FI87027C - Kopplingsanordning foer foerening av rf-foerstaerkare och driftspaenningsfilter - Google Patents
Kopplingsanordning foer foerening av rf-foerstaerkare och driftspaenningsfilter Download PDFInfo
- Publication number
- FI87027C FI87027C FI900803A FI900803A FI87027C FI 87027 C FI87027 C FI 87027C FI 900803 A FI900803 A FI 900803A FI 900803 A FI900803 A FI 900803A FI 87027 C FI87027 C FI 87027C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- circuit
- emitter
- operating voltage
- transistor
- vccout
- Prior art date
Links
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
1 87027
Kytkentäjärjestely RF-vahvistimen ja käyttöjännitesuodatti-men yhdistämiseksi - Kopplingsanordning för förening av RF-förstärkare och driftspänningsfilter 5 Tämä keksintö koskee kytkentää, jossa RF-vahvistinkytkentä toimii myös suodattimena käyttöjännitteelle, joka muodostetaan vahvistimen käyttöjännitteestä.
10 Tavallisesti suurtaajuusvahvistin, lähinnä radiotaajuusvah-vistin on toteutettu käyttäen yhteisemitterikytkettyä transistoria eli vahvistettava radiotaajuussignaali tuodaan transistorin kannalle ja vahvistettu lähtösignaali saadaan kollektoripiiristä. Transistorin emitter! on kytketty yleen-15 sä suoraan piirin maahan. Transistorin toimintapiste asetellaan tunnetusti käyttöjännitteestä käyttäen vastuksia ja tulon sekä lähdön DC-erotus tapahtuu kondensaattorein. Kollektorivirta määrätään kantavirralla, jonka puolestaan määrää toimintapisteen asetteleva vastusjako. Kanta-emitte-20 ri-jännitteen lämpötilariippuvuuden vuoksi järjestetään transistorin bias-jännitteen lämpötilakompensointi esimerkiksi käyttäen diodia tai kollektorilinjan kautta saatavaa resistiivistä vastakytkentää. Mikäli emitteri on kytketty piirin maahan vastuksen kautta ja emitterijännite on korkea, 25 ei kanta-emitterin liitosjännite muuta oleellisesti kollek-torivirtaa, mutta toisaalta menetetään tehoa emitterille kytketyssä vastuksessa, jonka kautta lähes kollektorivirran suuruinen emitterivirta kulkee.
30 Käyttöjännitteen suodatus voidaan järjestää tunnetusti usealla tavalla. Perustapa on yksinkertainen RC-suodatin. Jotta tällainen suodatin olisi käytttöjännitelinjän suodatuksessa hyvä, olisi käytettävä suuriohmista vastusta ja suurta kondensaattoria. Haittana on tällöin vastuksen kautta 35 kulkevan kuormitusvirran synnyttämä suuri jännitehäviö sekä myös syntyvä tehohäviö. Vastusta ei voida tehdä kovin pieneksi, koska suodatusvaikutus heikkenee. Toinen, parempi tapa on käyttää emitteriseuraajakytkentää, jossa suodatet- 2 87027 tava käyttöjännite tuodaan transistorin kollektorille, jonka kanta on kytketty vastuksen kautta suodatettavaan käyttöjännitteeseen sekä kondensaattorin kautta maahan. Suodatettu käyttöjännite saadaan transistorin emitteriltä. Kytkennässä 5 päävirta kulkee kollektorin kautta ja kantavirta eli vastuksen kautta kulkeva virta on pienentynyt yksinkertaiseen RC-suodattimen vastuksen kautta kulkevaan virtaan nähden β(beta)-osaan, jolloin voidaan käyttää suurta RC-tuloa.
10 Tähän asti on ollut käytäntönä, että edellä kuvattu suurtaa-juusvahvistin on ollut oma erillinen piirinsä ja muiden piirien tarvitsema suodatettu käyttöjännite on muodostettu omalla edellä kuvatun kaltaisella piirillä. Tämä on luonnollisesti lisännyt tarvittavien komponenttien määrää.
15 Tämä keksintö esittää kytkentäjärjestelyn, jolla erillisten vahvistin- ja suodatinpiirien haitat voidaan poistaa ja jolla vahvistintransistorin kautta kulkeva virta voidaan hyödyntää kahteen kertaan; ensimmäisen kerran vahvistimen 20 tulosignaalin vahvistuksen yhteydessä ja toisen kerran muodostettavan käyttöjännitteen virtana.
Tälle kytkentäjärjestelylle on ominaista, että suurtaajuus-vahvistinpiiri käsittää yhteisemitterikytketyn transistorin 25 (Ql) oheiskomponentteineen ja emitter! on kytketty kondensaattorin (C5) kautta piirin maahan, ja että transistorin (Ql) emitteriltä saadaan toinen käyttöjännite (Vccout), jonka suodatinpiirinä on mainittu suurtaajuusvahvistinpiiri, jossa transistori (Ql) toimii emitteriseuraajana.
30
Keksinnön mukainen peruskytkentä käsittää siis yhteisemitterikytketyn vahvistimen, joka käsittää transistorin oheiskomponentteineen. Tämä vahvistinpiiri toimii suodattimena käyttöjännitteelle, joka otetaan transistorin emitteriltä.
35 Transistori toimii siis tunnettujen suodatinkytkentöjen tapaan suodattimessa emitteriseuraajana varsinaisen RF-vahvistintoiminnan lisäksi. Tällä kytkennällä on yhdistetty 3 87027 kaksi erillistä piiriä yhdeksi piiriksi, jolla on kaksi toimintoa.
Keksinnön mukaista kytkentäjärjestelyä selostetaan konkreet-5 tisemmin viitaten oheisiin kuviin, joissa kuva 1 esittää erästä keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaista piirikytkentää, kuva 2 kuvaa mitattua signaalin vaimentumista käyttö-jännitteiden Vcc ja Vccout välillä, ja 10 kuva 3 kuvaa vahvistuskäyrää RF/in ja RF/out välillä.
Kuvassa 1 on esitetty eräs keksinnön mukainen piiriratkaisu. RF-vahvistin käsittää transistorin Ql, vastukset Rl, R2 ja R3^ kondensaattorit Cl, C2, C3, C4, C5 ja kelan LI.
15 Käyttöjännitteen Vccout suodatuspiiri käsittää RF-signaalien DC-erotuskondensaattoreita C3 ja C4 lukuunottamatta kaikki RF-vahvistinpiirin komponentit sekä lisäksi vastuksen R4 ja kondensaattorin C6.
20 Vahvistinosa toimii seuraavasti: vastusjako Rl, R2 ja R3 määrää transistorin Ql kannan bias-jännitteen ja kollektori-virta määräytyy jännitteeseen Vccout kytketyn kuorman mukaan. Tämän kuormitusvirran tulee olla mahdollisimman vakaa, sillä sen ollessa lähes sama kuin transistorin kollektori-25 virta, sen suuruus vaikuttaa transistorin vahvistukseen.
Sopiva kuormitus voi olla esim. toinen vahvistin, IC-piiri tai vastaava. Emitterikondensaattori C5 maadoittaa emitterin RF-vahvistimen toimintataajuudella ja kela LI muodostaa lähdön RFout impedanssisovituksen tälle taajuudelle. Konden-30 saattorit C3 ja C4 ovat RF-signaalien DC-erotusta varten ja Cl toimii suodattimena stabiloiden bias-jännitettä. Tämä esitetty kytkentä toimii yhteisemitterikytketyn vahvistimen tapaan.
35 Käyttöjännitteen Vccout suodatuspiiri toimii puolestaan seuraavasti: Transistori Ql toimii jännitteen Vccout kannalta emitteriseuraajana ja sen bias-jännite määräytyy kuten edellä on jo esitetty vastusjaolla Rl, R2, R3. Virtapuskurin 4 87027 Q1 emitteriltä saatu jännite johdetaan vastuksen R4 kautta kuorina jännitteeksi Vccout. Tämän jännitteen täytyy luonnollisesti olla niin suuri, että se riittää kuormana olevalle piirille. Käyttöjännitteen Vccout suodatus tapahtuu piireis-5 sä Rl-Cl ja C5-R4-C6.
Kuvassa 2 on esitetty simuloituna signaalin vaimentuminen käyttöjännitteiden Vcc ja Vccout välillä. Vaaka-akselilla on taajuus 10 Hz - 1 GHz ja pystyakselilla vaimennus 0-200 10 dB. Tämän simuloidussa mallissa on Vccout-lähdöstä tarkasteltuna Vcc:hen syötetty 1 kHz:n signaali vaimentunut 30 dB ja 100 kHz:n signaali yli 80 dB. Käyttöjännitteen suodatuksen kannalta on tämä valmennus riittävä. Luonnolliset! vaimennus on riippuvainen käytetyistä komponenttiarvoista, 15 mutta tämä simulaatio antaa kuitenkin suuntaa vaimennuksen suuruusluokasta.
Kuvan 3 simulaatiossa on esitetty tyypillinen vahvistuskäyrä välillä RFin ja RFout. Alueella 150 MHz - 1 GHz on vahvistus 20 yli 10 dB. Tämäkin arvo riippuu tietysti käytetyistä komponenttiarvoista.
Keksinnön mukainen ratkaisu, jossa vahvistinkytkennän käyttöjännitteestä muodostettavan jännitteen suodatus ja itse 25 vahvistin muodostavat yhdistetyn piirin, säästää nykyisiin erillisratkaisuihin verrattuna sekä komponentteja että tehoa, koska käyttöjännite voidaan hyödyntää tehokkaasti esitetyllä kaksoiskytkennällä. Patenttivaatimuksen mukaisen perusrakenteen piirissä pysyen voidaan itse käytännön piiri-30 kytkentä toteuttaa lukuisin eri tavoin. Niinpä vahvistinosan tulosovitus, lähtösovitus ja transistorin biasointi toteutetaan kulloistenkin vaatimusten mukaan. Suodatinosa voi käsittää myös useita suodatuslohkoja tarvittavien suodatus-vaatimusten mukaan. Kaikki tämä on ammattimiehelle selvää 35 ja mahdollista toteuttaa patenttivaatimusten suojapiirissä pysyen.
Claims (4)
1. Kytkentäjärjestely suurtaajuusvahvistimen ja sen käyttöjännitteestä (Vcc) muodostettavan toisen käyttöjännitteen (Vccout) suodattimen yhdistämiseksi, tunnettu siitä, että 5 suurtaajuusvahvistinpiiri käsittää yhteisemitterikytketyn transistorin (Ql) oheiskomponentteineen ja emitteri on kytketty kondensaattorin (C5) kautta piirin maahan, ja että transistorin (Ql) emitteriltä saadaan toinen käyttöjännite (Vccout), jonka suodatinpiirinä on mainittu suurtaajuus-10 vahvistinpiiri, jossa transistori (Ql) toimii emitteri-seuraaj ana.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kytkentäjärjestely, tunnettu siitä, että käyttöjännitteen (Vccout) suodatinpii- 15 rin suodatusvaikutus syntyy suurtaajuusvahvistinpiirin oheiskomponentteihin kuuluvista vastuksista (Rl) ja piirin maahan kytketyistä kondensaattoreista (Cl, C5).
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen kytkentäjärjestely, 20 tunnettu siitä, että toinen käyttöjännite (Vccout) voidaan suodattaa lisäksi yhdellä tai useammalla suurtaajuusvahvistimen jälkeen kytketyllä suodatinasteella (R4-C6).
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kytkentäjärjestely, 25 tunnettu siitä, että toinen käyttöjännite (Vccout) toimii käyttöjännitteenä lähes vakiovirran ottavalle kuormalle, joka voi olla toinen vahvistin, IC-piiri tai vastaava. 6 87027
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI900803A FI87027C (fi) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | Kopplingsanordning foer foerening av rf-foerstaerkare och driftspaenningsfilter |
| EP91300811A EP0442637B1 (en) | 1990-02-16 | 1991-02-01 | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter |
| AT91300811T ATE165481T1 (de) | 1990-02-16 | 1991-02-01 | Schaltungsanordnung für die verbindung von einem hochfrequenzverstärker mit einem versorgungsspannungsfilter |
| DE69129278T DE69129278T2 (de) | 1990-02-16 | 1991-02-01 | Schaltungsanordnung für die Verbindung von einem Hochfrequenzverstärker mit einem Versorgungsspannungsfilter |
| US07/884,042 US5241284A (en) | 1990-02-16 | 1992-05-14 | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI900803 | 1990-02-16 | ||
| FI900803A FI87027C (fi) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | Kopplingsanordning foer foerening av rf-foerstaerkare och driftspaenningsfilter |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI900803A0 FI900803A0 (fi) | 1990-02-16 |
| FI900803A FI900803A (fi) | 1991-08-17 |
| FI87027B FI87027B (fi) | 1992-07-31 |
| FI87027C true FI87027C (fi) | 1992-11-10 |
Family
ID=8529899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI900803A FI87027C (fi) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | Kopplingsanordning foer foerening av rf-foerstaerkare och driftspaenningsfilter |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0442637B1 (fi) |
| AT (1) | ATE165481T1 (fi) |
| DE (1) | DE69129278T2 (fi) |
| FI (1) | FI87027C (fi) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2268348B (en) * | 1992-06-30 | 1996-01-03 | Texas Instruments Ltd | Noise reduction circuit |
| US5809410A (en) * | 1993-07-12 | 1998-09-15 | Harris Corporation | Low voltage RF amplifier and mixed with single bias block and method |
| US5424686A (en) * | 1994-04-20 | 1995-06-13 | Philips Electronics North America Corporation | Negative-resistance-compensated microwave buffer |
| US5498997A (en) * | 1994-12-23 | 1996-03-12 | Schiebold; Cristopher F. | Transformerless audio amplifier |
| US7015755B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-03-21 | Nokia Corporation | Stacked modulator and automatic gain control amplifier |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3422365A (en) * | 1965-05-28 | 1969-01-14 | Wilcox Electric Co Inc | Stabilized transistor amplifier |
| US3671884A (en) * | 1970-09-29 | 1972-06-20 | Gen Electric | Improved amplifying circuit |
| DE2712680C2 (de) * | 1977-03-23 | 1982-10-21 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Mehrstufiger Transistorverstärker für Wechselspannungen |
| US4590437A (en) * | 1984-04-27 | 1986-05-20 | Gte Laboratories Incorporated | High frequency amplifier |
-
1990
- 1990-02-16 FI FI900803A patent/FI87027C/fi not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-02-01 DE DE69129278T patent/DE69129278T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-01 EP EP91300811A patent/EP0442637B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-01 AT AT91300811T patent/ATE165481T1/de active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69129278D1 (de) | 1998-05-28 |
| EP0442637A3 (en) | 1992-01-29 |
| FI900803A (fi) | 1991-08-17 |
| ATE165481T1 (de) | 1998-05-15 |
| EP0442637B1 (en) | 1998-04-22 |
| EP0442637A2 (en) | 1991-08-21 |
| FI900803A0 (fi) | 1990-02-16 |
| DE69129278T2 (de) | 1998-11-12 |
| FI87027B (fi) | 1992-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5241284A (en) | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter | |
| CA1153076A (en) | Resonator coupled differential amplifier | |
| JPH04352507A (ja) | 増幅器 | |
| EP0263601A2 (en) | Compensation and biasing of wideband amplifiers | |
| FI87027C (fi) | Kopplingsanordning foer foerening av rf-foerstaerkare och driftspaenningsfilter | |
| KR100830812B1 (ko) | 고주파 증폭기 회로 | |
| CN109150115A (zh) | 一种射频功率放大器偏置电路 | |
| GB2321150A (en) | A low noise single ended input/differential output rf amplifier | |
| US6801090B1 (en) | High performance differential amplifier | |
| US20030107429A1 (en) | Current source circuit | |
| CA1250625A (en) | Broad band integrator | |
| JPH11346125A (ja) | Ｓｒｐｐ回路 | |
| JP3111939B2 (ja) | ミキサ回路 | |
| EP0667057A1 (en) | Active impedance termination | |
| CA2342918A1 (en) | Electronic circuit | |
| CN219018780U (zh) | 一种可选放大倍率的放大电路 | |
| KR19990063796A (ko) | 교류 결합 증폭기의 인덕터없는 전압 바이어싱 회로 | |
| KR890007654Y1 (ko) | 공진 차동 증폭회로 | |
| US4303890A (en) | Circuit arrangement for transferring a signal | |
| KR0157118B1 (ko) | 에미터 팔로워를 유동성 부하로 사용하는 차동 증폭기 | |
| KR890007395Y1 (ko) | 중간주파 증폭회로 | |
| JPH0227622Y2 (fi) | ||
| US4365213A (en) | Low frequency astable oscillator having switchable current sources | |
| US5241228A (en) | UHF transistor mixer circuit | |
| KR930010181B1 (ko) | 자동이득 조절 광역 증폭회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: NOKIA MATKAPUHELIMET OY |