JPS5890810A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
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- JPS5890810A JPS5890810A JP56189573A JP18957381A JPS5890810A JP S5890810 A JPS5890810 A JP S5890810A JP 56189573 A JP56189573 A JP 56189573A JP 18957381 A JP18957381 A JP 18957381A JP S5890810 A JPS5890810 A JP S5890810A
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- strip line
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- microstrip line
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波回路装置、詳しくは能動素子の自己
バイアス回路に適したマイクロ波回路装置に関する。
バイアス回路に適したマイクロ波回路装置に関する。
バイアス回路には一般に知られているように、自己バイ
アス回路と固定バイアス回路の２通りがあり、使用目的
に応じて適宜用いられている。
アス回路と固定バイアス回路の２通りがあり、使用目的
に応じて適宜用いられている。
例えばマイクロ波増幅器の如きマイクロ波回路装置を従
来の自己バイアス回路で構成すると、高周波的に接地さ
れるべき能動素子の電極の接地効果が低下し、マイクロ
波装置として充分な電気性能が得られず、一方、固定バ
イアス回路で構成すると、性能の向上は認められるも、
マイクロ波回路装置に供給する電源として正と負の２種
類の電源が必要となり、その結果マイクロ波回路装置が
複雑とな抄、ひいてはコストを上げる要因となろうこの
ため構成の簡単な自己バイアス回路に使用しても充分な
電気性能の得られるマイクロ波回路装置が望まれていた
。
来の自己バイアス回路で構成すると、高周波的に接地さ
れるべき能動素子の電極の接地効果が低下し、マイクロ
波装置として充分な電気性能が得られず、一方、固定バ
イアス回路で構成すると、性能の向上は認められるも、
マイクロ波回路装置に供給する電源として正と負の２種
類の電源が必要となり、その結果マイクロ波回路装置が
複雑とな抄、ひいてはコストを上げる要因となろうこの
ため構成の簡単な自己バイアス回路に使用しても充分な
電気性能の得られるマイクロ波回路装置が望まれていた
。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものでその目的とす
るところはマイクロ波帯で使用しで充分な電気性能の得
られる自己バイアス回路に適したマイクロ波回路装置を
提供することにある。
るところはマイクロ波帯で使用しで充分な電気性能の得
られる自己バイアス回路に適したマイクロ波回路装置を
提供することにある。
一般にマイクロ波増幅器の如きマイクロ波回路装置を構
成する場合、能動素子に高周波特性のすぐれ九〇ａＡｓ
電界効果型トランジスタ（以下単にＦｇＴと称する）を
使用して、セラミック等の誘電体基板に他の回路素子と
ともに配設して構成している。
成する場合、能動素子に高周波特性のすぐれ九〇ａＡｓ
電界効果型トランジスタ（以下単にＦｇＴと称する）を
使用して、セラミック等の誘電体基板に他の回路素子と
ともに配設して構成している。
従来この種のマイクロ波回路装置の例としては第１図乃
至第４図で説明するようなものがあげられる。第１図は
ＰＢＴに従来の自己バイアスをかけたマイクロ波回路装
置の回路を示し、（１）、（２）、（８）および（４）
はインピーダンス整合用あるいは伝送路用のマイクロス
トリップライン、（６）及び（７）はインピーダンス整
合用あるいは直流阻止用のコンデンサ、（８）は１１″
ｇ Ｔ （５）のソース電極（８）を高周波的に接地側
のマイクロストリップライン（２）に接続するバイパス
コンデンサ、（９）はＦ Ｅ Ｔ （５）の動作に必要
なバイアス電圧を作るバイアス抵抗、αＱは前Ｈピバイ
アス電圧をＦｈｉＴ（５）のゲート電極（Ｑに加えるゲ
ート抵抗、ａルは電源（Ｂ１）をＦ Ｅ Ｔ （５）の
ドレイン電極（Ｑ４Ｃ供給するドレイン抵抗、υは高周
波的に接地となると同時に電源（Ｂθに対しても接地と
なるマイクロストリップラインでこれ等はいずれも第２
図に示すように誘電体基板に適宜印刷等の手段によって
形成されている。（５）は能動素子のＦＨＴで、（ＩＮ
）、（ＯＵＴ ）はそれぞれマイク−ｍ回路装置の入力
と出力の端子である。
至第４図で説明するようなものがあげられる。第１図は
ＰＢＴに従来の自己バイアスをかけたマイクロ波回路装
置の回路を示し、（１）、（２）、（８）および（４）
はインピーダンス整合用あるいは伝送路用のマイクロス
トリップライン、（６）及び（７）はインピーダンス整
合用あるいは直流阻止用のコンデンサ、（８）は１１″
ｇ Ｔ （５）のソース電極（８）を高周波的に接地側
のマイクロストリップライン（２）に接続するバイパス
コンデンサ、（９）はＦ Ｅ Ｔ （５）の動作に必要
なバイアス電圧を作るバイアス抵抗、αＱは前Ｈピバイ
アス電圧をＦｈｉＴ（５）のゲート電極（Ｑに加えるゲ
ート抵抗、ａルは電源（Ｂ１）をＦ Ｅ Ｔ （５）の
ドレイン電極（Ｑ４Ｃ供給するドレイン抵抗、υは高周
波的に接地となると同時に電源（Ｂθに対しても接地と
なるマイクロストリップラインでこれ等はいずれも第２
図に示すように誘電体基板に適宜印刷等の手段によって
形成されている。（５）は能動素子のＦＨＴで、（ＩＮ
）、（ＯＵＴ ）はそれぞれマイク−ｍ回路装置の入力
と出力の端子である。
第１図の従来例に示されるマイクロ波回路装置のＦ ｋ
Ｔ （５）のソース電極（８）はコンデンサ（８）に
よってマイクロストリップラインυに高周波的に接地さ
れているが、その径路は第２図に示すようにコンデンサ
（８）を形成する電極（８Ｂ）→電極（８人）→誘電体
（８Ｃ）→電極（８Ｄ）を径で、さらにスルーホール（
至）を径たうえでマイクロストリップラインａ４に接続
されている。このためソース電極（８１からマイクロス
トリップライン（２）までの距離が長く、電極（８Ｂ）
、（８人）及び（８Ｄ）による高周波的な損失が増大し
、さらにコンデンサ（８）はＦ ｇ Ｔ （５）及びそ
の他の回路素子と共に誘電体基板＠の表面に配設される
ため大きな面積を占有することはできないので誘電体（
８Ｃ）の誘電体損失も増加する。つま９、ＦｇＴ（５）
のソース電極（Ｓ）の接地状態は等制約に第３図に示す
如く、インダクタンス（８つと抵抗（８つが介在する。
Ｔ （５）のソース電極（８）はコンデンサ（８）に
よってマイクロストリップラインυに高周波的に接地さ
れているが、その径路は第２図に示すようにコンデンサ
（８）を形成する電極（８Ｂ）→電極（８人）→誘電体
（８Ｃ）→電極（８Ｄ）を径で、さらにスルーホール（
至）を径たうえでマイクロストリップラインａ４に接続
されている。このためソース電極（８１からマイクロス
トリップライン（２）までの距離が長く、電極（８Ｂ）
、（８人）及び（８Ｄ）による高周波的な損失が増大し
、さらにコンデンサ（８）はＦ ｇ Ｔ （５）及びそ
の他の回路素子と共に誘電体基板＠の表面に配設される
ため大きな面積を占有することはできないので誘電体（
８Ｃ）の誘電体損失も増加する。つま９、ＦｇＴ（５）
のソース電極（Ｓ）の接地状態は等制約に第３図に示す
如く、インダクタンス（８つと抵抗（８つが介在する。
その結果ソース電極（８）を介して？ ＥＴ （５）の
出力の１部が入力に帰還され、上記マイクロ波回路装置
がマイクロ波増幅器である場合充分な利得が得られず、
又増幅器としての動作の安定度が低下して高周波寄生発
振が生じやすいという欠点がめった。
出力の１部が入力に帰還され、上記マイクロ波回路装置
がマイクロ波増幅器である場合充分な利得が得られず、
又増幅器としての動作の安定度が低下して高周波寄生発
振が生じやすいという欠点がめった。
また第４図は前記欠点を解消するため現在マイクロ波回
路装置に広く利用されている固定バイアス回路であり、
第１図と同一部品に対しては同じ番号で対応している。
路装置に広く利用されている固定バイアス回路であり、
第１図と同一部品に対しては同じ番号で対応している。
第４図で点線で囲まれた回路部α→はＦＩＴ（５）のゲ
ート電極０に必要な負のバイアス電源（Ｂりを単一の正
電源（Ｂθから得る回路であり、無安定マルチバイブレ
ータα０と整流及び平滑回路α力からなりている。また
別の点線で囲まれた回路部α３はＦＥＴ（５）のパイブ
スを安定化する回路であり、仁の回路部α葎を通してＦ
ＨＴ （５）のゲート電極（ｑとドレイン電極０））
に必要な電圧を供給している。さらにＦ Ｂ Ｔ （５
）のソース電極（８）は接地側のマイクロストリップラ
インυに直接接続されてマイクロ波回路装置が構成され
ている。第４図の構成も、誘電体基板に配設されること
は第１図の場合と同様である。
ート電極０に必要な負のバイアス電源（Ｂりを単一の正
電源（Ｂθから得る回路であり、無安定マルチバイブレ
ータα０と整流及び平滑回路α力からなりている。また
別の点線で囲まれた回路部α３はＦＥＴ（５）のパイブ
スを安定化する回路であり、仁の回路部α葎を通してＦ
ＨＴ （５）のゲート電極（ｑとドレイン電極０））
に必要な電圧を供給している。さらにＦ Ｂ Ｔ （５
）のソース電極（８）は接地側のマイクロストリップラ
インυに直接接続されてマイクロ波回路装置が構成され
ている。第４図の構成も、誘電体基板に配設されること
は第１図の場合と同様である。
ところで衛星通信用に使用されるマイクロ波回路装置は
屋外ユニットとして屋外に於いて使用されるために電源
供給の複雑性から屋外ユニットに対して単一の正電源の
みを送り、ユニット内で負電源を作る第４図の方式が一
般に用いられている。
屋外ユニットとして屋外に於いて使用されるために電源
供給の複雑性から屋外ユニットに対して単一の正電源の
みを送り、ユニット内で負電源を作る第４図の方式が一
般に用いられている。
第４図の実施例ではソース電極［８）の高周波的接地効
果はすぐれているが回路部α葎とα虐により装置全体が
複雑になる。このためマイクロ波回路装置の小形化が望
めず、部品点数が増えて信頼性の低下や、組立作業性の
低下、また部品費のアップ、装置の消費電力の増加によ
る維持費も多くかかるなどの多くの欠点を有している。
果はすぐれているが回路部α葎とα虐により装置全体が
複雑になる。このためマイクロ波回路装置の小形化が望
めず、部品点数が増えて信頼性の低下や、組立作業性の
低下、また部品費のアップ、装置の消費電力の増加によ
る維持費も多くかかるなどの多くの欠点を有している。
本発明はかかる従来の多くの欠点を解消するためになさ
れたもので直流的には従来と同じ自己バイアス回路を構
成したとき能動素子の高周波的に接地される電極の接地
効果のすぐれたマイクロ波回路装置を提供するものであ
り、以下マイク胃液増幅器に適用した実施例を図面によ
りて説明する。
れたもので直流的には従来と同じ自己バイアス回路を構
成したとき能動素子の高周波的に接地される電極の接地
効果のすぐれたマイクロ波回路装置を提供するものであ
り、以下マイク胃液増幅器に適用した実施例を図面によ
りて説明する。
第５図線本発明を用いて誘電体基板上にマイクロ波増幅
器を構成した場合の回路を示し、第１図と同一部品に対
しては同一番号で対応している。
器を構成した場合の回路を示し、第１図と同一部品に対
しては同一番号で対応している。
第５図で（１）、（２）、（８）及び（４）はインピー
ダンス整合用あるいは伝送路用のマイクロストリップラ
イン、（６）、（ηはインピーダンス整合用あるいは直
流阻止用のコンデンサで第１図乃至第４図と同様のもの
である。ａｅ％（２）及び■は高周波的に接地のマイク
ロストリップラインで増幅器が所定の特性で働くように
その形状等が決められたうえ適宜印刷等により誘電体基
板上に配設されており、このうち（２）及び瞬は直流的
にも接地されている。マイク曹ストリップライン（至）
はＦｆｌＴ（５）のソース電極６９）に直接接続される
とともに、直流阻止コンデンサ（２）と（イ）によって
それぞれ前記マイクロストリップライン（至）と（１）
に接続されている。（９）及びＱＯは第１図と同じ（Ｆ
ｈｉ １’（５）のゲート電極（Ｇｌにバイアスをか
けるためのバイアス抵抗、α力は電源（Ｂ、）をＰＥＴ
（５）のドレイン電極（ロ）に供給する抵抗、また（至
）は前記電源（Ｂ１）のバイパスコンデンサヲ示ス。
ダンス整合用あるいは伝送路用のマイクロストリップラ
イン、（６）、（ηはインピーダンス整合用あるいは直
流阻止用のコンデンサで第１図乃至第４図と同様のもの
である。ａｅ％（２）及び■は高周波的に接地のマイク
ロストリップラインで増幅器が所定の特性で働くように
その形状等が決められたうえ適宜印刷等により誘電体基
板上に配設されており、このうち（２）及び瞬は直流的
にも接地されている。マイク曹ストリップライン（至）
はＦｆｌＴ（５）のソース電極６９）に直接接続される
とともに、直流阻止コンデンサ（２）と（イ）によって
それぞれ前記マイクロストリップライン（至）と（１）
に接続されている。（９）及びＱＯは第１図と同じ（Ｆ
ｈｉ １’（５）のゲート電極（Ｇｌにバイアスをか
けるためのバイアス抵抗、α力は電源（Ｂ、）をＰＥＴ
（５）のドレイン電極（ロ）に供給する抵抗、また（至
）は前記電源（Ｂ１）のバイパスコンデンサヲ示ス。
第６図は第５図の回路をセラミック等の誘電体基板上に
構成したときの基板表面のパターン図、第７図は第６図
のＢ −Ｂ／線断面図、第８図は第６図に対応する裏面
のパターン図である。第６図乃至第８図で額はマイクロ
波回路装置を構成する誘電体基板、（２５Ａ）及び（２
５Ｂ）はｌ’ｇＴ（５）のソース電極（Ｓ）を接続する
ための電極である。電極（２５Ａ）、（２５Ｂ）は前記
基板＠の表裏面を導通する値数個のスｋ −ホー Ａ、
（至）によって前記基板＠の＆面に設ケられたマイクロ
ストリップラインσ９に接続されている。誘電体基板＠
の裏面にはスルーボールに）に接続されたマイクロスト
リップラインＱ９の他にコンデンサ（ハ）と（２）及び
それ等によって前記マイクロストリップラインａ優とそ
れぞれ接続された他のマイクロストリップライン（至）
及び（７）がある。また、マイクロストリップラインＱ
１と（７）を接続している接続−例は第６図、第８図に
示す両端部（１８つ と（２０りにおいて前記誘電体基
板＠の端面を利用して裏面に設けられたマイクロストリ
ップライン曲と（至）にそれぞれ接続されている。
構成したときの基板表面のパターン図、第７図は第６図
のＢ −Ｂ／線断面図、第８図は第６図に対応する裏面
のパターン図である。第６図乃至第８図で額はマイクロ
波回路装置を構成する誘電体基板、（２５Ａ）及び（２
５Ｂ）はｌ’ｇＴ（５）のソース電極（Ｓ）を接続する
ための電極である。電極（２５Ａ）、（２５Ｂ）は前記
基板＠の表裏面を導通する値数個のスｋ −ホー Ａ、
（至）によって前記基板＠の＆面に設ケられたマイクロ
ストリップラインσ９に接続されている。誘電体基板＠
の裏面にはスルーボールに）に接続されたマイクロスト
リップラインＱ９の他にコンデンサ（ハ）と（２）及び
それ等によって前記マイクロストリップラインａ優とそ
れぞれ接続された他のマイクロストリップライン（至）
及び（７）がある。また、マイクロストリップラインＱ
１と（７）を接続している接続−例は第６図、第８図に
示す両端部（１８つ と（２０りにおいて前記誘電体基
板＠の端面を利用して裏面に設けられたマイクロストリ
ップライン曲と（至）にそれぞれ接続されている。
本発明の以上の実施例においてはｉ” ｇ Ｔ （５）
のソース電極（８）は直流的にバイアス抵抗（９）によ
って接地されてお抄、さらにゲート電極Ｉもゲート抵抗
α０によって接地されているため、ゲート電極０はバイ
アス抵抗（９）による電圧降下分だけソース電極（Ｓ）
に対して負の電圧に保たれ、ＮチャンネルＧａＡｓＦｇ
Ｔの動作に必要なバイアス電圧を与えることができ一般
の自己バイアス回路と同じである１しかるに高周波的観
点からすると、ＦＢＴ（５）のソース電極（Ｓ）はスル
ーホール（至）のみでマイクロストリップライン（至）
に直結されているのでソース電極（８）とマイクロスト
リップラインＱ９間の距離は最短にでき、高周波的損失
も極端に小さく押えることができる。またコンデンサ９
ｖと＠は誘電体基板＠の裏面に設けているのでその面積
を大きくすることができ、それによって誘電体損失も小
さく押えることが可能となる。その結果第３図に示され
たような抵抗（８つ、インダクタンス（８りの存在も無
視でき、帰還等による利得の低下や安定度の低下がなく
なる。さらに実施例は自己バイアス回路で構成している
から第４図の加金バイアスのだめの特別の電源用回路部
α罎及びＱφを設ける必要がない。
のソース電極（８）は直流的にバイアス抵抗（９）によ
って接地されてお抄、さらにゲート電極Ｉもゲート抵抗
α０によって接地されているため、ゲート電極０はバイ
アス抵抗（９）による電圧降下分だけソース電極（Ｓ）
に対して負の電圧に保たれ、ＮチャンネルＧａＡｓＦｇ
Ｔの動作に必要なバイアス電圧を与えることができ一般
の自己バイアス回路と同じである１しかるに高周波的観
点からすると、ＦＢＴ（５）のソース電極（Ｓ）はスル
ーホール（至）のみでマイクロストリップライン（至）
に直結されているのでソース電極（８）とマイクロスト
リップラインＱ９間の距離は最短にでき、高周波的損失
も極端に小さく押えることができる。またコンデンサ９
ｖと＠は誘電体基板＠の裏面に設けているのでその面積
を大きくすることができ、それによって誘電体損失も小
さく押えることが可能となる。その結果第３図に示され
たような抵抗（８つ、インダクタンス（８りの存在も無
視でき、帰還等による利得の低下や安定度の低下がなく
なる。さらに実施例は自己バイアス回路で構成している
から第４図の加金バイアスのだめの特別の電源用回路部
α罎及びＱφを設ける必要がない。
第９図は本発明を適用した他の実施例で、約４０）ｌｚ
帯までのマイクロ波回路装置をバイポーラトランジスタ
（５つを用いて構成したものの回路図である。第９図に
おけるバイアスはトランジスタ（５りのエミッタ電極（
８に接続された抵抗（９）と、電源（Ｂ１）と接地との
間に挿入された抵抗（２）と（至）によって与えられ、
辷れ等はいずれも第６図〜第８図と同様に誘電体基板＠
の表面に設け、一方マイクロストリップライン（至）、
ｌＪ９及びに）はコンデンサｅυ、＠とともに誘電体基
板＠の裏面に設けることがで色る。抵抗に）はバイアス
をベース電極（ト））に与、えるものである。６１はバ
イパス用・のコンデンサである。その他の回路素子は第
６図と同じであり、この実施例においても第５図の実施
例と同じ効果が得られることは勿論である。
帯までのマイクロ波回路装置をバイポーラトランジスタ
（５つを用いて構成したものの回路図である。第９図に
おけるバイアスはトランジスタ（５りのエミッタ電極（
８に接続された抵抗（９）と、電源（Ｂ１）と接地との
間に挿入された抵抗（２）と（至）によって与えられ、
辷れ等はいずれも第６図〜第８図と同様に誘電体基板＠
の表面に設け、一方マイクロストリップライン（至）、
ｌＪ９及びに）はコンデンサｅυ、＠とともに誘電体基
板＠の裏面に設けることがで色る。抵抗に）はバイアス
をベース電極（ト））に与、えるものである。６１はバ
イパス用・のコンデンサである。その他の回路素子は第
６図と同じであり、この実施例においても第５図の実施
例と同じ効果が得られることは勿論である。
以上のように本発明はＦＥＴ（５）の高周波的に接地す
るソース電極（Ｓ）を直接接続する第１のマイクロスト
リップラインα９とこれにコンデンサ３υ及び＠で接続
されて且つ直流的にも接地された第２のマイクロストリ
ップライン聞及び（至）を設けて前記マイクロストリッ
プライン側及び■を電源（Ｂ、）に対して直流的に接地
するとともに信号に対しても接地したので高周波特性が
すぐれ、特に自己バイアス回路に好適なマイクロ波回路
装置を構成することができ、小形化、高倍軸性化が実現
でき製造面では部品費及び組立作業費の低減が計れ、運
用面では消費電力の低下によって維Ｊ１少なくなるなど
、その実用上の効果が極めて大きいマイクロ波回路装置
を得ることができる。
るソース電極（Ｓ）を直接接続する第１のマイクロスト
リップラインα９とこれにコンデンサ３υ及び＠で接続
されて且つ直流的にも接地された第２のマイクロストリ
ップライン聞及び（至）を設けて前記マイクロストリッ
プライン側及び■を電源（Ｂ、）に対して直流的に接地
するとともに信号に対しても接地したので高周波特性が
すぐれ、特に自己バイアス回路に好適なマイクロ波回路
装置を構成することができ、小形化、高倍軸性化が実現
でき製造面では部品費及び組立作業費の低減が計れ、運
用面では消費電力の低下によって維Ｊ１少なくなるなど
、その実用上の効果が極めて大きいマイクロ波回路装置
を得ることができる。
さらにまた、前記構成においてＦ ｇ Ｔ （５）を誘
電体基板０の表面に配し、マイクロストリップラインＱ
８、α９及び（２）と、コンデンサ３１）、に）を裏面
に配設することによりＦ Ｂ Ｔ （５）のソース電極
（Ｓ）とマイクロストリップラインａ９の間の距離を短
かくできて高周波的損失を小さく押えられ、さらにコン
デンサの面積を大きくして誘電体の損失も小さく押えら
れるので、一層高周波特性のすぐれたマイクロ波回路装
置を構成できる。
電体基板０の表面に配し、マイクロストリップラインＱ
８、α９及び（２）と、コンデンサ３１）、に）を裏面
に配設することによりＦ Ｂ Ｔ （５）のソース電極
（Ｓ）とマイクロストリップラインａ９の間の距離を短
かくできて高周波的損失を小さく押えられ、さらにコン
デンサの面積を大きくして誘電体の損失も小さく押えら
れるので、一層高周波特性のすぐれたマイクロ波回路装
置を構成できる。
第１図は従来のマイクロ波回路装置の回路図、第２図Ａ
は第１図の回路を誘電体基板上に構成したときの基板表
面の要部パターン図、第２図Ｂは同図ＡのＡ−に線断面
図、第３図は第１図のソース電極（８）とマイクロスト
リソ１９４フ０３間の高周波的等価回路図、第４図は従
来の他のマイクロ波回路装置の回路図、第５図は本発明
の１実施例の回路図、第６図は第５図の回路を誘電体基
板に構成した場合の表面パターン図、第７図は第６図の
Ｂ−Ｂ’線断面図、第８図は第６図に対応する裏面パタ
ーン図、第９図は本発明の他の実施例の回路図である。 （１）、（２）、（８）、（４）、■、Ｕ本ａ転（至）
・・・マイクロストリップライン、 （５）・・・ビＷ
Ｔ、（５′）・・・トランジスタ、 （６）、（７）、（８）、ａｎ％＠、（ハ）、６Ｄ−’
：’ンデンサ、（９）、α０、Ｑｌ、（至）、（至）、
（至）・・・抵抗、＠・・・誘電体基板、 （Ｂ１）
・・・電源、（ＩＮ）・・・入力端子、（ＯＵＴ ）・
・出力端子、（８）・・・ソース電極、 ０・・・ゲー
ト電極、（鵡・・・ドレイン電極、（６）・・・工汁ソ
、り電極、（ロ）・・・ペース電極。 捧／図
は第１図の回路を誘電体基板上に構成したときの基板表
面の要部パターン図、第２図Ｂは同図ＡのＡ−に線断面
図、第３図は第１図のソース電極（８）とマイクロスト
リソ１９４フ０３間の高周波的等価回路図、第４図は従
来の他のマイクロ波回路装置の回路図、第５図は本発明
の１実施例の回路図、第６図は第５図の回路を誘電体基
板に構成した場合の表面パターン図、第７図は第６図の
Ｂ−Ｂ’線断面図、第８図は第６図に対応する裏面パタ
ーン図、第９図は本発明の他の実施例の回路図である。 （１）、（２）、（８）、（４）、■、Ｕ本ａ転（至）
・・・マイクロストリップライン、 （５）・・・ビＷ
Ｔ、（５′）・・・トランジスタ、 （６）、（７）、（８）、ａｎ％＠、（ハ）、６Ｄ−’
：’ンデンサ、（９）、α０、Ｑｌ、（至）、（至）、
（至）・・・抵抗、＠・・・誘電体基板、 （Ｂ１）
・・・電源、（ＩＮ）・・・入力端子、（ＯＵＴ ）・
・出力端子、（８）・・・ソース電極、 ０・・・ゲー
ト電極、（鵡・・・ドレイン電極、（６）・・・工汁ソ
、り電極、（ロ）・・・ペース電極。 捧／図
Claims (1)
- （１）１つ以上の第１のマイクロストリップラインと、
１つ以上の第２のマイクロストリップラインと、前記第
１のマイクロストリップラインと第２のマイクロストリ
ップラインとの間に接続された１つ以上のコンデンサと
、前記第１のマイクロストリップラインにその高周波的
に接地される第１の電極が接続された能動素子とからな
抄前記第２のストリップラインを電源に対して接地した
ことを特徴とするマイクロ波回路装置。 （２、特許請求の範囲第（１）項の記載において、前記
第１のマイクロストリップラインと、第２のマイクロス
トリップラインと、前記第１のマイクロストリップライ
ンと第２のマイクロストリップラインとの間に接続され
た前記１つ以上のコンデンサとを能ＩＩＩＪ素子の配設
面と反対面に設けたことを特徴とするマイクロ波回路装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189573A JPS5890810A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | マイクロ波回路装置 |
| US06/431,126 US4504796A (en) | 1981-11-26 | 1982-09-30 | Microwave circuit apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189573A JPS5890810A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890810A true JPS5890810A (ja) | 1983-05-30 |
| JPH0345563B2 JPH0345563B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=16243586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189573A Granted JPS5890810A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4504796A (ja) |
| JP (1) | JPS5890810A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01100515U (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | ||
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| US3940706A (en) * | 1974-05-13 | 1976-02-24 | Communications Satellite Corporation (Comsat) | Microwave transistor amplifier |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP56189573A patent/JPS5890810A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-30 US US06/431,126 patent/US4504796A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4504796A (en) | 1985-03-12 |
| JPH0345563B2 (ja) | 1991-07-11 |
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