線を接続した場合には、通常のベース電極６から抵抗
電極１０までのベース層３がベースに対して直列に接続
された抵抗Ｒｂとして機能する。即ち、ベース電極とし
ては、抵抗を介してベース層に接続される第１のベース
電極である抵抗電極１０と、ベース層に直接接続される
第２のベース電極であるベース電極６とが設けられ、各
フィンガの第１のベース電極と第２のベース電極との間
のベース層３が抵抗Ｒｂとなっている。
配線を接続した場合には、通常のベース電極６から抵抗
電極１０までのベース層３がベースに対して直列に接続
された抵抗Ｒｂとして機能する。即ち、ベース電極とし
ては、抵抗を介してベース層に接続される第１のベース
電極である抵抗電極１０と、ベース層に直接接続される
第２のベース電極であるベース電極６とが設けられ、各
フィンガの第１のベース電極と第２のベース電極との間
のベース層３が抵抗Ｒｂとなっている。
【００２２】前記第１のベース電極すなわち抵抗電極１
０は、抵抗Ｒｂを直列接続した電極として作用させるこ
とができる。この抵抗電極１０を介して複数の半導体素
子（トランジスタセル）のベース層３が並列接続され
る。そしてエミッタ接合を形成する実効ベース領域（ベ
ース層３とエミッタ層４とが接合される領域）に対し、
単一の抵抗を付与できる。
０は、抵抗Ｒｂを直列接続した電極として作用させるこ
とができる。この抵抗電極１０を介して複数の半導体素
子（トランジスタセル）のベース層３が並列接続され
る。そしてエミッタ接合を形成する実効ベース領域（ベ
ース層３とエミッタ層４とが接合される領域）に対し、
単一の抵抗を付与できる。
【００２３】第２のベース電極６は、実効ベース領域と
第１のベース電極すなわち抵抗電極１０との間により安
定した均一な抵抗を与える。この第２のベース電極６は
実効ベース領域に対し、均一なベース電位を供給するよ
うに働く。言い換えれば、この第２のベース電極６は実
効ベース領域全体に均一なベース電流を供給するように
作用する。この第２のベース電極６はエミッタ接合に隣
接するベース層３全体に、すなわちエミッタ接合部の周
辺に近接して、コンタクトさせることが好ましい形態で
ある。
第１のベース電極すなわち抵抗電極１０との間により安
定した均一な抵抗を与える。この第２のベース電極６は
実効ベース領域に対し、均一なベース電位を供給するよ
うに働く。言い換えれば、この第２のベース電極６は実
効ベース領域全体に均一なベース電流を供給するように
作用する。この第２のベース電極６はエミッタ接合に隣
接するベース層３全体に、すなわちエミッタ接合部の周
辺に近接して、コンタクトさせることが好ましい形態で
ある。
【００２４】この抵抗Ｒｂの抵抗値はベース層３の濃度
とベース電極６と抵抗電極１０との間隔によって決ま
り、ベース層３の濃度はトランジスタの仕様によって略
決定され、ベース電極６と抵抗電極１０との間隔を変え
ることによって抵抗値を適宜の値とすることができ、本
実施の形態ではベース電極６と抵抗電極１０との間隔は
２μｍ〜４μｍ程度となっている。また、抵抗Ｒｂとし
て機能するベース電極６と抵抗電極１０との間のベース
層３については、ダミー電極９にエミッタとしての電位
が係らない構造となっているため、本来のベースすなわ
ち実効ベース領域としては機能していない。このため、
本来のベース層３の幅に限定されず、その幅を変えるこ
とができる。図１に示す例では、本来のベース層３より
も幅が拡げてあり、この幅によって抵抗値を調整するこ
とも可能である。本実施の形態では、ベース層３はｐ型
ＧａＡｓでシート抵抗が２００Ω〜３００Ω／□であ
る。抵抗Ｒｂとなるベース層の幅と長さとを変えること
により、３０Ω〜１０００Ω程度の抵抗値が得られる。
とベース電極６と抵抗電極１０との間隔によって決ま
り、ベース層３の濃度はトランジスタの仕様によって略
決定され、ベース電極６と抵抗電極１０との間隔を変え
ることによって抵抗値を適宜の値とすることができ、本
実施の形態ではベース電極６と抵抗電極１０との間隔は
２μｍ〜４μｍ程度となっている。また、抵抗Ｒｂとし
て機能するベース電極６と抵抗電極１０との間のベース
層３については、ダミー電極９にエミッタとしての電位
が係らない構造となっているため、本来のベースすなわ
ち実効ベース領域としては機能していない。このため、
本来のベース層３の幅に限定されず、その幅を変えるこ
とができる。図１に示す例では、本来のベース層３より
も幅が拡げてあり、この幅によって抵抗値を調整するこ
とも可能である。本実施の形態では、ベース層３はｐ型
ＧａＡｓでシート抵抗が２００Ω〜３００Ω／□であ
る。抵抗Ｒｂとなるベース層の幅と長さとを変えること
により、３０Ω〜１０００Ω程度の抵抗値が得られる。
【００２５】半導体基体１主面及び半導体基体１主面上
に形成されたコレクタ電極５、抵抗電極１０、エミッタ
電極７は、酸化珪素等の層間絶縁膜１１によって覆われ
ており、層間絶縁膜１１に設けた開口によって部分的に
露出したコレクタ電極５、抵抗電極１０、エミッタ電極
７に、夫々コレクタ配線１２、ベース配線１３及びエミ
ッタ配線１４（図１中では夫々一部破線図示）が接続さ
れている。
に形成されたコレクタ電極５、抵抗電極１０、エミッタ
電極７は、酸化珪素等の層間絶縁膜１１によって覆われ
ており、層間絶縁膜１１に設けた開口によって部分的に
露出したコレクタ電極５、抵抗電極１０、エミッタ電極
７に、夫々コレクタ配線１２、ベース配線１３及びエミ
ッタ配線１４（図１中では夫々一部破線図示）が接続さ
れている。
【００２６】本実施の形態の半導体装置では、ベース層
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来必要と
なっていた抵抗体とバイポーラトランジスタ素子の電極
とを接続する配線が不要となり、半導体装置の面積を縮
小することができる。
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来必要と
なっていた抵抗体とバイポーラトランジスタ素子の電極
とを接続する配線が不要となり、半導体装置の面積を縮
小することができる。
【００２７】続いて、この半導体装置の製造方法につい
て、図３乃至図８を用いて工程毎に説明する。先ず、半
絶縁性ＧａＡｓ半導体基体１の上にＭＢＥ（Ｍolecular
Ｂeam Ｅpitaxy）法等によって、コレクタ層２、ベー
ス層３、エミッタ層４となるエピタキシャル層を成長さ
せ、ＷＳｉ膜を堆積させ、ドライエッチングによりパタ
ーニング加工を行ないエミッタ電極７を形成し、このパ
ターニングによって同時にダミー電極９を形成する。こ
のエミッタ電極７及びダミー電極９をマスクとしてエミ
ッタ層４及びダミー層８をエッチング加工する。エミッ
タ層４及びダミー層８のエッチング加工は等方性のエッ
チングによって行ない、エミッタ層４及びダミー層８を
サイドエッチングして、エミッタ電極７及びダミー電極
９に対して夫々オーバーハング形状とする。この状態を
図３に示す。
て、図３乃至図８を用いて工程毎に説明する。先ず、半
絶縁性ＧａＡｓ半導体基体１の上にＭＢＥ（Ｍolecular
Ｂeam Ｅpitaxy）法等によって、コレクタ層２、ベー
ス層３、エミッタ層４となるエピタキシャル層を成長さ
せ、ＷＳｉ膜を堆積させ、ドライエッチングによりパタ
ーニング加工を行ないエミッタ電極７を形成し、このパ
ターニングによって同時にダミー電極９を形成する。こ
のエミッタ電極７及びダミー電極９をマスクとしてエミ
ッタ層４及びダミー層８をエッチング加工する。エミッ
タ層４及びダミー層８のエッチング加工は等方性のエッ
チングによって行ない、エミッタ層４及びダミー層８を
サイドエッチングして、エミッタ電極７及びダミー電極
９に対して夫々オーバーハング形状とする。この状態を
図３に示す。
【００２８】次に、ＣＶＤ法により例えば酸化珪素から
なる絶縁膜１５を全面に堆積させ、ホトリソグラフィに
より形成したレジストマスク１６を用いたエッチングに
よりフィンガ形成領域の酸化珪素膜を除去する。この状
態を図４に示す。
なる絶縁膜１５を全面に堆積させ、ホトリソグラフィに
より形成したレジストマスク１６を用いたエッチングに
よりフィンガ形成領域の酸化珪素膜を除去する。この状
態を図４に示す。
【００２９】次に、全面に例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｍ
ｏ／Ｔｉ／Ｐｔ材料から成る多層膜（最下層がＰｔ膜）
である金属膜１７を真空蒸着により全面に被着させる。
この状態を図５に示す。
ｏ／Ｔｉ／Ｐｔ材料から成る多層膜（最下層がＰｔ膜）
である金属膜１７を真空蒸着により全面に被着させる。
この状態を図５に示す。
【００３０】次に、レジストマスク１６をその上に形成
された金属膜１７とともに除去し、いわゆるリフトオフ
法によりベース電極６をパターニングする。このパター
ニングによってフィンガ形成領域では、金属膜１７がエ
ミッタ電極７上、ダミー電極９上に形成され、ベース層
３上にはベース電極６及び抵抗電極１０としてダミー電
極９によって夫々分離されて形成される。即ちエミッタ
電極７及びダミー電極９がマスクとなるためベース電極
６は分離されてその一部が抵抗電極１０となる。従っ
て、ベース電極６と抵抗電極１０とは同一材料で形成さ
れる。なお、ベース電極６はダミー電極９と隣接する通
常の接続領域の他にエミッタ電極７の領域を除くベース
層３上の略全域に形成される。この状態を図６に示す。
された金属膜１７とともに除去し、いわゆるリフトオフ
法によりベース電極６をパターニングする。このパター
ニングによってフィンガ形成領域では、金属膜１７がエ
ミッタ電極７上、ダミー電極９上に形成され、ベース層
３上にはベース電極６及び抵抗電極１０としてダミー電
極９によって夫々分離されて形成される。即ちエミッタ
電極７及びダミー電極９がマスクとなるためベース電極
６は分離されてその一部が抵抗電極１０となる。従っ
て、ベース電極６と抵抗電極１０とは同一材料で形成さ
れる。なお、ベース電極６はダミー電極９と隣接する通
常の接続領域の他にエミッタ電極７の領域を除くベース
層３上の略全域に形成される。この状態を図６に示す。
【００３１】ここで、リフトオフ法を用いパターニング
を行なうことによって、エミッタ電極７及びダミー電極
９が同一パターンで形成され、ベース電極６及び抵抗電
極１０がエミッタ電極７及びダミー電極９に対して自己
整合的に形成されるため、エミッタ電極７、ダミー電極
９、ベース電極６及び抵抗電極１０の相対的な誤差が小
さくなる。従って、ベース電極６についてはエミッタ接
合に近接させて形成することができ、抵抗電極１０につ
いては、エミッタ接合との間隔の誤差が小さくなるので
抵抗Ｒｂの抵抗値の精度が向上し、更にベース電極６と
抵抗電極１０との離間加工寸法を小さくすることができ
る。
を行なうことによって、エミッタ電極７及びダミー電極
９が同一パターンで形成され、ベース電極６及び抵抗電
極１０がエミッタ電極７及びダミー電極９に対して自己
整合的に形成されるため、エミッタ電極７、ダミー電極
９、ベース電極６及び抵抗電極１０の相対的な誤差が小
さくなる。従って、ベース電極６についてはエミッタ接
合に近接させて形成することができ、抵抗電極１０につ
いては、エミッタ接合との間隔の誤差が小さくなるので
抵抗Ｒｂの抵抗値の精度が向上し、更にベース電極６と
抵抗電極１０との離間加工寸法を小さくすることができ
る。
【００３２】次に、ベース層３をメサ形状に境界部３´
までエッチングして各フィンガ毎に分離する所謂ベース
メサエッチングを行なう。このエッチングによって露出
したコレクタ層２上にコレクタ電極５を形成する。この
状態を図７に示す。
までエッチングして各フィンガ毎に分離する所謂ベース
メサエッチングを行なう。このエッチングによって露出
したコレクタ層２上にコレクタ電極５を形成する。この
状態を図７に示す。
【００３３】このエッチングによって、ベース層３は各
フィンガ毎にメサ形状に分離して互いに離間して形成さ
れ、各フィンガ毎にコレクタ層２とコレクタ接合を形成
するため、ベース‐コレクタ容量が減少し、離間された
夫々のフィンガに単一の抵抗がベース層３と一体化され
て直列に接続されているため、ベース抵抗による電流制
御が安定して機能する。
フィンガ毎にメサ形状に分離して互いに離間して形成さ
れ、各フィンガ毎にコレクタ層２とコレクタ接合を形成
するため、ベース‐コレクタ容量が減少し、離間された
夫々のフィンガに単一の抵抗がベース層３と一体化され
て直列に接続されているため、ベース抵抗による電流制
御が安定して機能する。
【００３４】次に、コレクタ層２をメサ形状に境界部２
´までエッチングして複数のフィンガを電気的にアイソ
レーションする。このエッチングによってコレクタ層２
のエッチング境界部２´は半絶縁性ＧａＡｓの半導体基
体１の一部まで掘り込んだ形状となる。続いて、プラズ
マＣＶＤ法により例えば酸化珪素からなる層間絶縁膜１
１を堆積させ、ホトリソグラフィにより形成したレジス
トマスクを用いてコレクタ電極５，抵抗電極１０，エミ
ッタ電極７の夫々の接続領域を露出させる開口を形成す
る。この状態を図８に示す。
´までエッチングして複数のフィンガを電気的にアイソ
レーションする。このエッチングによってコレクタ層２
のエッチング境界部２´は半絶縁性ＧａＡｓの半導体基
体１の一部まで掘り込んだ形状となる。続いて、プラズ
マＣＶＤ法により例えば酸化珪素からなる層間絶縁膜１
１を堆積させ、ホトリソグラフィにより形成したレジス
トマスクを用いてコレクタ電極５，抵抗電極１０，エミ
ッタ電極７の夫々の接続領域を露出させる開口を形成す
る。この状態を図８に示す。
【００３５】この後、全面に例えばＡｕＭｏからなる金
属膜を堆積させ、ホトリソグラフィによるレジストマス
クを形成し、このレジストマスクを用いたパターニング
によって、コレクタ配線１２、ベース配線１３、エミッ
タ配線１４を形成して、図２に示す状態となる。
属膜を堆積させ、ホトリソグラフィによるレジストマス
クを形成し、このレジストマスクを用いたパターニング
によって、コレクタ配線１２、ベース配線１３、エミッ
タ配線１４を形成して、図２に示す状態となる。
【００３６】本実施の形態の半導体装置では、ベース層
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来の抵抗
形成に必要となっていたメタル抵抗等の抵抗体を形成す
る工程が不要となり、製造工程を簡略化することができ
る。
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来の抵抗
形成に必要となっていたメタル抵抗等の抵抗体を形成す
る工程が不要となり、製造工程を簡略化することができ
る。
【００３７】（実施の形態２）前述した実施の形態では
ベース電極６と抵抗電極１０とをダミー電極９をマスク
として分離したが、通常リフトオフ法では、サイドエッ
チングによって上下に位置する金属膜を確実に分断する
ために、等方性のウェットエッチングが行なわれてい
る。このため、ベース電極６と抵抗電極１０との間隔
が、例えば１μｍ〜２μｍ程度に小さくした場合には、
１回のレジストマスクでは、レジスト浮き上がり等の不
良が発生し電極の形成が困難になる。
ベース電極６と抵抗電極１０とをダミー電極９をマスク
として分離したが、通常リフトオフ法では、サイドエッ
チングによって上下に位置する金属膜を確実に分断する
ために、等方性のウェットエッチングが行なわれてい
る。このため、ベース電極６と抵抗電極１０との間隔
が、例えば１μｍ〜２μｍ程度に小さくした場合には、
１回のレジストマスクでは、レジスト浮き上がり等の不
良が発生し電極の形成が困難になる。
【００３８】本実施の形態の半導体装置は、このような
場合に有効なものであり、その構成は、ダミー層８及び
ダミー電極９が設けられていない点を除けば、前述した
実施の形態の半導体装置と略同様である。この半導体装
置の製造方法について、図９乃至図１１を用いて工程毎
に説明する。
場合に有効なものであり、その構成は、ダミー層８及び
ダミー電極９が設けられていない点を除けば、前述した
実施の形態の半導体装置と略同様である。この半導体装
置の製造方法について、図９乃至図１１を用いて工程毎
に説明する。
【００３９】先ず、図３に示す前述した実施の形態の場
合と同様に、半絶縁性ＧａＡｓ半導体基体１の上に、コ
レクタ層２、ベース層３、エミッタ層４となるエピタキ
シャル層を成長させ、ＷＳｉ膜を堆積させ、ドライエッ
チングによりパターニング加工を行ないエミッタ電極７
を形成し、このエミッタ電極７をマスクとしてエミッタ
層４をエッチング加工する。エミッタ層４のエッチング
加工は等方性のエッチングによって行ない、エミッタ層
４をサイドエッチングして、エミッタ電極７に対してオ
ーバーハング形状とする。ここまでは、ダミー層８及び
ダミー電極９を形成しない点を除いて、前述した実施の
形態の場合と略同様である。
合と同様に、半絶縁性ＧａＡｓ半導体基体１の上に、コ
レクタ層２、ベース層３、エミッタ層４となるエピタキ
シャル層を成長させ、ＷＳｉ膜を堆積させ、ドライエッ
チングによりパターニング加工を行ないエミッタ電極７
を形成し、このエミッタ電極７をマスクとしてエミッタ
層４をエッチング加工する。エミッタ層４のエッチング
加工は等方性のエッチングによって行ない、エミッタ層
４をサイドエッチングして、エミッタ電極７に対してオ
ーバーハング形状とする。ここまでは、ダミー層８及び
ダミー電極９を形成しない点を除いて、前述した実施の
形態の場合と略同様である。
【００４０】続いて、ＣＶＤ法により例えば酸化珪素か
らなる絶縁膜１５を全面に堆積させ、ホトリソグラフィ
により形成したレジストマスク１８を用いたエッチング
によりフィンガ形成領域の絶縁膜１５を除去し、全面に
例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ｐｔ材料から成
る多層膜（Ｐｔが最下層）である金属膜１７を真空蒸着
により全面に被着させる。この状態を図９に示す。
らなる絶縁膜１５を全面に堆積させ、ホトリソグラフィ
により形成したレジストマスク１８を用いたエッチング
によりフィンガ形成領域の絶縁膜１５を除去し、全面に
例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ｐｔ材料から成
る多層膜（Ｐｔが最下層）である金属膜１７を真空蒸着
により全面に被着させる。この状態を図９に示す。
【００４１】次に、レジストマスク１８をその上に形成
された金属膜１７とともに除去し、いわゆるリフトオフ
法によりベース電極６をパターニングする。このパター
ニングによってフィンガ形成領域では、金属膜１７がエ
ミッタ電極７上に形成され、ベース層３上にはベース電
極６が形成される。なお、ベース電極６は通常の接続領
域の他にエミッタ電極７の領域を除くベース層３上の略
全域に形成される。続いて、ホトリソグラフィにより形
成したレジストマスク１９を用いたエッチングにより抵
抗電極形成領域の絶縁膜１５を除去する。この状態を図
１０に示す。
された金属膜１７とともに除去し、いわゆるリフトオフ
法によりベース電極６をパターニングする。このパター
ニングによってフィンガ形成領域では、金属膜１７がエ
ミッタ電極７上に形成され、ベース層３上にはベース電
極６が形成される。なお、ベース電極６は通常の接続領
域の他にエミッタ電極７の領域を除くベース層３上の略
全域に形成される。続いて、ホトリソグラフィにより形
成したレジストマスク１９を用いたエッチングにより抵
抗電極形成領域の絶縁膜１５を除去する。この状態を図
１０に示す。
【００４２】次に、全面に例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｍ
ｏ／Ｔｉ／Ｐｔ材料から成る多層膜（Ｐｔが最下層）で
ある金属膜を真空蒸着により全面に被着させ、レジスト
マスク１９をその上に形成された金属膜とともに除去
し、いわゆるリフトオフ法により抵抗電極１０をパター
ニングする。この状態を図１１に示す。
ｏ／Ｔｉ／Ｐｔ材料から成る多層膜（Ｐｔが最下層）で
ある金属膜を真空蒸着により全面に被着させ、レジスト
マスク１９をその上に形成された金属膜とともに除去
し、いわゆるリフトオフ法により抵抗電極１０をパター
ニングする。この状態を図１１に示す。
【００４３】この後、図７及び図８に示す前述した工程
と同様に、ベース層３をメサ形状にエッチングして各フ
ィンガ毎に分離し、このエッチングによって露出したコ
レクタ層２上にコレクタ電極５を形成し、プラズマＣＶ
Ｄ法により例えば酸化珪素からなる層間絶縁膜１１を堆
積させ、ホトリソグラフィにより形成したレジストマス
クを用いてコレクタ電極５，抵抗電極１０，エミッタ電
極７の夫々の接続領域を露出させる開口を形成した後、
全面に例えばＡｕＭｏからなる金属膜を堆積させ、ホト
リソグラフィによるレジストマスクを形成し、このレジ
ストマスクを用いたパターニングによって、コレクタ配
線１２、ベース配線１３、エミッタ配線１４を形成す
る。
と同様に、ベース層３をメサ形状にエッチングして各フ
ィンガ毎に分離し、このエッチングによって露出したコ
レクタ層２上にコレクタ電極５を形成し、プラズマＣＶ
Ｄ法により例えば酸化珪素からなる層間絶縁膜１１を堆
積させ、ホトリソグラフィにより形成したレジストマス
クを用いてコレクタ電極５，抵抗電極１０，エミッタ電
極７の夫々の接続領域を露出させる開口を形成した後、
全面に例えばＡｕＭｏからなる金属膜を堆積させ、ホト
リソグラフィによるレジストマスクを形成し、このレジ
ストマスクを用いたパターニングによって、コレクタ配
線１２、ベース配線１３、エミッタ配線１４を形成す
る。
【００４４】本実施の形態の半導体装置では、ベース層
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来の抵抗
形成に必要となっていたメタル抵抗等の抵抗体を形成す
る工程が不要となり、製造工程を簡略化することができ
る。また、加工精度の高いドライエッチングによって絶
縁膜１５を加工することによって、ベース電極６と抵抗
電極１０との間隔が、例えば１μｍ〜２μｍ程度に小さ
くすることが可能である。このため、ベース層３による
抵抗Ｒｂを小さく形成できるため、半導体装置全体の面
積を縮小することが可能であり、半導体装置の小型化及
びコストの低減が可能となる。
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来の抵抗
形成に必要となっていたメタル抵抗等の抵抗体を形成す
る工程が不要となり、製造工程を簡略化することができ
る。また、加工精度の高いドライエッチングによって絶
縁膜１５を加工することによって、ベース電極６と抵抗
電極１０との間隔が、例えば１μｍ〜２μｍ程度に小さ
くすることが可能である。このため、ベース層３による
抵抗Ｒｂを小さく形成できるため、半導体装置全体の面
積を縮小することが可能であり、半導体装置の小型化及
びコストの低減が可能となる。
【００４５】（実施の形態３）図１３は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の構成を示す等価回路図であ
り、図１４はその全体配置を示す平面図であり、図１５
は図１４中のａ部を拡大して示す部分平面図であり、図
１６は図１５中のａ‐ａ線に沿った縦断面図である。本
実施の形態の半導体装置は、パワーＨＢＴであり、通常
大電流で動作させるため、単位フィンガを複数並列に接
続した構成となっており、図１３に示すように各フィン
ガの各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂを接続し、
加えて、ベース抵抗Ｒｂと並列に各ベースに対して直列
にベース容量を接続し、各エミッタにも直列にエミッタ
抵抗Ｒｅを接続してある。ベース抵抗Ｒｂ及びエミッタ
抵抗ＲｅはＨＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、
ベース容量はフィンガ領域外に設ける。ベース容量はベ
ース抵抗Ｒｂの付加によってＲＦ信号の入力損失を防ぐ
ために設けられている。
施の形態である半導体装置の構成を示す等価回路図であ
り、図１４はその全体配置を示す平面図であり、図１５
は図１４中のａ部を拡大して示す部分平面図であり、図
１６は図１５中のａ‐ａ線に沿った縦断面図である。本
実施の形態の半導体装置は、パワーＨＢＴであり、通常
大電流で動作させるため、単位フィンガを複数並列に接
続した構成となっており、図１３に示すように各フィン
ガの各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂを接続し、
加えて、ベース抵抗Ｒｂと並列に各ベースに対して直列
にベース容量を接続し、各エミッタにも直列にエミッタ
抵抗Ｒｅを接続してある。ベース抵抗Ｒｂ及びエミッタ
抵抗ＲｅはＨＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、
ベース容量はフィンガ領域外に設ける。ベース容量はベ
ース抵抗Ｒｂの付加によってＲＦ信号の入力損失を防ぐ
ために設けられている。
【００４６】各単位フィンガは、例えば半絶縁性ＧａＡ
ｓを用いた半導体基体１上に、コレクタ層２がエピタキ
シャル成長され、コレクタ層２上にベース層３がエピタ
キシャル成長され、各ベース層３上にエミッタ層４がエ
ピタキシャル成長されて、縦型構造のバイポーラトラン
ジスタを構成する。ベース層３は、メサ形状として各フ
ィンガ毎に分離する。コレクタ層２は、フィンガ領域外
のコレクタ層２に水素，ボロン等のプロトン打込みによ
って高抵抗領域２０ａを形成し、この高抵抗領域２０ａ
によって各フィンガを分離し、メサ形状による分離は行
なわない。なお、ここで、半導体基板は、半導体単体か
らなる半導体基体となっているもの、前記半導体基体に
エピタキシャル層等の半導体層を形成したもの、前記半
導体基体に絶縁層を介して半導体層を形成したもの等の
種々の形態のものを使用できる。
ｓを用いた半導体基体１上に、コレクタ層２がエピタキ
シャル成長され、コレクタ層２上にベース層３がエピタ
キシャル成長され、各ベース層３上にエミッタ層４がエ
ピタキシャル成長されて、縦型構造のバイポーラトラン
ジスタを構成する。ベース層３は、メサ形状として各フ
ィンガ毎に分離する。コレクタ層２は、フィンガ領域外
のコレクタ層２に水素，ボロン等のプロトン打込みによ
って高抵抗領域２０ａを形成し、この高抵抗領域２０ａ
によって各フィンガを分離し、メサ形状による分離は行
なわない。なお、ここで、半導体基板は、半導体単体か
らなる半導体基体となっているもの、前記半導体基体に
エピタキシャル層等の半導体層を形成したもの、前記半
導体基体に絶縁層を介して半導体層を形成したもの等の
種々の形態のものを使用できる。
【００４７】エミッタ層４は、ＨＢＴのエミッタ層とし
て作用するｎ型ＩｎＧａＰ層４ａ、エミッタ抵抗層４ｂ
及びエミッタ電極とのオーミックコンタクトを取りやす
くするための半導体層４ｃとからなっており、エミッタ
抵抗層４ｂがエミッタに対して直列に接続されたエミッ
タ抵抗Ｒｅとして機能し、１Ｅ１７／ｃｍ3程度の不純
物を導入してある。ベース層３はｐ型ＧａＡｓからなっ
ており、コレクタ層２は不純物濃度１Ｅ１８／ｃｍ3程
度のｎ型ＧａＡｓのサブコレクタ層２ａ及び不純物濃度
１Ｅ１６／ｃｍ3程度のｎ型ＧａＡｓの真性コレクタ層
２ｂから夫々なっている。
て作用するｎ型ＩｎＧａＰ層４ａ、エミッタ抵抗層４ｂ
及びエミッタ電極とのオーミックコンタクトを取りやす
くするための半導体層４ｃとからなっており、エミッタ
抵抗層４ｂがエミッタに対して直列に接続されたエミッ
タ抵抗Ｒｅとして機能し、１Ｅ１７／ｃｍ3程度の不純
物を導入してある。ベース層３はｐ型ＧａＡｓからなっ
ており、コレクタ層２は不純物濃度１Ｅ１８／ｃｍ3程
度のｎ型ＧａＡｓのサブコレクタ層２ａ及び不純物濃度
１Ｅ１６／ｃｍ3程度のｎ型ＧａＡｓの真性コレクタ層
２ｂから夫々なっている。
【００４８】エミッタ層のｎ型ＩｎＧａＰ層４ａはベー
ス電極６，１０の領域までベース層３上に延在させるこ
とによってエミッタ接合を安定化させているが、ｎ型Ｉ
ｎＧａＰ層４ａは高抵抗となっているため、エミッタ接
合として実効的に機能するのはエミッタ抵抗層４ｂ及び
半導体層４ｃの下部領域のｎ型ＩｎＧａＰ層４ａであ
り、他の領域に延在するｎ型ＩｎＧａＰ層４ａはトラン
ジスタとしての機能に殆ど影響を与えない。
ス電極６，１０の領域までベース層３上に延在させるこ
とによってエミッタ接合を安定化させているが、ｎ型Ｉ
ｎＧａＰ層４ａは高抵抗となっているため、エミッタ接
合として実効的に機能するのはエミッタ抵抗層４ｂ及び
半導体層４ｃの下部領域のｎ型ＩｎＧａＰ層４ａであ
り、他の領域に延在するｎ型ＩｎＧａＰ層４ａはトラン
ジスタとしての機能に殆ど影響を与えない。
【００４９】コレクタ層２、ベース層３及びエミッタ層
４には夫々コレクタ電極５、第１のベース電極１０、第
２のベース電極６及びエミッタ電極７が接続されてい
る。ベース電極としては、第１のベース電極１０及び第
２のベース電極６が、同一のベース層３上に同層で形成
され、第２のベース電極６はエミッタ接合の近くに、第
１のベース電極１０は第２のベース電極６及びエミッタ
接合から離れて設けられている。ベース電極６，１０に
用いられるＰｔ等とｎ型ＩｎＧａＰ層４ａ或いはベース
層３とが熱処理等を受けることによって形成される合金
層２１を介して、ベース電極６，１０とベース層３とは
接続されている。この構成によって、各フィンガの第２
のベース電極６から第１のベース電極１０までのベース
層３がベースに対して直列に接続された抵抗Ｒｂとして
機能する。
４には夫々コレクタ電極５、第１のベース電極１０、第
２のベース電極６及びエミッタ電極７が接続されてい
る。ベース電極としては、第１のベース電極１０及び第
２のベース電極６が、同一のベース層３上に同層で形成
され、第２のベース電極６はエミッタ接合の近くに、第
１のベース電極１０は第２のベース電極６及びエミッタ
接合から離れて設けられている。ベース電極６，１０に
用いられるＰｔ等とｎ型ＩｎＧａＰ層４ａ或いはベース
層３とが熱処理等を受けることによって形成される合金
層２１を介して、ベース電極６，１０とベース層３とは
接続されている。この構成によって、各フィンガの第２
のベース電極６から第１のベース電極１０までのベース
層３がベースに対して直列に接続された抵抗Ｒｂとして
機能する。
【００５０】この抵抗Ｒｂは、コレクタ電流の増加によ
ってＨＢＴが発熱した場合に、同様に温度が上昇する。
３００°Ｋ前後の実使用温度範囲ではｐ型ベース半導体
の空孔のモビリティが温度と共に低下するため、抵抗Ｒ
ｂの抵抗値は温度と共に増大し（ベースがｎ型でも挙動
は同じ）、ベース入力電流を抑制する。このため、フィ
ンガ外に設けられた抵抗と比較した場合に、各フィンガ
のベース層３を抵抗Ｒｂとして利用することによって温
度追従性が良くなるため、ＨＢＴの熱的安定性が良好に
なる。
ってＨＢＴが発熱した場合に、同様に温度が上昇する。
３００°Ｋ前後の実使用温度範囲ではｐ型ベース半導体
の空孔のモビリティが温度と共に低下するため、抵抗Ｒ
ｂの抵抗値は温度と共に増大し（ベースがｎ型でも挙動
は同じ）、ベース入力電流を抑制する。このため、フィ
ンガ外に設けられた抵抗と比較した場合に、各フィンガ
のベース層３を抵抗Ｒｂとして利用することによって温
度追従性が良くなるため、ＨＢＴの熱的安定性が良好に
なる。
【００５１】この抵抗Ｒｂの抵抗値はベース層３の濃度
と第２のベース電極６と第１のベース電極１０との間隔
によって決まり、ベース層３の濃度はトランジスタの仕
様によって略決定され、ベース電極６と第１のベース電
極１０との間隔を変えることによって抵抗値を適宜の値
とすることができ、本実施の形態では第２のベース電極
６と第１のベース電極１０との間隔は２μｍ〜４μｍ程
度となっている。また、抵抗Ｒｂとして機能する第２の
ベース電極６と第１のベース電極１０との間のベース層
３については、エミッタ層４から離れているため、本来
のベースとしては機能していない。このため、本来のベ
ース層３の幅に限定されず、その幅を変えることがで
き、この幅によって抵抗値を調整することも可能であ
る。本実施の形態では、ベース層３はｐ型ＧａＡｓでシ
ート抵抗が２００Ω〜３００Ω／□である。抵抗Ｒｂと
なるベース層３の幅と長さとを変えることにより、３０
Ω〜１０００Ω程度の抵抗値が得られる。
と第２のベース電極６と第１のベース電極１０との間隔
によって決まり、ベース層３の濃度はトランジスタの仕
様によって略決定され、ベース電極６と第１のベース電
極１０との間隔を変えることによって抵抗値を適宜の値
とすることができ、本実施の形態では第２のベース電極
６と第１のベース電極１０との間隔は２μｍ〜４μｍ程
度となっている。また、抵抗Ｒｂとして機能する第２の
ベース電極６と第１のベース電極１０との間のベース層
３については、エミッタ層４から離れているため、本来
のベースとしては機能していない。このため、本来のベ
ース層３の幅に限定されず、その幅を変えることがで
き、この幅によって抵抗値を調整することも可能であ
る。本実施の形態では、ベース層３はｐ型ＧａＡｓでシ
ート抵抗が２００Ω〜３００Ω／□である。抵抗Ｒｂと
なるベース層３の幅と長さとを変えることにより、３０
Ω〜１０００Ω程度の抵抗値が得られる。
【００５２】半導体基板主面及び半導体基板主面上に形
成されたコレクタ電極５、第１のベース電極１０、エミ
ッタ電極７は、酸化珪素等の層間絶縁膜１１によって覆
われており、層間絶縁膜１１に設けた開口によって部分
的に露出したコレクタ電極５、第１のベース電極１０、
エミッタ電極７に、夫々コレクタ配線１２、ベース配線
１３及びエミッタ配線１４が接続されている。
成されたコレクタ電極５、第１のベース電極１０、エミ
ッタ電極７は、酸化珪素等の層間絶縁膜１１によって覆
われており、層間絶縁膜１１に設けた開口によって部分
的に露出したコレクタ電極５、第１のベース電極１０、
エミッタ電極７に、夫々コレクタ配線１２、ベース配線
１３及びエミッタ配線１４が接続されている。
【００５３】ベース容量２２は、ベースフィンガ領域の
外に設けられ、金属膜の下部電極２２ａ、酸化珪素或い
は窒化珪素の容量絶縁膜２２ｂ及び金属膜の上部電極２
２ｃが順次積層されたＭＩＭ（Metal Insulator Meta
l）構造となっている。ベース容量２２の下部電極２２
ａは、ベース配線１３ａと同層に一体化して形成され、
第２のベース電極６と接続され、ベース容量２２の上部
電極２２ｃは、共通ベース配線２３と同層に一体化して
形成され、ベース配線１３ａと同層のベース配線１３ｂ
を介して第１のベース電極１０と接続されている。
外に設けられ、金属膜の下部電極２２ａ、酸化珪素或い
は窒化珪素の容量絶縁膜２２ｂ及び金属膜の上部電極２
２ｃが順次積層されたＭＩＭ（Metal Insulator Meta
l）構造となっている。ベース容量２２の下部電極２２
ａは、ベース配線１３ａと同層に一体化して形成され、
第２のベース電極６と接続され、ベース容量２２の上部
電極２２ｃは、共通ベース配線２３と同層に一体化して
形成され、ベース配線１３ａと同層のベース配線１３ｂ
を介して第１のベース電極１０と接続されている。
【００５４】下部電極２２ａはベース配線１３ａ，１３
ｂと同層となっているため、ベース配線１３ａ，１３ｂ
を覆う層間絶縁膜２４の開口部がベース容量２２の真性
部となる。この真性部が段差等に形成された場合には、
容量絶縁膜２２ｂの膜質が低下し、ベース容量２２の破
壊耐圧が低下する等の問題が生じる。このため、ベース
容量２２の信頼性を向上させるために真性部は平坦部分
に形成するのが望ましく、ベース層３のメサ形状境界部
３´から例えば３μｍ以上離して形成する。本実施の形
態ではコレクタ層２を高抵抗領域２０ａによって分離し
たことにより、コレクタ層２をメサ形状に分離した場合
と比較して、段差部分が縮小するため、容量２２形成に
よる面積増加を低減することができる。
ｂと同層となっているため、ベース配線１３ａ，１３ｂ
を覆う層間絶縁膜２４の開口部がベース容量２２の真性
部となる。この真性部が段差等に形成された場合には、
容量絶縁膜２２ｂの膜質が低下し、ベース容量２２の破
壊耐圧が低下する等の問題が生じる。このため、ベース
容量２２の信頼性を向上させるために真性部は平坦部分
に形成するのが望ましく、ベース層３のメサ形状境界部
３´から例えば３μｍ以上離して形成する。本実施の形
態ではコレクタ層２を高抵抗領域２０ａによって分離し
たことにより、コレクタ層２をメサ形状に分離した場合
と比較して、段差部分が縮小するため、容量２２形成に
よる面積増加を低減することができる。
【００５５】各フィンガに形成された素子は、層間絶縁
膜２４上に形成された共通ベース配線２３，共通コレク
タ配線２５，共通エミッタ配線２６によって、夫々並列
に接続されており、共通ベース配線２３，共通コレクタ
配線２５，共通エミッタ配線２６を覆う保護絶縁膜２７
に設けた開口部分がベースパッド２３ａ或いはコレクタ
パッド２５ａとなり、エミッタパッドは半導体基体１裏
面に設けられ、半導体基板を貫通する貫通配線２６ａに
よって、共通エミッタ配線２６と前記エミッタパッドと
が接続されている。各パッドには、半導体基板の外部へ
電気的接続するための端子が接続される。
膜２４上に形成された共通ベース配線２３，共通コレク
タ配線２５，共通エミッタ配線２６によって、夫々並列
に接続されており、共通ベース配線２３，共通コレクタ
配線２５，共通エミッタ配線２６を覆う保護絶縁膜２７
に設けた開口部分がベースパッド２３ａ或いはコレクタ
パッド２５ａとなり、エミッタパッドは半導体基体１裏
面に設けられ、半導体基板を貫通する貫通配線２６ａに
よって、共通エミッタ配線２６と前記エミッタパッドと
が接続されている。各パッドには、半導体基板の外部へ
電気的接続するための端子が接続される。
【００５６】本実施の形態の半導体装置では、ベース層
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来必要と
なっていた抵抗体とバイポーラトランジスタ素子の電極
とを接続する配線が不要となり、半導体装置の面積を縮
小することができる。
３を延長し抵抗Ｒｂとして機能させるため、従来必要と
なっていた抵抗体とバイポーラトランジスタ素子の電極
とを接続する配線が不要となり、半導体装置の面積を縮
小することができる。
【００５７】本実施の形態の半導体装置の製造方法につ
いては、前述した実施の形態１，２の場合と同様であ
り、リフトオフ法により第２のベース電極６，第１のベ
ース電極１０をパターニングすることも可能であり、レ
ジストマスクを夫々に形成して第２のベース電極６，第
１のベース電極１０をパターニングすることも可能であ
る。夫々の方法による特徴もそれらの実施の形態の場合
と同様である。
いては、前述した実施の形態１，２の場合と同様であ
り、リフトオフ法により第２のベース電極６，第１のベ
ース電極１０をパターニングすることも可能であり、レ
ジストマスクを夫々に形成して第２のベース電極６，第
１のベース電極１０をパターニングすることも可能であ
る。夫々の方法による特徴もそれらの実施の形態の場合
と同様である。
【００５８】図１７は本実施の形態の変形例である半導
体装置の構成を示す等価回路図であり、図１８はその部
分平面図である。本例の半導体装置は、各フィンガの各
ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂを接続し、加え
て、ベース抵抗Ｒｂと並列に各ベースに対して直列にベ
ース容量を接続し、各エミッタにも直列にエミッタ抵抗
Ｒｅを接続してある。
体装置の構成を示す等価回路図であり、図１８はその部
分平面図である。本例の半導体装置は、各フィンガの各
ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂを接続し、加え
て、ベース抵抗Ｒｂと並列に各ベースに対して直列にベ
ース容量を接続し、各エミッタにも直列にエミッタ抵抗
Ｒｅを接続してある。
【００５９】ベース抵抗Ｒｂ及びエミッタ抵抗ＲｅはＨ
ＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、ベース容量２
２はフィンガ領域外に設け、ベース容量２２はベース抵
抗Ｒｂの付加によってＲＦ信号の入力損失を防ぐために
設けられている。本例では共通ベース配線が２本設けら
れており、抵抗Ｒｂを介してベースと接続する第１のベ
ース電極１０は、ＤＣバイアス用の共通ベース配線２３
ａに接続され、第２のベース電極６によってベースと直
列に接続されたベース容量２２はＲＦ入力用の共通ベー
ス配線２３ｂに接続されている。
ＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、ベース容量２
２はフィンガ領域外に設け、ベース容量２２はベース抵
抗Ｒｂの付加によってＲＦ信号の入力損失を防ぐために
設けられている。本例では共通ベース配線が２本設けら
れており、抵抗Ｒｂを介してベースと接続する第１のベ
ース電極１０は、ＤＣバイアス用の共通ベース配線２３
ａに接続され、第２のベース電極６によってベースと直
列に接続されたベース容量２２はＲＦ入力用の共通ベー
ス配線２３ｂに接続されている。
【００６０】図１９は本実施の形態の他の変形例である
半導体装置の構成を示す等価回路図であり、図２０はそ
の部分平面図である。本例の半導体装置は、回路的には
図１９に示すように各フィンガの各ベースに対して直列
にベース抵抗Ｒｂを接続し、加えて、ベース抵抗Ｒｂと
並列に各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂ２を介し
てベース容量２２を接続し、各エミッタにも直列にエミ
ッタ抵抗Ｒｅを接続する。デバイス構造としては図２０
に示すように、第２のベース電極６を、よりエミッタ接
合に近く形成しているベース電極６ｂから離して設ける
ことによってベース電極６ｂ‐ベース電極６との間に抵
抗値Ｒ１の抵抗を形成し、第１のベース電極１０と第２
のベース電極６との間の抵抗値Ｒ２の抵抗との合成によ
って、ベース抵抗Ｒｂの抵抗値をＲ１＋Ｒ２とし、ベー
ス抵抗Ｒｂ２の抵抗値をＲ１としている。抵抗値Ｒ１，
Ｒ２を適宜の値とすることにより、ベース抵抗Ｒｂ，Ｒ
ｂ２を夫々所望の抵抗値とすることができる。抵抗値Ｒ
１及びＲ２は、ベース層３の抵抗により形成されてい
る。
半導体装置の構成を示す等価回路図であり、図２０はそ
の部分平面図である。本例の半導体装置は、回路的には
図１９に示すように各フィンガの各ベースに対して直列
にベース抵抗Ｒｂを接続し、加えて、ベース抵抗Ｒｂと
並列に各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂ２を介し
てベース容量２２を接続し、各エミッタにも直列にエミ
ッタ抵抗Ｒｅを接続する。デバイス構造としては図２０
に示すように、第２のベース電極６を、よりエミッタ接
合に近く形成しているベース電極６ｂから離して設ける
ことによってベース電極６ｂ‐ベース電極６との間に抵
抗値Ｒ１の抵抗を形成し、第１のベース電極１０と第２
のベース電極６との間の抵抗値Ｒ２の抵抗との合成によ
って、ベース抵抗Ｒｂの抵抗値をＲ１＋Ｒ２とし、ベー
ス抵抗Ｒｂ２の抵抗値をＲ１としている。抵抗値Ｒ１，
Ｒ２を適宜の値とすることにより、ベース抵抗Ｒｂ，Ｒ
ｂ２を夫々所望の抵抗値とすることができる。抵抗値Ｒ
１及びＲ２は、ベース層３の抵抗により形成されてい
る。
【００６１】ベース抵抗Ｒｂ，Ｒｂ２及びエミッタ抵抗
ＲｅはＨＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、ベー
ス容量２２はフィンガ領域外に設け、ベース容量２２は
ベース抵抗Ｒｂの付加によってＲＦ信号の入力損失を防
ぐために設けられている。本例では共通ベース配線が２
本設けられており、抵抗Ｒｂを介してベースと接続する
第１のベース電極１０は、ＤＣバイアス用の共通ベース
配線２３ａに接続され、抵抗Ｒｂ２を介して第２のベー
ス電極６に接続されたベース容量２２はＲＦ入力用の共
通ベース配線２３ｂに接続されている。
ＲｅはＨＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、ベー
ス容量２２はフィンガ領域外に設け、ベース容量２２は
ベース抵抗Ｒｂの付加によってＲＦ信号の入力損失を防
ぐために設けられている。本例では共通ベース配線が２
本設けられており、抵抗Ｒｂを介してベースと接続する
第１のベース電極１０は、ＤＣバイアス用の共通ベース
配線２３ａに接続され、抵抗Ｒｂ２を介して第２のベー
ス電極６に接続されたベース容量２２はＲＦ入力用の共
通ベース配線２３ｂに接続されている。
【００６２】図２１は本実施の形態の他の変形例である
半導体装置の構成を示す等価回路図であり、図２２はそ
の部分平面図である。本例の半導体装置は、各フィンガ
の各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂ１，Ｒｂ２を
接続し、加えて、ベース抵抗Ｒｂ２と並列に各ベースに
対してベース抵抗Ｒｂ１を介して直列にベース容量２２
を接続し、各エミッタにも直列にエミッタ抵抗Ｒｅを接
続してある。
半導体装置の構成を示す等価回路図であり、図２２はそ
の部分平面図である。本例の半導体装置は、各フィンガ
の各ベースに対して直列にベース抵抗Ｒｂ１，Ｒｂ２を
接続し、加えて、ベース抵抗Ｒｂ２と並列に各ベースに
対してベース抵抗Ｒｂ１を介して直列にベース容量２２
を接続し、各エミッタにも直列にエミッタ抵抗Ｒｅを接
続してある。
【００６３】ベース抵抗Ｒｂ１及びエミッタ抵抗Ｒｅは
ＨＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、ベース抵抗
Ｒｂ２及びベース容量２２はフィンガ領域外に設けてあ
る。容量２２は、下部電極２２ａがベース配線１３によ
って第１のベース電極１０と接続され、上部電極２２ｃ
が共通ベース配線２３と接続されている。そしてベース
配線１３がＷＳｉＮ等の抵抗体２８を介して共通ベース
配線２３と接続され、この抵抗体２８がベース抵抗Ｒｂ
２となる。
ＨＢＴの単位である各フィンガ領域に設け、ベース抵抗
Ｒｂ２及びベース容量２２はフィンガ領域外に設けてあ
る。容量２２は、下部電極２２ａがベース配線１３によ
って第１のベース電極１０と接続され、上部電極２２ｃ
が共通ベース配線２３と接続されている。そしてベース
配線１３がＷＳｉＮ等の抵抗体２８を介して共通ベース
配線２３と接続され、この抵抗体２８がベース抵抗Ｒｂ
２となる。
【００６４】以上、本発明を、前記実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは勿論である。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは勿論である。
【００６５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、ベース層を延長し抵抗として機
能させることができるという効果がある。 （２）本発明によれば、上記効果（１）により、抵抗体
と半導体素子の電極とを接続する配線が不要となるとい
う効果がある。 （３）本発明によれば、上記効果（２）により、半導体
装置の面積を縮小することができるという効果がある。 （４）本発明によれば、上記効果（１）により、従来の
抵抗形成に必要となっていたメタル抵抗等の抵抗体を形
成する工程が不要となるという効果がある。 （５）本発明によれば、上記効果（４）により、製造工
程を簡略化することができるという効果がある。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、ベース層を延長し抵抗として機
能させることができるという効果がある。 （２）本発明によれば、上記効果（１）により、抵抗体
と半導体素子の電極とを接続する配線が不要となるとい
う効果がある。 （３）本発明によれば、上記効果（２）により、半導体
装置の面積を縮小することができるという効果がある。 （４）本発明によれば、上記効果（１）により、従来の
抵抗形成に必要となっていたメタル抵抗等の抵抗体を形
成する工程が不要となるという効果がある。 （５）本発明によれば、上記効果（４）により、製造工
程を簡略化することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１中のａ−ａ線に沿った縦断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を工程毎に示す縦断面図である。
を工程毎に示す縦断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を工程毎に示す縦断面図である。
を工程毎に示す縦断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を工程毎に示す縦断面図である。
を工程毎に示す縦断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を工程毎に示す縦断面図である。
を工程毎に示す縦断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を工程毎に示す縦断面図である。
を工程毎に示す縦断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を工程毎に示す縦断面図である。
を工程毎に示す縦断面図である。
【図９】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要
部を工程毎に示す縦断面図である。
部を工程毎に示す縦断面図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を工程毎に示す縦断面図である。
要部を工程毎に示す縦断面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を工程毎に示す縦断面図である。
要部を工程毎に示す縦断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態である半導体装置の構
成を示す等価回路図である。
成を示す等価回路図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
構成を示す等価回路図である。
構成を示す等価回路図である。
【図１４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
全体配置を示す平面図である。
全体配置を示す平面図である。
【図１５】図１４中のａ部を拡大して示す部分平面図で
ある。
ある。
【図１６】図１５中のａ‐ａ線に沿った縦断面図であ
る。
る。
【図１７】本発明の他の実施の形態の変形例である半導
体装置の構成を示す等価回路図である。
体装置の構成を示す等価回路図である。
【図１８】本発明の他の実施の形態の変形例である半導
体装置を示す部分平面図である。
体装置を示す部分平面図である。
【図１９】本発明の他の実施の形態の変形例である半導
体装置の構成を示す等価回路図である。
体装置の構成を示す等価回路図である。
【図２０】本発明の他の実施の形態の変形例である半導
体装置を示す部分平面図である。
体装置を示す部分平面図である。
【図２１】本発明の他の実施の形態の変形例である半導
体装置の構成を示す等価回路図である。
体装置の構成を示す等価回路図である。
【図２２】本発明の他の実施の形態の変形例である半導
体装置を示す部分平面図である。
体装置を示す部分平面図である。
１…半導体基体、２…コレクタ層、３…ベース層、４…
エミッタ層、５…コレクタ電極、６…第２のベース電
極、７…エミッタ電極、８…ダミー層、９…ダミー電
極、１０…第１のベース電極（抵抗電極）、１１，２４
…層間絶縁膜、１２…コレクタ配線、１３…ベース配
線、１４…エミッタ配線、１５…絶縁膜、１６，１８，
１９…レジストマスク、１７…金属膜、２０ａ，２０ｂ
…高抵抗領域、２１…合金層、２２…ベース容量、２３
…共通ベース配線、２５…共通コレクタ配線、２６…共
通エミッタ配線、２７…保護絶縁膜、２８…抵抗体。
エミッタ層、５…コレクタ電極、６…第２のベース電
極、７…エミッタ電極、８…ダミー層、９…ダミー電
極、１０…第１のベース電極（抵抗電極）、１１，２４
…層間絶縁膜、１２…コレクタ配線、１３…ベース配
線、１４…エミッタ配線、１５…絶縁膜、１６，１８，
１９…レジストマスク、１７…金属膜、２０ａ，２０ｂ
…高抵抗領域、２１…合金層、２２…ベース容量、２３
…共通ベース配線、２５…共通コレクタ配線、２６…共
通エミッタ配線、２７…保護絶縁膜、２８…抵抗体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 和浩 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5F003 BA22 BA92 BB05 BF02 BF06 BH08 BH99 BJ06 BJ20 BM02 BM03 BP32 BP95 5F082 AA08 BA06 BA26 BA28 BA31 BA47 BA48 BC01 BC13 BC15 CA02 CA03 DA02 DA03 EA14 EA16 EA17 EA23 GA02 GA04
Claims (17)
- 【請求項１】 半導体基板、 各々が前記半導体基板に形成されたコレクタ層、ベース
層、エミッタ層をもつ複数の半導体素子からなり、前記
ベース層及びエミッタ層は前記複数の半導体素子間で互
いに離間され、各前記ベース層に接続された第１のベー
ス電極と、各前記エミッタ層に接続されたエミッタ電極
とを有する半導体素子、 前記複数の半導体素子の前記第１のベース電極を互いに
共通接続するための共通ベース配線、 前記複数の半導体素子の前記エミッタ電極を互いに共通
接続するための共通エミッタ配線を含み、 各前記半導体素子の前記第１のベース電極は前記エミッ
タ層と前記ベース層とが形成するエミッタ接合の端部か
ら離間されたベース層に接続されている半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体素子の前記エミッタ接合に隣
接する前記ベース層の一部に第２のベース電極が形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 各前記半導体素子の前記第１ベース電極
と前記第２のベース電極との間に、前記エミッタ電極と
同一材料の他の電極が前記エミッタ層と同一材料の半導
体層を介して前記ベース層上に形成されていることを特
徴とする請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記複数の半導体素子のベース層は互い
に並行して延在するフィンガ状に形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記エミッタ層は前記ベース層上の一部
にメサ状に形成され、前記第１ベース電極は前記メサ状
のエミッタ層が上に形成されていないベース層の他の部
分に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項６】 前記エミッタ層は前記ベース層上の一部
にメサ状に形成され、前記第１ベース電極は前記メサ状
のエミッタ層が上に形成されていないベース層の他の部
分に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の
半導体装置。 - 【請求項７】 前記ベース層は前記コレクタ層にコレク
タ接合を形成するように接して、かつメサ状に形成され
ていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記半導体基板が化合物半導体からな
り、前記半導体素子がヘテロ接合バイポーラトランジス
タであることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れ
か一項に記載の半導体装置。 - 【請求項９】 化合物半導体材料の半導体基板、 各々が前記半導体基板に形成されたコレクタ層、ベース
層、エミッタ層をもつ複数のヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタ型半導体素子からなり、前記複数の半導体素子
のベース層は互いに独立して延在する複数のベースフィ
ンガ形状に形成され、各前記ベースフィンガ層はその一
部に形成された前記エミッタ層とのエミッタ接合部と、
該エミッタ接合部から離間されて形成された第１のベー
ス電極とからなり、各前記エミッタ層はそこに接続され
たエミッタ電極を有する半導体素子、 前記複数の半導体素子の前記第１のベース電極を互いに
共通接続するための共通ベース配線、 前記複数の半導体素子の前記エミッタ電極を互いに共通
接続するための共通エミッタ配線からなる半導体装置。 - 【請求項１０】 前記ベースフィンガ層は前記第１ベー
ス電極より前記エミッタ接合部に近い位置に形成された
第２のベース電極を有していることを特徴とする請求項
９に記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 各前記半導体素子の前記第１のベース
電極及び前記第２のベース電極は互いに同一材料からな
ることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 前記第１のベース電極と前記第２のベ
ース電極との間に位置するベースフィンガ層はベース抵
抗として機能することを特徴とする請求項１０に記載の
半導体装置。 - 【請求項１３】 前記ベース層は前記コレクタ層上にメ
サ状に形成され、前記エミッタ層は前記ベース層上にメ
サ状に形成されていることを特徴とする請求項９に記載
の半導体装置。 - 【請求項１４】 前記ベース層は前記コレクタ層上にメ
サ状に形成され、前記エミッタ層は前記ベース層上にメ
サ状に形成されていることを特徴とする請求項１０に記
載の半導体装置。 - 【請求項１５】 前記半導体基板上に、各前記第２のベ
ース電極に対応して形成された複数の容量素子、 前記容量素子は対応する第２のベース電極と電気的接続
されている請求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１６】 コレクタ層、ベース層、エミッタ層が
順次形成された半導体基板を準備する工程と、 前記エミッタ層の主面に第１の導電膜を被着する工程
と、 前記第１の導電膜をパターニングしてエミッタ電極部
と、これから離間してダミー電極部とを形成する工程
と、 前記エミッタ電極部と前記ダミー電極とをマスクとし
て、前記エミッタ層を除去することによって、前記ベー
ス層の一部を露出させる工程と、 前記エミッタ電極部と前記ダミー電極部とをマスクとし
て前記露出されたベース層の一部の上にベース電極とな
る第２の導電膜を被着する工程とを有することを特徴と
するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１７】 コレクタ層、ベース層、エミッタ層が
順次積層された半導体基板を準備する工程と、 前記エミッタ層の一部を除去して前記ベース層の一部を
露出させる工程と、 前記エミッタ層が除去されたベース層上に該ベース層の
一部を露出させるホトレジストを形成する工程と、 前記ホトレジストをマスクとしてベース電極となる第２
の導電膜を被着する工程とを有することを特徴とするヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ型の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2000216848A JP2001127071A (ja) | 1999-08-19 | 2000-07-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US09/639,754 US6403991B1 (en) | 1999-08-19 | 2000-08-15 | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US10/026,613 US6743691B2 (en) | 1999-08-19 | 2001-12-27 | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US10/026,968 US6573540B2 (en) | 1999-08-19 | 2001-12-27 | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US10/133,498 US6639257B2 (en) | 1999-08-19 | 2002-04-29 | Hetero-junction bipolar transistor having a dummy electrode |
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|---|---|---|---|
| JP11-232378 | 1999-08-19 | ||
| JP23237899 | 1999-08-19 | ||
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|---|---|
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| JP2001127071A5 JP2001127071A5 (ja) | 2005-02-10 |
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ID=26530425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000216848A Pending JP2001127071A (ja) | 1999-08-19 | 2000-07-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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