JP2892452B2 - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
- Publication number
- JP2892452B2 JP2892452B2 JP2187437A JP18743790A JP2892452B2 JP 2892452 B2 JP2892452 B2 JP 2892452B2 JP 2187437 A JP2187437 A JP 2187437A JP 18743790 A JP18743790 A JP 18743790A JP 2892452 B2 JP2892452 B2 JP 2892452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- capacitor
- amplifier circuit
- drain
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 高効率増幅動作を行なう増幅回路に関し、 回路を小型化及び低廉化し、更に安定動作を行なう増
幅回路を提供することを目的とし、 高周波の入力信号をソース接地の電界効果トランジス
タで増幅する増幅回路において、該トランジスタのドレ
イン出力線に一端を接続され他端より増幅した信号を出
力する第１のインダクタと、該第１のインダクタの他端
を接地するコンデンサと、該第１のインダクタの他端に
バイアス電圧を供給するストリップラインで形成した第
２のインダクタとを有し、該第２のインダクタのバイア
ス電圧供給側の端部に一端が高周波的に接地された抵抗
の他端を接続し、該入力信号の基本波に対して該コンデ
ンサと第２のインダクタとの並列共振で高インピーダン
スとし、かつ該基本波の第２高調波に対して該ドレイン
出力線のインダクタンス及び該第１のインダクタと該コ
ンデンサとの直接共振により該トランジスタのドレイン
を低インピーダンスとするよう構成する。
幅回路を提供することを目的とし、 高周波の入力信号をソース接地の電界効果トランジス
タで増幅する増幅回路において、該トランジスタのドレ
イン出力線に一端を接続され他端より増幅した信号を出
力する第１のインダクタと、該第１のインダクタの他端
を接地するコンデンサと、該第１のインダクタの他端に
バイアス電圧を供給するストリップラインで形成した第
２のインダクタとを有し、該第２のインダクタのバイア
ス電圧供給側の端部に一端が高周波的に接地された抵抗
の他端を接続し、該入力信号の基本波に対して該コンデ
ンサと第２のインダクタとの並列共振で高インピーダン
スとし、かつ該基本波の第２高調波に対して該ドレイン
出力線のインダクタンス及び該第１のインダクタと該コ
ンデンサとの直接共振により該トランジスタのドレイン
を低インピーダンスとするよう構成する。
本発明は増幅回路に関し、高効率増幅動作を行なう増
幅回路に関する。
幅回路に関する。
近年、携帯電話等の移動無線装置の実用化がなされて
いる。移動無線装置はその電源として電池を使用するた
め、その電力の略75％を消費する送信増幅回路の効率を
向上させることが強く要求されている。
いる。移動無線装置はその電源として電池を使用するた
め、その電力の略75％を消費する送信増幅回路の効率を
向上させることが強く要求されている。
従来より、マイクロ波帯の高効率増幅回路（例えばＦ
級増幅回路）としてUnited Sates Patent 4717884号に
記載の如きガリウム，ヒ素，電界効果トランジスタ（Ga
AsFET）を用いたものがある。
級増幅回路）としてUnited Sates Patent 4717884号に
記載の如きガリウム，ヒ素，電界効果トランジスタ（Ga
AsFET）を用いたものがある。
この増幅回路は第５図に示すソース接地のGaAsFET10
のゲートに高周波の入力信号を供給する。入力信号基本
波の第３高調波に対してはFET10の接続インダクタンス
及び外部インダクタ11と、FET10の寄生容量C1との並列
共振により、FET10のドレインをオープン（高インピー
ダンス）とする。このときスタブ12は第３高調波の周波
数λ３に対してλ3/4長となる。また、第２高調波に対
しては第２高調波の周波数λ２に対してλ2/6長のスタ
ブ12の容量と接続インダクタンスL1及び外部インダクタ
11との直列共振により、FET10のドレインを略ショート
（低インピーダンス）とする。これによってＦ級動作の
増幅を行なっている。
のゲートに高周波の入力信号を供給する。入力信号基本
波の第３高調波に対してはFET10の接続インダクタンス
及び外部インダクタ11と、FET10の寄生容量C1との並列
共振により、FET10のドレインをオープン（高インピー
ダンス）とする。このときスタブ12は第３高調波の周波
数λ３に対してλ3/4長となる。また、第２高調波に対
しては第２高調波の周波数λ２に対してλ2/6長のスタ
ブ12の容量と接続インダクタンスL1及び外部インダクタ
11との直列共振により、FET10のドレインを略ショート
（低インピーダンス）とする。これによってＦ級動作の
増幅を行なっている。
従来の増幅回路ではバイアス供給用のチョークコイル
13は少なくとも基本波から第３高調波までの帯域で高イ
ンピーダンスを維持しなければならない。このため、チ
ョークコイル13は集中定数素子を用いており、分布定数
素子であるストリップラインを用い回路を小型化及び低
廉化することが困難であるという問題があった。
13は少なくとも基本波から第３高調波までの帯域で高イ
ンピーダンスを維持しなければならない。このため、チ
ョークコイル13は集中定数素子を用いており、分布定数
素子であるストリップラインを用い回路を小型化及び低
廉化することが困難であるという問題があった。
本発明は上切の点に鑑みてなされたもので、回路を小
型化及び低廉化し、更に安定動作を行なう増幅回路を提
供することを目的とする。
型化及び低廉化し、更に安定動作を行なう増幅回路を提
供することを目的とする。
本発明は増幅回路は、 高周波の入力信号をソース接地の電界効果トランジス
タで増幅する増幅回路において、 トランジスタのドレイン出力線に一端を接続され他端
より増幅した信号を出力する第１のインダクタと、 第１のインダクタの他端を接地するコンデンサと、 第１のインダクタの他端にバイアス電圧を供給するス
トリップラインで形成した第２のインダクタとを有し、 入力信号の基本波に対してコンデンサと第２のインダ
クタとの並列共振で高インピーダンスとし、かつ基本波
の第２高調波に対してドレイン出力線のインダクタンス
及び該第１のインダクタとコンデンサとの直列共振によ
り該トランジスタのドレインを低インピーダンスとする
よう構成する。
タで増幅する増幅回路において、 トランジスタのドレイン出力線に一端を接続され他端
より増幅した信号を出力する第１のインダクタと、 第１のインダクタの他端を接地するコンデンサと、 第１のインダクタの他端にバイアス電圧を供給するス
トリップラインで形成した第２のインダクタとを有し、 入力信号の基本波に対してコンデンサと第２のインダ
クタとの並列共振で高インピーダンスとし、かつ基本波
の第２高調波に対してドレイン出力線のインダクタンス
及び該第１のインダクタとコンデンサとの直列共振によ
り該トランジスタのドレインを低インピーダンスとする
よう構成する。
また、第２のインダクタのバイアス電圧供給側の端部
に一端が高周波的に接地された抵抗の他端を接続する。
に一端が高周波的に接地された抵抗の他端を接続する。
更に第３高調波に対してトランジスタのドレイン・ソ
ース間の寄生容量とドレイン出力線のインダクタンス及
び第１のインダクタ及びコンデンサ及び該第２のインダ
クタとの並列共振によりトランジスタのドレインを高イ
ンピーダンスとするよう構成する。
ース間の寄生容量とドレイン出力線のインダクタンス及
び第１のインダクタ及びコンデンサ及び該第２のインダ
クタとの並列共振によりトランジスタのドレインを高イ
ンピーダンスとするよう構成する。
本発明においては、第２高調波に対して直列共振し、
また第３高調波に対して並列共振してトランジスタのド
レインのインピーダンスを決定するコンデンサをバイア
ス供給回路としても利用し、基本波でこのコンデンサと
第２のインダクタとを並列共振させて高インピーダンス
を得ているため、第２のインダクタを低インダクタンス
としストリップラインで形成でき増幅回路の小型化及び
低廉化が可能となる。
また第３高調波に対して並列共振してトランジスタのド
レインのインピーダンスを決定するコンデンサをバイア
ス供給回路としても利用し、基本波でこのコンデンサと
第２のインダクタとを並列共振させて高インピーダンス
を得ているため、第２のインダクタを低インダクタンス
としストリップラインで形成でき増幅回路の小型化及び
低廉化が可能となる。
また、第２のインダクタに抵抗を接続することにより
低周波帯での回路動作の安定性を確保できる。
低周波帯での回路動作の安定性を確保できる。
また、コンデンサとしてストリップラインを用いるこ
とによっても同じ効果を有する高効率増幅回路の構成が
可能である。
とによっても同じ効果を有する高効率増幅回路の構成が
可能である。
〔実施例〕 第１図は本発明回路の第１実施例の回路図を示す。
同図中、端子20に入来する高周波の入力信号は結合コ
ンデンサ21を通してストンリップラインで形成された入
力整合回路22に供給され、ここからGaAsFET23のゲート
に供給される。
ンデンサ21を通してストンリップラインで形成された入
力整合回路22に供給され、ここからGaAsFET23のゲート
に供給される。
FET23のゲートには端子26よりバイアス供給線路27及
びストリップラインで形成された高周波チョークコイル
28を通してバイアス電圧VGが印加されている。チョーク
コイル28を形成するストリップラインは基本波の周波数
λ１に対しλ1/4長とされており、チョークコイル28の
端子26側の端部は高周波短絡用のコンデンサ29によって
接地されている。
びストリップラインで形成された高周波チョークコイル
28を通してバイアス電圧VGが印加されている。チョーク
コイル28を形成するストリップラインは基本波の周波数
λ１に対しλ1/4長とされており、チョークコイル28の
端子26側の端部は高周波短絡用のコンデンサ29によって
接地されている。
FET23はソース接地されており、ドレイン・ソース間
の寄生容量24とボンディングワイヤなどによるドレイン
出力線のインダクタンス25を有しており、ドレインはド
レイン出力線のインダクタンス25を介しストリップライ
ンのインダクタ30の一端に接続されている。
の寄生容量24とボンディングワイヤなどによるドレイン
出力線のインダクタンス25を有しており、ドレインはド
レイン出力線のインダクタンス25を介しストリップライ
ンのインダクタ30の一端に接続されている。
インダクタ30の他端はストリップラインで形成された
低域通過形出力整合回路31に接続されると共に集中定数
素子のコンデンサ32によって接地されており、更にバイ
アス回路を構成するインダクタ33の一端が接続されてい
る。
低域通過形出力整合回路31に接続されると共に集中定数
素子のコンデンサ32によって接地されており、更にバイ
アス回路を構成するインダクタ33の一端が接続されてい
る。
λ1/4以下の長さストリップラインで形成されたイン
ダクタ33の他端には端子34よりバイアス供給線路35を通
してバイアス電圧VDが印加されており、インダクタ33の
端子34側の端部は高周波短絡用のコンデンサ36によって
接地されている。
ダクタ33の他端には端子34よりバイアス供給線路35を通
してバイアス電圧VDが印加されており、インダクタ33の
端子34側の端部は高周波短絡用のコンデンサ36によって
接地されている。
上記FET23で増幅された高周波信号はインダクタンス3
0より出力整合回路31を通り、結合コンデンサ37を通し
て端子38より出力される。
0より出力整合回路31を通り、結合コンデンサ37を通し
て端子38より出力される。
ここで、入力信号の基本波に対してコンデンサ32とイ
ンダクタ33との並列共振により高インピーダンスとな
り、また第２高調波に対してドレイン出力線のインダク
タンス25及びインダクタ30とコンデンサ32との直列共振
によりFET23のドレインが略ショート（低インピーダン
ス）となり、更に第３高調波に対して寄生容量24とドレ
イン出力線のインダクタンス25及びインダクタ30及びコ
ンデンサ32及びインダクタ33との並列共振によりFET23
のドレインが略オープン（高インピーダンス）となるよ
うに上記インダクタ30,33コンデンサ32夫々の定数が選
択されている。
ンダクタ33との並列共振により高インピーダンスとな
り、また第２高調波に対してドレイン出力線のインダク
タンス25及びインダクタ30とコンデンサ32との直列共振
によりFET23のドレインが略ショート（低インピーダン
ス）となり、更に第３高調波に対して寄生容量24とドレ
イン出力線のインダクタンス25及びインダクタ30及びコ
ンデンサ32及びインダクタ33との並列共振によりFET23
のドレインが略オープン（高インピーダンス）となるよ
うに上記インダクタ30,33コンデンサ32夫々の定数が選
択されている。
このようにFET23のドレインが第３高調波でオープ
ン、第２高調波でショートとなってＦ級動作を行なうと
共に、基本波に対してコンデンサ32と並列共振回路を構
成するインダクタ33からバイアスを供給するため、イン
ダクタ33をλ1/4以下の長さのストリップラインで構成
でき、従来の如く集中定数素子のチョークコイルを必要
としないのでバイアス供給回路の小型化及び低廉化が可
能となる。
ン、第２高調波でショートとなってＦ級動作を行なうと
共に、基本波に対してコンデンサ32と並列共振回路を構
成するインダクタ33からバイアスを供給するため、イン
ダクタ33をλ1/4以下の長さのストリップラインで構成
でき、従来の如く集中定数素子のチョークコイルを必要
としないのでバイアス供給回路の小型化及び低廉化が可
能となる。
なお、第１図の一端が接地された集中定数素子のコン
デンサ32の代りに第２図に示す如く分布定数素子のスト
リップライン40で形成した容量を用いても良い。
デンサ32の代りに第２図に示す如く分布定数素子のスト
リップライン40で形成した容量を用いても良い。
第３図は本発明回路の第２実施例の回路図を示す。同
図中、第１図と同一部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。
図中、第１図と同一部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。
第３図において、ドレインバイアスを供給する回路の
インダクタ33の端子34側の端部はコンデンサ41で接地さ
れると共に、例えば50Ω程度の安定化用の抵抗42の一端
が接続され、抵抗42の他端はコンデンサ36によって接地
されている。同様にゲートバイアスを供給する回路のイ
ンダクタ28の端子26側の端部はコンデンサ43で接地され
ると共に、安定化用の抵抗44の一端が接続され、抵抗44
の他端はコンデンサ29によって接地されている。
インダクタ33の端子34側の端部はコンデンサ41で接地さ
れると共に、例えば50Ω程度の安定化用の抵抗42の一端
が接続され、抵抗42の他端はコンデンサ36によって接地
されている。同様にゲートバイアスを供給する回路のイ
ンダクタ28の端子26側の端部はコンデンサ43で接地され
ると共に、安定化用の抵抗44の一端が接続され、抵抗44
の他端はコンデンサ29によって接地されている。
このようにバイアス供給回路に抵抗42,44を設けるこ
とによって、基本波より低い低周波成分に対してインダ
クタ33,28のインピーダンスが小さい場合にも抵抗42,44
だけのインピーダンスが確保されるので、増幅回路の安
定性が向上し、発振等を生ずるおそれが防止される。
とによって、基本波より低い低周波成分に対してインダ
クタ33,28のインピーダンスが小さい場合にも抵抗42,44
だけのインピーダンスが確保されるので、増幅回路の安
定性が向上し、発振等を生ずるおそれが防止される。
なお、第３図の一端が接地された集中定数素子のコン
デンサ32の代りに第４図で示す如く分布定数素子のスト
リップライン40で形成した容量を用いても良い。
デンサ32の代りに第４図で示す如く分布定数素子のスト
リップライン40で形成した容量を用いても良い。
ところで、高効率増幅回路を構成する場合、FET23の
ドレインが第２高調波でショートとなっていれば、第３
高調波でオープンとはならなくとも充分に増幅動作を実
現できる。従って、この場合には入力信号の基本波に対
してコンデンサ32とインダクタ33との並列共振により高
インピーダンスとなり、また第２高調波に対してドレイ
ン出力線のインダクタンス25及びインダクタ30とコンデ
ンサ32との直列共振によりFET23のドレインが略ショー
ト（低インピーダンス）となるようにインダクタ30,33
及びコンデンサ32又はストリップライン40夫々の定数を
選定すれば良い。
ドレインが第２高調波でショートとなっていれば、第３
高調波でオープンとはならなくとも充分に増幅動作を実
現できる。従って、この場合には入力信号の基本波に対
してコンデンサ32とインダクタ33との並列共振により高
インピーダンスとなり、また第２高調波に対してドレイ
ン出力線のインダクタンス25及びインダクタ30とコンデ
ンサ32との直列共振によりFET23のドレインが略ショー
ト（低インピーダンス）となるようにインダクタ30,33
及びコンデンサ32又はストリップライン40夫々の定数を
選定すれば良い。
上述の如く、本発明の増幅回路によれば、回路を小型
化及び低廉化でき、更に安定動作を行なうことができ、
実用上きわめて有用である。
化及び低廉化でき、更に安定動作を行なうことができ、
実用上きわめて有用である。
第１図乃至第４図夫々は本発明回路の各実施例の回路
図、 第５図は従来回路の一例の回路図である。 図において、 23はFET、 24は寄生容量、 25はドレイン出力線のインダクタンス、 28,30,33はインダクタ、 29,32,36,41,43はコンデンサ、 42,44は抵抗 を示す。
図、 第５図は従来回路の一例の回路図である。 図において、 23はFET、 24は寄生容量、 25はドレイン出力線のインダクタンス、 28,30,33はインダクタ、 29,32,36,41,43はコンデンサ、 42,44は抵抗 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 勇夫 山梨県中巨摩郡昭和町大字紙漉阿原1000 番地 株式会社富士通山梨エレクトロニ クス内 (56)参考文献 特開 平３−277005（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−47107（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−204912（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−52610（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03H 3/60 H03H 3/193
Claims (6)
- 【請求項１】高周波の入力信号をソース接地の電界効果
トランジスタ（23）で増幅する増幅回路において、 該トランジスタ（23）のドレイン出力線に一端を接続さ
れ他端より増幅した信号を出力する第１のインダクタ
（30）と、 該第１のインダクタ（30）の他端を接地するコンデンサ
（32）と、 該第１のインダクタ（30）の他端にバイアス電圧を供給
するストリップラインで形成した第２のインダクタ（3
3）とを有し、 該入力信号の基本波に対して該コンデンサ（32）と第２
のインダクタ（33）との並列共振で高インピーダンスと
し、かつ該基本波の第２高調波に対して該ドレイン出力
線のインダクタンス（25）及び該第１のインダクタ（3
0）と該コンデンサ（32）との直列共振により該トラン
ジスタ（23）のドレインを低インピーダンスとするよう
構成したことを特徴とする増幅回路。 - 【請求項２】該第２のインダクタ（33）のバイアス電圧
供給側の端部に一端が高周波的に接地された抵抗（42）
の他端を接続したことを特徴とする請求項（１）記載の
増幅回路。 - 【請求項３】該コンデンサ（32）をストリップライン
（40）で形成したことを特徴とする請求項（１）又は請
求項（２）記載の増幅回路。 - 【請求項４】請求項（１）記載の増幅回路において、更
に第３高調波に対して該トランジスタ（23）のドレイン
・ソース間の寄生容量（24）と該ドレイン出力線のイン
ダクタンス（25）及び該第１のインダクタ（30）及び該
コンデンサ（32）及び該第２のインダクタ（33）との並
列共振により該トランジスタ（23）のドレインを高イン
ピーダンスとするよう構成したことを特徴とする増幅回
路。 - 【請求項５】該第２のインダクタ（33）のバイアス電圧
供給側の端部に一端が高周波的に接地された抵抗（42）
の他端を接続したことを特徴とする請求項（４）記載の
増幅回路。 - 【請求項６】該コンデンサ（32）をストリップライン
（40）で形成したことを特徴とする請求項（４）又は請
求項（５）記載の増幅回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187437A JP2892452B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 増幅回路 |
| EP91111781A EP0467270B1 (en) | 1990-07-16 | 1991-07-15 | High efficiency RF power amplifier |
| DE69108466T DE69108466T2 (de) | 1990-07-16 | 1991-07-15 | Hochfrequenzleistungsverstärker mit hohem Wirkungsgrad. |
| US07/731,052 US5159287A (en) | 1990-07-16 | 1991-07-16 | High efficiency rf power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187437A JP2892452B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0477009A JPH0477009A (ja) | 1992-03-11 |
| JP2892452B2 true JP2892452B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=16206049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2187437A Expired - Lifetime JP2892452B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 増幅回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5159287A (ja) |
| EP (1) | EP0467270B1 (ja) |
| JP (1) | JP2892452B2 (ja) |
| DE (1) | DE69108466T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129856A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-05-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 保護回路 |
| US5329249A (en) * | 1993-10-13 | 1994-07-12 | Pacific Monolithics, Inc. | High efficiency RF power amplifier |
| US5592122A (en) * | 1994-05-19 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio-frequency power amplifier with input impedance matching circuit based on harmonic wave |
| JP2937854B2 (ja) * | 1995-04-04 | 1999-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 高周波増幅器 |
| US6011446A (en) * | 1998-05-21 | 2000-01-04 | Delphi Components, Inc. | RF/microwave oscillator having frequency-adjustable DC bias circuit |
| JP3505392B2 (ja) * | 1998-06-09 | 2004-03-08 | 株式会社東芝 | 光受信回路 |
| JP4030310B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2008-01-09 | 富士通株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| US6236274B1 (en) | 2000-01-04 | 2001-05-22 | Industrial Technology Research Institute | Second harmonic terminations for high efficiency radio frequency dual-band power amplifier |
| GB0122227D0 (en) * | 2001-09-13 | 2001-11-07 | Koninl Philips Electronics Nv | Active tunable filter circuit |
| US7058369B1 (en) | 2001-11-21 | 2006-06-06 | Pmc-Sierra Inc. | Constant gain digital predistortion controller for linearization of non-linear amplifiers |
| US7034620B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-04-25 | Powerwave Technologies, Inc. | RF power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of RF amplifier memory effects |
| JP2004072625A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅回路 |
| JP3663397B2 (ja) | 2002-08-30 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 高周波電力増幅器 |
| JP4688410B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2011-05-25 | スタンレー電気株式会社 | 広帯域増幅器 |
| KR100659555B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2006-12-19 | 이종석 | 증폭회로의 입출력신호 보호회로 |
| GB2411062B (en) * | 2004-02-11 | 2007-11-28 | Nujira Ltd | Resonance suppression for power amplifier output network |
| WO2006016299A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated f-class amplifier with output parasitic capacitance compensation |
| JP5085179B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2012-11-28 | 株式会社東芝 | Ｆ級増幅回路 |
| JP5253321B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | 広帯域増幅器 |
| JP5424790B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2014-02-26 | 三菱電機株式会社 | 高出力増幅器 |
| JP5783095B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2015-09-24 | 富士通株式会社 | 高調波処理回路，高調波処理回路を有する増幅器 |
| JP6098195B2 (ja) | 2013-02-01 | 2017-03-22 | 富士通株式会社 | 増幅器 |
| US9319010B1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-04-19 | Freescale Semiconductor Inc. | Inverse class F amplifiers with intrinsic capacitance compensation |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150601A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-22 | Nec Corp | Electric power supply circuit |
| JPS5673911A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
| JPS5890810A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-30 | Alps Electric Co Ltd | マイクロ波回路装置 |
| JPH0754886B2 (ja) * | 1984-02-25 | 1995-06-07 | 日本電信電話株式会社 | 電力増幅器 |
| JPH0693584B2 (ja) * | 1984-06-01 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | バイアス回路 |
| US4754229A (en) * | 1986-01-08 | 1988-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Matching circuit for a microwave device |
| US4717884A (en) * | 1986-04-14 | 1988-01-05 | Motorola, Inc. | High efficiency RF power amplifier |
| JPS63204913A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体増幅器 |
| US4771247A (en) * | 1987-09-24 | 1988-09-13 | General Electric Company | MMIC (monolithic microwave integrated circuit) low noise amplifier |
| US4890069A (en) * | 1988-02-29 | 1989-12-26 | Motorola Inc. | Gallium arsenide power monolithic microwave integrated circuit |
| JPH0284006A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 被覆除去装置 |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP2187437A patent/JP2892452B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-15 EP EP91111781A patent/EP0467270B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-15 DE DE69108466T patent/DE69108466T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-16 US US07/731,052 patent/US5159287A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0467270A1 (en) | 1992-01-22 |
| DE69108466T2 (de) | 1995-12-07 |
| EP0467270B1 (en) | 1995-03-29 |
| JPH0477009A (ja) | 1992-03-11 |
| DE69108466D1 (de) | 1995-05-04 |
| US5159287A (en) | 1992-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2892452B2 (ja) | 増幅回路 | |
| US5146178A (en) | Impedance-matched, class F high-frequency amplifier | |
| KR930001293B1 (ko) | 고주파전력증폭회로 | |
| US5015968A (en) | Feedback cascode amplifier | |
| JP3120583B2 (ja) | 高周波増幅器の安定化回路 | |
| JPS63233602A (ja) | 超短波ミキサー | |
| JP3060981B2 (ja) | マイクロ波増幅器 | |
| JPH0529851A (ja) | 高周波高効率電力増幅器 | |
| JP3381283B2 (ja) | 可変リアクタンス回路およびこれを用いた可変整合回路 | |
| JPH0376609B2 (ja) | ||
| JPH04326206A (ja) | 電力増幅器 | |
| KR20010106454A (ko) | 마이크로파 증폭기 | |
| JP3006252B2 (ja) | 半導体増幅器 | |
| US6130580A (en) | Microwave amplifier optimized for stable operation | |
| JP2864195B2 (ja) | 分布増幅器 | |
| JPH09246889A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
| JPH09266421A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
| JPH08204472A (ja) | 高周波増幅回路 | |
| JPH0261175B2 (ja) | ||
| JP3183360B2 (ja) | 電力増幅器 | |
| JPH0585101U (ja) | マイクロ波半導体装置用バイアス回路 | |
| JP3243761B2 (ja) | 電力増幅器 | |
| JP2537791B2 (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JPS63204912A (ja) | 半導体増幅器 | |
| JPH09162657A (ja) | マイクロ波電力増幅回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226 Year of fee payment: 12 |