KR20010106454A - 마이크로파 증폭기 - Google Patents

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KR20010106454A
KR20010106454A KR1020017002443A KR20017002443A KR20010106454A KR 20010106454 A KR20010106454 A KR 20010106454A KR 1020017002443 A KR1020017002443 A KR 1020017002443A KR 20017002443 A KR20017002443 A KR 20017002443A KR 20010106454 A KR20010106454 A KR 20010106454A
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KR1020017002443A
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가즈히꼬 나까하라
야스시 이또
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다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 마이크로파 증폭기(10)는 전계 효과 트랜지스터(11)의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터(12)와 저항(13)을 병렬로 장하하는 구성을 갖고 있다. 인덕터(12)는 기생 성분 B를 갖고 있기 때문에, 인덕터(12)는 공진 주파수 fo에서 공진한다. 그러나, 인덕터(12)와 병렬로 접속된 저항(13)을 통해, 전계 효과 트랜지스터(11)의 소스 전극은 접지되고 있기 때문에, 인덕터(12)가 공진에 의해서 오픈이 된 경우라도, 전계 효과 트랜지스터(11)는 정상적으로 동작한다. 그 결과, 마이크로파 증폭기(10)의 동작이 안정된다.

Description

마이크로파 증폭기{MICROWAVE AMPLIFIER}
종래의 일반적인 마이크로파 증폭기의 예로서 특개소61-285811호 공보에 기재된 것이 알려져 있다. 이하, 이 제1의 종래예에 대하여 제21도를 이용하여 설명한다.
도면 중, 참조 번호(110)는 마이크로파 증폭기, 111은 전계 효과 트랜지스터(이하, FET라 함), 참조 번호(112)는 저항, 참조 번호(113)은 FET(111)과 그라운드면을 접속하는 접속 도체이며, 고주파적으로는 인덕턴스(inductance) 성분을 갖는 선단 단락 스터브로서 기능한다. 또한, 참조 번호(114)는 회로의 동작 주파수로 길이 4분의 1 파장이 되는 선단 개방 스터브이다.
제22도에 도시한 바와 같이, 접속 도체(113)는 인덕터 성분 A를 가지고 있기 때문에, 인덕터 성분 A를 무시할 수 있는 저주파수에서는, 접지 도체(113)만을 이용하여 FET(111)를 접지 시킬 수 있지만, 고주파수에서는 인덕터 성분 A를 무시할 수 없으므로, FET(111)의 이득이 열화된다. 그 때문에, 선단 개방 스터브(114)를 이용하여 FET(l11)를 고주파적으로 접지시켜, FET(l11)의 이득 열화의 방지를 도모하고 있다. 또한, 그 때의 FET(111)의 불필요 발진을 억압하기 위해 저항(112)이 접속되어 있다.
다음으로, 제2의 종래예에 관하여 제23도를 이용하여 설명한다. 제23도는, 전자 정보 통신학회·신학기법 MW92-149「HEMT 직접냉각형 저잡음 증폭기」에 있는 저잡음 증폭기를 나타내는 도면이다. 도면 중, 120은 저잡음 증폭기, 121은 FET, 122는 인덕터이다. FET(121)의 소스 전극이 인덕터(122)를 통해 접지되어 있고, 이로 인해 FET(121)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와, 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음지수와 입력측의 반사 계수를 동시에 향상시킬 수 있다.
그런데, 상기 종래예는 어느 것이나 이하에 도시한 바와 같은 과제를 갖고 있었다. 우선, 제1의 종래예인 마이크로파 증폭기(110)는, FET(111)의 소스 전극에 접속된 저항(112)에 의해 불필요한 전력이 소비되어 버리므로, 출력 전력 특성이 나쁜 것이 문제였다. 또한, 제2의 종래예인 저잡음 증폭기(120)는 제24도에 도시한 바와 같이, FET(121)의 소스 전극에 접속된 인덕터(122)가 기생 용량 B를 갖기 때문에, 소정 주파수로 공진하여 버리므로, 동작이 불안정하게 되는 것이 문제였다.
본 발명은 이들 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성된 마이크로파 증폭기에 관한 것이다.
제1도는, 실시의 형태1에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제2도는, 실시의 형태1에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제3도는, 실시의 형태2에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제4도는, 실시의 형태2에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제5도는, 실시의 형태3에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제6도는, 실시의 형태3에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제7도는, 실시의 형태4에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제8도는, 실시의 형태4에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제9도는, 실시의 형태5에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제10도는, 실시의 형태5에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제11도는, 실시의 형태6에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제12도는, 실시의 형태6에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제13도는, 실시의 형태7에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제14도는, 실시의 형태7에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제15도는, 실시의 형태8에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제16도는, 실시의 형태8에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제17도는, 실시의 형태9에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제18도는, 실시의 형태9에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제19도는, 실시의 형태10에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제20도는, 실시의 형태10에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제21도는, 제1의 종래예에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도.
제22도는, 제1의 종래예에 의한 마이크로파 증폭기의 등가 회로도.
제23도는, 제2의 종래예에 의한 저잡음 증폭기를 도시하는 회로도.
제24도는, 제2의 종래예에 의한 저잡음 증폭기의 등가 회로도.
본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터와 저항이 병렬로 장하(裝荷)된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 제1의 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고, 안정화 회로는 제1의 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와 다른 주파수로 공진하는 제2의 인덕터와, 제2의 인덕터와 직렬로 접속된 저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 제1의 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고, 안정화 회로는 제2의 인덕터와 콘덴서가 병렬로 접속된 공진부와, 공진부와 직렬로 접속된 저항을 포함하고, 공진부는 제1의 인덕터가 기생 성분에 의해 공진하는 주파수와 다른 주파수로 공진하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 제1의 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고, 안정화 회로는 제2의 인덕터와 콘덴서가 직렬로 접속된 공진부와, 공진부와 직렬로 접속된 저항을 포함하고, 공진부는 제1의 인덕터가 기생 성분에 의해 공진하는 주파수와 다른 주파수로 공진하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고, 안정화 회로는 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수에서 1/2 파장이 되는 쇼트 스터브와, 쇼트 스터브와 직렬로 접속된 저항을 포함하는것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고, 안정화 회로는 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와 다른 주파수에서 1/4 파장이 되는 쇼트 스터브와, 쇼트 스터브와 직렬로 접속된 저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와, 소스 전극에 일단이 접속된 저항과, 저항의 타단에 접속되어 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수에서 1/2 파장이 되는 오픈 스터브를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와, 소스 전극에 일단이 접속된 저항과, 저항의 타단에 접속되어 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와 다른 주파수에서 1/4 파장이 되는 오프 스터브를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와, 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전극과 출력 단자 사이에 접속된 저항과, 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전극과 접지 사이에 접속된 바이어스 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 바이어스 회로는 직렬로 접속된 RF 쵸크 인덕터와 바이패스 콘덴서를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 마이크로파 증폭기는 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와, 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극과 입력 단자 사이에 접속된 저항과, 입력 단자와 접지 사이에 접속된 바이어스 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 바이어스 회로는 직렬로 접속된 RF 쵸크 인덕터와 바이패스 콘덴서를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 관하여 첨부 도면을 참조하면서 설명한다.
실시의 형태1.
제1도는, 실시의 형태1에 의한 마이크로파 증폭기를 도시하는 회로도이다. 도면 중, 참조 번호(10)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(11)는 FET, 참조 번호(12)는 FET(11)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터, 참조 번호(13)는 FET(11)의 소스 전극과 접지 사이에서 또는 인덕터(12)와 병렬로 장하된 저항이다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(11)에서 증폭되고, 드레인 전극에서 취출된다. FET(11)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(12)를 장하하고 있기 때문에, FET(11)의 잡음을 최소로 하는 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(12)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제2도에 도시한 바와 같이, 인덕터(12)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 그 때문에, 인덕터(12)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되어, 병렬공진 회로(14)가 구성된다. 그리고, 이 기생 성분 B에 의해서, 인덕터(12)는 주파수 fo에서 공진하여, 병렬공진 회로(14)가 오픈된다. 그러나, 인덕터(12)와 병렬로 저항(13)이 장하되어 있기 때문에, FET(11)의 소스 전극은 저항(13)을 통해서 접지시킬 수 있고, 주파수 fo 대역에서의 FET(11)의 불필요한 발진이 억제된다. 그 결과, 공진 주파수 fo에서의 마이크로파 증폭기(10)의 동작은 안정된다.
또, FET(11), 인덕터(12), 저항(13)은 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 또한, FET(11), 인덕터(12), 저항(13)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태2.
다음으로, 실시의 형태2에 의한 마이크로파 증폭기에 대하여 제3도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(20)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(21)는 FET, 참조 번호(22)는 FET(21)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터(제1의 인덕터), 참조 번호(23)는 FET(21)의 소스 전극과 접지 사이에서 또한 인덕터(22)와 병렬로 장하된 안정화 회로이다. 여기서, 안정화 회로(23)는 FET(21)의 소스 전극에 일단이 접속된 저항(24)과, 저항(24)의 타단과 직렬로 접속된 인덕터(제2의 인덕터)(25)를 포함하고 있다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(21)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(21)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(22)를 장하하고 있기 때문에, FET(21)의 잡음을 최소로 하는 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(22 및 25)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제4도에 도시한 바와 같이, 인덕터(22)는 기생 성분 B를, 인덕터(25)는 기생 성분 C를 각각 갖고 있다(B, C는 기생 용량이 다르다). 이 때문에, 인덕터(22 및 25)와 각각 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(22)와 기생 성분 B로, 주파수 fo에서 공진하는 병렬 공진 회로(26)가 구성된다. 또한, 인덕터(25)와 기생 성분 C로, 주파수 fo와 다른 주파수 fc(회로의 동작 주파수)에서 공진하는 병렬 공진 회로(27)가 구성된다.
따라서, 주파수 fc에서 마이크로파 증폭기(20)를 사용한 경우, 인덕터(22)는공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 한편, 인덕터(25)는 주파수 fc에서 공진하기 때문에, 인덕터(25)와 기생 성분 C로 이루어지는 병렬 공진 회로(27)는 오픈된다. 이 때문에, FET(21)의 소스 전극에는 인덕터(22)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fc에서는 인덕터(22)의 움직임에 의해, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우에는, 저항(24)에 전류가 흐르지 않기 때문에, 전력의 소비를 억제할 수 있으며, 출력 전력 특성이 향상된다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(20)를 사용한 경우, 인덕터(22)는 기생 성분 B에 의해서 공진하고, 인덕터(22)와 기생 성분 B로 이루어지는 병렬 공진 회로(26)가 오픈된다. 한편, 인덕터(25)는 주파수 fo에서는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 이 때문에, FET(21)의 소스 전극에는 저항(24)과 인덕터(25)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는, FET(21)의 소스 전극은 저항(24)을 통해서 접지시킬 수 있고, FET(21)의 불필요 발진이 억제된다. 따라서, 공진 주파수 fo에서의 마이크로파 증폭기(20)의 동작은 안정된다.
또, FET(21), 인덕터(22 및 25), 저항(24)은 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 또한, FET(21), 인덕터(22 및 25), 저항(24)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태3.
다음으로, 실시의 형태3에 의한 마이크로파 증폭기에 관하여 제5도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(30)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(31)는 FET, 참조 번호(32)는 FET(31)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터(제1의 인덕터), 참조 번호(33)는 FET(31)의 소스 전극과 접지 사이에서 또한 인덕터(32)와 병렬로 장하된 안정화 회로이다. 여기서, 안정화 회로(33)는 인덕터(제2의 인덕터)(34)와 콘덴서(35)가 병렬로 접속된 공진부(36)와, 공진부(36)와 직렬로 접속된 저항(37)을 포함하고 있다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(31)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(31)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(32)를 장하하고 있기 때문에, FET(31)의 잡음을 최소로 하는 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 인덕터(32 및 34)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제6도에 도시한 바와 같이, 인덕터(32 및 34)는 기생 성분 B를 각각 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(32 및 34)와 각각 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(32)와 기생 성분 B로, 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(38)가 구성된다. 또한, 인덕터(34)와 기생 성분 B와 콘덴서(35)로, 주파수 fo와 다른 주파수 fc(회로의 동작 주파수)로 공진하는 병렬공진 회로(39)가 구성된다.
따라서, 주파수 fc에서 마이크로파 증폭기(30)를 사용한 경우, 인덕터(32)는공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 한편, 인덕터(34)와 기생 성분B와 콘덴서(35)로 이루어지는 병렬공진 회로(39)는 주파수 fc에서 공진하여 오픈된다. 이 때문에, FET(31)의 소스 전극에는 인덕터(32)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fc에서는 인덕터(32)의 움직임에 의해서, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우에는 저항(37)에 전류가 흐르지 않기 때문에, 전력의 소비를 억제할 수 있어, 출력 전력 특성이 향상된다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(30)를 사용한 경우, 인덕터(32)는 기생 성분B에 의해서 공진하고, 인덕터(32)와 기생 성분B로 이루어지는 병렬공진 회로(38)는 오픈된다. 한편, 인덕터(34)는 주파수 fo에서는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 이 때문에, FET(31)의 소스 전극에는, 저항(37)과 공진부(36)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는 FET(31)의 소스 전극은 저항(37)을 통해서 접지시킬 수 있고, FET(31)의 불필요 발진이 억제된다. 따라서, 공진 주파수(fo)에서의 마이크로파 증폭기(30)의 동작은 안정된다.
또, 본 실시의 형태에서는 인덕터(34)와 병렬로 콘덴서(35)를 부가함으로써, 병렬공진 회로(39)의 공진 주파수가 fc가 되도록 조정되어있다. 따라서, 인덕터(34)는 인덕터(32)와 동일 기생 성분 B를 갖도록 제조할 수 있어, 제조 공정이 간단하게 된다.
또한, FET(31), 인덕터(32 및 34), 콘덴서(35), 저항(37)은 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 또한, FET(31), 인덕터(32 및 34), 콘덴서(35), 저항(37)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그것 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태4.
다음으로, 실시의 형태4에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제7도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(40)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(41)는 FET, 참조 번호(42)는 FET(41)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터(제1의 인덕터), 참조 번호(43)는 FET(41)의 소스 전극과 접지 사이에서 또한 인덕터(42)와 병렬로 장하된 안정화 회로이다. 여기서, 안정화 회로(43)는 인덕터( 제2의 인덕터)(44)와 콘덴서(45)가 직렬로 접속된 공진부(46)와, 공진부(46)와 직렬로 접속된 저항(47)을 포함하고 있다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(41)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(41)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(42)를 장하하고 있기 때문에, FET(41)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(42 및 44)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제8도에 도시한 바와 같이, 인덕터(42)는 기생 성분 B를, 인덕터(44)는 기생 성분 C를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(42 및 44)와 각각 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(42)와 기생 성분 B로, 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(48)가 구성된다. 또한, 인덕터(44)와 기생 성분 C와 콘덴서(45)로, 주파수 fo에서 공진하는 직렬공진 회로(49)가 구성된다.
따라서, 주파수 fo 이외의 주파수에서 마이크로파 증폭기(40)를 사용한 경우, 인덕터(42 및 44)는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 그 결과, 주파수 fo 이외의 주파수에 있어서는, 인덕터(42)의 움직임에 의해서, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(40)를 사용한 경우, 인덕터(42)는 기생 성분B에 의해서 공진하고, 인덕터(42)와 기생 성분B로 이루어지는 공진부(48)가 오픈된다. 한편, 인덕터(44)와 기생 성분 C와 콘덴서(45)로 이루어지는 직렬 공진회로(49)는 주파수 fo에서 공진하여 쇼트된다. 이 때문에, FET(41)의 소스 전극에는 저항(47)만이 접속시키고 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는 FET(41)의 소스 전극은 저항(47)을 통해 접지시킬 수 있어, FET(41)의 불필요 발진이 억제된다. 따라서, 공진 주파수 fo에서의 마이크로파 증폭기(40)의 동작은 안정된다.
또, FET(41), 인덕터(42 및 44), 콘덴서(45), 저항(47)은 한 장의 반도체 기판 상에 형성되고 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 흔히, FET(41), 인덕터(42 및 44), 콘덴서(45), 저항(47)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그것 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태5.
다음으로, 실시의 형태5에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제9도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(50)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(51)는 FET, 참조 번호(52)는 FET(51)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터, 참조 번호(53)는 FET(51)의 소스 전극과 접지 사이에서 또한 인덕터(52)와 병렬로 장하된 안정화 회로이다. 여기서, 안정화 회로(53)는 FET(51)의 소스 전극에 일단이 접속된 저항(54)과, 저항(54)의 타단에 직렬로 접속된 쇼트 스터브(55)를 포함하고 있다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(51)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(51)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(52)를 장하하고 있기 때문에, FET(51)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(52)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제10도에 도시한 바와 같이, 인덕터(52)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(52)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(52)와 기생 성분 B로 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(56)가 구성된다. 한편, 쇼트 스터브(55)는 주파수 fo에서 1/2 파장이 되도록 조정되어 있다. 이 때문에, 쇼트스터브(55)는 주파수 fo에서 쇼트된다.
따라서, 주파수 fc(회로의 동작 주파수)에서 마이크로파 증폭기(50)를 사용한 경우, 인덕터(52)는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 그리고, 주파수 fc에서는 인덕터(52)의 움직임에 의해서, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우에는, 쇼트 스터브(55)는 고 임피던스가 되기 때문에, 저항(54)에 의한 전력의 소비를 억제할 수 있고, 출력 전력 특성이 향상된다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(50)를 사용한 경우, 인덕터(52)는 기생 성분 B에 의해서 공진하고, 인덕터(52)와 기생 성분 B로 이루어지는 병렬공진 회로(56)가 오픈된다. 한편, 쇼트 스터브(55)는 주파수 fo에서 쇼트되기 때문에, FET(51)의 소스 전극에는 저항(54)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는 FET(51)의 소스 전극은 저항(54)을 통해서 접지시킬 수 있어, FET(51)의 불필요 발진이 억제된다. 따라서, 공진 주파수 fo에서의 마이크로파 증폭기(50)의 동작은 안정된다.
또, FET(51), 인덕터(52), 저항(54), 쇼트 스터브(55)는 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 흔히, FET(51), 인덕터(52), 저항(54), 쇼트 스터브(55)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그것 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태6.
다음으로, 실시의 형태6에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제11도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(60)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(61)는 FET, 참조 번호(62)는 FET(61)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터, 참조 번호(63)는 FET(61)의 소스 전극과 접지 사이에서 또한 인덕터(62)와 병렬로 장하된 안정화 회로이다. 여기서, 안정화 회로(63)는 FET(61)의 소스 전극에 일단이 접속된 저항(64)과, 저항(64)의 타단에 직렬로 접속된 쇼트 스터브(65)를 포함하고 있다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(61)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(61)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(62)를 장하하고 있기 때문에, FET(61)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(62)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제12도에 도시한 바와 같이, 인덕터(62)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(62)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(62)와 기생 성분 B로 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(66)가 구성된다. 한편, 쇼트 스터브(65)는 주파수 fc(회로의 동작 주파수)에서 1/4 파장이 되도록 조정되어 있다. 이 때문에, 쇼트 스터브(65)는 주파수 fc에서 오픈된다.
따라서, 주파수 fc에서 마이크로파 증폭기(60)를 사용한 경우, 인덕터(62)는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 그리고, 주파수 fc에서는 인덕터(62)의 움직임에 의해서, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우에는, 쇼트 스터브(65)는 오픈되기 때문에, 저항(64)에 전류가 흐르는 일은 없다. 그 결과, 전력의 소비를 억제할 수 있고, 출력 전력 특성이 향상한다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(60)를 사용한 경우, 인덕터(62)는 기생 성분 B에 의해서 공진하고, 인덕터(62)와 기생 성분 B로 이루어지는 병렬공진 회로(66)가 오픈된다. 이 때문에, FET(61)의 소스 전극에는 저항(64)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는 FET(61)의 소스 전극은 저항(64)을 통해 접지시킬 수 있어, FET(61)의 불필요 발진이 억제된다. 따라서, 공진 주파수 fo에서의 마이크로파 증폭기(60)의 동작은 안정된다.
또, FET(61), 인덕터(62), 저항(64), 쇼트 스터브(65)는 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 또한, FET(61), 인덕터(62), 저항(64), 쇼트 스터브(65)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그것 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태7.
다음으로, 실시의 형태7에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제13도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(70)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(71)는 FET, 참조 번호(72)는 FET(71)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된인덕터, 참조 번호(73)는 FET(71)의 소스 전극에 일단이 접속된 저항, 참조 번호(74)는 저항(73)의 타단에 직렬로 접속된 오픈 스터브이다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(71)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(71)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(72)를 장하하고 있기 때문에, FET(71)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(72)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제14도에 도시한 바와 같이, 인덕터(72)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(72)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(72)와 기생 성분 B로 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(75)가 구성된다. 한편, 오픈 스터브(74)는 주파수 fc(회로의 동작 주파수)에서 1/2 파장이 되도록 조정되어 있다. 이 때문에, 오픈 스터브(74)는 주파수 fc에서 오픈된다.
따라서, 주파수 fc에서 마이크로파 증폭기(70)를 사용한 경우, 인덕터(72)는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 그리고, 주파수 fc에서는 인덕터(72)의 움직임에 의해서, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우에는, 오픈 스터브(74)는 오픈되기 때문에 저항(73)에 전류가 흐르는 일은 없다. 그 결과, 전력의 소비를 억제할 수 있고, 출력 전력 특성이 향상된다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(70)를 사용한 경우, 인덕터(72)는 기생 성분 B에 의해서 공진하고, 인덕터(72)와 기생 성분 B로 이루어지는 병렬공진 회로(75)가 오픈된다. 이 때문에, FET(71)의 소스 전극에는 저항(74)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는 FET(71)의 소스 전극은 저항(74)을 통해 접지시킬 수 있어, 공진 주파수 fo 에서의 마이크로파 증폭기(70)의 동작은 안정된다.
또, FET(71), 인덕터(72), 저항(73), 오픈 스터브(74)는 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 또한, FET(71), 인덕터(72), 저항(73), 오픈 스터브(74)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그것 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되고 있어도 좋다.
실시의 형태8.
다음으로, 실시의 형태8에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제15도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(80)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(81)는 FET, 참조 번호(82)는 FET(81)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터, 참조 번호(83)는 FET(81)의 소스 전극에 일단이 접속된 저항, 참조 번호(84)는 저항(83)의 타단에 직렬로 접속된 오픈 스터브이다.
다음으로, 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(81)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(81)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(82)를 장하하고 있기 때문에, FET(81)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(82)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제16도에 도시한 바와 같이, 인덕터(82)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(82)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(82)와 기생 성분 B로 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(85)가 구성된다. 한편, 오픈 스터브(84)는 주파수 fo에서 1/4 파장이 되도록 조정되어 있다. 이 때문에, 오픈 스터브(84)는 주파수 fo에서 쇼트된다.
따라서, 주파수 fc(회로의 동작 주파수)에서 마이크로파 증폭기(80)를 사용한 경우, 인덕터(82)는 공진하지 않고 정상적으로 동작한다. 그리고, 주파수 fc에서는 인덕터(82)의 동작에 의해서, 잡음 정합 임피던스와 반사 정합 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 이 경우에는, 오픈 스터브(84)는 고 임피던스가 되기 때문에, 저항(54)에 의한 전력의 소비를 억제할 수 있고, 출력 전력 특성이 향상된다.
다음으로, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(80)를 사용한 경우, 인덕터(82)는 기생 성분 B에 의해서 공진하고, 인덕터(82)와 기생 성분 B로 이루어지는 병렬공진 회로(85)가 오픈된다. 한편, 오픈 스터브(84)는 주파수 fo에서 쇼트되기 때문에, FET(81)의 소스 전극에는 저항(83)만이 접속되어 있는 것과 등가가 된다.
그 결과, 주파수 fo에서는 FET(81)의 소스 전극은 저항(83)을 통해 접지시킬 수 있어, FET(81)의 불필요 발진이 억제된다. 따라서, 공진 주파수 fo에서의 마이크로파 증폭기(80)의 동작은 안정된다.
또, FET(81), 인덕터(82), 저항(83), 오픈 스터브(84)는 한 장의 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋고, 각각 별개의 반도체 칩 상에 형성되어 있어도 좋다. 또한, FET(81), 인덕터(82), 저항(83), 오픈 스터브(84)의 일부 소자가 반도체 칩 상에 형성되고, 그것 이외의 소자가 반도체 기판 상에 형성되어 있어도 좋다.
실시의 형태9.
다음으로, 실시의 형태9에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제17도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(90)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(91)는 FET, 참조 번호(92)는 FET(91)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터, 참조 번호(93)는 FET(91)의 드레인 전극과 출력 단자 사이에 접속된 저항, 참조 번호(94)는 FET(91)의 드레인 전극과 접지 사이에 접속된 바이어스 회로이다. 여기서, 바이어스 회로(94)는 FET(91)의 드레인 전극에 일단이 접속된 RF 쵸크 인덕터(95)와, RF 쵸크 인덕터(95)에 일단이 접속됨과 동시에 타단이 접지된 바이패스 콘덴서(96)와, RF 쵸크 인덕터(95)와 바이패스 콘덴서(96) 사이에 접속된 바이어스 단자(97)를 포함하고 있다.
다음으로 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(91)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(91)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(92)를 장하하고 있기 때문에, FET(91)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(92)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제18도에 도시한 바와 같이, 인덕터(92)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(92)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(92)와 기생 성분 B로, 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(98)가 구성된다.
따라서, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(90)를 사용한 경우, 인덕터(92)는 기생 성분 B에 의해서 공진하고, 인덕터(92)와 기생 성분 B로 이루어지는 병렬공진 회로(98)가 오픈된다. 그러나, FET(91)의 드레인 전극에는 저항(93)이 직렬로 접속되고, 또한 바이어스 회로(94)로부터 FET(91)의 드레인 전극에 바이어스 전압이 인가되기 때문에, 병렬공진 회로(98)가 오픈되어도, 마이크로파 증폭기(90)의 동작이 안정된다. 또한, FET(91)의 소스 전극에는 저항이 접속되어 있지 않기 때문에, 소스 전극에 접속된 저항에 근거하는 잡음의 발생을 억제할 수 있다.
또한, FET(91)의 드레인 전극에 저항(93)을 직렬 접속하고 있기 때문에, 주파수의 선택없이 전체 주파수 대역에서, 마이크로파 증폭기(90)의 동작이 안정된다. 따라서, 마이크로파 증폭기(90)는 잡음 특성을 거의 열화시키지 않고 안정된 동작이 얻어지는 저잡음 증폭기가 된다.
실시의 형태10
다음으로, 실시의 형태10에 의한 마이크로파 증폭기에 관해서 제19도를 이용하여 설명한다. 도면 중, 참조 번호(100)는 소스 접지형의 마이크로파 증폭기, 참조 번호(101)는 FET, 참조 번호(102)는 FET(101)의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터, 참조 번호(103)는 FET(l01)의 게이트 전극과 입력 단자 사이에 접속된저항, 참조 번호(104)는 입력 단자와 접지 사이에 접속된 바이어스 회로이다. 여기서, 바이어스 회로(104)는 입력 단자에 일단이 접속된 RF 쵸크 인덕터(105)와, RF 쵸크 인덕터(105)에 일단이 접속됨과 동시에 타단이 접지된 바이패스 콘덴서(106)와, RF 쵸크 인덕터(105)와 바이패스 콘덴서(106) 사이에 접속된 바이어스 단자(107)이다.
다음으로 동작에 관해서 설명한다. 소스 전극에 가해진 신호는 FET(101)에서 증폭되고, 드레인 전극으로부터 취출된다. FET(101)의 소스 전극과 접지 사이에 인덕터(102)를 장하하고 있기 때문에, FET(101)의 잡음을 최소로 하는 입력 임피던스와 반사를 최소로 하는 임피던스를 접근시킬 수 있어, 잡음 특성과 반사 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(102)는 반도체 칩 혹은 반도체 기판 상에 형성되어 있기 때문에, 제18도에 도시한 바와 같이, 인덕터(102)는 기생 성분 B를 갖고 있다. 이 때문에, 인덕터(102)와 병렬로 캐패시터가 접속된 상태가 되고, 인덕터(102)와 기생 성분 B로 주파수 fo에서 공진하는 병렬공진 회로(108)가 구성된다.
따라서, 주파수 fo에서 마이크로파 증폭기(100)를 사용한 경우, 인덕터(102)는 기생 성분B에 의해서 공진하고, 인덕터(102)와 기생 성분B로 이루어지는 병렬공진 회로(108)가 오픈된다. 그러나, FET(101)의 게이트 전극에는 저항(103)이 직렬로 접속되고, 또한 바이어스 회로(104)로부터 바이어스 전압이 인가되기 때문에, 병렬공진 회로(108)가 오픈되어도, 마이크로파 증폭기(100)의 동작이 안정된다. 또한, FET(101)의 소스 전극에는 저항이 접속되어 있지 않기 때문에, 소스 전극에접속된 저항에 근거하는 잡음의 발생을 억제할 수 있다.
또한, FET(101)의 드레인 전극에 저항(103)을 직렬 접속하고 있기 때문에, 주파수의 선택없이 전체 주파수 대역에서, 마이크로파 증폭기(100)의 동작이 안정된다. 따라서, 마이크로파 증폭기(100)는 출력 전력 특성을 거의 열화시키지 않고 안정된 동작이 얻어지는 고 출력 증폭기가 된다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 마이크로파 증폭기는, 예를 들면, 통신 장치의 고정국 혹은 휴대 단말용의 마이크로파 증폭기로서 유용하며, 특히, 저잡음으로 안정성이 요구되는 수신용 증폭기에 적합하다.

Claims (12)

  1. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터와 저항을 병렬로 장하(loading)한 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  2. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 제1의 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고,
    상기 안정화 회로는, 상기 제1의 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와는 다른 주파수에서 공진하는 제2의 인덕터와, 상기 제2의 인덕터와 직렬로 접속된 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  3. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 제1의 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고,
    상기 안정화 회로는 제2의 인덕터와 콘덴서가 병렬로 접속된 공진부와, 상기 공진부와 직렬로 접속된 저항을 포함하고,
    상기 공진부는 상기 제1의 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와 다른 주파수에서 공진하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  4. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 제1의 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고,
    상기 안정화 회로는 제2의 인덕터와 콘덴서가 직렬로 접속된 공진부와, 상기 공진부와 직렬로 접속된 저항을 포함하고,
    상기 공진부는 상기 제1의 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와 다른 주파수에서 공진하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  5. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고,
    상기 안정화 회로는 상기 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수에서 1/2 파장이 되는 쇼트 스터브와, 상기 쇼트 스터브와 직렬로 접속된 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  6. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에, 인덕터와 안정화 회로를 병렬로 장하하고,
    상기 안정화 회로는 상기 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와다른 주파수에서 1/4 파장이 되는 쇼트 스터브와, 상기 쇼트 스터브와 직렬로 접속된 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  7. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성하는 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와,
    상기 소스 전극에 일단이 접속된 저항과,
    상기 저항의 타단에 접속되어, 상기 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수에서 1/2 파장이 되는 오픈 스터브를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  8. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와,
    상기 소스 전극에 일단이 접속된 저항과,
    상기 저항의 타단에 접속되어, 상기 인덕터가 기생 성분에 의해서 공진하는 주파수와 다른 주파수에서 1/4 파장이 되는 오픈 스터브를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  9. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전극과 출력 단자 사이에 접속된 저항과,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전극과 접지 사이에 접속된 바이어스 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 바이어스 회로는 직렬로 접속된 RF 쵸크 인덕터와 바이패스 콘덴서를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  11. 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 구성한 마이크로파 증폭기에 있어서,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 접지 사이에 장하된 인덕터와,
    상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극과 입력 단자 사이에 접속된 저항과,
    상기 입력 단자와 접지 사이에 접속된 바이어스 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 바이어스 회로는 직렬로 접속된 RF 쵸크 인덕터와 바이패스 콘덴서를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 증폭기.
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