JPS60236306A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPS60236306A JPS60236306A JP60089055A JP8905585A JPS60236306A JP S60236306 A JPS60236306 A JP S60236306A JP 60089055 A JP60089055 A JP 60089055A JP 8905585 A JP8905585 A JP 8905585A JP S60236306 A JPS60236306 A JP S60236306A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0283—Reducing the number of Dc-current paths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波増幅器に関する。詳しくいうと、本発明
はパワートランジスタを使用する高電圧高周波増幅器に
関する。
はパワートランジスタを使用する高電圧高周波増幅器に
関する。
従来の技術
トランジスタの動作電圧は領域間の降伏電圧、バイポー
ラトランジスタの場合にはＢｖｃＥｓ（コレクター干ミ
ッタ降伏電圧）、電界効果トランジスタの場合にはＢＶ
（ドレイン−ソース降伏Ｓ８ 電圧）によって制限される。電界効果トランジスタがＣ
級増幅器の能動素子として使用され、かつこのトランジ
スタの出力インピーダンスが正しく整合されているとき
には、このトランジスタのドレイン電圧レベルは通常、
ドレイン−ソース飽和電圧から供給電圧の＋１！ぼ２倍
まで振動する。同様の電圧がバイポーラトランジスタを
使用するＣ級増幅器において生じる。ある条件のもとで
は、供給電圧の２倍よりも大きい振幅を有する電圧定在
波が生じる可能性がある。このため、通常は最大の種の
増幅器において使用されている。
ラトランジスタの場合にはＢｖｃＥｓ（コレクター干ミ
ッタ降伏電圧）、電界効果トランジスタの場合にはＢＶ
（ドレイン−ソース降伏Ｓ８ 電圧）によって制限される。電界効果トランジスタがＣ
級増幅器の能動素子として使用され、かつこのトランジ
スタの出力インピーダンスが正しく整合されているとき
には、このトランジスタのドレイン電圧レベルは通常、
ドレイン−ソース飽和電圧から供給電圧の＋１！ぼ２倍
まで振動する。同様の電圧がバイポーラトランジスタを
使用するＣ級増幅器において生じる。ある条件のもとで
は、供給電圧の２倍よりも大きい振幅を有する電圧定在
波が生じる可能性がある。このため、通常は最大の種の
増幅器において使用されている。
理論的には、高出力を得るためには高い降伏電圧能力を
有するパワートランジスタを高い供給電圧とともに使用
することになる。しかしながら、高い降伏電圧と高周波
動作とは半導体デバイスの設計において相客れない要件
である。高い動作周波数を得るために必要なデバイス内
の薄い相互作用領域のために、高周波デバイスは必然的
に降伏電圧が低いからである。
有するパワートランジスタを高い供給電圧とともに使用
することになる。しかしながら、高い降伏電圧と高周波
動作とは半導体デバイスの設計において相客れない要件
である。高い動作周波数を得るために必要なデバイス内
の薄い相互作用領域のために、高周波デバイスは必然的
に降伏電圧が低いからである。
発明が解決しようとする問題点
それ故、高周波動作において増幅器の出力パワーを増大
させるために、通常は並列の能動デバイス、すなわち並
列のパワー増幅器が使用されている。すなわち、駆動パ
ワーが分割されて個々の増幅デバイスに供給され、これ
らの出力パワーが結合されて所望のパワーレベルを得る
ものである。
させるために、通常は並列の能動デバイス、すなわち並
列のパワー増幅器が使用されている。すなわち、駆動パ
ワーが分割されて個々の増幅デバイスに供給され、これ
らの出力パワーが結合されて所望のパワーレベルを得る
ものである。
かかる構成によれば同じＤＣ供給電圧で動作する高出力
増幅器を提供することができるけれど、並列のパワーユ
ニットの数に対応してＤＣ電流が増大するという欠点が
あった。
増幅器を提供することができるけれど、並列のパワーユ
ニットの数に対応してＤＣ電流が増大するという欠点が
あった。
問題点を解決するための手段
本発明による改良された高周波増幅回路は比較的高い供
給電圧で高周波動作を可能にする。この回路は入力結線
、出力結線、々らびに第１および第２のトランジスタを
含み、各トランジスタは第１、第２、および第３の電極
を有する。入力手段が入力結線を第１のトランジスタの
第１の電極および第２のトランジスタの第１の電極に結
合する。
給電圧で高周波動作を可能にする。この回路は入力結線
、出力結線、々らびに第１および第２のトランジスタを
含み、各トランジスタは第１、第２、および第３の電極
を有する。入力手段が入力結線を第１のトランジスタの
第１の電極および第２のトランジスタの第１の電極に結
合する。
この入力手段は第１のトランジスタの第１の電極と第２
のトランジスタの第１の電極との間に第１の直流阻止手
段を含み、それら間にＤＣ電流が流れることを阻止する
。出力手段が第１のトランジスタの第２の電極および第
２のトランジスタの第２の電極を出力結線に結合する。
のトランジスタの第１の電極との間に第１の直流阻止手
段を含み、それら間にＤＣ電流が流れることを阻止する
。出力手段が第１のトランジスタの第２の電極および第
２のトランジスタの第２の電極を出力結線に結合する。
この出力手段は第１のトランジスタの第２の電極と第２
のトランジスタの第２の電極との間に第２の直流阻止手
段を含み、それら間にＤＣ電流が流れることを阻止する
。かくして、並列の第１および第２のＡＣ導電路が第１
のトランジスタおよび第２のトランジスタを介して入力
結線と出力結線との間にそれぞれ提供される。この回路
はまた、第１のトランジスタの第２の電極を動作電位源
に接続するための手段および第２のトランジスタの第３
の電極を基準電位に接続するた娘の手段を含む。第１の
トランジスタの第１の電極は交流阻止手段によって第２
のトランジスタの第２の電極に結合される。かくして、
ＤＣ導電路が直列の第１のトランジスタおよび第２のト
ランジスタを介して動作電位源と基準電位との間に提供
される。かくして、動作電位源はＤＣ直列電路によって
、各トランジスタが直流パワーを尋しく分は合うように
、これらトランジスタ間に分割され、一方別個の並列の
ＡＣ信号路が各トランジスタを通じて提供され、出力で
結合される。
のトランジスタの第２の電極との間に第２の直流阻止手
段を含み、それら間にＤＣ電流が流れることを阻止する
。かくして、並列の第１および第２のＡＣ導電路が第１
のトランジスタおよび第２のトランジスタを介して入力
結線と出力結線との間にそれぞれ提供される。この回路
はまた、第１のトランジスタの第２の電極を動作電位源
に接続するための手段および第２のトランジスタの第３
の電極を基準電位に接続するた娘の手段を含む。第１の
トランジスタの第１の電極は交流阻止手段によって第２
のトランジスタの第２の電極に結合される。かくして、
ＤＣ導電路が直列の第１のトランジスタおよび第２のト
ランジスタを介して動作電位源と基準電位との間に提供
される。かくして、動作電位源はＤＣ直列電路によって
、各トランジスタが直流パワーを尋しく分は合うように
、これらトランジスタ間に分割され、一方別個の並列の
ＡＣ信号路が各トランジスタを通じて提供され、出力で
結合される。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第１図は本発明による高周波増幅器回路の一実施例を示
す回路図である。この回路は実質的に同一特性を有する
２個の接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）Ｑｌお
よびＱ２を使用する。特定すると、これらトランジスタ
は高出力静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）でよい。この
回路はＲＦ（無線周波）入力端子１０およびＲＦ出力端
子１１を含む。入力整合回路１２が回路の入力インピー
ダンスを回路の出力インピーダンスにまたは入力端子１
０に接続された伝送線路に整合させる。同様に、出力整
合回路１３が回路の出力インピーダンスを引続く回路の
入力インピーダンスにまたは出力端子１１に接続された
伝送線路に整合させる。
す回路図である。この回路は実質的に同一特性を有する
２個の接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）Ｑｌお
よびＱ２を使用する。特定すると、これらトランジスタ
は高出力静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）でよい。この
回路はＲＦ（無線周波）入力端子１０およびＲＦ出力端
子１１を含む。入力整合回路１２が回路の入力インピー
ダンスを回路の出力インピーダンスにまたは入力端子１
０に接続された伝送線路に整合させる。同様に、出力整
合回路１３が回路の出力インピーダンスを引続く回路の
入力インピーダンスにまたは出力端子１１に接続された
伝送線路に整合させる。
入力端子１０は入力整合回路１２および結合コンデンサ
Ｃ１を介して第１および第２のトランジスタＱ１および
Ｑ２のソース電極に結合されている。コンデンサＣ４が
トランジスタＱ１およびＱ２のソース電極間に接続され
ており、それら間にＤＣ電流が流れることを阻止してい
る。トランジスタＱ１およびＱ２のドレイン電極は結合
コンデンサＣ２を介して出力整合回路１３に結合されて
いる。コンデｙ？Ｃ３が２つのトランジスタＱ１および
Ｑ２のドレイン電極間に接続されており、ＤＣ電流の流
れを阻止している。
Ｃ１を介して第１および第２のトランジスタＱ１および
Ｑ２のソース電極に結合されている。コンデンサＣ４が
トランジスタＱ１およびＱ２のソース電極間に接続され
ており、それら間にＤＣ電流が流れることを阻止してい
る。トランジスタＱ１およびＱ２のドレイン電極は結合
コンデンサＣ２を介して出力整合回路１３に結合されて
いる。コンデｙ？Ｃ３が２つのトランジスタＱ１および
Ｑ２のドレイン電極間に接続されており、ＤＣ電流の流
れを阻止している。
ＤＣ動作電位源Ｖ がＲＦチョーク、す女わＤ
ちインダクタンス、Ｌｌを介して第１のトランジスタＱ
１のドレイン電極に接続されている。第１のトランジス
タＱ１のゲート電極はＤＣ電流制限用抵抗Ｒ１と並列の
ＡＣバイパスコンデンサＣ６によって接地に接続されて
いる。第１のトランジスタＱ１のソース電極は直列に接
続されたインダクタンスＬ２およびＬ３を介して第２の
トランジスタＱ２のドレイン電極に接続されている。イ
ンダクタンスＬ２およびＬ３間の接続点はツェナーダイ
オードのよ５々電圧基準ダイオードＤ１によって第１の
トランジスタＱ１のゲート電極に接続されている。この
電圧基準ダイオードＤ１は第１のトランジスタＱ１のソ
ースおよびゲート電極間に、正のバイアス電位がソース
に生じるように、ＤＣバイアス電位を確立する。２つの
インダクタンスＬ２およびＬ３の接続点はＡＣバイパス
コンデンサＣ５を介して接地にも結合されている。
１のドレイン電極に接続されている。第１のトランジス
タＱ１のゲート電極はＤＣ電流制限用抵抗Ｒ１と並列の
ＡＣバイパスコンデンサＣ６によって接地に接続されて
いる。第１のトランジスタＱ１のソース電極は直列に接
続されたインダクタンスＬ２およびＬ３を介して第２の
トランジスタＱ２のドレイン電極に接続されている。イ
ンダクタンスＬ２およびＬ３間の接続点はツェナーダイ
オードのよ５々電圧基準ダイオードＤ１によって第１の
トランジスタＱ１のゲート電極に接続されている。この
電圧基準ダイオードＤ１は第１のトランジスタＱ１のソ
ースおよびゲート電極間に、正のバイアス電位がソース
に生じるように、ＤＣバイアス電位を確立する。２つの
インダクタンスＬ２およびＬ３の接続点はＡＣバイパス
コンデンサＣ５を介して接地にも結合されている。
第２のトランジスタＱ２のゲート電極は直接接地に接続
されている。第２のトランジスタＱ２のソース電極はイ
ンダクタンスＬ４およびツェナーダイオードＤ２を介し
て、正のバイアス電位がソースに生じるように、接地に
接続されている。ＡＣバイパスコンデンサＣ７がインダ
クタンスＬ４およびダイオードＤ２の接続点と接地間に
接続されている。ツェナーダイオードＤ２は第２のトラ
ンジスタＱ２のソースおよびゲート電極間にＤＣバイア
ス電位を確立する。
されている。第２のトランジスタＱ２のソース電極はイ
ンダクタンスＬ４およびツェナーダイオードＤ２を介し
て、正のバイアス電位がソースに生じるように、接地に
接続されている。ＡＣバイパスコンデンサＣ７がインダ
クタンスＬ４およびダイオードＤ２の接続点と接地間に
接続されている。ツェナーダイオードＤ２は第２のトラ
ンジスタＱ２のソースおよびゲート電極間にＤＣバイア
ス電位を確立する。
かくして、動作電位源■ＤＤ から直列の両トランジス
タＱ１およびＱ２を通って接地に至る単一のＤＣ路が提
供される。ＲＦチョーク、すなわちインダクタンス、Ｌ
ｌ、Ｌ２、Ｌ３、およびＬ４はとのＤＣ路にＡＣ電流が
流れることを阻止する。
タＱ１およびＱ２を通って接地に至る単一のＤＣ路が提
供される。ＲＦチョーク、すなわちインダクタンス、Ｌ
ｌ、Ｌ２、Ｌ３、およびＬ４はとのＤＣ路にＡＣ電流が
流れることを阻止する。
ソース電極間）ＤＣバイアス電位は同じ降伏電圧を有す
る２つのツェナーダイオードＤ１およびＤ２を使用する
ことによって両トランジスタＱ１およびＱ２に対して実
質的に同じであるようになされている。また、２つのト
ランジスタのドレイン−ソースおよびドレイン電極−）
ＤＣバイアス電位も実質的に等しい。かくして、２つの
トランジスタＱ１およびＱ２は事実上同じＤＣ電位レベ
ルにバイアスされ、そして入力ＡＣ信号によって同相で
駆動される。かくして、２つのトランジスタはＡＣ！号
に関して並列に動作する。電位源■。
る２つのツェナーダイオードＤ１およびＤ２を使用する
ことによって両トランジスタＱ１およびＱ２に対して実
質的に同じであるようになされている。また、２つのト
ランジスタのドレイン−ソースおよびドレイン電極−）
ＤＣバイアス電位も実質的に等しい。かくして、２つの
トランジスタＱ１およびＱ２は事実上同じＤＣ電位レベ
ルにバイアスされ、そして入力ＡＣ信号によって同相で
駆動される。かくして、２つのトランジスタはＡＣ！号
に関して並列に動作する。電位源■。
からのＤＣ供給電圧は直列に接続された２つのトランジ
スタＱ１および９２間で分割される。それ故、このＤＣ
供給電圧は従来の増幅器においては実行されている個々
のトランジスタの降伏電圧の一の値に制限され危い。
スタＱ１および９２間で分割される。それ故、このＤＣ
供給電圧は従来の増幅器においては実行されている個々
のトランジスタの降伏電圧の一の値に制限され危い。
第１図に例示した増幅器回路はＪＦＥＴ％特定するとＳ
ＩＴタイプのＪＦＥＴを使用したけれど、高周波バイポ
ーラトランジスタおよび適当なりＣバイアス構成を使用
することもできる。また、この増幅器回路は出力を入力
に適当に給金することによって高周波発振器としても利
用できる。
ＩＴタイプのＪＦＥＴを使用したけれど、高周波バイポ
ーラトランジスタおよび適当なりＣバイアス構成を使用
することもできる。また、この増幅器回路は出力を入力
に適当に給金することによって高周波発振器としても利
用できる。
第１図に例示した増幅器回路の特性の一実施例は次の構
成素子を使用して構成された。
成素子を使用して構成された。
Ｄｌ、Ｄ２ ： ａ２ｖツェナーダイオードＲ１：４．
７にΩ Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４：α３９μＨ Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４ニア５ｐＦ Ｃ５、Ｃ７：１０００ｐＦ 入力整合回路 ：ダブルスタブ同１Ｍｌ器出力整合回路
：ダブルスタブ同調器 ＶＤＤ ： １７°Ｖ 入刃傷号の周波数は９００ＭＨｚ であり、この回路は
２２Ｗの出力電力を発生し、利得は１０ｄＢであった。
７にΩ Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４：α３９μＨ Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４ニア５ｐＦ Ｃ５、Ｃ７：１０００ｐＦ 入力整合回路 ：ダブルスタブ同１Ｍｌ器出力整合回路
：ダブルスタブ同調器 ＶＤＤ ： １７°Ｖ 入刃傷号の周波数は９００ＭＨｚ であり、この回路は
２２Ｗの出力電力を発生し、利得は１０ｄＢであった。
第２図は第１図の回路の変形例を示し、この例では２つ
のトランジスタＱ３およびＣ４はプッシュプル構成で１
８００の位相ずれで駆動される。
のトランジスタＱ３およびＣ４はプッシュプル構成で１
８００の位相ずれで駆動される。
この回路においては入カドランス２４０１次巻線の両端
が入力端子２０および接地に接続されている。入カドラ
ンス２４０２次巻線の両端は入力整合回路２２を介して
、さらに直流阻止コンデンサＣ１１およびＣ１２を介し
て２つのトランジスタＱ３およびＣ４のソース電極に接
続されている。
が入力端子２０および接地に接続されている。入カドラ
ンス２４０２次巻線の両端は入力整合回路２２を介して
、さらに直流阻止コンデンサＣ１１およびＣ１２を介し
て２つのトランジスタＱ３およびＣ４のソース電極に接
続されている。
トランス２４０２次巻線のセンタータップは接地に接続
される。トランジスタＱ３およびＣ４のドレイン電極は
直流阻止コンデンサＣ１３およびＣ１４、ならびに出力
整合回路２３を介して出カドランス２５０１次巻線の両
端に接続されている。
される。トランジスタＱ３およびＣ４のドレイン電極は
直流阻止コンデンサＣ１３およびＣ１４、ならびに出力
整合回路２３を介して出カドランス２５０１次巻線の両
端に接続されている。
出カドランス２５０１次巻線のセンタータップは接地に
接続される。出カドランス２５０２次巻線はＲＦ出力端
子２１と接地間に接続されている。
接続される。出カドランス２５０２次巻線はＲＦ出力端
子２１と接地間に接続されている。
第２図に例示したプッシュプル構成はこの増幅器回路を
通る２つの並列のＡＣ路内の潜在的位相差を減じ、制御
しやすいインピーダンスレベルを有しかつ広帯域の周波
数を増幅できる高電、圧、高周波増幅器を提供する。
通る２つの並列のＡＣ路内の潜在的位相差を減じ、制御
しやすいインピーダンスレベルを有しかつ広帯域の周波
数を増幅できる高電、圧、高周波増幅器を提供する。
第３図は本発明による増幅器回路がＮの並列ＡＣ増幅路
とＮ個のトランジスタを直列に通る１つのＤＣ電力供給
路を提供するように構成できる態様を例示するものであ
る。ＲＦ入′力端子３０が適当な入力整合回路３２を介
［７てＮ個の増幅段８１〜ＢＮＩＣ接続されている。こ
れら増幅段の出力は一緒に接続され、出力整合回路３３
を介してＲＦ出力端子３１に接続されている。最後の段
ＳＮを除く各段Ｓ１、・・・は第１図の回路にお社る第
１のトランジスタＱ１を使用する段に類似している。最
後の段ＳＮは第１図の回路における第２のトランジスタ
Ｑ２を使用する段に類似している。
とＮ個のトランジスタを直列に通る１つのＤＣ電力供給
路を提供するように構成できる態様を例示するものであ
る。ＲＦ入′力端子３０が適当な入力整合回路３２を介
［７てＮ個の増幅段８１〜ＢＮＩＣ接続されている。こ
れら増幅段の出力は一緒に接続され、出力整合回路３３
を介してＲＦ出力端子３１に接続されている。最後の段
ＳＮを除く各段Ｓ１、・・・は第１図の回路にお社る第
１のトランジスタＱ１を使用する段に類似している。最
後の段ＳＮは第１図の回路における第２のトランジスタ
Ｑ２を使用する段に類似している。
かくして、動作電位源ｖＤＤ から直列の段Ｓ１〜８Ｎ
の各トランジスタを通って接地に至るＤＣ電流路が形成
される。また、段８１〜ＳＮはＮの並列のＡＣ増幅路を
提供し、動作電圧ｖＤＤ はそれら間で分割されるから
非常に高い増幅器動作電位を可能にする。
の各トランジスタを通って接地に至るＤＣ電流路が形成
される。また、段８１〜ＳＮはＮの並列のＡＣ増幅路を
提供し、動作電圧ｖＤＤ はそれら間で分割されるから
非常に高い増幅器動作電位を可能にする。
本発明の好ましい実施例と考えられているものを図示し
、記載したけれど、特許請求の範囲によって定義される
本発明から逸脱すること力しに種々の変形および変更が
この中でなし得ることは当 □業者には明らかであろう
。
、記載したけれど、特許請求の範囲によって定義される
本発明から逸脱すること力しに種々の変形および変更が
この中でなし得ることは当 □業者には明らかであろう
。
第１図は本発明による高周波増幅器回路の一実施例を示
す回路図、第２図は本発明による高周波増幅器回路の他
の実施例を示す回路図、第３図は第１図に例示した高周
波増幅器回路の変形例を示す回路図である。 １０．２０．５０ ： ＲＦ入力端子 １１．２１．３１：ＲＦ出力端子 １２．２２．３２：入力整合回路 １３．２３．５３：出力整合回路 ２４：入カドランス ２５：出カドランス Ｑｌ、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４：電界効果トランジスタＢユＩ
Ｚ。
す回路図、第２図は本発明による高周波増幅器回路の他
の実施例を示す回路図、第３図は第１図に例示した高周
波増幅器回路の変形例を示す回路図である。 １０．２０．５０ ： ＲＦ入力端子 １１．２１．３１：ＲＦ出力端子 １２．２２．３２：入力整合回路 １３．２３．５３：出力整合回路 ２４：入カドランス ２５：出カドランス Ｑｌ、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４：電界効果トランジスタＢユＩ
Ｚ。
Claims (9)
- （１） 入力結線と、 出力結線と、 それぞれが第１、第２、および第３の１極を有する第１
および第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタ
の第１の電極と前記第２のトランジスタの第１の電極と
の間に第１の直流阻止手段を含み、前記入力結線を前記
第１のトランジスタの第１の電極および前記第２のトラ
ンジスタの第１の電極に結合する入力手段と、前記第１
のトランジスタの第２の柘５極と前記第２のトランジス
タの第２の電極との間に第２の直流阻止手段を含み、前
記第１のトランジスタの第２の電極および前記第２のト
ランジスタの第２の電極を前記出力結線に結合する出力
手段と、前記第１のトランジスタの第２の電極を動作電
位源に接続するための手段と、 前記第２のトランジスタの第３０雷極を基準電位に接続
するための手段と、 前記第１のトランジスタの第１の電極を前記第２のトラ
ンジスタの第２の電極に結合する交流阻止手段 とを具備し、 前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタ
をそれぞれ介して前記入力結線と前記出力結線との間に
並列の第１および第２の交流導電路がそれぞれ提供され
、 直列の前記第１のトランジスタおよび第２のトランジス
タを介して前記動作電位源と前記基準電位との間に１つ
の直流導電、路が提供されることを特徴とする高周波増
幅回路。 - （２）前記第１のトランジスタの第１および第３の電極
間に直流バイアス電位を確立するための第１の直流バイ
アス手段と、 前記第２のトランジスタの第１および第３の電極間に、
前記直流バイアス電位に等しい直流バイアス電位を確立
するための第２の直流バイアス手段 が設けられている特許請求の範囲第１項記載の高周波増
幅回路。 - （３）前記第１のトランジスタの第２の電極を動作電位
源に接続するための前記手段が交流阻止手段を含む特許
請求の範囲第２項記載の高周波増幅回路。 - （４） 前記ＴＭ流流用千手段コンデンサを含み、前記
交流阻止手段がインダクタンスを含む特許請求の範囲第
３項記載の高周波増幅回路。 - （５） 前記トランジスタが電界効果トランジスタであ
り、前記第１の電極がソース電極であり、前記第２の電
極がドレイン電極であり、前記第５の電極がゲート電極
である特許請求の範囲第４項記載の高周波増幅回路。 - （６） 前記トランジスタが静電誘導トランジスタであ
り、前記第１の電極がソース電極であり、前記第２の電
極がドレイン電極であり、前記第３０電極がゲート電極
である特許請求の範囲蕗４項記載の高周波増幅回路。 - （７） 前記トランジスタがバイポーラトランジスタで
あや、前記第１の電極がエミッタ電極であり、前記第２
の電極がコレクタ電極であり、前記第３の電極がベース
電極である特許請求の範囲第４項記載の高周波増幅回路
。 - （８） 前記第１の直流バイアス手段が前記第１のトラ
ンジスタのソース電極とゲート電極間に接続された電圧
基準ダイオードを含み、 前記第２の直流バイアス手段が前記第２のトランジスタ
のソース電極とゲート電極間に接続された電圧基準ダイ
オードを含む特許請求の範囲第５項記載の高周波増幅回
路。 - （９）前記入力手段が、前記入力結線と一定の電位点と
の間に接続された１次巻線と、前記第１のトランジスタ
の第１の電極と前記第２のトランジスタの第１の電極と
の間に接続された２次巻線とを有し、該２次巻線のセン
タータップが前記一定の電位点に接続された入力トラン
スを含み、前記出力手段が、前記第１のトランジスタの
第２の電極と前記第２のトランジスタの第２の電極との
間に接続された１次巻線と、前記出力結線と前記一定の
電位点との間に接続された２次巻線とを有し、前記１次
巻線のセンタータップが前記一定の電位点に接続された
出カドランスを含む特許請求の範囲第４項記載の高周波
増幅回路。 （ｌ鋳 入力結線と、 出力結線と、 それぞれが第１、第２、および第３の電極を有する複数
のトランジスタと、 前記各トラン９、？夕の第１の電極と他のすべてのトラ
ンジスタの第１の電極との間に第１の直流阻止手段を含
み１．前記入力結線を前記複数のトランジスタの第１の
電極に結合する入力手段と、前記各トランジスタの第２
の電極と他のすべてのトランジスタの第２の電極との間
に第２の直流阻止手段を含み、前記複数のトランジスタ
の第２の電極を前記出力結線に結合する出力手段と、前
記複数のトランジスタの＄１のトランジスタの第２の電
極を動作電位源に接続するための手段と、 前記被数のトランジスタの最後のトランジスタの第３の
電極を基準筒、位に接続するための手段と、前記最後の
トランジスタを除く前記複数の各トランジスタの第１の
電極を前記複数のトランジスタの次のトランジスタの第
２の電極に結合する交流阻止手段 とを具備し、 前記複数のトランジスタをそれぞれ介して前記入力結線
と前記出力結線との間に複数の並列の交流導電路が提供
され、 直列の前記複数のトランジスタを介して前記動作電位源
と前記基準電位との間に１つの直流導電路が提供される
ことを特徴とする高周波増幅回路。 ａυ 前記複数のトランジスタのそれぞれの第１および
第３の電極間に等しい直流バイアス電位を確立するため
の複数の直流）（イアス手段を有する特許請求の範囲第
１０項記載の高周波増幅回路。 （ｌａ 前記複数のトランジスタの第１のトランジスタ
の第２の電極を動作電位源に接続するための前記手段が
交流阻止手段を含む特許請求の範囲第１１項記載の高周
波増幅回路。 Ｑ３ 前記直流阻止手段がコンデンサを含み、前記交流
阻止手段がインダクタンスを含む特許請求の範囲第１２
項記載の高周波増幅回路。
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- 1985-04-26 JP JP60089055A patent/JPS60236306A/ja active Pending
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