JPH06216670A

JPH06216670A - 高出力増幅器

Info

Publication number: JPH06216670A
Application number: JP667293A
Authority: JP
Inventors: Shin Watanabe; 伸渡辺; Haruki Nishida; 治樹西田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-01-19
Filing date: 1993-01-19
Publication date: 1994-08-05

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、マイクロ波無線装置等において、
送信信号電力増幅用として使用される、高出力増幅器に
関し、回路構成が単純でありながら優れた電力効率を持
ち、しかも、効率良く信号歪みを抑制することを目的と
する。【構成】信号線路用ストリップ線路１に、信号増幅用
トランジスタ２をそなえてなる高出力増幅器において、
トランジスタ２の出力側のストリップ線路１に接続され
るとともにトランジスタ２の入力側のストリップ線路１
に方向性結合器３を介して接続され高調波を抑制しうる
長さの線路長を有する帰還用ストリップ線路４をそなえ
るように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波無線装置等
において、送信信号電力増幅用として使用される、高出
力増幅器に関する。送信信号電力の増幅時において、高
出力増幅器は、大信号を扱うのため、信号歪みを起こし
易くなる他、電力が熱として変換され易い。このため、
信号歪みの少ない高効率な高出力増幅器が要求されてい
る。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来の高出力増幅器を示す回路図
で、この図７において、１は信号線路用ストリップ線路
であり、この信号線路用ストリップ線路１には、パワー
アンプとしての信号増幅用トランジスタ２が設けられて
いる。又、入力側のストリップ線路１には、リニアライ
ザ５０が並列に接続されている。

【０００３】ここで、信号増幅用トランジスタ２として
は、高周波増幅用の、例えばＦＥＴ（電界効果トランジ
スタ）が使用され、リニアライザ５０は、歪み信号を抑
制する回路である。このような構成により、入力側のス
トリップ線路１の電気信号は、信号増幅用トランジスタ
２で増幅されるが、このとき、リニアライザ５０の作用
により、トランジスタ２での歪みを打ち消す様な逆位相
の信号を出力するため、歪みの抑制された信号が、信号
増幅用トランジスタ２から出力されるのである。

【０００４】ところで、図８は従来における他の高出力
増幅器で、この図８において、１は信号線路用ストリッ
プ線路であり、この信号線路用ストリップ線路１には、
入力側から直列に、信号増幅用トランジスタ２と高調波
処理装置５１がそなえられている。ここで、信号増幅用
トランジスタ２は、先の図７において、説明したものと
同様のものであり、高調波処理装置５１は、スタブを配
置することにより、２倍波を増幅器側に反射させるもの
である。

【０００５】このような構成により、入力側のストリッ
プ線路１の電気信号は、信号増幅用トランジスタ２で増
幅されて出力されるが、このとき、信号増幅用トランジ
スタ２からの２倍波が高調波処理装置５１によって打ち
消される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなリニアライザを使用する従来の高出力増幅器で
は、回路自体の構成が複雑になり、その結果、その設計
自体にも多くの労力が掛かってしまうという課題があ
る。又、高調波処理装置を用いた従来の高出力増幅器で
は、パワーアンプにとって重視されるところの電力の効
率が悪くなるという課題がある。すなわち、高調波処理
装置は、２倍波や３倍波による歪んだ信号を打ち消すた
めに、アンプの出力側にて、これらの信号を増幅器側に
反射させるため、その分の電力がロスするという課題が
ある。

【０００７】本発明は、このような課題に鑑み創案され
たもので、回路構成が単純でありながら優れた電力効率
を持ち、しかも、効率良く信号歪みを抑制できるように
した、高出力増幅器を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】図１，２は本発明の原理
を説明するための回路図で、この図１，２において、１
は信号線路用ストリップ線路であり、この信号線路用ス
トリップ線路１には、信号増幅用トランジスタ２が設け
られている。又、信号線路用ストリップ線路１には、高
調波を抑制しうる長さの線路長を有する帰還用ストリッ
プ線路４がトランジスタ２と並列にそなえられている。
即ち、この帰還用ストリップ線路４は、トランジスタ２
の出力側のストリップ線路１に接続されるとともに、ト
ランジスタ２の入力側のストリップ線路１に方向性結合
器３を介して接続されている（請求項１）。

【０００９】この帰還用ストリップ線路４に、図１に示
すようなスタブ５を付加してもよく（請求項２）、又、
帰還量変更用抵抗６を設けてもよい（請求項３）。更
に、帰還用ストリップ線路４に、スタブ５の代わりとし
て、図２に示すようなフィルタ８を設けてもよい。この
場合のフィルタ８は、帰還させるべき信号の周波数を選
択するものである（請求項５）。

【００１０】又、帰還用ストリップ線路４に設けられる
帰還量変更用抵抗６として、電界効果トランジスタを使
用してもよく（請求項４）、この場合、図１，２に示す
ように、トランジスタ２の出力レベルを検出するレベル
検出手段９を設け、このレベル検出手段９で検出された
検波レベルに応じ、電界効果トランジスタのゲートバイ
アスを自動的に調整して、高調波を抑圧する制御手段１
１を設けることができる（請求項６）。

【００１１】尚、図１，２において、符号１２は終端抵
抗、ＧＮＤはグランドである。

【００１２】

【作用】上述の本発明の高出力増幅器では、図１，２に
示すように、信号増幅用トランジスタ２は、信号の増幅
を行なうのであるが、この際において、所要の線路長を
有する帰還用ストリップ線路４を経由した帰還信号が、
方向性結合器３を介して信号増幅用トランジスタ２の入
力側に伝達されるので、高調波が抑制される（請求項
１）。

【００１３】尚、図１に示すように、帰還用ストリップ
線路４に、スタブ５を付加すれば、信号周波数部分にお
いて、ストリップ線路４による信号線路用ストリップ線
路１への影響を無くすことができる（請求項２）。又、
帰還用ストリップ線路４に、帰還量変更用抵抗（電界効
果トランジスタでもよい）６を設けることにより、帰還
量を変更することができる（請求項３，４）。

【００１４】更に、図２に示すように、帰還用ストリッ
プ線路４に、フィルタ８を設けた場合は、このフィルタ
８によって、所要の周波数をもつ信号だけを信号線路用
ストリップ線路１の入力側へ帰還させることができる
（請求項５）。又、帰還用ストリップ線路４に、帰還量
変更用抵抗６として機能する電界効果トランジスタをそ
なえた場合は、レベル検出手段９によって、トランジス
タ２の出力レベルを検出し、このレベル検出手段９で検
出された検波レベルに応じ、制御手段１１によって、電
界効果トランジスタのゲートバイアスを自動的に調整し
て、高調波を抑圧する（請求項６）。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。（ａ）第１実施例の説明図３は本発明の第１実施例を示す回路図で、この図３に
おいて、１は信号線路用ストリップ線路であり、この信
号線路用ストリップ線路１は、パワーアンプとしての信
号増幅用トランジスタ２をそなえている。

【００１６】この信号線路用ストリップ線路１は、トラ
ンジスタ２によって分断されていることにより、入力側
のストリップ線路１ａと出力側のストリップ線路１ｂと
で構成されている。そして、この入力側のストリップ線
路１ａと出力側のストリップ線路１ｂとは、信号増幅用
トランジスタ２を介して接続される他に、この信号増幅
用トランジスタ２と並列に設けられた帰還回路４０を介
して接続されている。

【００１７】ここで、信号増幅用トランジスタ２として
は、従来におけるものと同様に、マイクロ波等の高周波
信号の増幅に適したＦＥＴ（以下の実施例では、この信
号増幅用トランジスタを信号増幅用ＦＥＴ、又は単にＦ
ＥＴという）が使用される。又、帰還回路４０は、信号
増幅用ＦＥＴ２の電力の効率を殆ど落とさずに、高調波
を抑制してＦＥＴ２の出力の信号歪みを取り省くもので
ある。つまり、帰還回路４０は、ＦＥＴ２からの信号歪
みである２倍波の逆位相のもの得て、これにより、２倍
波の歪みをキャンセルするものである。

【００１８】このため、帰還回路４０は、帰還用ストリ
ップ線路４と、これに接続された、方向性結合器３，終
端抵抗１２，スタブ５，帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂに
よって構成されている。即ち、この帰還用ストリップ線
路４は、その一端（先端部）をＦＥＴ２の出力側のスト
リップ線路１ｂに接続されているとともに、他方の一端
（終端部）の手前をＦＥＴ２の入力側のストリップ線路
１ａに、方向性結合器３を介して接続されている。

【００１９】そして、この帰還用ストリップ線路４に
は、接続部Ａ点から電気長λ／４の所に、帰還回路４０
による出力側のストリップ線路１ｂへの影響を無くすた
めのスタブ５が付加されている。尚、電気長λ／４は、
信号周波数ｆに対する波長λの１／４の長さに相当する
ものである。又、このスタブ５と方向性結合器３との間
の所要箇所に、帰還量変更用抵抗６ａが設けられてお
り、更に、そこから電気長λ_2f／４（λ_2f：２倍波の周
波数２ｆの波長、λ_2f＝λ／２）の所にも、帰還量変更
用抵抗６ｂが設けられている。なお、電気長λ_2f／４間
隔で２つの帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂが配置されてい
るのは、インピーダンスの劣化を生じることなく帰還量
の調節ができるからである。

【００２０】そして、スタブ５から２つ目の帰還量変更
用抵抗６ｂに続いて、Ｂ点に方向性結合器３が設けら
れ、更に、この方向性結合器３の先の終端部には、終端
抵抗１２がそなえられている。このＡ点からＢ点までの
距離は、電気長λ／２であり、２倍の信号周波数２ｆで
は、１波長分に相当する。尚、終端抵抗１２は、更に、
グランドＧＮＤに接続されている。

【００２１】ここで、帰還用ストリップ線路４において
は、その名称の示す通り、接続部Ａ点からのＦＥＴ２の
出力信号を取り入れて、方向性結合器３を介して入力側
のストリップ線路１ｂに帰還させるようになっている。
方向性結合器３は、入力側のストリップ線路１ａの信号
周波数ｆに対する２倍（２倍波）の信号周波数２ｆの結
合器であり、本例では、帰還用ストリップ線路４の終端
の手前の部分を、入力側のストリップ線路１ａに対し所
要の間隔をあけて配置することにより、結合器を構成し
ている。

【００２２】終端抵抗１２は、送られて来た２倍波の信
号周波数２ｆの信号を終端するものであり、スタブ５
は、帰還用ストリップ線路４の一部を延在させるように
して構成された、λ／４波長の長さを持つ突出物であ
り、このスタブ５は、先に説明した様に、Ａ点から電気
長λ／４の所に付加されているため、スタブ５のオープ
ン端からＡ点までλ／２となっている。これにより、Ａ
点でインピーダンスがオープンとなり、信号周波数ｆに
おいては、出力側のストリップ線路１ｂへの影響は無く
なるようになっている。

【００２３】２つの帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂは、協
働して信号の減衰量を制御するものである。そして、こ
れらの帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂは、λ_2f／４間隔で
挿入されいるので、インピーダンスの劣化がほとんど無
く、帰還量の調節が可能となっている。これにより、信
号周波数２ｆの信号が、方向性結合器３で結合する時に
は、Ａ点から信号周波数２ｆにとって１波長分（電気長
λ／２）離れており、線路長の位相変化量３６０°とＦ
ＥＴの通過位相変化量１８０°で結果的に、１８０°ず
れた信号か合成されることになる。尚、この帰還量変更
用抵抗６ａ，６ｂを交換して減衰量を変えることによ
り、帰還量の調節ができるようになっている。

【００２４】上述の構成により、信号周波数ｆの入力信
号はＦＥＴ２で増幅されるが、このとき、ＦＥＴ２の増
幅作用に伴って信号歪み（２倍波）を含んだ信号が出力
される。しかし、この信号が帰還回路４０でＦＥＴ２の
入力側に帰還されることにより、結果として、ＦＥＴ２
の出力に歪みの無い出力を得ることができる。即ち、出
力側のストリップ線路１ｂに出力されたＦＥＴ２の出力
信号は、帰還用ストリップ線路４を介してＦＥＴ２の入
力側へ戻される。このときの帰還信号は、帰還量変更用
抵抗６ａ，６ｂによって帰還量をコントロールされてい
る。

【００２５】このとき、信号周波数に対しＡ点でインピ
ーダンスがオープンとなる。これは、スタブ５の電気長
がλ／４でオープン端からＡ点までλ／２であるためで
ある。この結果、帰還回路４０は、信号線路への影響を
信号周波数ｆについては与えなく無くなる。しかしなが
ら、２倍波の信号周波数２ｆは、１波長が電気長λ／２
に相当するため、スタブ５の影響は受けずに、２倍波
は、２つの帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂ側へ送られ、こ
こで、位相を１８０°ずらされた上で、Ｂ点の方向性結
合器３へ送られる。

【００２６】そして、位相を１８０°ずらされた２倍波
は、Ａ点から２倍波の１波長分離れたＢ点の方向性結合
器３へ送られて、ここで、入力側のストリップ線路１ａ
のＦＥＴ２へ送られる手前の信号と結合する。このと
き、結合される信号は、歪み信号に対し逆位相を持った
信号であるので、ＦＥＴ２からは歪みのない信号が出力
されることになる。

【００２７】尚、方向性結合器３は、２倍波に同調して
いるため、信号周波数ｆに関してインピーダンス等の影
響はない。このように、信号増幅用ＦＥＴ２の出力側の
ストリップ線路１に接続されるとともに、ＦＥＴ２の入
力側のストリップ線路１に方向性結合器３を介して接続
され、高調波を抑制しうる長さの線路長とスタブ５とを
有する帰還用ストリップ線路４をそなえたことにより、
２倍波抑制のための帰還回路を信号周波数ｆに影響する
ことなく構成でき、不必要の高周波をキャンセルするこ
とができる。然も、回路構成が単純でありながら優れた
電力効率を持ち、効率良く信号歪みを抑制することがで
きる。このため、増幅器自体の小型化が可能となるだけ
でなく、帰還回路自体の設計も簡単なものになる。

【００２８】そして、上記の帰還用ストリップ線路４
に、帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂが設けられていること
により、更に、信号増幅用ＦＥＴ２の入出力信号の状態
に応じた高調波の抑制処理ができるとともに、ＦＥＴ２
の出力効率をより効率化できる。その上、帰還量変更用
抵抗６ａ，６ｂ自体の構成も単純で、又、規模の小さな
ものであるから増幅器自体の小型化と回路設計の容易さ
に貢献できる。

【００２９】尚、上記の例では、帰還回路４０に２つの
帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂを設けたが、帰還量変更用
抵抗６ａ，６ｂの代わりに、図４に示すように、抵抗と
して機能するＦＥＴ７ａ，７ｂを使用することも可能で
あり、このような場合、ゲートバイアス回路１０が各Ｆ
ＥＴ７ａ，７ｂのゲートに接続される。尚、帰還量の調
節は、ゲートバイアス回路１０からの出力を調整するこ
とにより、ドレイン・ソースの抵抗値が変わることによ
り行なわれるようになっている。

【００３０】従って、この帰還量変更用ＦＥＴ７ａ，７
ｂを使用した帰還回路４０では、２倍波のレベルに応じ
てバイアス値の調節を行なう。この結果、各ＦＥＴ７
ａ，７ｂの抵抗値が調節されて、信号増幅用ＦＥＴ２に
送られて来る信号の状態に応じた帰還量を得られる。こ
のように、帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂとしてのＦＥＴ
７ａ，７ｂと、ゲートバイアス回路１０とを使用するこ
とにより、帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂを使用した場合
と同様の効果を持つ他に、帰還回路４０の帰還量を自在
に調節できるといった、レベル調整機能を持つことがで
きる。これにより、例えば、ＭＭＩＣ等調整が困難な回
路でも、ゲートバイアス回路１０のバイアス値で帰還量
を調節が可能であり、又、帰還量調整のためのに付加さ
れるＦＥＴ７ａ，７ｂとゲートバイアス回路１０も単純
で少規模なものであるため、増幅器自体の小型化と回路
設計を容易できる。

【００３１】（ｂ）第２実施例の説明図５は本発明の第２実施例としての高出力増幅器を示す
回路図であり、この図５に示す第２実施例では、帰還回
路４０に付加したスタブ５の代わりに、帰還させるべき
信号の周波数を選択するフィルタ８が設けられている。
このようにすれば、スタブ５を設け無くても、帰還回路
４０は、増幅時に発生する信号歪みを抑制することがで
きる。

【００３２】従って、この第２実施例では、フィルタ８
によって、出力側のストリップ線路１ｂからの信号出力
の内の２倍波のみが、帰還量変更用ＦＥＴ７ａ，７ｂ
（あるいは帰還量変更用抵抗６ａ，６ｂ）側へ帰還され
る。そして、この帰還信号は、ＦＥＴ７ａ，７ｂによっ
て、帰還量をコントロールされるとともに、位相を１８
０°ずらされた上で、Ｂ点の方向性結合器３へ送られ
る。

【００３３】このようにして、位相を１８０°ずらされ
た２倍波は、方向性結合器３で、入力側のストリップ線
路１ａの信号増幅用ＦＥＴ２へ送られる手前の信号と結
合する。このとき、結合される信号は、歪み信号に対し
逆位相を持った信号であるので、ＦＥＴ２からは歪みの
ない信号が出力されることになる。尚、スタブ５を用い
た場合と同様に、方向性結合器３は、２倍波に同調して
いるため、信号周波数ｆに関してインピーダンス等の影
響はない。

【００３４】このように、スタブ５の代わりに、フィル
タ８を設けることにより、スタブ５を用いた場合と同様
の効果を得ることができ、回路設計の自由度が広がる。
例えば、スペース的にスタブ５では状況に応じえない様
な場合でも、帰還回路４０の確立が可能となる。そし
て、フィルタ８自体もスタブ５と同様に単純なものであ
るため、増幅器自体の小型化と回路設計の容易さに貢献
できる。

【００３５】（ｃ）第３実施例の説明図６は本発明の第３実施例としての高出力増幅器を示す
回路図で、この図６に示す第３実施例は、帰還用ストリ
ップ線路４に、帰還量変更用抵抗として機能するＦＥＴ
７ａ，７ｂをそなえたものにおいて、信号増幅用ＦＥＴ
２の出力レベルに応じて、帰還量変更用ＦＥＴ７ａ，７
ｂの抵抗値を自動調節する高調波抑圧制御機能を持たせ
たものである。

【００３６】即ち、この第３実施例では、トランジスタ
２の出力レベルを検出するレベル検出回路９が設けられ
るとともに、このレベル検出回路９で検出された検波レ
ベルに応じ、帰還量変更用ＦＥＴ７ａ，７ｂのゲートバ
イアスを自動的に調整して、高調波を抑圧する高調波抑
圧制御回路１１が設けられている。ここで、レベル検出
回路９は、方向性結合用ストリップ線路１７、およびこ
の方向性結合用ストリップ線路１７と出力側のストリッ
プ線路１ｂの一部分によって構成される方向性結合器１
８をそなえるとともに、終端抵抗１３，２倍波の信号の
みを通過するフィルタ１４，２倍波の出力レベルを検出
するダイオード９′をそなえて構成されている。又、高
周波抑制回路１１は、レベル検出回路９からの検出側出
力と参照側出力とを比較するコンパレータ１１ａによっ
て構成されている。尚、終端抵抗１３，ダイオード９′
は、グランドＧＮＤに接続されている。

【００３７】このような構成により、この第３実施例で
は、方向性結合器１８から出力側のストリップ線路１ｂ
の出力が拾われて、この出力の内の２倍波の信号のみが
フィルタ１４によって得られる。そして、ダイオード
９′は、フィルタ１４によって得られた２倍波の信号の
レベルを検波して、その検波出力が高周波抑制回路１１
のコンパレータ１１ａに入力されることにより、帰還量
変更用ＦＥＴ７ａ，７ｂのゲートバイアスが自動的に調
整される。この結果、各ＦＥＴ７ａ，７ｂの抵抗値は、
レベルに応じて適切な自動調整を施されて、上記と同様
の要領で、２倍波の抑制が行なわれる。

【００３８】このように、上述の帰還量変更用抵抗６
ａ，６ｂとしてのＦＥＴ７ａ，７ｂとともに、レベル検
出回路９と高調波抑圧制御回路１１とが設けられたこと
により、上述の実施例の各効果を持つ他、自動的に帰還
量を適切な値に調節することができ、常に、信号増幅用
ＦＥＴ２の入出力信号の状態に応じた高調波の抑制処理
が可能となる。更に、高調波抑圧制御回路１１の構成が
単純なものであるため、増幅器自体の小型化と回路設計
の容易さに貢献できる。

【００３９】（ｄ）その他以上の各実施例で説明した本発明の高出力増幅器の効果
をまとめると、従来例におけるものと比べて、帰還量の
自動調整機能を持たせた場合のような最も回路構成が複
雑な場合でも、単純な回路構成を維持でき、しかも、電
界効果トランジスタ７ａ，７ｂやゲートバイアス回路１
０、およびスタブ５やフィルタ８、そして、高調波抑圧
制御回路１１等の装置を用いない場合でも、従来の場合
よりも、優れた出力効率を得ることができる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の高出力増
幅器によれば、信号線路用ストリップ線路に、信号増幅
用トランジスタをそなえてなる高出力増幅器において、
トランジスタの出力側のストリップ線路に接続されると
ともに、トランジスタの入力側のストリップ線路に方向
性結合器を介して接続され、高調波を抑制しうる長さの
線路長を有する帰還用ストリップ線路をそなえて構成さ
れたことにより、単純な回路構成で不必要の高周波を効
率良くキャンセルすることができる。このため、増幅器
自体の小型化が可能となるだけでなく、帰還回路自体の
設計も簡単なものになる利点がある（請求項１）。

【００４１】そして、上記の帰還用ストリップ線路に、
スタブを付加することもできるが、このようにすること
により、更に、２倍波抑制のための帰還回路を信号周波
数に影響することなく構成できるとともに、より一層、
信号増幅用トランジスタの出力効率を上げることができ
る利点がある。更に、スタブ自体の構成も単純で、又、
規模の小さなものであるから、増幅器自体の小型化と回
路設計の容易さに貢献できる利点がある（請求項２）。

【００４２】又は、帰還用ストリップ線路に、帰還させ
るべき信号の周波数を選択するフィルタを設けることも
できるが、このようにすることにより、スタブの場合と
同様の効果を得ることができ、回路設計の自由度が広が
る利点があるとともに、スタブを使用した場合と同様
に、増幅器自体の小型化と回路設計の容易さに貢献でき
る利点がある（請求項５）。

【００４３】そして、帰還用ストリップ線路に、帰還量
変更用抵抗を設けることもできるが、このようにするこ
とにより、更に、帰還量を規定でき信号増幅用トランジ
スタの入出力信号の状態に応じた高調波の抑制処理がで
きるとともに、信号増幅用トランジスタの出力効率を上
げることができる利点がある。その上、帰還量変更用抵
抗自体の構成も単純で、又、規模の小さなものであるか
ら増幅器自体の小型化と回路設計の容易さに貢献できる
利点がある（請求項３）。

【００４４】更に、帰還量変更用抵抗として電界効果ト
ランジスタを使用することもできるが、このようにする
ことにより、帰還回路の帰還量を規定するといった、帰
還量変更用抵抗を使用した場合と同様の効果を持つ他、
帰還量のレベル調整機能を持つことができる利点があ
る。そして、このような効果を持つ機能を付加しても、
帰還量変更用抵抗を使用した場合と比べて僅かな装置し
か付加する必要が無く、増幅器自体の小型化と回路設計
の容易さに貢献できる利点がある（請求項４）。

【００４５】又、帰還用ストリップ線路に、帰還量変更
用抵抗として機能する電界効果トランジスタをそなえる
とともに、トランジスタの出力レベルを検出するレベル
検出手段をそなえ、レベル検出手段で検出された検波レ
ベルに応じ、電界効果トランジスタのゲートバイアスを
自動的に調整して、高調波を抑圧する制御手段を設ける
こともできるが、このようにすることにより、先の請求
項４の効果を持つ他、高調波に応じて、自動的に帰還量
を調節できる利点があるとともに、又、高調波抑圧制御
手段の構成が単純なものであるため、増幅器自体の小型
化と回路設計の容易さに貢献できる利点がある（請求項
６）。

【００４６】即ち、本発明の高出力増幅器では、従来例
におけるものと比べて、帰還量の自動調整機能を持たせ
た場合でも、単純な回路構成で、優れた出力効率を得る
ことができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明する回路図である。

【図２】本発明の原理を説明する回路図である。

【図３】本発明の第１実施例を示す回路図である。

【図４】本発明の第１実施例の変形例を示す回路図であ
る。

【図５】本発明の第２実施例を示す回路図である。

【図６】本発明の第３実施例を示す回路図である。

【図７】従来例を示す回路図である。

【図８】他の従来例を示す回路図である。

【符号の説明】

１信号線路用ストリップ線路１ａ入力側のストリップ線路１ｂ出力側のストリップ線路２信号増幅用トランジスタ（ＦＥＴ）３方向性結合器４帰還用ストリップ線路５スタブ６ａ，６ｂ帰還量変更用抵抗７ａ，７ｂ帰還量変更用ＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）８，１４フィルタ９レベル検出回路（レベル検出手段）９′ ダイオード１０ゲートバイアス回路１１高調波抑圧制御回路（高調波抑圧制御手段）１１ａコンパレータ１２，１３終端抵抗１７方向性結合器用ストリップ線路１８方向性結合器４０帰還回路５０リニアライザ５１高調波処理装置ＧＮＤグランド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】信号線路用ストリップ線路（１）に、信
号増幅用トランジスタ（２）をそなえてなる高出力増幅
器において、該トランジスタ（２）の出力側のストリップ線路（１）
に接続されるとともに、該トランジスタ（２）の入力側
のストリップ線路（１）に方向性結合器（３）を介して
接続され、高調波を抑制しうる長さの線路長を有する帰
還用ストリップ線路（４）をそなえて構成されたことを
特徴とする、高出力増幅器。
【請求項２】該帰還用ストリップ線路（４）に、スタ
ブ（５）が付加されていることを特徴とする請求項１記
載の高出力増幅器。
【請求項３】該帰還用ストリップ線路（４）に、帰還
量変更用抵抗（６）が設けられていることを特徴とする
請求項１記載の高出力増幅器。
【請求項４】該帰還量変更用抵抗（６）として電界効
果トランジスタが使用されていることを特徴とする請求
項３記載の高出力増幅器。
【請求項５】該帰還用ストリップ線路（４）に、帰還
させるべき信号の周波数を選択するフィルタ（８）が設
けられていることを特徴とする請求項１記載の高出力増
幅器。
【請求項６】該帰還用ストリップ線路（４）に、帰還
量変更用抵抗（６）として機能する電界効果トランジス
タをそなえるとともに、該トランジスタ（２）の出力レベルを検出するレベル検
出手段（９）をそなえ、該レベル検出手段（９）で検出された検波レベルに応
じ、該電界効果トランジスタ（７）のゲートバイアスを
自動的に調整して、高調波を抑圧する制御手段（１１）
が設けられたことを特徴とする請求項４記載の高出力増
幅器。